KR20180124199A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided is an apparatus and a method for heat-treating a substrate. The apparatus comprises: a process chamber providing a processing space therein; a substrate support unit placed in the processing space and having a seating surface on which a substrate is seated, and a heat treatment unit heat-treating the substrate seat on the seating surface, wherein the heat treatment unit includes a heating member provided in the substrate support unit and having heaters dividing and heating a plurality of areas of the seating surface by area and an adjustment member increasing a temperature gradient between adjacent areas of the plurality of areas, and the adjustment member includes a gas nozzle discharging gas to a boundary between the adjacent areas, thereby maximizing a temperature difference of the substrate by area.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for heat-treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 액막을 형성하는 공정으로 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. In these processes, a coating process is used as a process of forming a liquid film on a substrate. In general, the application step is a step of applying a treatment liquid onto a substrate to form a liquid film.

기판 상에 액막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크하는 베이크 처리 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시킨다. 이러한 베이크 처리 과정은 공정에 따라, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나, 기판의 온도를 영역 별로 상이하게 가열한다. Before and after forming a liquid film on the substrate, a baking process for baking the substrate is performed. The baking process is a process of heating the substrate at a process temperature or higher in an enclosed space, which blows organic substances on the liquid film to stabilize the liquid film. This baking process heats the entire area of the substrate to a uniform temperature or heats the substrate temperature differently according to the process, depending on the process.

이 중 기판의 온도를 영역 별로 상이하게 가열하는 공정은 기준 영역을 중심으로 이의 내측인 내측 두께와 외측인 외측 두께를 서로 상이하게 조절한다. Among them, the step of heating the substrate differently according to the region adjusts the inner thickness inside and the outer thickness outside from the reference region to be different from each other.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 지지판의 상면에는 기판(W)이 안착되고, 히터는 기판을 가열한다. 히터는 복수 개로 제공되며, 각각은 지지판의 복수 영역들에 대응되게 위치된다. 히터로부터 발생된 열은 지지판을 통해 기판(W)으로 전도된다. 지지판의 내측 영역에 위치되는 내측 히터들은 내측 온도로 기판(W)을 가열하고, 외측 영역에 위치되는 외측 히터들은 내측 온도와 상이한 외측 온도로 기판을 가열한다. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general bake processing apparatus, and FIG. 2 is a graph showing a region-by-region temperature of the substrate of FIG. 1 and 2, a substrate W is placed on the upper surface of the support plate, and the heater heats the substrate. The heaters are provided in a plurality, each of which is positioned corresponding to a plurality of regions of the support plate. The heat generated from the heater is conducted to the substrate W through the support plate. The inner heaters located in the inner region of the support plate heat the substrate W to an inner temperature and the outer heaters located in the outer region heat the substrate to an outer temperature different from the inner temperature.

기판(W)의 온도는 내측에서 외측으로 갈수록 점진적으로 높아지거나 낮아지며, 내측과 외측의 경계 영역은 온도 구배가 낮다. 이로 인해 액막의 영역 별 두께 차이는 경계가 모호하며, 균일한 내측 영역의 두꺼를 형성하는 것이 어렵다.The temperature of the substrate W gradually increases or decreases from the inside to the outside, and the temperature gradient in the boundary region between the inside and the outside is low. As a result, the difference in the thickness of the liquid film is unambiguous and it is difficult to form a uniform inner region.

한국 공개 특허 번호 2002-0020847Korean Published Patent Application No. 2002-0020847

본 발명은 기판 상에 형성된 액막의 내측 두께 및 외측 두께를 서로 상이하게 조절하되, 균일한 내측 두께를 형성할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an apparatus and a method capable of forming a uniform inner thickness while controlling the inner thickness and the outer thickness of the liquid film formed on the substrate to be different from each other.

또한 본 발명은 기판의 영역 별 경계 구역의 온도 구배를 높일 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method for increasing the temperature gradient of a boundary region of a substrate by regions.

본 발명의 실시에는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 열처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 처리 공간에 위치되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 안착면에 안착된 기판을 열처리하는 열처리 유닛을 포함하되, 상기 열처리 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 상기 안착면의 복수의 영역들을 각각의 영역별로 구분하여 가열하는 히터들을 가지는 가열 부재 및 상기 복수의 영역들 중 서로 인접하는 영역들 간에 온도 구배를 증가시키는 조절 부재를 포함하되, 상기 조절 부재는 상기 인접하는 영역들 간의 경계로 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for heat treating a substrate. The apparatus for heat-treating a substrate includes a processing chamber for providing a processing space therein, a substrate supporting unit having a mounting surface on which the substrate is mounted, and a heat-treating unit for heat-treating the substrate placed on the mounting surface Wherein the heat treatment unit is provided in the substrate supporting unit and includes a heating member having heaters for heating a plurality of regions of the seating surface by respective regions and a temperature gradient between adjacent ones of the plurality of regions, Wherein the regulating member includes a gas nozzle that discharges gas to a boundary between the adjacent areas.

