KR102037915B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간으로 가스를 도입하는 가스 도입 유닛을 포함하되, 상기 가스 도입 유닛은 상기 챔버의 상벽에 결합되어 내부에 가스 도입 공간을 형성하며, 상면에 가스가 도입되는 도입구를 가지는 하우징 및 상기 가스 도입 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 복수의 홀들이 형성되는 플레이트를 포함한다. 가스 도입 공간에 도입되는 가스는 범프에 의해 1차 균등 분배되고, 플레이트에 의해 2차 균등 분배된다. 이로 인해 챔버 내에 유입되는 기류의 유량을 균일하게 조절할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting a substrate in the processing space, an exhaust unit for exhausting an atmosphere of the processing space, and a gas introducing unit for introducing gas into the processing space, The gas introduction unit is coupled to an upper wall of the chamber to form a gas introduction space therein, and has a housing having an introduction port through which gas is introduced into the upper surface, and divides the gas introduction space into an upper space and a lower space. A plate in which holes are formed. The gas introduced into the gas introduction space is firstly distributed by the bumps and secondly distributed by the plates. This makes it possible to uniformly adjust the flow rate of the air flow flowing into the chamber.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Apparatus for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a deposition and coating process is used as a process for forming a film on a substrate. Generally, a deposition process is a process of forming a film | membrane by depositing process gas on a board | substrate, and a coating process is a process of forming a liquid film by apply | coating a process liquid on a board | substrate.

기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역 별 온도를 조절한다.Before and after forming a film on the substrate, a process of baking the substrate is in progress. The baking process is a process of heating a substrate to a process temperature or higher in a closed space, and heats the entire region of the substrate to a uniform temperature or adjusts the temperature for each region of the substrate according to an operator.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 처리 장치의 내부에는 기판의 외측부로부터 외기가 유입된다. 이로 인해 기판(W)의 외측 영역에는 외기가 우선적으로 접촉되고, 기판(W)의 내측 영역과 접촉된 후, 챔버(2)의 상부 영역을 통해 배기된다. 1 is a cross-sectional view showing a general bake processing apparatus. Referring to FIG. 1, outside air flows into an inside of a baking processing apparatus from an outer portion of a substrate. For this reason, the outside air preferentially contacts the outer region of the substrate W, and after contacting the inner region of the substrate W, is exhausted through the upper region of the chamber 2.

그러나 외기의 유입량은 일정하지 않다. 이로 인해 외기의 유입량에 따라 기판(W)의 온도는 상이해진다. 또한 외기는 챔버(2)의 다수의 영역에서 유입되며, 각 영역에서 유입되는 외기의 유입량은 상이하다. 이에 따라 챔버(2) 내에는 영역 별로 다른 유량의 기류가 형성된다. 따라서 챔버(2) 내에 유입되는 기류의 유량을 조절할 수 있는 수단을 필요로한다.However, the inflow of outside air is not constant. For this reason, the temperature of the board | substrate W becomes different according to the inflow amount of external air. In addition, the outside air flows in a plurality of areas of the chamber 2, and the inflow amount of the outside air flowing in each area is different. As a result, airflows having different flow rates are formed in the chamber 2 for each region. Therefore, a means for controlling the flow rate of the airflow flowing into the chamber 2 is required.

또한 외기에 포함된 파티클은 기판을 오염시킬 수 있다.In addition, particles contained in the outside air may contaminate the substrate.

한국 등록 특허 10-07843890000Korea Registered Patent 10-07843890000

본 발명은 챔버 내에 형성되는 기류의 유량을 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.It is an object of the present invention to provide a device capable of adjusting the flow rate of airflow formed in a chamber.

또한 본 발명은 챔버 내에 유입되는 기류의 유량을 일정하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In another aspect, the present invention is to provide a device that can constantly adjust the flow rate of the air flow flowing into the chamber.

또한 본 발명은 챔버 내부에 형성되는 기류를 균일하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a device capable of uniformly adjusting the air flow formed in the chamber.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간으로 가스를 도입하는 가스 도입 유닛을 포함하되, 상기 가스 도입 유닛은 상기 챔버의 상벽에 결합되어 내부에 가스 도입 공간을 형성하며, 상면에 가스가 도입되는 도입구를 가지는 하우징 및 상기 가스 도입 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 복수의 홀들이 형성되는 플레이트를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting a substrate in the processing space, an exhaust unit for exhausting an atmosphere of the processing space, and a gas introducing unit for introducing gas into the processing space, The gas introduction unit is coupled to an upper wall of the chamber to form a gas introduction space therein, and has a housing having an introduction port through which gas is introduced into the upper surface, and divides the gas introduction space into an upper space and a lower space. A plate in which holes are formed.

