KR101696196B1 - Apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판을 포함하되 상기 챔버에는 외부 기류가 유입되는 유입구가 제공되며 상기 유입구는 서로 이격된 복수의 슬릿 형상의 메인홀과 인접하는 메인홀 사이에 배치되는 보조홀을 포함하는 기판 처리 장치를 포함한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a processing space therein and a support plate for supporting the substrate in the chamber, wherein the chamber is provided with an inlet through which an external airflow is introduced, And a substrate processing apparatus including an auxiliary hole arranged between a plurality of slit-shaped main holes and adjacent main holes.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating a substrate}[0001] Apparatus for treating a substrate [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판에 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly to a substrate processing apparatus for performing a baking process on a substrate.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In general, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. The photolithography process performed to form the pattern plays an important role in achieving the high integration of the semiconductor device.

포토리소그래피 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 포토레지스트패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; 이하 'EBR'라 한다) 공정 및 에지 노광(edgeexposure of wafer; 이하 'EEW'라 한다) 공정, 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다. The photolithography process is performed to form a photoresist pattern on a semiconductor substrate made of silicon. The photolithography process includes a coating and a soft bake process for forming a photoresist film on a substrate, an exposure and development process for forming a photoresist pattern from the photoresist film, an edge bead removal for removing edge portions of the photoresist film or pattern, an edge bead removal (EBR) process, an edge exposure (EEW) process, a hard bake process for stabilizing and densifying a photoresist pattern, and the like.

한편, 베이크 공정은 기판을 가열하여 이루어진다. 베이크 챔버는 외부의 기류를 차단한 밀폐상태에서 이루어진다. 다만, 공정의 초기의 기판이 외부에서 유입되는 과정에서 챔버가 개방되어 옆 측에서 불안정한 외부 기류가 유입될 수 있으며, 챔버의 상부나 하부에 배기를 위한 통로를 통해서 베이크 공정 시 불안정한 기류가 내부에 형성될 수 있다. 이러한 불안정한 기류는 베이크 공정에 효율을 저하시키는 문제점이 있다. On the other hand, the baking process is performed by heating the substrate. The bake chamber is made in an airtight state in which an external airflow is blocked. However, unstable external airflow may be introduced from the side of the chamber when the substrate is initially introduced from the outside in the process of being introduced from the outside, and unstable airflow may be generated inside the chamber through the passage for exhausting, . This unstable airflow has a problem in that the efficiency of the bake process is lowered.

본 발명은 챔버의 내부 공간에 균일한 상부 기류를 유입하여 베이크 공정에 효율을 향상시키기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a substrate processing apparatus for introducing a uniform upper airflow into an inner space of a chamber to improve efficiency in a bake process.

또한, 본 발명은 기판의 도포막의 두께를 기판 전체 영역에서 균일하게 유지하기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus for uniformly maintaining the thickness of the coating film of the substrate in the entire area of the substrate.

또한, 본 발명은 기판의 베이크 공정에 효율을 향상시키기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다. The present invention also provides a substrate processing apparatus for improving the efficiency in the baking process of a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판을 포함하되 상기 챔버에는 외부 기류가 유입되는 유입구가 제공되며 상기 유입구는 서로 이격된 복수의 슬릿 형상의 메인홀과 인접하는 메인홀 사이에 배치되는 보조홀을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein and a support plate for supporting the substrate in the chamber, wherein the chamber is provided with an inlet through which an external airflow is introduced, And an auxiliary hole disposed between the plurality of slit-shaped main holes spaced apart and the adjacent main holes.

일 실시 예에 따르면, 각각의 상기 메인홀은 호 형상으로 제공될 수 있다. According to one embodiment, each of the main holes may be provided in an arc shape.

일 실시 에에 따르면, 상기 메인홀들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가질 수 있다. According to one embodiment, the main holes may have the same length and shape as each other.

일 실시 에에 따르면, 상기 메인홀들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치될 수 있다. According to one embodiment, the main holes may be arranged in a circle in combination with each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 메인홀들의 조합에 의해 형성된 상기 원의 중심으로부터 상기 보조홀까지의 거리는 상기 원의 중심으로부터 상기 메인홀까지의 거리보다 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the distance from the center of the circle formed by the combination of the main holes to the auxiliary hole may be larger than the distance from the center of the circle to the main hole.

일 실시 예에 의하면, 상기 보조홀은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the auxiliary holes may be provided in a circular shape when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 유입구는 상기 챔버의 상벽에 제공될 수 있다. According to one embodiment, the inlet may be provided on the top wall of the chamber.