상기 서로 인접하는 영역들 중 하나는 원 또는 링 형상의 제1영역이고, 다른 하나는 제1영역을 감싸는 링 형상의 제2영역일 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 안착면을 가지는 지지 플레이트를 포함하되, 상기 안착면과 반대되는 반대면에는 상기 히터들이 설치되고, 상기 노즐은 상기 반대면에 가스를 토출할 수 있다. One of the adjacent regions may be a first region of a circular or ring shape, and the other may be a second region of a ring shape surrounding the first region. The substrate support unit may include a support plate having the seating surface, the heaters may be provided on a side opposite to the seating surface, and the nozzle may discharge gas on the opposite side.

상기 노즐은 토출구 및 포집구를 가지는 몸체, 상기 토출구로부터 가스가 토출되도록 상기 몸체에 공급하는 가스 공급 라인, 그리고 상기 토출구로부터 토출된 가스 중 상기 포집구를 통해 상기 몸체 내로 유입된 가스를 상기 몸체로부터 배출하는 배출 라인을 포함할 수 있다. 상기 몸체는 환형의 링 형상을 가지는 외부 바디 및 상기 외부 바디 내에 배치되며 환형의 상기 토출구를 가지는 내부 바디를 포함하되, 상기 포집구는 상기 내부 바디와 상기 외부 바디의 사이 공간으로 제공될 수 있다. 상기 외부 바디의 상단은 상기 내부 바디의 상단보다 높게 위치될 수 있다. 상기 내부 바디는 내측면과 외측면 각각이 상기 외부 바디로부터 이격되게 위치될 수 있다. Wherein the nozzle includes a body having a discharge port and a collecting port, a gas supply line for supplying the gas to the body to discharge gas from the discharge port, and a gas outlet port for discharging gas introduced into the body through the collecting port, And may include a discharge line for discharging. The body includes an outer body having an annular ring shape, and an inner body disposed in the outer body and having the annular discharge port, wherein the trap is provided between the inner body and the outer body. The upper end of the outer body may be positioned higher than the upper end of the inner body. The inner body may be positioned such that the inner and outer sides thereof are spaced apart from the outer body.

기판을 처리하는 방법은 상기 기판은 지지 플레이트의 안착면에 안착되고, 상기 지지 플레이트에 설치된 가열 부재는 상기 안착면의 복수의 영역들을 구분지어 가열하며, 가열된 상기 복수의 영역들을 통해 상기 기판을 영역별로 가열하되, 상기 복수의 영역들 간에 온도 구배가 증가되도록 서로 인접하는 영역들의 경계에 가스를 토출한다. A method of processing a substrate, wherein the substrate is seated on a seating surface of a support plate, the heating member disposed on the support plate segments and heats a plurality of areas of the seating surface, And the gas is discharged to the boundary of adjacent regions so that the temperature gradient is increased between the plurality of regions.

상기 서로 인접하는 영역들 중 하나는 원 또는 링 형상의 제1영역이고, 다른 하나는 제1영역을 감싸는 링 형상의 제2영역일 수 있다. 상기 경계에 토출되는 상기 가스 중 일부는 포집되어 상기 지지 플레이트의 외부로 배출될 수 있다. One of the adjacent regions may be a first region of a circular or ring shape, and the other may be a second region of a ring shape surrounding the first region. A part of the gas discharged to the boundary may be collected and discharged to the outside of the support plate.

상기 가열 부재는 상기 안착면과 반대되는 반대면을 가열하고, 상기 가스는 상기 반대면에 토출될 수 있다. The heating member heats the opposite surface opposite to the seating surface, and the gas can be discharged to the opposite surface.