상부에서 바라볼 때 상기 플레이트는 상기 도입구와 마주하는 제1영역 및 상기 홀들이 형성되는 제2영역을 가지되, 상기 제1영역은 상기 제2영역에 비해 상기 플레이트의 중심축에 더 가깝게 위치되고, 상기 가스 도입 유닛은 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에서 위로 돌출되는 범프를 더 포함할 수 있다. 상기 챔버의 상벽에는 상기 처리 공간으로 가스가 유입되는 유입구가 형성되되, 상부에서 바라볼 때 상기 유입구는 상기 제1영역과 마주할 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 기판 지지 유닛과 대향되는 위치되며, 통공이 형성되는 안내판 및 상기 통공을 통해 상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 안내판에 결합되는 배기관을 포함하되, 상기 배기관은 상기 챔버의 상벽, 상기 플레이트, 그리고 상기 하우징의 상벽을 관통하도록 제공될 수 있다. When viewed from the top, the plate has a first region facing the inlet and a second region in which the holes are formed, the first region being located closer to the central axis of the plate than the second region. The gas introduction unit may further include a bump that protrudes upward between the first region and the second region. An inlet through which gas is introduced into the processing space is formed on an upper wall of the chamber, and when viewed from above, the inlet may face the first region. The exhaust unit includes a guide plate positioned opposite to the substrate support unit in the processing space and coupled to the guide plate so that the atmosphere of the processing space is exhausted through the through hole. It may be provided to penetrate the upper wall of the chamber, the plate, and the upper wall of the housing.

상기 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 안착면을 가지고, 상기 안내판은 상기 안착면보다 크고, 상기 챔버의 내경보다 작은 직경을 가질 수 있다. 상기 가스 도입 유닛은 상기 도입구에 연결되며 밸브가 설치되는 가스 공급 배관을 더 포함하고, 상기 배기 유닛은 상기 배기관을 감압하는 감압 부재을 더 포함하며, 상기 장치는 상기 배기관의 배기 압력을 측정하는 측정 부재 및 상기 측정 부재로부터 측정된 압력 정보를 근거로 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 상기 제어기는 상기 배기 압력이 일정한 값을 가지도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. 상기 가스 공급 배관의 하단은 상기 가스 도입 공간에 위치되되, 상기 가스 공급 배관의 하단은 상기 범프의 상단보다 낮게 위치될 수 있다. 상기 장치는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열 처리하는 가열 부재를 더 포함할 수 있다. The substrate support unit may have a seating surface on which a substrate is seated, and the guide plate may have a diameter larger than the seating surface and smaller than an inner diameter of the chamber. The gas introduction unit further includes a gas supply pipe connected to the inlet and installed with a valve, the exhaust unit further includes a pressure reducing member for depressurizing the exhaust pipe, and the apparatus measures the exhaust pressure of the exhaust pipe. The controller may further include a controller for controlling the valve based on the pressure information measured from the member and the measuring member. The controller may control the valve such that the exhaust pressure has a constant value. The lower end of the gas supply pipe is located in the gas introduction space, the lower end of the gas supply pipe may be located lower than the upper end of the bump. The apparatus may further include a heating member for heating the substrate supported by the substrate supporting unit.

