KR102191385B1

KR102191385B1 - Apparatus and method for treaing a substrate

Info

Publication number: KR102191385B1
Application number: KR1020180083529A
Authority: KR
Inventors: 엄영제; 이수형; 이태림
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2018-07-18
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2020-12-16
Also published as: KR20200009320A

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 가열 플레이트, 상기 가열 플레이트에 놓인 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 가열 플레이트에 지지된 기판과 상기 가열 플레이트 사이의 간극으로 기류를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은 상기 가열 플레이트의 외측에서 상기 간극으로 기류를 공급한다. 기류는 기판과 가열 플레이트 간의 열전달 매개체로서, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for thermally treating a substrate. The apparatus for processing a substrate includes a chamber having a processing space therein, a heating plate supporting a substrate in the processing space, a heater heating a substrate placed on the heating plate, and between the substrate supported on the heating plate and the heating plate. And an airflow supply unit supplying airflow to the gap, wherein the airflow supply unit supplies airflow from the outside of the heating plate to the gap. Airflow is a heat transfer medium between the substrate and the heating plate, and can improve heat transfer efficiency.

Description

Apparatus and method for treaing a substrate}

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for thermally treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photography process includes forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는, 기판을 가열하여 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시키는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 공정 온도에서 진행된다. 베이크 장치는 가열 플레이트(2) 및 이를 가열하는 히터(4)를 가지며, 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 놓여진 상태로 베이크 공정이 진행된다. After the liquid film is formed on the substrate, a baking process of stabilizing the liquid film by heating the substrate to blow off organic substances on the liquid film is performed. The bake process is carried out at a very high process temperature compared to room temperature. The baking apparatus has a heating plate 2 and a heater 4 that heats the same, and a baking process proceeds with the substrate W placed on the heating plate 2.

이러한 공정 온도는 액막의 종류에 따라 상이하게 적용된다. 이로 인해 가열 플레이트(2)는 액막 종류에 따라 그 공정 온도가 변화되어야 하며, 공정 온도의 변동 신속성은 기판(W)의 처리량에 직결된다. 이로 인해 현재에는 가열 플레이트(2)를 얇은 두께로 제작하는 추세이다.This process temperature is applied differently depending on the type of liquid film. For this reason, the heating plate 2 needs to change its process temperature according to the type of liquid film, and the rapidity of the process temperature change is directly related to the throughput of the substrate W. For this reason, the current trend is to manufacture the heating plate 2 with a thin thickness.

그러나 가열 플레이트(2)는 기판보다 큰 면적을 가지며, 그 두께가 점차 얇아짐에 따라 도 1과 같이 가열 플레이트(2)의 휘어짐이 발생된다. 이로 인해 기판(W)과 가열 플레이트(2) 간의 간격은 영역 별로 차이가 발생되며, 이는 기판(W)의 불균일한 가열을 유발한다. However, the heating plate 2 has a larger area than the substrate, and as the thickness of the heating plate 2 gradually decreases, the heating plate 2 is bent as shown in FIG. 1. For this reason, the gap between the substrate W and the heating plate 2 is different for each region, which causes uneven heating of the substrate W.

또한 액막이 형성된 기판은 중심에서 멀어질수록 휘어지는 워페이지(Warpage)가 발생된다. 워페이지는 고집적화에 의해 기판 상에 다단의 전극층들이 많아질수록 그 정도가 심해진다. 예컨대, 기판은 중앙 영역이 아래로 볼록한 형를 가질 수 있다. 도 2는 일반적으로 휘어짐을 가지는 기판을 베이크하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 가열 플레이트(2)는 감압 부재(6)에 의해 기판(W)을 진공 흡착한다. 가열 플레이트(2)에는 기판(W)과 간극을 가지도록 지지핀이 설치된다. 가열 플레이트(2)에는 복수의 흡착홀들(4)이 형성되고, 감압 부재(6)는 흡착홀(4)을 통해 간극을 감압하여 기판(W)을 진공 흡착한다.In addition, the substrate on which the liquid film is formed generates a warpage that is bent as it moves away from the center. The degree of warpage increases as the number of multi-stage electrode layers on the substrate increases due to high integration. For example, the substrate may have a shape in which the central region is convex downward. 2 is a cross-sectional view showing an apparatus for baking a substrate having a generally warp. Referring to FIG. 2, the heating plate 2 vacuum-adsorbs the substrate W by the pressure reducing member 6. A support pin is installed on the heating plate 2 to have a gap with the substrate W. A plurality of adsorption holes 4 are formed in the heating plate 2, and the depressurization member 6 depressurizes the gap through the adsorption hole 4 to vacuum-adsorb the substrate W.