본 발명의 실시예에 의하면, 복수의 영역들의 경계에 가스를 토출하여 복수 영역드 간에 온도 구배를 증가시킨다. 이로 인해 기판의 영역 별 온도차를 극대화시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the gas is discharged at the boundary of the plurality of regions to increase the temperature gradient between the plurality of regions. As a result, the temperature difference of each substrate can be maximized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 복수의 영역들의 경계에 가스를 토출하여 온도 구배를 증가시키므로, 복수의 영역들 간에 온도 영향을 최소화할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the temperature gradient is increased by discharging the gas at the boundary of the plurality of regions, the temperature influence between the plurality of regions can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 내측 영역과 외측 영역 간에 온도 구배가 증가되므로, 기판의 내측 영역에 형성되는 액막 두께를 균일하게 조절할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the temperature gradient is increased between the inner region and the outer region of the substrate, the thickness of the liquid film formed in the inner region of the substrate can be uniformly controlled.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 지지 플레이트 및 가열 부재를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 지지 플레이트 및 열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 조절 부재를 보여주는 사시도이다.
도 11은 도 9의 지지판 및 가열 부재에 의해 가열된 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다.
도 12는 도 9의 가열 부재 및 조절 부재를 이용하여 기판을 열 처리하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 13은 도 9의 지지 플레이트 및 열 처리 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 14은 도 9의 조절 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a sectional view showing a general bake processing apparatus.
2 is a graph showing the temperature of each region of the substrate of FIG.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the direction AA. Fig.
5 is a view of the equipment of Fig. 3 viewed from the BB direction.
Fig. 6 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the CC direction
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3;
8 is a plan view showing the support plate and heating member of Fig. 7;
9 is a cross-sectional view showing the support plate and heat treatment unit of Fig. 7;
10 is a perspective view showing the adjustment member of FIG.
Fig. 11 is a graph showing the temperature of the substrate heated by the support plate and the heating member of Fig. 9; Fig.
12 is a view showing a process of heat-treating a substrate using the heating member and the adjusting member of FIG.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing another embodiment of the support plate and heat treatment unit of FIG. 9; FIG.
14 is a cross-sectional view showing another embodiment of the adjustment member of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. However, the present embodiment is applicable to various apparatuses in which an airflow is formed in a closed substrate processing space. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist coating unit 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in more or less numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application unit robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first buffer unit 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating units 410 all have the same structure. However, the types of the sensitizing solution used in the respective resist coating units 410 may be different from each other. For example, a chemical amplification resist may be used as the sensitizing solution. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid onto the substrate W. [ The resist coating unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the sensitizing solution onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The bake unit 800 can heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface properties of the substrate W before applying the photosensitive liquid and form a process liquid film such as an adhesive on the substrate W have. The bake unit 800 can heat-treat the photosensitive liquid film in a reduced-pressure atmosphere on the substrate W coated with the photosensitive liquid. The volatile substance contained in the photosensitive liquid film can be volatilized. In this embodiment, the bake unit 800 is described as a unit for performing the heat treatment on the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in the shape of a circular plate. Inside the cooling plate 820, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or close to ambient temperature.

가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 배기 유닛(1500), 기판 지지 유닛(1200), 그리고 열 처리 유닛(1400)을 포함한다. The heating unit 1000 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at a normal pressure or lower. The heating unit 1000 is provided to the substrate processing apparatus 1000 for heating the substrate W. [ FIG. 7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3; 7, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, an exhaust unit 1500, a substrate supporting unit 1200, and a heat treatment unit 1400. [

챔버(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided with an outer and an interrupted space. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능한다. 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 상부 바디(1120)의 중심을 벗어난 위치에 형성된다. 주변홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀들(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 위치된다. 주변홀들(1124)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 4 개일 수 있다. 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. A center hole 1122 and a peripheral hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1122 is formed at the center of the upper body 1120. The center hole 1122 functions as an exhaust hole 1122 through which the atmosphere of the process space 1110 is exhausted. The peripheral holes 1124 are provided in a plurality of locations and are formed at positions deviated from the center of the upper body 1120. The peripheral holes 1124 function as an inlet hole 1124 through which the external air flows into the processing space 1110. The peripheral holes 1124 are positioned to surround the center hole 1122. The peripheral holes 1124 are spaced apart from each other along the circumferential direction. According to one example, the number of the peripheral holes 1124 may be four. The external air flow may be air.

선택적으로, 주변홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공될 수 있다. 또한 외부의 기류는 비활성 가스일 수 있다.Alternatively, the peripheral holes 1124 may be provided in three or more than five. The external airflow may also be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member 1130 and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 can be moved between the open position and the shutoff position by the lifting member 1130. [ Here, the open position is a position where the processing space 1110 is opened by separating the upper body 1120 and the lower body 1140 from each other. The cutoff position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. A sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520) 감압 부재(1540), 그리고 대향판(1560)을 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)에 고정 결합된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 처리 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다. 배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)은 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 1500 exhausts the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1520, a pressure-reducing member 1540, and an opposite plate 1560. The exhaust pipe 1520 is provided in a tubular shape with both open ends. The exhaust pipe 1520 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The exhaust pipe 1520 is fixedly coupled to the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the center hole 1122 of the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is located in the processing space 1110 with the lower region including the lower end and the upper region including the upper portion is located outside the processing space 1110. That is, the upper end of the exhaust pipe 1520 is positioned higher than the upper body 1120. A decompression member 1540 is connected to the exhaust pipe 1520. The decompression member 1540 decompresses the exhaust pipe 1520. Accordingly, the processing space 1110 can be exhausted through the exhaust pipe 1520.