본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 유입되는 가스는 챔버 내에 유입되기 전에 가스 도입 공간을 통해 균등하게 분배된다. 이로 인해 챔버 내에 유입되는 기류의 유량을 균일하게 조절할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the gas flowing into the chamber is evenly distributed through the gas introduction space before entering the chamber. This makes it possible to uniformly adjust the flow rate of the air flow flowing into the chamber.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가스 도입 공간에 도입되는 가스는 범프에 의해 1차 균등 분배되고, 플레이트에 의해 2차 균등 분배된다. 이로 인해 챔버 내에 유입되는 기류의 유량을 균일하게 조절할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the gas introduced into the gas introduction space is firstly distributed by the bumps and secondly distributed by the plates. This makes it possible to uniformly adjust the flow rate of the air flow flowing into the chamber.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 배기 유량을 측정하고, 이를 근거로 공급 유량을 조절한다. 이로 인해 챔버 내에 형성되는 기류의 유량을 일정하게 조절할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the exhaust flow rate is measured, and the supply flow rate is adjusted based on this. This makes it possible to constantly adjust the flow rate of the air flow formed in the chamber.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 가스 도입 유닛을 확대해 보여주는 절단 사시도이다.
도 9는 도 8의 플레이트를 보여주는 절단 사시도이다.
도 10 내지 도 12는 도 8에서 가스의 흐름을 보여주는 도면들이다.
도 13은 도 8의 가스 도입 유닛의 다른 실시예를 보여주는 절단 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a general bake processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view of the installation of FIG. 2 as viewed from the AA direction.
4 is a view of the installation of FIG. 2 seen in the BB direction.
FIG. 5 is a view of the installation of FIG. 2 as viewed from the CC direction. FIG.
6 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 2.
FIG. 7 is a plan view illustrating the heater and the seating plate of FIG. 6.
FIG. 8 is an enlarged perspective view of the gas introduction unit of FIG. 6.
9 is a cutaway perspective view of the plate of FIG. 8;
10 to 12 are views showing the flow of gas in FIG.
FIG. 13 is a cutaway perspective view of another embodiment of the gas introduction unit of FIG. 8. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in more detail. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be connected to an exposure apparatus and used to perform an application process and a development process on a substrate. However, the present embodiment can be variously applied as long as the airflow is formed in the closed substrate processing space. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 from the A-A direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 from the B-B direction, and FIG. 5 is a view of the facility of FIG. 2 from the C-C direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), The pre-exposure processing module 600, and the interface module 700. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 Are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which the 700 is disposed is called a first direction 12, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 12 is called a second direction 14, and the first direction 12 and the second direction. A direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in the state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door in front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 containing substrates W is placed. The mounting table 120 is provided in plural, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2 four mounting tables 120 were provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 drives four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This has a possible structure. Index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. Arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction 16. Arm 222 is coupled to support 223 to be movable along support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 to be linearly movable along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing modules (described later). It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400. The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in a second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402, which will be described later, move the substrate W to the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be able to carry in or take out. The first buffer 320 has a structure generally similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. Arm 362 is coupled to support 363 so as to be linearly movable in a third direction 16 along support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the up or down direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 respectively cool the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As shown in FIG. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 has the index robot 220 so that the developing robot 482 provided to the index robot 220 and the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W to the cooling plate 352. The provided direction and developing part robot 482 has an opening (not shown) in the provided direction. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the developing module 402 are arranged to partition into each other in layers. In one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the resist coating unit 410 and the baking unit 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of baking units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. 6 shows an example in which six bake units 420 are provided. However, alternatively, the bake unit 420 may be provided in more or less.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned side by side in the first direction 12 with the first buffer 320 of the first buffer module 300. An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the baking units 420, the resist coating units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first of the second buffer module 500, which will be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520. The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. Arm 435 is provided in a flexible structure to allow hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 435 is coupled to support 436 so as to be linearly movable in third direction 16 along support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application units 410 all have the same structure. However, the types of photoresist used in each resist coating unit 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid on the substrate W. FIG. The resist application unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 412 is provided to be rotatable. The nozzle 413 supplies the photosensitive liquid onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tubular shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. As shown in FIG. Optionally, the nozzle 413 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The baking unit 800 heat-treats the substrate W. The baking unit 800 heat-processes the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The baking unit 800 may heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface property of the substrate W before applying the photosensitive liquid, and form a treatment liquid film such as an adhesive on the substrate W. have. The baking unit 800 may heat-treat the photosensitive liquid film on the substrate W coated with the photosensitive liquid in a reduced pressure atmosphere. Volatile substances included in the photosensitive film may be volatilized. In this embodiment, the baking unit 800 will be described as a unit for thermally treating the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in a circular plate shape. Inside the cooling plate 820 is provided cooling means such as cooling water or thermoelectric elements. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or adjacent to room temperature.

가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 가열 부재(1400), 배기 유닛(1500), 가스 도입 유닛(1800), 측정 부재(1700), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. The heating unit 1000 is provided to the substrate processing apparatus 1000 which heat-processes the board | substrate W. As shown in FIG. The heating unit 1000 heat-processes the substrate W in an atmospheric pressure or a lower pressure atmosphere. 6 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 2. Referring to FIG. 6, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a heating member 1400, an exhaust unit 1500, a gas introduction unit 1800, a measurement member 1700, and Includes a controller 1900.

챔버(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 to heat the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space separated from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)의 중앙부(1122a)는 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기구(1122a)로 기능하고, 가장자리부(1122b)는 처리 공간(1110)에 가스가 유입되는 유입구(1122b)로 기능한다. The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower portion. The center hole 1122 is formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1122 is formed at the center of the upper body 1120. The central portion 1122a of the central hole 1122 functions as an exhaust port 1122a through which the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted, and the edge portion 1122b is an inlet 1122b through which gas enters the processing space 1110. Function.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved by the elevating member 1130 to an open position and a blocking position, and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 may be moved between the open position and the blocking position by the elevating member 1130. The open position is a position where the processing body 1110 is opened because the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 도 7은 도 6의 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322) 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a seating plate 1320 and a lift pin 1340. FIG. 7 is a plan view illustrating the heater and the seating plate of FIG. 6. 6 and 7, the mounting plate 1320 supports the substrate W in the processing space 1110. The seating plate 1320 is provided in a circular plate shape. The substrate W may be seated on an upper surface of the seating plate 1320. The region including the center of the upper surface of the seating plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is seated. A plurality of pin holes 1322 are formed in the seating surface of the seating plate 1320. As viewed from the top, the pin holes 1322 are arranged to surround the center of the seating surface. Each pin hole 1322 is spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced apart from each other at equal intervals. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are provided to move in the vertical direction. The lift pin 1340 lifts the substrate W from the mounting plate 1320 or seats the substrate W on the mounting plate 1320. For example, three pin holes 1322 may be provided.