일 실시 예에 의하면, 상기 메인홀과 상기 보조홀은 상기 챔버의 상벽 중심을 둘러싸도록 배열될 수 있다. According to an embodiment, the main hole and the auxiliary hole may be arranged to surround the center of the upper wall of the chamber.

일 실시 예에 의하면, 각각의 상기 메인홀은 호 형상으로 제공되며, 상기 메인홀들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가지며, 상기 메인홀들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the main holes is provided in an arc shape, and the main holes have the same length and shape, and the main holes may be arranged in a circle in combination with each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 보조홀은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공되며 상기 메인홀들의 조합에 의해 형성된 상기 원의 중심으로부터 상기 보조홀까지의 거리는 상기 원의 중심으로부터 상기 메인홀까지의 거리보다 크게 제공될 수 있다. According to an embodiment, the auxiliary hole is provided in a circular shape when viewed from above, and the distance from the center of the circle formed by the combination of the main holes to the auxiliary hole is a distance from the center of the circle to the main hole Can be provided.

일 실시 예에 의하면, 상기 챔버의 내부에는 상기 지지판과 대향되도록 상기 지지판의 상부에 제공되는 대향판이 제공될 수 있다.According to one embodiment, the chamber may be provided with an opposing plate provided on the upper portion of the support plate so as to face the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 챔버의 상벽의 중심에서는 배기관이 결합될 수 있다.According to one embodiment, the exhaust pipe may be coupled to the center of the upper wall of the chamber.

일 실시 예에 의하면, 상기 배기관과 마주보는 대향판의 중앙 영역에는 통공이 형성될 수 있다.According to an embodiment, a through hole may be formed in the central region of the facing plate facing the exhaust pipe.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지판의 내부에는 상기 지지판에 놓인 기판을 가열하는 가열 부재가 제공될 수 있다.According to one embodiment, a heating member for heating the substrate placed on the support plate may be provided inside the support plate.

본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판의 내부에 위치하며, 상기 지지판에 놓인 기판을 가열하는 가열 부재와 상기 처리 공간 내에 위치하며 상기 지지판과 대향되도록 상기 지지판의 상부에 제공되는 대향판과 그리고 상기 챔버의 상벽에 중심에 결합되는 배기관을 가지며, 상기 처리 공간에 이물질을 외부로 매출하는 배기부재를 포함하되 상기 챔버에는 외부 기류가 유입되는 유입구가 제공되며 상기 유입구는 서로 이격된 복수의 슬릿 형상의 메인홀과 인접하는 메인홀 사이에 배치되는 보조홀을 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising a chamber having a processing space therein, a support plate for supporting the substrate in the chamber, a heating member for heating the substrate placed on the support plate, And an exhaust member having an opposite plate disposed in the processing space and provided on an upper portion of the support plate so as to face the support plate and an exhaust pipe centrally coupled to the upper wall of the chamber, The chamber may be provided with an inlet through which an external airflow is introduced, and the inlet may include a plurality of slit-shaped main holes spaced apart from each other and an auxiliary hole disposed between adjacent main holes.

일 실시 예에 의하면, 각각의 상기 메인홀은 호 형상으로 제공되며, 상기 메인홀들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, each of the main holes may be provided in an arc shape, and the main holes may have the same length and shape.

일 실시 예에 의하면, 상기 메인홀들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치되며, 상기 메인홀들의 조합에 의해 형성된 상기 원의 중심으로부터 상기 보조홀까지의 거리는 상기 원의 중심으로부터 상기 메인홀까지의 거리보다 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the main holes are arranged in a circle in combination with each other, and the distance from the center of the circle formed by the combination of the main holes to the auxiliary hole is larger than the distance from the center of the circle to the main hole Can be provided largely.