대향판(1560)은 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 흐름 방향을 안내한다. 대향판(1560)은 처리 공간(1110)에서 기류의 흐름 방향을 안내한다. 대향판(1560)은 통공(1620)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 통공(1620)은 대향판(1560)의 중심에 형성된다. 대향판(1560)은 처리 공간(1110)에서 지지 플레이트(1320)의 상부에 위치된다. 대향판(1560)은 상부 바디(1120)와 대응되는 높이에 위치된다. 대향판(1560)은 지지 플레이트(1320)와 마주보도록 위치된다. 대향판(1560)은 통공(1620)에 배기관(1520)이 삽입되도록 위치된다. 예컨대, 통공(1620)은 배기관(1520)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 배기관(1520)은 대향판(1560)의 통공(1620)에 삽입 결합된다. 대향판(1560)은 배기관(1520)의 하단에 고정 결합된다. 대향판(1560)은 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 외경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 대향판(1560)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 형성된다. 처리 공간(1110)에 유입된 기류는 대향판(1560)에 의해 흐름 방향이 안내되고, 틈을 통해 공급된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 대향판(1560)은 주변홀(1124)과 중첩될 수 있다. 대향판(1560)은 기판(W)이 안착되는 안착면보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.The opposite plate 1560 guides the flow direction of the airflow entering the processing space 1110. The opposite plate 1560 guides the flow direction of the airflow in the processing space 1110. The opposite plate 1560 is provided in the form of a plate having a through hole 1620. The through hole 1620 is formed in the center of the opposite plate 1560. The opposing plate 1560 is located on the upper side of the support plate 1320 in the processing space 1110. The opposite plate 1560 is located at a height corresponding to the upper body 1120. The opposing plate (1560) is positioned to face the support plate (1320). The opposite plate 1560 is positioned such that the exhaust pipe 1520 is inserted into the through hole 1620. For example, the through hole 1620 may have the same diameter as the exhaust pipe 1520. The exhaust pipe 1520 is inserted into the through hole 1620 of the opposite plate 1560. The opposite plate 1560 is fixedly coupled to the lower end of the exhaust pipe 1520. The opposite plate 1560 is provided so as to have an outer diameter smaller than the inner diameter of the upper body 1120. Thus, a gap is formed between the side surface of the opposite plate 1560 and the inner surface of the upper body 1120. The airflow introduced into the processing space 1110 is guided in the flow direction by the counter plate 1560, and is supplied through the gap. According to one example, the facing plate 1560 may overlap the peripheral hole 1124 when viewed from above. The opposing plate 1560 may be provided so as to have a larger diameter than the seating surface on which the substrate W is seated.

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 지지 플레이트(1300) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 지지 플레이트(1300)는 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 즉 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 지지 플레이트(1320)의 중심축을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 핀 홀들(1322) 각각에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착면으로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착면에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The substrate support unit 1200 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1200 includes a support plate 1300 and a lift pin 1340. The support plate 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The support plate 1320 is provided in the shape of a circular plate. The upper surface of the support plate 1320 is provided with a seating surface on which the substrate W is seated. An area including the center of the upper surface of the support plate 1320 serves as a seating surface on which the substrate W is seated. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. [ On the seating surface of the support plate 1320, a plurality of pin holes 1322 are formed. The pin holes 1322 are arranged to surround the center axis of the support plate 1320 when viewed from above. Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced apart from each other at equal intervals. Each of the pin holes 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are provided to move up and down. The lift pins 1340 raise the substrate W from the seating surface or seat the substrate W on the seating surface. For example, pin holes 1322 may be provided in three. The support plate 1320 may be provided with a material containing aluminum nitride (AlN).

일 예에 의하면, 안착면은 제1영역(A), 제2영역(B), 그리고 경계 영역(X)을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제1영역(A), 제2영역(B), 그리고 경계 영역(X)은 서로 상이한 영역으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 안착면은 중심으로 멀어지는 방향으로 갈수록 순차적으로 배열되는 제1영역(A), 경계 영역(X), 그리고 제2영역(B)을 가진다. 즉 제1영역(A)은 원 또는 링 형상을 가지며, 경계 영역(X)은 제1영역(A)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지고, 제2영역(B)은 경계 영역(X)을 감싸는 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 제1영역(A)은 안착면의 내측 영역이고, 제2영역(B)은 지지 플레이트(1320)의 외측 영역일 수 있다. 경계 영역(X)은 제1영역(A)과 제2영역(B)의 경계일 수 있다. 경계 영역(X)은 제1영역(A)과 제2영역(B) 간에 열 전달량을 제한하는 영역일 수 있다. According to one example, the seating surface has a first area A, a second area B, and a boundary area X. [ The first area A, the second area B, and the boundary area X are provided in different areas as viewed from above. The seating surface has a first region A, a boundary region X, and a second region B which are sequentially arranged in a direction away from the center when viewed from above. That is, the first region A has a circular or ring shape, the boundary region X has an annular ring shape surrounding the first region A, and the second region B has a ring shape surrounding the boundary region X And may have an annular ring shape. According to one example, the first region A may be the inner region of the seating surface and the second region B may be the outer region of the support plate 1320. [ The boundary region X may be the boundary between the first region A and the second region B. [ The boundary region X may be a region for limiting the amount of heat transfer between the first region A and the second region B.