가열 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 가열 부재(1400)는 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 각각의 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1420)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 장착될 수 있다.The heating member 1400 heats the substrate W placed on the seating plate 1320. The heating member 1400 is located inside the seating plate 1320. The heating member 1400 includes a plurality of heaters 1420. Each heater 1420 is located in a seating plate 1320. Each heater 1420 is located on the same plane. Each heater 1420 heats different regions of the seating plate 1320. When viewed from the top, an area of the seating plate 1320 corresponding to each heater 1420 may be provided as heating zones. Each heater 1420 is independently adjustable in temperature. For example, there may be 15 heating zones. Each heating zone has a temperature measured by a sensor (not shown). The heater 1420 may be a thermoelectric element or a hot wire. Optionally, the heaters 1420 may be mounted to the bottom of the seating plate 1320.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520), 감압 부재(1540), 그리고 안내판(1560)을 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 중심홀(1122)보다 작은 직경을 가진다. 따라서 중심홀(1122)은 배기관(1520)을 기준으로, 배기관(1520)의 내측 영역을 배기구(1122a)로 기능하고, 배기관(1520)의 외측 영역(1122b)을 유입구로 기능한다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 처리 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 하단은 상부 바디(1120)의 상면보다 낮게 위치되고, 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다. 배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 1500 exhausts the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1520, a pressure reducing member 1540, and a guide plate 1560. The exhaust pipe 1520 is provided in a tubular shape with both ends open. The exhaust pipe 1520 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the center hole 1122 of the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 has a diameter smaller than that of the central hole 1122. Accordingly, the center hole 1122 functions as an exhaust port 1122a as an inner region of the exhaust pipe 1520 and an outer region 1122b of the exhaust pipe 1520 as an inlet, based on the exhaust pipe 1520. In the exhaust pipe 1520, a lower region including a lower end is located in the processing space 1110, and an upper region including an upper end is located outside the processing space 1110. That is, the lower end of the exhaust pipe 1520 is positioned lower than the upper surface of the upper body 1120, and the upper end of the exhaust pipe 1520 is positioned higher than the upper body 1120. The pressure reducing member 1540 is connected to the exhaust pipe 1520. The decompression member 1540 decompresses the exhaust pipe 1520. Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 may be exhausted through the exhaust pipe 1520.

안내판(1560)은 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 흐름 방향을 안내한다. 안내판(1560)은 통공(1562)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 통공(1562)은 안내판(1560)의 중심에 형성된다. 안내판(1560)은 처리 공간(1110)에서 안착 플레이트(1320)의 상부에 위치된다. 안내판(1560)은 상부 바디(1120)의 하단보다 높고, 천장면보다 낮은 높이에 위치된다. 안내판(1560)은 안착 플레이트(1320)와 마주보도록 위치된다. 배기관(1520)은 통공(1562)을 통해 처리 공간(1110)의 분위기를 배기하도록 안내판(1560)에 삽입 결합된다. 예컨대, 통공(1562)은 배기관(1520)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 배기관(1520)은 안내판(1560)의 통공(1562)에 삽입 결합된다. 안내판(1560)은 배기관(1520)의 하단에 고정 결합된다. 안내판(1560)은 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 외경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 안내판(1560)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 형성된다. 처리 공간(1110)에 유입된 기류는 안내판(1560)에 의해 흐름 방향이 안내되고, 틈을 통해 공급된다. 일 예에 의하면, 안내판(1560)은 기판(W)이 안착되는 안착면보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.The guide plate 1560 guides the flow direction of the airflow flowing into the processing space 1110. The guide plate 1560 is provided in a plate shape having a through-hole 1562. The through hole 1562 is formed at the center of the guide plate 1560. The guide plate 1560 is positioned above the seating plate 1320 in the processing space 1110. The guide plate 1560 is positioned higher than the bottom of the upper body 1120 and lower than the ceiling surface. Guide plate 1560 is positioned to face seating plate 1320. The exhaust pipe 1520 is inserted into the guide plate 1560 to exhaust the atmosphere of the processing space 1110 through the through holes 1562. For example, the through holes 1562 may have the same diameter as the exhaust pipe 1520. The exhaust pipe 1520 is inserted into and coupled to the through hole 1562 of the guide plate 1560. The guide plate 1560 is fixedly coupled to the lower end of the exhaust pipe 1520. The guide plate 1560 is provided to have an outer diameter smaller than the inner diameter of the upper body 1120. Accordingly, a gap is formed between the side end of the guide plate 1560 and the inner side surface of the upper body 1120. The airflow introduced into the processing space 1110 is guided in the flow direction by the guide plate 1560, and is supplied through the gap. According to an example, the guide plate 1560 may be provided to have a diameter larger than a mounting surface on which the substrate W is seated.