일 실시 예에 의하면, 상기 보조홀은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the auxiliary holes may be provided in a circular shape when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 유입구는 상기 챔버의 상벽에 제공되며, 상기 메인홀과 상기 보조홀은 상기 챔버의 상벽 중심을 둘러싸도록 배열될 수 있다. According to one embodiment, the inlet is provided on the upper wall of the chamber, and the main hole and the auxiliary hole may be arranged to surround the center of the upper wall of the chamber.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 챔버의 상부에서 처리 공간으로 상부 기류를 유입시켜 베이크 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the efficiency of the bake process can be improved by introducing the upper airflow from the upper portion of the chamber to the process space.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 기판에 베이크 공정 시 내부에 균일한 기류를 유입시켜 기판의 전체 영역에 도포막 두께를 균일하게 할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, uniform airflow can be flowed into the substrate during the baking process, thereby uniformizing the thickness of the coating film over the entire area of the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1의 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 절개 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 챔버의 상부에 형성된 유입구를 보여주는 측단면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 3의 유입구의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 11은 도 2의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 과정 및 기판 처리 과정 동안의 기류의 흐름을 순차적으로 보여주는 도면이다. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing an inlet formed in the upper part of the chamber of FIG.
Figs. 4 to 7 are views showing another embodiment of the inlet of Fig. 3. Fig.
FIGS. 8 to 11 are views sequentially showing the flow of the airflow during the substrate processing process and the substrate processing process using the substrate processing apparatus of FIG. 2. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하에서는 기판에 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)를 예로 들어 설명한다. 베이크 공정은 기판(W)상에 감광액을 도포한 전 후 수행될 수 있다. 또한, 현상 공정의 전 후에 수행 될 수도 있다. Hereinafter, a substrate processing apparatus 10 for performing a baking process on a substrate will be described as an example. The baking process may be performed before or after the application of the photosensitive liquid onto the substrate W. [ It may also be performed before or after the development step.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 베이크 공정이 수행하는 장치 외에도 증착, 식각, 가스 공급 공정을 수행하는 장치에도 적용될 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may be applied to an apparatus for performing a deposition, an etching, and a gas supply process in addition to an apparatus for performing a bake process.

도 1의 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 절개 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)의 단면도이다. 이하, 도 1과 도 2을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 배기부재(300)를 포함한다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, and an exhaust member 300.

챔버(100)는 내부에는 처리 공간(101)을 가진다. 처리 공간(101)에서는 기판(W)을 처리하는 공정이 수행된다. 챔버(100)는 기판 처리 장치(10)에서 처리되는 기판(W)의 형상과 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로 챔버(100)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상을 가진다. 챔버(100)는 원통의 형상으로 제공된다. 이와는 달리, 챔버(100)는 액정 디스플레이 제조를 위한 것인 경우 육면체 형상으로 제공될 수 있다. 이하에서는 기판(W)이 반도체 소자 제조를 위한 것인 경우를 예로 들어 설명한다.The chamber 100 has a processing space 101 therein. In the processing space 101, a process of processing the substrate W is performed. The chamber 100 may be provided in a shape corresponding to the shape of the substrate W to be processed in the substrate processing apparatus 10. [ For example, the chamber 100 has a circular shape when viewed from above. The chamber 100 is provided in the shape of a cylinder. Alternatively, the chamber 100 may be provided in a hexahedral form if it is intended for the manufacture of a liquid crystal display. Hereinafter, the case where the substrate W is for semiconductor device fabrication will be described as an example.

챔버(100)는 상체(110)와 하체(130)를 포함한다. 상체(110)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상을 가진다. 상체(110)는 원통형상으로 제공된다. 상체(110)는 하부가 개방된 형상으로 제공된다. 이와는 달리 상체(110)는 하부가 개방된 원판 형상으로 제공될 수 있다. 하체(130)는 상부에서 바라 불 때, 원형의 형상을 가진다. 하체(130)는 원통형상으로 제공된다. 하체(130)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 하체(130)는 상체(110)의 하부에 위치한다. 상체(110)와 하체(130)는 서로 마주보면 위치한다. 상체(110)와 하체(130)는 구동기(150)에 의해 분리될 수 있다. 상체(110)와 하체(130)의 결합으로 내부에 처리 공간(101)을 형성한다. The chamber 100 includes an upper body 110 and a lower body 130. The upper body 110 has a circular shape when viewed from above. The upper body 110 is provided in a cylindrical shape. The upper body 110 is provided in a shape in which the lower part is opened. Alternatively, the upper body 110 may be provided in the form of a disk with an open bottom. The lower body 130 has a circular shape when viewed from above. The lower body 130 is provided in a cylindrical shape. The lower body 130 is provided in an open top shape. The lower body 130 is positioned below the upper body 110. The upper body 110 and the lower body 130 are positioned facing each other. The upper body 110 and the lower body 130 may be separated by a driver 150. [ The processing space 101 is formed in the inside by coupling the upper body 110 and the lower body 130.