그러나 기판(W)의 휘어짐이 일정 각도를 벗어나면, 기판(W)과 가열 플레이트(2) 간의 간극이 일정 범위를 벗어나게 된다. 이로 인해 감압 부재(6)의 감압력은 기판(W)에 제대로 전달되지 않으며, 기판(W)의 주변 분위기만이 흡기되고, 기판의 영역 별 가열 처리가 불균일하게 이루어진다. However, when the bending of the substrate W deviates from a certain angle, the gap between the substrate W and the heating plate 2 deviates from a certain range. For this reason, the depressurizing force of the depressurizing member 6 is not properly transmitted to the substrate W, only the surrounding atmosphere of the substrate W is inhaled, and heat treatment is performed unevenly for each region of the substrate.

한국 공개 특허 2007-0036396Korean Patent Publication 2007-0036396

본 발명은 기판을 영역 별로 균일하게 가열할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of uniformly heating a substrate for each area.

또한 본 발명은 가열 플레이트가 휘어지는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving the problem of bending a heating plate.

또한 본 발명은 휘어짐을 가지는 기판을 균일하게 가열 처리할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly heating a substrate having warpage.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for thermally treating a substrate.

기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 가열 플레이트, 상기 가열 플레이트에 놓인 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 가열 플레이트에 지지된 기판과 상기 가열 플레이트 사이의 간극으로 기류를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은 상기 가열 플레이트의 외측에서 상기 간극으로 기류를 공급한다. The apparatus for processing a substrate includes a chamber having a processing space therein, a heating plate supporting a substrate in the processing space, a heater heating a substrate placed on the heating plate, and between the substrate supported on the heating plate and the heating plate. And an airflow supply unit supplying airflow to the gap, wherein the airflow supply unit supplies airflow from the outside of the heating plate to the gap.

상기 기류 공급 유닛은 상기 간극의 일측에서 이와 반대되는 타측을 향하는 방향의 기류가 형성되도록 상기 간극의 일측에서 가스를 공급할 수 있다. 상기 기류 공급 유닛은 상기 가열 플레이트의 아래에 가스가 도입되는 도입 공간을 가지는 바디 및 상기 바디에 연결되며, 상기 도입 공간 내 가스를 상기 간극의 일측으로 안내하는 안내 통로가 형성되는 안내관을 포함하되, 상기 가열 플레이트의 저면은 상기 도입 공간에 노출될 수 있다. 상기 기류 공급 유닛은 상기 안내관에는 상기 안내 통로를 개폐하는 셔터를 더 포함하고, 상기 장치는 상기 셔터를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 안내 통로를 차단하여 상기 도입 공간을 가압하고, 이후에 상기 안내 통로를 개방하여 상기 도입 공간 내 가스가 상기 간극의 일측에서 타측을 향하는 방향으로 흐르도록 상기 셔터를 제어할 수 있다. The airflow supply unit may supply gas from one side of the gap such that an airflow in a direction from one side of the gap toward the other side opposite to the other side is formed. The airflow supply unit includes a body having an introduction space into which gas is introduced under the heating plate, and a guide pipe connected to the body and having a guide passage for guiding the gas in the introduction space to one side of the gap. , The bottom surface of the heating plate may be exposed to the introduction space. The airflow supply unit further includes a shutter for opening and closing the guide passage in the guide pipe, and the apparatus further includes a controller for controlling the shutter, wherein the controller blocks the guide passage to pressurize the introduction space. Then, the shutter may be controlled to open the guide passage so that the gas in the introduction space flows in a direction from one side of the gap to the other side.

상기 제어기는 상기 도입 공간을 가압하여 상기 가열 플레이트의 수평도를 조절하고, 이후에 기판을 가열하도록 상기 히터를 제어할 수 있다. The controller may pressurize the introduction space to adjust the horizontality of the heating plate, and then control the heater to heat the substrate.