열 처리 유닛(1440)은 지지 플레이트(1320)의 안착면에 안착된 기판을 열 처리한다. 열 처리 유닛(1440)은 가열 부재(1420) 및 조절 부재(1440)를 포함한다. 가열 부재(1420)는 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 부재(1420)는 지지 플레이트(1320)의 내부에 제공된다. 가열 부재(1420)는 제1히터(1420a) 및 제2히터(1420b)를 포함한다. 도 8은 도 7의 지지 플레이트 및 가열 부재를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 제1히터(1420a) 및 제2히터(1420b)는 안착면의 반대되는 반대면에 설치된다. 제1히터(1420a) 및 제2히터(1420b)는 동일 평면 상에 위치된다. 제1히터(1420a) 및 제2히터(1420b)는 지지 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 제1히터(1420a)는 제1영역에 중첩되게 위치되고, 제2히터(1420b)는 제2영역에 중첩되게 위치될 수 있다. 제1히터(1420a)는 제1영역(A)을 제1공정 온도로 가열하고, 제2히터(1420b)는 제2영역(B)을 제1공정 온도와 상이한 제2공정 온도로 가열할 수 있다. 각 히터(1400)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공된다. 각각의 히터는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1400)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. The heat treatment unit 1440 heat-treats the substrate placed on the seating surface of the support plate 1320. The heat treatment unit 1440 includes a heating member 1420 and a regulating member 1440. The heating member 1420 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heating member 1420 is provided inside the support plate 1320. The heating member 1420 includes a first heater 1420a and a second heater 1420b. 8 is a plan view showing the support plate and heating member of Fig. 7; Referring to FIG. 8, the first heater 1420a and the second heater 1420b are installed on opposite sides of the seating surface. The first heater 1420a and the second heater 1420b are located on the same plane. The first heater 1420a and the second heater 1420b heat different areas of the support plate 1320. [ The first heater 1420a may overlap the first region and the second heater 1420b may overlap the second region when viewed from the top. The first heater 1420a may heat the first region A to a first process temperature and the second heater 1420b may heat the second region B to a second process temperature that is different from the first process temperature have. A region of the support plate 1320 corresponding to each heater 1400 is provided with heating zones. Each heater is independently adjustable in temperature. For example, the number of heating zones may be fifteen. The temperature of each heating zone is measured by a sensor (not shown). The heater 1400 may be a thermoelectric element or a hot wire.

선택적으로 제1히터(1420a) 및 제2히터(1420b)는 지지 플레이트(1320)의 저면에 설치될 수 있다.Alternatively, the first heater 1420a and the second heater 1420b may be installed on the bottom surface of the support plate 1320.

조절 부재(1440)는 복수의 영역들 중 서로 인접하는 영역들의 온도 구배를 증가시킨다. 일 예에 의하면, 조절 부재(1440)는 제1영역(A)과 제2영역(B) 간에 온도 구배를 증가시킬 수 있다. 도 9는 도 7의 지지 플레이트 및 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 조절 부재(1440)는 안착면의 반대면에 가스를 토출한다. 예컨대, 반대면은 가열 부재(1420)가 설치되는 면과 동일한 면으로 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 가스의 토출 영역과 경계 영역(X)은 서로 중첩된다. 예컨대, 가스는 실온 또는 가열된 가스일 수 있다.The adjustment member 1440 increases the temperature gradient of the regions adjacent to each other among the plurality of regions. According to one example, the adjustment member 1440 may increase the temperature gradient between the first region A and the second region B. [ 9 is a cross-sectional view showing the support plate and heating unit of Fig. 7; Referring to Fig. 9, the adjustment member 1440 discharges gas on the opposite side of the seating surface. For example, the opposite surface may be provided on the same plane as the surface on which the heating member 1420 is installed. The gas discharge area and the boundary area X overlap each other when viewed from above. For example, the gas may be room temperature or heated gas.

조절 부재(1440)는 가스를 토출하는 노즐(1440)을 포함한다. 노즐(1440)은 몸체(1440), 가스 공급 라인(1452), 그리고 배출 라인(1454)을 포함한다. 몸체(1440)는 환형이 링 형상을 가진다. 몸체(1440)는 토출구(1488) 및 포집구(1468)를 포함한다, 토출구(1488) 및 포집구(1468)는 링 형상을 가지며, 상기 반대면을 향하는 방향을 가진다. 가스 공급 라인(1452)은 몸체(1440)에 연결되며, 토출구(1488)로부터 가스가 토출되도록 가스를 몸체(1440)에 공급한다. 배출 라인(1454)은 토출된 가스 중 포집구(1468)를 통해 몸체(1440) 내에 유입된 가스를 몸체(1440)로부터 배출시킨다.The regulating member 1440 includes a nozzle 1440 for discharging the gas. The nozzle 1440 includes a body 1440, a gas supply line 1452, and a discharge line 1454. The body 1440 has an annular ring shape. The body 1440 includes a discharge port 1488 and a collecting port 1468. The discharge port 1488 and the collecting port 1468 have a ring shape and have a direction toward the opposite surface. The gas supply line 1452 is connected to the body 1440 and supplies the gas to the body 1440 so as to discharge the gas from the discharge port 1488. The discharge line 1454 discharges the gas introduced into the body 1440 from the body 1440 through the collection port 1468 of the discharged gas.