상체(110)의 외측에는 구동기(150)가 결합된다. 구동기(150)는 상체(110)를 상하로 승하강시킨다. 구동기(150)는 외부에서 기판(W)을 반입 시 상체(110)를 상부로 이동시킨다. 구동기(150)는 기판(W)에 베이크 공정을 수행 시 상체(110)를 하부로 이동시켜 챔버(100)를 밀폐시킨다. 구동기(150)는 챔버(100)의 외측에 위치한다. A driver 150 is coupled to the outside of the body 110. The driver 150 moves the upper body 110 up and down. The driver 150 moves the upper body 110 upward when the substrate W is carried in from the outside. The actuator 150 moves the body 110 downward to seal the chamber 100 when the substrate W is baked. The actuator 150 is located outside the chamber 100.

도 3은 도 2의 챔버의 상부에 형성된 유입구를 보여주는 측단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 챔버(100)에는 유입구(400)가 제공된다. 유입구(400)는 외부 기류가 유입된다. 유입구(400)는 챔버(100)의 상벽에 제공된다. 유입구(400)는 메인홀(410)과 보조홀(430)을 포함한다.3 is a side cross-sectional view showing an inlet formed in the upper part of the chamber of FIG. 1 to 3, the chamber 100 is provided with an inlet 400. [ The inlet port (400) receives an external air flow. The inlet 400 is provided on the upper wall of the chamber 100. The inlet 400 includes a main hole 410 and an auxiliary hole 430.

메인홀(410)은 서로 이격되어 위치한다. 메인홀(410)은 슬릿형상으로 제공된다. 메인홀(410)은 복수개 제공된다. 각각의 메인홀(410)은 챔버(100)의 상벽 중심에서 동일한 거리에 위치한다. 일 예로 도 3과 같이 메인홀(410)은 4개가 제공될 수 있다. 메인홀(410)들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가진다. 이와는 달리 메인홀(410)들은 서로 상이한 길이 및 형상을 가질 수 있다. 일 예로 각각의 메인홀(410)은 호 형상으로 제공된다. 메인홀(410)들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치된다. 메인홀(410)은 챔버(100)의 상벽 중심을 둘러싸도록 배열된다. 이와는 달리 메인홀(410)들은 서로 상이한 길이 및 형상을 가질 수 있다. The main holes 410 are spaced apart from each other. The main hole 410 is provided in a slit shape. A plurality of main holes 410 are provided. Each main hole 410 is located at the same distance from the center of the upper wall of the chamber 100. For example, as shown in FIG. 3, four main holes 410 may be provided. The main holes 410 have the same length and shape. Alternatively, the main holes 410 may have different lengths and shapes. In one example, each main hole 410 is provided in an arc shape. The main holes 410 are arranged in a circle in combination with each other. The main hole 410 is arranged to surround the center of the upper wall of the chamber 100. Alternatively, the main holes 410 may have different lengths and shapes.

보조홀(430)은 서로 이격되어 위치한다. 보조홀(430)은 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 보조홀(430)은 인접하는 메인홀(410) 사이에 배치된다. 보조홀(430)의 챔버(100)의 상벽 중심에서 동일한 거리에 위치한다. 보조홀(430)은 복수개 제공된다. 일 예로 도 3과 같이 보조홀(430)은 4개가 제공될 수 있다. 보조홀(430)은 서로 동일한 형상 및 모양으로 제공될 수 있다. 이와는 달리 보조홀(430)은 서로 상이한 형상 및 모양으로 제공될 수 있다. The auxiliary holes 430 are spaced apart from each other. The auxiliary hole 430 is provided in a circular shape when viewed from above. The auxiliary holes 430 are disposed between the adjacent main holes 410. And is located at the same distance from the center of the upper wall of the chamber 100 of the auxiliary hole 430. A plurality of auxiliary holes 430 are provided. For example, as shown in FIG. 3, four auxiliary holes 430 may be provided. The auxiliary holes 430 may be provided in the same shape and shape. Alternatively, the auxiliary holes 430 may be provided in different shapes and shapes.

보조홀(430)은 메인홀(410)보다 챔버(100)의 상벽 중심에서 더 멀리 위치한다. 일 예로 메인홀(410)들의 조합으로 형성된 원의 중심으로부터 보조홀(430)까지의 거리(d2)는 원의 중심으로부터 메인홀(410)까지의 거리(d1)보다 크게 제공될 수 있다. 메인홀(410)과 보조홀(430)은 도 3과 같이 서로 동일한 개수로 제공될 수 있다. 이와는 달리 메인홀(410)과 보조홀(430)은 서로 상이한 개수로 제공될 수 있다. The auxiliary hole 430 is located farther from the center of the upper wall of the chamber 100 than the main hole 410. The distance d2 from the center of the circle formed by the combination of the main holes 410 to the auxiliary hole 430 may be greater than the distance d1 from the center of the circle to the main hole 410. [ The main hole 410 and the auxiliary hole 430 may be provided in the same number as shown in FIG. Alternatively, the main hole 410 and the auxiliary hole 430 may be provided in different numbers.