가스 도입 유닛(1800)은 처리 공간(1110)에 가스를 도입한다. 도 8은 도 6의 가스 도입 유닛을 확대해 보여주는 절단 사시도이고, 도 9는 도 8의 플레이트를 보여주는 절단 사시도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 가스 도입 유닛(1800)은 하우징(1820), 플레이트(1840), 범프(1860), 그리고 가스 공급 배관(1880)을 포함한다. 하우징(1820)은 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 예컨대, 하우징(1820)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 하우징(1820)은 챔버(1100)의 상벽에 고정 결합된다. 배기관(1520)은 하우징(1820)을 관통하도록 위치된다. 하우징(1820) 및 챔버(1100)의 상벽의 조합에 의해 하우징(1820)의 내부에는 가스 도입 공간(1822)이 형성된다. 하우징(1820)의 상면에는 도입구(1830)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 도입구(1830)는 배기관(1520)의 외측에 위치된다. 도입구(1830)는 배기관(1520)에 인접하게 위치될 수 있다.The gas introduction unit 1800 introduces gas into the processing space 1110. FIG. 8 is an enlarged cutaway perspective view of the gas introduction unit of FIG. 6, and FIG. 9 is a cutaway perspective view of the plate of FIG. 8. 8 and 9, the gas introduction unit 1800 includes a housing 1820, a plate 1840, a bump 1860, and a gas supply pipe 1880. The housing 1820 has a cylindrical shape with an open bottom. For example, the housing 1820 may be provided in a cylindrical shape with an open bottom. The housing 1820 is fixedly coupled to an upper wall of the chamber 1100. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the housing 1820. The gas introduction space 1822 is formed inside the housing 1820 by the combination of the housing 1820 and the upper wall of the chamber 1100. An inlet 1830 is formed on an upper surface of the housing 1820. When viewed from the top, the inlet 1830 is located outside the exhaust pipe 1520. Inlet 1830 may be located adjacent to exhaust pipe 1520.

플레이트(1840)는 가스 도입 공간(1822)에 위치된다. 예컨대, 플레이트(1840)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 플레이트(1840)는 가스 도입 공간(1822)을 상부 공간(1824)과 하부 공간(1826)으로 구획한다. 상부 공간(1824)은 하우징(1820)의 도입구(1830)와 연통되는 공간이고, 하부 공간(1826)은 상부 바디의 유입구(1122b)와 연통되는 공간으로 제공된다. 배기관(1520)은 플레이트(1840)를 관통하도록 위치된다. 플레이트(1840)는 서로 상이한 제1영역(1844) 및 제2영역(1846)을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제1영역(1844)은 배기관(1520)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지고, 제2영역(1846)은 제1영역(1844)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 일 예에 의하면, 제1영역(1844)은 하우징(1820)의 도입구(1830)와 마주하도록 위치될 수 있다. 플레이트(1840)의 제2영역(1846)에는 복수의 홀들이 형성된다. 홀들은 플레이트(1840)의 상단에서 하단까지 연장된다. 이에 따라 상부 공간(1824)과 하부 공간(1826)은 홀을 통해 서로 연통된다. 홀들은 제2영역(1846)에 균등하게 위치된다. Plate 1840 is located in gas introduction space 1822. For example, the plate 1840 may be provided in a circular plate shape. The plate 1840 divides the gas introduction space 1822 into an upper space 1824 and a lower space 1826. The upper space 1824 is a space in communication with the inlet 1830 of the housing 1820, and the lower space 1826 is provided as a space in communication with the inlet 1122b of the upper body. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the plate 1840. The plate 1840 has a first region 1844 and a second region 1846 that are different from each other. As viewed from the top, the first region 1844 has an annular ring shape surrounding the exhaust pipe 1520, and the second region 1846 has an annular ring shape surrounding the first region 1844. According to an example, the first region 1834 may be positioned to face the inlet 1830 of the housing 1820. A plurality of holes is formed in the second region 1846 of the plate 1840. The holes extend from the top to the bottom of the plate 1840. Accordingly, the upper space 1824 and the lower space 1826 communicate with each other through holes. The holes are evenly positioned in the second region 1846.

범프(1860)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 범프(1860)는 제1영역(1844)과 제2영역(1846) 사이에 위치된다. 범프(1860)는 플레이트(1840)의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장된다. The bumps 1860 are provided to have an annular ring shape. The bump 1860 is positioned between the first region 1844 and the second region 1846. The bump 1860 extends upwardly from the top surface of the plate 1840.