몸체(1440)는 외부 바디(1460) 및 내부 바디(1480)를 포함한다. 외부 바디(1460) 및 내부 바디(1480) 각각은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 내부 바디(1480)는 외부 바디(1460)의 내에 위치된다. 내부 바디(1480)의 외측면은 외부 바디(1460)의 내측면과 이격되게 위치된다. 즉, 내부 바디(1480)와 외부 바디(1460) 간에는 사이 공간(1468)에 형성된다. 토출구(1488)는 내부 바디(1480)의 상단에 형성되며, 포집구(1468)는 상기 사이 공간으로 제공된다. 외부 바디(1460)는 내부 바디(1480)보다 높은 상단을 가진다. 이로 인해 토출구(1488)로부터 토출된 가스는 포집구(1468)를 통한 포집이 용이하다. Body 1440 includes an outer body 1460 and an inner body 1480. Each of the outer body 1460 and the inner body 1480 is provided to have an annular ring shape. The inner body 1480 is positioned within the outer body 1460. The outer surface of the inner body 1480 is positioned away from the inner surface of the outer body 1460. That is, between the inner body 1480 and the outer body 1460, is formed in the interspace 1468. A discharge port 1488 is formed in the upper end of the inner body 1480, and a collecting port 1468 is provided in the interspace. The outer body 1460 has an upper end that is higher than the inner body 1480. Therefore, the gas discharged from the discharge port 1488 is easily collected through the trap 1468.

다음은 외부 바디(1460)와 내부 바디(1480)의 형상에 대해 보다 자세히 설명한다. 도 10은 도 9의 조절 부재(1440)를 보여주는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 외부 바디(1460)는 외측 상단부(1462) 외측 중단부(1464), 그리고 외측 하단부(1466)를 가진다. 외측 상단부(1462) 외측 중단부(1464), 그리고 외측 하단부(1466)는 위에서 아래방향을 따라 순차적으로 연장된다. 외측 상단부(1462)는 위에서 아래를 향하는 수직 방향으로 제공된다. 따라서 외측 상단부(1462)의 내경은 높이에 관계없이 동일한 폭을 가진다. 외측 중단부(1464)는 외측 상단부(1462)로부터 아래로 연장된다. 외측 중단부(1464)는 내경이 아래로 갈수록 큰 폭을 가진다. 외측 중단부(1464)는 하향 경사진 방향으로 제공된다. 외측 중단부(1464)는 아래로 갈수록 내부 바디(1480)와 멀리 이격되게 형성된다. 외측 하단부(1466)는 외측 중단부(1464)로부터 수직한 아래 방향으로 연장된다. Next, the shape of the outer body 1460 and the inner body 1480 will be described in more detail. 10 is a perspective view showing the adjustment member 1440 of FIG. 10, the outer body 1460 has an outer upper end 1462 and an outer lower portion 1464, and an outer lower end 1466. As shown in FIG. The outer upper portion 1462, the outer intermediate portion 1464, and the outer lower end portion 1466 sequentially extend from top to bottom. The outer upper end 1462 is provided in a vertically downward direction. Thus, the inner diameter of the outer upper end 1462 has the same width regardless of the height. The outer intermediate portion 1464 extends downward from the outer upper end 1462. The outer intermediate portion 1464 has a larger width as its inner diameter goes down. The outer stop 1464 is provided in a downward sloping direction. The outer intermediate portion 1464 is spaced apart from the inner body 1480 as it goes down. The outer lower end 1466 extends vertically downward from the outer intermediate portion 1464.