본 발명의 일 실시 예에서는 메인홀(410)과 보조홀(430)이 각각 4개가 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 도 4와 같이 각각 6개, 도 5와 같이 각각 8개 도 6과 같이 각각 3개로 제공될 수 있다. 또한, 도 7과 같이 도 3의 메인홀(410)과 보조홀(430)과는 상이한 크기로 제공될 수도 있다. 메인홀(410)과 보조홀(430)의 개수 및 크기는 상술한 예에 한정 되지 않으며, 본 발명의 실시 예와 상이한 개수 및 크기로 제공될 수 있다. In the embodiment of the present invention, four main holes 410 and four auxiliary holes 430 are provided, respectively. However, the main holes 410 and the auxiliary holes 430 are six in FIG. 4 and eight in FIG. Each can be provided in three. Also, as shown in FIG. 7, the main hole 410 and the auxiliary hole 430 of FIG. 3 may be provided in different sizes. The number and size of the main hole 410 and the auxiliary hole 430 are not limited to the above-described examples, and may be provided in different numbers and sizes from those of the embodiments of the present invention.

지지 유닛(200)은 외부에서 반송된 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 처리 공간(101)에 위치한다. 지지 유닛(200)은 처리 공간(101)의 중앙 영역에 위치한다. 지지 유닛(200)은 지지판(210), 가열 부재(230), 리프트 핀(250)을 포함한다. The support unit 200 supports the substrate W carried from the outside. The support unit 200 is located in the processing space 101. The support unit 200 is located in the central region of the processing space 101. The support unit 200 includes a support plate 210, a heating member 230, and a lift pin 250.

지지판(210)은 기판(W)을 지지한다. 지지판(210)은 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 지지판(210)은 상부에서 바라 볼 때, 기판(W)보다 큰 면적을 가진다. 지지판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 지지판(210)은 하체(130)에 고정결합된다. 지지판(210)의 상부에는 복수의 홀이(미도시) 형성된다. 홀에는 후술하는 리프트 핀(250)이 통과한다. The support plate 210 supports the substrate W. The support plate 210 is provided in a circular shape when viewed from above. The support plate 210 has a larger area than the substrate W when viewed from above. The support plate 210 is provided in a disc shape. The support plate 210 is fixedly coupled to the lower body 130. A plurality of holes (not shown) are formed in the upper portion of the support plate 210. The lift pin 250, which will be described later, passes through the hole.

가열 부재(230)는 지지판(210)의 내부에 위치한다. 가열 부재(230)는 지지판(210)에 놓인 기판(W)을 가열한다. 가열 부재(230)는 복수개 제공된다. 일 예로 가열 부재(230)는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 230 is located inside the support plate 210. The heating member 230 heats the substrate W placed on the support plate 210. A plurality of heating members 230 are provided. For example, the heating member 230 may be provided as a heater.

리프트 핀(250)은 외부에서 반송된 기판(W)을 지지판(210)에 안착시킨다. 리프트 핀(250)은 외부로 기판(W)을 반송 시 지지판(210)에 기판(W)을 승강시킨다. 리프트 핀(250)은 지지판(210)의 내부에 위치한다. The lift pin 250 seats the substrate W carried from the outside onto the support plate 210. The lift pins 250 raise and lower the substrate W to the support plate 210 when the substrate W is transported to the outside. The lift pins 250 are located inside the support plate 210.

배기부재(300)는 챔버(100)의 내부에 이물질 및 흄을 외부로 배기한다. 배기부재(300)는 배기관(310)과 대향판(330)을 포함한다. The exhaust member 300 exhausts foreign matter and fumes to the outside of the chamber 100. The exhaust member (300) includes an exhaust pipe (310) and an opposite plate (330).

배기관(310)은 챔버(100)의 내부에 이물질 및 흄을 외부로 배기한다. 배기관(310)은 챔버(100)의 상벽에 결합된다. 배기관(310)은 상체(110)에 결합된다. 배기관(310)은 챔버(100)의 상벽 중심과 결합된다. 배기관(310)의 원형의 관으로 제공된다. 일 예로 배기관(310)은 별도의 펌프와 연결되어 처리 공간(101)에 기류를 외부로 배기한다. The exhaust pipe 310 exhausts foreign matter and fumes to the outside of the chamber 100. The exhaust pipe 310 is coupled to the upper wall of the chamber 100. The exhaust pipe 310 is coupled to the upper body 110. The exhaust pipe 310 is engaged with the center of the upper wall of the chamber 100. And is provided as a circular tube of the exhaust pipe 310. For example, the exhaust pipe 310 is connected to a separate pump to exhaust the airflow to the processing space 101 to the outside.