가스 공급 배관(1880)은 도입구(1830)에 연결된다. 가스 공급 배관(1880)은 도입구(1830)에 가스를 공급한다. 예컨대, 가스는 청정 에어(CDA) 또는 비활성 가스일 수 있다. 가스 공급 배관(1880)에 설치된 밸브(1882)는 가스 공급 배관(1880)을 개폐한다. The gas supply pipe 1880 is connected to the inlet 1830. The gas supply pipe 1880 supplies gas to the inlet 1830. For example, the gas can be clean air (CDA) or inert gas. The valve 1882 provided in the gas supply pipe 1880 opens and closes the gas supply pipe 1880.

측정 부재(1700)는 배기관(1520)의 배기 압력을 측정한다. 측정 부재(1700)는 배기관(1520)의 내측에 설치된다. 예컨대, 측정 부재(1700)는 압력 센서(1700)를 포함할 수 있다. 측정 부재(1700)로부터 측정된 압력 정보는 제어기(1900)에 전달된다.The measuring member 1700 measures the exhaust pressure of the exhaust pipe 1520. The measuring member 1700 is installed inside the exhaust pipe 1520. For example, the measuring member 1700 may include a pressure sensor 1700. Pressure information measured from the measuring member 1700 is transmitted to the controller 1900.

제어기(1900)는 측정 부재(1700)로부터 측정된 압력 정보를 근거로 밸브(1882)를 제어한다. 제어기(1900)는 배기 압력이 일정하도록 밸브(1882)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(1900)는 배기 압력을 150 Pa 로 일정하게 유지되도록 밸브(1882)를 조절할 수 있다.The controller 1900 controls the valve 1882 based on the pressure information measured from the measuring member 1700. The controller 1900 controls the valve 1882 so that the exhaust pressure is constant. According to one example, the controller 1900 can adjust the valve 1882 to maintain a constant exhaust pressure at 150 Pa.

다음은 상술한 기판 처리 장치에서 처리 공간에 유입되는 가스의 흐름을 설명한다. 도 10 내지 도 12를 참조하면, 가스 공급 배관(1880)을 통해 제1영역(1844)으로 가스가 도입된다. 도입된 가스는 제1영역(1844)에 채워진다. 제1영역(1844)에 가스가 가득 채워지면, 가스는 범프(1860)를 넘어 제2영역(1846)의 상부 공간(1824)에 채워진다. 제2영역(1846)의 상부 공간(1824)에 가스가 가득 채워지면, 가스는 플레이트(1840)의 홀을 통해 하부 공간(1826)으로 흐른다. 하부 공간(1826)에 제공된 가스는 챔버(1100)의 유입구(1122b) 및 안내판(1560)의 상면을 순차적으로 기판(W)으로 공급된다. 즉, 가스는 챔버(1100)의 유입구로 공급되기 전에 제1영역(1844)에서 범프(1860)에 의해 1차 균등 분배되고, 제2영역(1846)에서 플레이트(1840)에 의해 2차 균등 분배된다. 이에 따라 처리 공간에는 영역 별로 균등한 가스가 공급되며, 기판(W)은 영역 별로 균일하게 가열 처리될 수 있다. The following describes the flow of gas flowing into the processing space in the substrate processing apparatus described above. 10 to 12, gas is introduced into the first region 1844 through the gas supply pipe 1880. The introduced gas is filled in the first region 1844. When gas fills the first region 1844, the gas fills the upper space 1824 of the second region 1846 beyond the bumps 1860. When gas is filled in the upper space 1824 of the second region 1846, the gas flows through the hole of the plate 1840 to the lower space 1826. The gas provided in the lower space 1826 is sequentially supplied to the substrate W through the inlet 1122b of the chamber 1100 and the upper surface of the guide plate 1560. That is, the gas is first uniformly distributed by the bumps 1860 in the first region 1844 and secondly evenly distributed by the plate 1840 in the second region 1846 before being supplied to the inlet of the chamber 1100. do. As a result, an even gas is supplied to the processing space for each region, and the substrate W may be uniformly heated for each region.