내부 바디(1480)는 내측 상단부(1482) 및 내측 하단부(1484)를 포함한다. 내측 상단부(1482) 및 내측 하단부(1484)는 위에서 아래 방향을 따라 순차적으로 연장된다. 내측 상단부(1482)는 위에서 아래를 향하는 수직 방향으로 제공된다. 내측 상단부(1482)의 내경은 높이에 관계없이 동일 폭을 가진다. 내측 상단부(1482)는 외측 중단부(1464)와 마주하는 높이까지 연장될 수 있다. 내측 하단부(1484)는 내측 상단부(1482)로부터 아래로 연장된다. 내측 하단부(1484)는 내측 상단부(1482)보다 큰 폭의 내경을 가지도록 제공된다. 내측 하단부(1484)는 위에서 아래를 향하는 수직 방향으로 제공된다. 가스 공급 라인(1452)은 내측 하단부(1484)의 내부에 연결되고, 배출 라인(1454)은 내측 하단부(1484)와 외측 하단부(1466)의 사이 공간에 연결될 수 있다.Inner body 1480 includes an inner upper end 1482 and an inner lower end 1484. The inner upper end portion 1482 and the inner lower end portion 1484 sequentially extend along the up-down direction. The inner upper portion 1482 is provided in a vertically downward direction. The inner diameter of the inner upper portion 1482 has the same width regardless of the height. The inner upper portion 1482 can extend to a height that faces the outer middle portion 1464. Inner lower end 1484 extends downward from inner upper end 1482. The inner lower end portion 1484 is provided to have an inner diameter larger than the inner upper end portion 1482. The inner lower end 1484 is provided in a vertically downward direction. The gas supply line 1452 may be connected to the interior of the inner lower end 1484 and the discharge line 1454 may be connected to the space between the inner lower end 1484 and the outer lower end 1466.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)의 영역 별 온도를 상이하게 가열하는 과정에 대해 설명한다. 도 11은 도 9의 지지 플레이트 및 가열 부재에 의해 가열된 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이고, 도 12는 도 9의 가열 부재 및 조절 부재를 이용하여 기판을 열 처리하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 지지 플레이트(1320)의 안착면에는 기판(W)이 안착된다. 가열 부재(1420)에 의해 제1영역(A)은 제1공정 온도로 가열되고, 제2영역(B)은 제2공정 온도의 가열된다. 경계 영역(X)과 반대되는 영역에는 가스가 공급된다. 노즐(1440)의 토출구(1488)로부터 토출된 가스 중 일부는 제1영역(A) 및 제2영역(B)에 대응되는 영역으로 확산되고, 나머지는 포집구(1468)를 통해 포집된다. 이에 따라 가스의 토출 영역에 공급되는 가스는 순환될 수 있다. 가스의 공급으로 인해 제1영역(A)과 제2영역(B)의 경계인 경계 영역(X)은 온도 구배가 증가되며, 제1영역(A)과 제2영역(B) 간에 온도차를 극대화시킬 수 있다.Next, a process of heating the substrate W differently in temperature by using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIG. 11 is a graph showing the temperature of the substrate heated by the support plate and the heating member of FIG. 9, and FIG. 12 is a view illustrating a process of heat-treating the substrate by using the heating member and the adjustment member of FIG. Referring to FIGS. 11 and 12, the substrate W is seated on the seating surface of the support plate 1320. The first region A is heated to the first process temperature by the heating member 1420 and the second region B is heated to the second process temperature. Gas is supplied to the region opposite to the boundary region (X). A part of the gas discharged from the discharge port 1488 of the nozzle 1440 is diffused into the region corresponding to the first region A and the second region B and the rest is collected through the collecting port 1468. Whereby the gas supplied to the discharge region of the gas can be circulated. The temperature gradient is increased in the boundary region X which is the boundary between the first region A and the second region B due to the supply of the gas and the temperature difference between the first region A and the second region B is maximized .

상술한 실시예에는 안착면과 이의 반대면이 편평한 면으로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 13과 같이, 가스의 토출 영역은 제1영역(A) 및 제2영역(B)보다 얇은 두께를 가지도록 홈(1325)이 형성될 수 있다. 이로 인해 제1영역(A)과 제2영역(B) 간에 온도 영향을 최소화시키고, 온도차를 극대화시킬 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the seating surface and the opposite surface are provided as flat surfaces. However, as shown in FIG. 13, the groove 1325 may be formed so that the gas discharge area has a thickness thinner than the first area A and the second area B. This minimizes the influence of temperature between the first region (A) and the second region (B) and maximizes the temperature difference.

또한 도 14와 같이, 외부 바디(1460)는 외측 상단부(1462)는 내경이 아래로 갈수록 큰 폭을 가지는 링 형상으로 제공될 수 있다. 외측 상단부(1462)는 하향 경사진 방향으로 제공될 수 있다. 외측 상단부(1462)는 아래로 갈수록 내부 바디(1480)와 멀리 이격되게 형성될 수 있다. 외측 하단부(1466)는 외측 상단부(1462)로부터 수직한 아래 방향으로 연장될 수 있다.Also, as shown in FIG. 14, the outer upper part 1462 of the outer body 1460 may be provided in the form of a ring having a larger width as its inner diameter goes downward. The outer upper end 1462 may be provided in a downward sloping direction. The outer upper portion 1462 can be formed to be far away from the inner body 1480 as it goes down. The outer lower end 1466 can extend vertically downward from the outer upper end 1462.

다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.Referring again to FIGS. 3 to 6, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development unit 460, a bake unit 470, and a transfer chamber 480. [ The developing unit 460, the bake unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The developing unit 460 and the bake unit 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of bake units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 470 may be provided in a greater number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake units 470, developing units 460, a second buffer 330 and a cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and a second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing units 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes a region of the photoresist on the substrate W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing unit 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake units 470 may include a post bake process in which the substrate W is heated before the development process is performed, a hard bake process in which the substrate W is heated after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating unit 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating unit 472 is provided with a heating means 474 such as a heating wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating unit 472 may be provided in one bake unit 470, respectively. Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471, while others may only include the heating unit 472. [ Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as that of the bake unit 800 of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The preprocessing module 601 has a protective film application unit 610, a bake unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film application unit 610, the transfer chamber 630, and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The protective film applying unit 610 and the bake unit 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application units 610 are provided, and are arranged along the third direction 16 to form a layer with each other. Alternatively, a plurality of protective film application units 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, the plurality of bake units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application units 610, the bake units 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film coating unit 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application unit 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying unit 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the supporting plate 612. [