대향판(330)은 유입구(400)를 통해서 유입된 기류를 처리 공간(101)으로 가장자리 영역으로 이동하도록 한다. 대향판(330)은 처리 공간(101)의 상부에 위치한다. 대향판(330)은 지지판(210)과 대향되게 배치된다. 대향판(330)은 원판으로 제공될 수 있다. 대향판(330)은 지지판(210)과 서로 동일한 면적으로 제공될 수 있다. 상부에서 바라 볼 때, 대향판(330)은 원형의 형상으로 제공된다. 상부에서 바라 볼 대, 대향판(330)의 중심과 지지판(210)의 중심은 일치한다. 대향판(330)의 중심에는 통공(331)이 형성된다. 통공(331)은 배기관(310)과 마주보는 대향판(330)의 중심에 제공된다. 통공(331)올 통해서 처리 공간(101)에 이물질, 흄 그리고 기류는 배기관(310)으로 이동한다. The opposite plate 330 allows the airflow introduced through the inlet port 400 to move to the edge region in the processing space 101. The opposite plate 330 is located at the top of the processing space 101. The opposite plate 330 is disposed opposite to the support plate 210. The opposite plate 330 may be provided as a disc. The opposite plate 330 may be provided with the same area as the support plate 210. When viewed from above, the opposing plate 330 is provided in a circular shape. The center of the opposite plate 330 and the center of the support plate 210 coincide with each other. A through hole 331 is formed in the center of the opposite plate 330. The through hole 331 is provided at the center of the facing plate 330 facing the exhaust pipe 310. The foreign matter, the fume and the air flow into the processing space 101 through the through hole 331 to the exhaust pipe 310.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판(W) 처리 과정을 설명한다. 본 실시 예에서는 베이크 공정을 예로 들어 설명한다. Hereinafter, a process of processing a substrate W according to an embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a bake process will be described as an example.

도 8 내지 도 11은 도 2의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 과정 및 기판 처리 과정 동안의 기류의 흐름을 순차적으로 보여주는 도면이다. 이하, 이를 참조하면, 도 8과 같이 기판(W)은 외부의 별도의 이송 유닛을 통해서 챔버(100)의 내부로 반입된다. 상체(110)는 구동기(150)에 의해서 승강된다. 상체(110)와 하체(130)가 분리되어 챔버(100)는 개방된다. 개방된 공간을 통해서 기판(W)은 외부에서 반입된다. FIGS. 8 to 11 are views sequentially showing the flow of the airflow during the substrate processing process and the substrate processing process using the substrate processing apparatus of FIG. 2. FIG. Hereinafter, referring to FIG. 8, the substrate W is carried into the chamber 100 through a separate external transfer unit. The upper body 110 is lifted and lowered by the driver 150. The upper body 110 and the lower body 130 are separated and the chamber 100 is opened. The substrate W is carried in from the outside through the open space.

외부에서 기판(W)의 반입 시 도 8과 같이 리프트 핀(250)은 승강하여 기판(W)의 하부를 지지한다. 이 후, 리프트 핀(250)과 상체(110)가 하강된다. 리프트 핀(250)의 하강으로 기판(W)은 지지판(210)에 안착한다. 상체(110)의 하강으로 도 9와 같이 챔버(100)는 밀페된다. 상체(110)와 리프트 핀(250)은 동시에 하강한다. 도 9와 같이 챔버(100)가 밀폐되면 챔버(100)의 측면에서 챔버(100)의 내부로 들어오는 기류를 차단된다. When the substrate W is carried in from the outside, the lift pins 250 lift and support the lower portion of the substrate W as shown in FIG. Thereafter, the lift pin 250 and the upper body 110 are lowered. The substrate W is mounted on the support plate 210 by the lowering of the lift pins 250. The lowering of the upper body 110 causes the chamber 100 to be squeezed as shown in FIG. The upper body 110 and the lift pin 250 descend simultaneously. As shown in FIG. 9, when the chamber 100 is sealed, the airflow entering the chamber 100 from the side of the chamber 100 is blocked.