상술한 실시예에는 가스 공급 배관(1880)인 도입구(1830)에 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 13과 같이 가스 공급 배관(1880)의 끝단은 가스 도입 공간(1822)에 위치될 수 있다. 가스 공급 배관(1880)의 하단은 범프(1860)의 상단보다 낮게 위치될 수 있다. 이로 인해 도입구(1830)를 통해 가스 도입 공간(1822)에 도입된 가스가 제1영역(1844)을 가득 채우기 전에 제2영역(1846)으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, the gas supply pipe 1880 has been described as being connected to the inlet 1830. However, as shown in FIG. 13, the end of the gas supply pipe 1880 may be located in the gas introduction space 1822. The lower end of the gas supply pipe 1880 may be located lower than the upper end of the bump 1860. As a result, the gas introduced into the gas introduction space 1822 through the inlet 1830 may be prevented from flowing to the second region 1846 before the first region 1944 fills up.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5 again, the developing module 402 supplies a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process to the substrate W before and after the developing process. Heat treatment processes such as heating and cooling performed on the substrate. The developing module 402 has a developing unit 460, a baking unit 470, and a transfer chamber 480. The developing unit 460, the baking unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the developing unit 460 and the baking unit 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of baking units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. 6 shows an example in which six bake units 470 are provided. However, the baking unit 470 may alternatively be provided in larger numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned side by side in the first direction 12 with the second buffer 330 of the first buffer module 300. The developer robot 482 and the guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake units 470, the developing units 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a base 487. The hand 484 is fixedly mounted to the arm 485. Arm 485 is provided in a flexible structure to allow hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 485 is coupled to support 486 such that it is linearly movable in third direction 16 along support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the types of the developer used in each of the developing units 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes the light irradiated region of the photoresist on the substrate W. As shown in FIG. At this time, the area irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the kind of photoresist that is optionally used, only the regions of the photoresist and the protective film to which light is not irradiated may be removed.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tubular shape and can supply the developer to the center of the substrate W. FIG. Optionally, the nozzle 463 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, the developing unit 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developing solution is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The baking unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the baking units 470 are heated after each baking process and a hard bake process for heating the substrate W after the developing process is performed, and a post bake process for heating the substrate W before the developing process is performed. A cooling process for cooling the finished substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating unit 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating unit 472 is provided with heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating unit 472 may each be provided in one bake unit 470. Optionally, some of the baking units 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating unit 472. Since the baking unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as the baking unit 800 of the coating module 401, a detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W, such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 controls the frame 510, the buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560. Have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged along the third direction 16. As viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the conveyance chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401. The edge exposure chamber 550 is disposed spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 in a second distance 14.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is located between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes an edge of the substrates W on which the cooling process is performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W having been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pretreatment module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W having been processed in the post-processing module 602, which will be described later, are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process, the exposure before and after processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the substrate W during the liquid immersion exposure. In addition, the pre and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after the exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure treatment module 600 may process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 includes a pretreatment module 601 and a post-processing module 602. The pretreatment module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pretreatment module 601 and the aftertreatment module 602 are arranged to partition into one another. In one example, the pretreatment module 601 is located on top of the aftertreatment module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film applying unit 610, a baking unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film applying unit 610, the transfer chamber 630, and the baking unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the protective film applying unit 610 and the baking unit 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. The protective film applying unit 610 may be provided in plural and disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of protective film applying units 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of baking units 620 may be provided and arranged along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of baking units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned side by side in the first direction 12 with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is provided between the protective film applying units 610, the baking units 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 described later. The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. Arm 634 is provided in a stretchable and rotatable structure. Arm 634 is coupled to support 635 to be linearly movable in a third direction 16 along support 635.

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying unit 610 applies a protective film on the substrate W to protect the resist film during the liquid immersion exposure. The protective film applying unit 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 612 is provided to be rotatable. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape and can supply a protective liquid to the center of the substrate W. As shown in FIG. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. As the protective liquid, a material having a low affinity with the photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying unit 610 supplies the protective liquid to the center area of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking unit 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as hot wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may each be provided in one bake unit 620. Optionally, some of the bake units 620 may have only the heating plate 622 and others may have only the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The aftertreatment module 602 has a cleaning chamber 660, a post exposure bake unit 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. The cleaning chamber 660 may be provided in plural and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. After exposure, the baking unit 670 may be provided in plural and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned side by side in the first direction 12 with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 when viewed from the top. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. The post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake units 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided to the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided to the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 662 is provided to be rotatable. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the center region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may linearly or rotationally move from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 heats the substrate W on which the exposure process is performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the substrate W to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673, such as cooling water or thermoelectric elements. Also, a bake unit may optionally be further provided with only the cooling plate 671.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pretreatment module 601 and the post-treatment module 602 are provided to be completely separated from each other in the pre- and post-exposure processing module 600. In addition, the transfer chamber 630 of the pretreatment module 601 and the transfer chamber 680 of the post-treatment module 602 may be provided in the same size so as to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film applying unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided in the same size to each other when completely overlapping each other when viewed from the top. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 may be provided in the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the postprocessing module 602. As viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12 of the pretreatment module 601, and the second buffer 730 is the post-processing module 602. Are positioned to be arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure generally similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the pretreatment module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the substrates W processed in the exposure apparatus 900 before moving to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 722. The housing 721 is a direction and pretreatment robot provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pretreatment robot 632 can bring in or take out the substrate W into the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure generally similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and the robot as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1100: 챔버 1110: 처리 공간
1300: 기판 지지 유닛 1500: 배기 유닛
1800: 가스 도입 유닛 1820: 하우징
1822: 가스 도입 공간 1840: 플레이트
1860: 범프1100: chamber 1110: processing space
1300: substrate support unit 1500: exhaust unit
1800: gas introduction unit 1820: housing
1822: gas introduction space 1840: plate
1860 bump