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake unit 620, respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only the heating plate 622, while others may only include the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake unit 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake units 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, the post-exposure bake units 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 uses the deep ultraviolet light to heat the substrate W subjected to the exposure process. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake unit having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1320: 지지 플레이트 1420: 가열 부재
1440: 조절 부재 1460: 외부 바디
1480: 내부 바디 1468: 토출구
1488: 포집구1320: Support plate 1420: Heating element
1440 regulating member 1460 external body
1480: Inner body 1468: Outlet
1488: Collector

Claims (11)

기판을 열처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 처리 공간에 위치되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 안착면에 안착된 기판을 열처리하는 열처리 유닛을 포함하되,
상기 열처리 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 상기 안착면의 복수의 영역들을 각각의 영역별로 구분하여 가열하는 히터들을 가지는 가열 부재와;
상기 복수의 영역들 중 서로 인접하는 영역들 간에 온도 구배를 증가시키는 조절 부재를 포함하되,
상기 조절 부재는 상기 인접하는 영역들 간의 경계로 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.An apparatus for heat-treating a substrate,
A process chamber for providing a processing space therein;
A substrate supporting unit located in the processing space and having a seating surface on which the substrate is seated;
And a heat treatment unit for heat-treating the substrate placed on the seating surface,
The heat treatment unit includes:
A heating member provided in the substrate supporting unit and having heaters for heating a plurality of regions of the seating surface by respective regions;
And an adjustment member for increasing a temperature gradient between adjacent ones of the plurality of regions,
Wherein the adjusting member comprises a gas nozzle for discharging gas to a boundary between the adjacent areas. 제1항에 있어서,
상기 서로 인접하는 영역들 중 하나는 원 또는 링 형상의 제1영역이고, 다른 하나는 제1영역을 감싸는 링 형상의 제2영역인 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein one of the adjacent regions is a first region of a circular or ring shape and the other is a second region of a ring shape surrounding the first region. 제2항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 안착면을 가지는 지지 플레이트를 포함하되,
상기 안착면과 반대되는 반대면에는 상기 히터들이 설치되고,
상기 노즐은 상기 반대면에 가스를 토출하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
And a support plate having the seating surface,
The heaters are installed on the opposite side of the seating surface,
And the nozzle discharges the gas to the opposite surface. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은,
토출구 및 포집구를 가지는 몸체와;
상기 토출구로부터 가스가 토출되도록 상기 몸체에 공급하는 가스 공급 라인과;
상기 토출구로부터 토출된 가스 중 상기 포집구를 통해 상기 몸체 내로 유입된 가스를 상기 몸체로부터 배출하는 배출 라인을 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The nozzle
A body having a discharge port and a collecting port;
A gas supply line for supplying gas to the body to discharge gas from the discharge port;
And a discharge line for discharging, from the body, gas introduced into the body through the collection port, out of the gas discharged from the discharge port. 제4항에 있어서,
상기 몸체는,
환형의 링 형상을 가지는 외부 바디와;
상기 외부 바디 내에 배치되며 환형의 상기 토출구를 가지는 내부 바디를 포함하되,
상기 포집구는 상기 내부 바디와 상기 외부 바디의 사이 공간으로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The body,
An outer body having an annular ring shape;
And an inner body disposed in the outer body and having the annular discharge port,
Wherein the collecting port is provided in a space between the inner body and the outer body. 제5항에 있어서,
상기 외부 바디의 상단은 상기 내부 바디의 상단보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the upper end of the outer body is positioned higher than the upper end of the inner body. 제6항에 있어서,
상기 내부 바디는 내측면과 외측면 각각이 상기 외부 바디로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the inner body is positioned so that the inner side and the outer side respectively are spaced apart from the outer body. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판은 지지 플레이트의 안착면에 안착되고, 상기 지지 플레이트에 설치된 가열 부재는 상기 안착면의 복수의 영역들을 구분지어 가열하며, 가열된 상기 복수의 영역들을 통해 상기 기판을 영역별로 가열하되,
상기 복수의 영역들 간에 온도 구배가 증가되도록 서로 인접하는 영역들의 경계에 가스를 토출하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
Wherein the substrate is seated on a seating surface of the support plate, the heating member provided on the support plate separates and heats a plurality of areas of the seating surface, and heats the substrate through the heated plurality of areas,
And a gas is discharged at a boundary between adjacent regions so that a temperature gradient is increased between the plurality of regions. 제8항에 있어서,
상기 서로 인접하는 영역들 중 하나는 원 또는 링 형상의 제1영역이고, 다른 하나는 제1영역을 감싸는 링 형상의 제2영역인 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein one of the adjacent regions is a first region of a circular or ring shape and the other is a second region of a ring shape surrounding the first region. 제9항에 있어서,
상기 경계에 토출되는 상기 가스 중 일부는 포집되어 상기 지지 플레이트의 외부로 배출되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein a part of the gas discharged to the boundary is collected and discharged to the outside of the support plate. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 안착면과 반대되는 반대면을 가열하고,
상기 가스는 상기 반대면에 토출되는 기판 처리 방법.



11. The method according to any one of claims 8 to 10,
The heating member heats the opposite surface opposite to the seating surface,
And the gas is discharged onto the opposite surface.



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