도 10과 같이 챔버(100)가 밀페된 후 기판(W)은 가열 부재(230)에 의해 가열되고, 기판(W)은 처리 공간(101) 내에서 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정이 수행되는 동안 챔버(100)의 상부에 유입구(400)를 통해서 처리 공간(101)으로 상부 기류가 유입된다. 상부 기류는 대향판(330)을 통해서 처리 공간(101)의 가장자리 영역에서부터 하강하여 기판(W)의 중앙 상부로 이동한다. 베이크 공정 중 배기 부재를 통해서 처리 공간(101)의 기류가 외부로 배출 된다. 외부로부터 유입된 기류는 기판(W)의 중앙 상부에서 통공(331)을 지나 배기관(310)을 통해서 외부로 빠져나간다. 이 과정에서 베이크 공정 중 발생한 이물질과 흄을 외부로 배기된다. 10, the substrate W is heated by the heating member 230, and the substrate W performs a baking process in the processing space 101. After the chamber 100 is vacuum- The upper air stream flows into the processing space 101 through the inlet 400 to the upper portion of the chamber 100 while the baking process is performed. The upper airflow moves down from the edge area of the processing space 101 to the upper center of the substrate W through the facing plate 330. The airflow in the processing space 101 is discharged to the outside through the exhaust member during the baking process. The airflow introduced from the outside passes through the through hole 331 at the central upper portion of the substrate W and exits through the exhaust pipe 310 to the outside. In this process, foreign substances and fumes generated during the baking process are exhausted to the outside.

또한, 상부의 기류가 유입되어 내부에 안정한 기류를 형성하여 기판(W)의 베이크 공정 시 불안정한 기류의 영향없이 베이크 공정을 수행하여 기판(W) 상에 도포막의 두께가 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 베이크 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the upper airflow is introduced to form a stable air flow inside the substrate W, so that the baking process can be performed without affecting the unstable airflow during the baking process of the substrate W, so that the thickness of the coating film on the substrate W can be kept constant. Further, the efficiency in the baking process can be improved.

베이크 공정 완료 후 도 11과 같이 기판(W)은 지지판(210)의 상부로 이송된다. 이송은 리프트 핀(250)의 승강으로 이루어진다. 이 때, 상체(110)도 함께 승강되어 챔버(100)를 개방한다. 이 후 기판(W)은 별도의 이송 유닛을 통해서 외부로 반출된다. After the baking process is completed, the substrate W is transferred to the upper portion of the support plate 210 as shown in FIG. The conveyance is performed by lifting the lift pins 250. At this time, the upper body 110 is also raised and lowered to open the chamber 100. Thereafter, the substrate W is carried out to the outside through a separate transfer unit.

상술한 바와 같이 본 발명은 챔버(100)에 상부에 유입구(400)를 형성하여 베이크 공정 시 안정한 상부 기류를 처리 공간(101)으로 유입한다. 베이크 공정 시 안정한 상부 기류의 유입으로 기판(W) 전체 영역의 도포막 두께가 일정하게 유지되어 베이크 공정에 효율을 향상시킨다. 또한, 안정한 기류 형성으로 배기를 원할히 하는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, an inlet 400 is formed in the upper part of the chamber 100, and a stable upper stream flows into the processing space 101 during the baking process. The stable film flow of the upper airflow during the baking process is kept constant in the entire region of the substrate W, thereby improving the efficiency of the baking process. In addition, there is an effect that the exhaust is made smooth by the stable airflow formation.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 기판 처리 장치 100: 챔버
101: 처리 공간 110: 상체
130: 하체 150: 구동기
200: 지지 유닛 210: 지지판
230:가열 부재 250: 리프트 핀
300: 배기부재 310: 배기관
330: 대향판 331: 통공
400: 유입구 410: 메인홀
430: 보조홀10: substrate processing apparatus 100: chamber
101: processing space 110: upper body
130: Lower body 150: Actuator
200: support unit 210: support plate
230: heating member 250: lift pin
300: exhaust member 310: exhaust pipe
330: facing plate 331: through hole
400: Inlet port 410: Main hole
430: auxiliary hole