Claims (9)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
상기 처리 공간으로 가스를 도입하는 가스 도입 유닛을 포함하되,
상기 가스 도입 유닛은,
상기 챔버의 상벽에 결합되어 내부에 가스 도입 공간을 형성하며, 상면에 가스가 도입되는 도입구를 가지는 하우징과;
상기 가스 도입 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 복수의 홀들이 형성되는 플레이트와;
환형의 링 형상을 가지며, 상기 플레이트로부터 위로 돌출되는 범프를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 플레이트는 상기 도입구와 마주하는 제1영역 및 상기 홀들이 형성되는 제2영역을 가지고,
상기 범프는 상기 제1영역과 상기 제2영역의 사이에 위치되며,
상기 범프의 상단은 상기 하우징의 상벽의 하면으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
An exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space;
A gas introduction unit for introducing a gas into the processing space,
The gas introduction unit,
A housing coupled to an upper wall of the chamber to form a gas introduction space therein, the housing having an introduction port through which gas is introduced;
A plate partitioning the gas introduction space into an upper space and a lower space, the plurality of holes being formed;
A bump having an annular ring shape and protruding upward from the plate,
As viewed from the top, the plate has a first region facing the inlet and a second region in which the holes are formed.
The bump is located between the first region and the second region,
And the upper end of the bump is spaced apart from the lower surface of the upper wall of the housing. 제1항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 제2영역에 비해 상기 플레이트의 중심축에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the first region is located closer to the central axis of the plate than the second region. 제2항에 있어서,
상기 챔버의 상벽에는 상기 처리 공간으로 가스가 유입되는 유입구가 형성되되,
상부에서 바라볼 때 상기 유입구는 상기 제1영역과 마주하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
An inlet through which gas is introduced into the processing space is formed on an upper wall of the chamber.
The inlet is facing the first area when viewed from the top. 제3항에 있어서,
상기 배기 유닛은.
상기 처리 공간에서 상기 기판 지지 유닛과 대향되게 위치되며, 통공이 형성되는 안내판과;
상기 통공을 통해 상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 안내판에 결합되는 배기관을 포함하되,
상기 배기관은 상기 챔버의 상벽, 상기 플레이트, 그리고 상기 하우징의 상벽을 관통하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The exhaust unit is.
A guide plate positioned to face the substrate support unit in the processing space and having a through hole formed therein;
It includes an exhaust pipe coupled to the guide plate to exhaust the atmosphere of the processing space through the through hole,
And the exhaust pipe is provided to penetrate an upper wall of the chamber, the plate, and an upper wall of the housing. 제4항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 안착면을 가지고,
상기 안내판은 상기 안착면보다 크고, 상기 챔버의 내경보다 작은 직경을 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
The substrate support unit has a seating surface on which the substrate is seated,
The guide plate is larger than the seating surface, and has a diameter smaller than the inner diameter of the chamber. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 가스 도입 유닛은,
상기 도입구에 연결되며 밸브가 설치되는 가스 공급 배관을 더 포함하고,
상기 배기 유닛은,
상기 배기관을 감압하는 감압 부재을 더 포함하며,
상기 장치는,
상기 배기관의 배기 압력을 측정하는 측정 부재와;
상기 측정 부재로부터 측정된 압력 정보를 근거로 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 4 or 5,
The gas introduction unit,
Further comprising a gas supply pipe connected to the inlet and the valve is installed,
The exhaust unit,
Further comprising a decompression member for decompressing the exhaust pipe,
The device,
A measuring member for measuring exhaust pressure of the exhaust pipe;
And a controller for controlling the valve based on the pressure information measured from the measuring member. 제6항에 있어서,
상기 제어기는 상기 배기 압력이 일정한 값을 가지도록 상기 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
And the controller controls the valve such that the exhaust pressure has a constant value. 제6항에 있어서,
상기 가스 공급 배관의 하단은 상기 가스 도입 공간에 위치되되,
상기 가스 공급 배관의 하단은 상기 범프의 상단보다 낮게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The lower end of the gas supply pipe is located in the gas introduction space,
And a lower end of the gas supply pipe is lower than an upper end of the bump. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열 처리하는 가열 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.



The method according to any one of claims 1 to 5,
The device,
And a heating member for heating the substrate supported by the substrate supporting unit.



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