Claims (19)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 그리고 외부 기류가 유입되는 유입구를 갖는 챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판을; 포함하고,,
상기 유입구는 서로 이격된 복수의 슬릿 형상의 메인홀과 인접하는 메인홀 사이에 배치되는 보조홀을 포함하되;
상기 메인홀들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치되고, 상기 메인홀들의 조합에 의해 형성된 상기 원의 중심으로부터 상기 보조홀까지의 거리는 상기 원의 중심으로부터 상기 메인홀까지의 거리보다 크게 제공되며,
상기 보조홀의 지름은 상기 메인홀들 사이의 간격보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space therein and having an inlet through which an external airflow is introduced;
A support plate for supporting the substrate in the chamber; Include
The inlet includes a plurality of slit-shaped main holes spaced apart from each other and an auxiliary hole disposed between adjacent main holes;
Wherein a distance from the center of the circle formed by the combination of the main holes to the auxiliary hole is larger than a distance from the center of the circle to the main hole,
Wherein a diameter of the auxiliary hole is larger than an interval between the main holes. 제1항에 있어서,
각각의 상기 메인홀은 호 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the main holes is provided in an arc shape. 제1항에 있어서,
상기 메인홀들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가지는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the main holes have the same length and shape. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 보조홀은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary holes are provided in a circular shape when viewed from above. 제1항에 있어서,
상기 유입구는 상기 챔버의 상벽에 제공되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the inlet is provided on an upper wall of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 메인홀과 상기 보조홀은 상기 챔버의 상벽 중심을 둘러싸도록 배열되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the main hole and the auxiliary hole are arranged so as to surround the center of the upper wall of the chamber. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 챔버의 내부에는 상기 지지판과 대향되도록 상기 지지판의 상부에 제공되는 대향판이 제공되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
And an opposing plate provided on an upper portion of the support plate so as to face the support plate inside the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 상벽의 중심에서는 배기관이 결합되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And an exhaust pipe is coupled to the center of the upper wall of the chamber. 제12항에 있어서,
상기 배기관과 마주보는 대향판의 중앙 영역에는 통공이 형성되는 기판 처리 장치. 13. The method of claim 12,
Wherein a through hole is formed in a central region of the facing plate facing the exhaust pipe. 제1항에 있어서,
상기 지지판의 내부에는 상기 지지판에 놓인 기판을 가열하는 가열 부재가 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a heating member for heating the substrate placed on the support plate is provided inside the support plate. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 그리고 외부 기류가 유입되는 유입구가 제공되는 챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판과;
상기 지지판의 내부에 위치하며, 상기 지지판에 놓인 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 처리 공간 내에 위치하며 상기 지지판과 대향되도록 상기 지지판의 상부에 제공되는 대향판과; 그리고
상기 챔버의 상벽에 중심에 결합되는 배기관을 가지며, 상기 처리 공간에 이물질을 외부로 매출하는 배기부재를 포함하고,
상기 유입구는 서로 이격된 복수의 슬릿 형상의 메인홀과 인접하는 메인홀 사이에 배치되는 보조홀을 포함하되;
상기 메인홀들은 서로 조합되어 원을 이루도록 배치되고, 상기 메인홀들의 조합에 의해 형성된 상기 원의 중심으로부터 상기 보조홀까지의 거리는 상기 원의 중심으로부터 상기 메인홀까지의 거리보다 크게 제공되며,
상기 보조홀의 지름은 상기 메인홀들 사이의 간격보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space therein and provided with an inlet through which an external airflow is introduced;
A support plate for supporting the substrate in the chamber;
A heating member located inside the support plate and heating the substrate placed on the support plate;
An opposite plate disposed in the processing space and provided on an upper portion of the support plate so as to face the support plate; And
And an exhaust member having an exhaust pipe that is centrally coupled to the upper wall of the chamber and that externally sells foreign matter to the process space,
The inlet includes a plurality of slit-shaped main holes spaced apart from each other and an auxiliary hole disposed between adjacent main holes;
Wherein a distance from the center of the circle formed by the combination of the main holes to the auxiliary hole is larger than a distance from the center of the circle to the main hole,
Wherein a diameter of the auxiliary hole is larger than an interval between the main holes. 제15항에 있어서,
각각의 상기 메인홀은 호 형상으로 제공되며, 상기 메인홀들은 서로 동일한 길이 및 형상을 가지는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein each of the main holes is provided in an arc shape, and the main holes have the same length and shape. 삭제delete 제15항에 있어서,
상기 보조홀은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공되는 기판 처리 장치. 16. The method of claim 15,
Wherein the auxiliary holes are provided in a circular shape when viewed from above. 제15항에 있어서,
상기 유입구는 상기 챔버의 상벽에 제공되며, 상기 메인홀과 상기 보조홀은 상기 챔버의 상벽 중심을 둘러싸도록 배열되는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the inlet is provided on an upper wall of the chamber, and the main hole and the auxiliary hole are arranged to surround the center of the upper wall of the chamber.
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