상기 기류 공급 유닛은 상기 가열 플레이트에 설치되어 기판의 주변을 감싸는 링 형상을 가지고, 기판 및 상기 가열 플레이트와 조합되어 상기 간극을 닫힌 공간으로 형성하는 가이드 부재를 더 포함하되, 상기 가이드 부재는 상기 간극의 일측을 감싸며 상기 안내 통로와 상기 간극을 연통시키는 유입홀이 형성되는 제1가이드 및 상기 간극의 타측을 감싸며 배출홀이 형성되는 제2가이드를 포함할 수 있다. The airflow supply unit further includes a guide member having a ring shape installed on the heating plate and surrounding the periphery of the substrate, and combined with the substrate and the heating plate to form the gap into a closed space, wherein the guide member comprises the gap It may include a first guide that surrounds one side of and has an inlet hole communicating with the guide passage and the gap, and a second guide that surrounds the other side of the gap and has a discharge hole.

상기 유입홀은 복수 개로 제공되며, 상기 제1가이드의 길이 방향을 따라 배열되고, 상기 배출홀은 상기 유입홀보다 적은 개수로 제공될 수 있다. 상기 배출홀은 1 개 또는 복수 개로 제공되되, 상기 배출홀이 복수 개로 제공되는 경우에는 상기 가이드 부재의 중심에서 바라볼 때 상기 배출홀들이 상기 유입홀들보다 조밀하게 배열될 수 있다. A plurality of inlet holes may be provided, arranged along a length direction of the first guide, and the number of discharge holes may be provided in a smaller number than that of the inlet holes. One or more discharge holes may be provided, and when the plurality of discharge holes are provided, the discharge holes may be arranged more densely than the inlet holes when viewed from the center of the guide member.

상기 기류 공급 유닛은 상기 배출홀에 연결되는 배출 라인 및 상기 배출 라인을 감압하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다. The airflow supply unit may further include a discharge line connected to the discharge hole and a pressure reducing member for depressurizing the discharge line.

또한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 가열 플레이트, 상기 가열 플레이트에 놓인 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 가열 플레이트의 수평도를 조절하는 수평도 조절 유닛을 포함하되, 상기 수평도 조절 유닛은 상기 가열 플레이트의 아래에 가스가 도입되는 도입 공간을 가지는 바디 및 상기 도입 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하되, 상기 가열 플레이트의 저면은 상기 도입 공간에 노출되고, 상기 도입 공간에 공급된 가스에 의해 수평도가 조절된다. In addition, the substrate processing apparatus includes a heating plate supporting a substrate, a heater heating a substrate placed on the heating plate, and a horizontality adjusting unit for adjusting a horizontality of the heating plate, wherein the horizontality adjusting unit is the heating plate And a body having an introduction space under which gas is introduced, and a gas supply line for supplying gas to the introduction space, wherein the bottom surface of the heating plate is exposed to the introduction space, and by the gas supplied to the introduction space The level is adjusted.

상기 바디는 상기 가열 플레이트의 저면을 감싸는 통 형상으로 제공될 수 있다. 상기 장치는 상기 수평도 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 수평도 조절 유닛은 상기 바디에 연결되며, 상기 도입 공간 내 가스를 기판과 상기 가열플레이트 사이의 간극의 일측으로 안내하는 안내 통로가 형성되는 안내관 및 상기 안내 통로를 개폐하는 셔터를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 가열 플레이트의 수평도가 조절되는 중에는 상기 안내 통로가 차단되도록 상기 셔터를 제어할 수 있다. The body may be provided in a cylindrical shape surrounding the bottom surface of the heating plate. The device further includes a controller for controlling the horizontality adjustment unit, the horizontality adjustment unit is connected to the body, and a guide passage for guiding the gas in the introduction space to one side of the gap between the substrate and the heating plate A guide tube is formed and a shutter for opening and closing the guide passage, wherein the controller may control the shutter so that the guide passage is blocked while the horizontality of the heating plate is adjusted.

기판을 처리하는 방법은 상기 가열 플레이트의 수평 상태를 조절하는 수평 조절 단계 및 상기 기판이 상기 가열 플레이트에 안착되면, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 단계를 포함한다. The method of processing a substrate includes a horizontal adjustment step of adjusting a horizontal state of the heating plate, and a substrate heating step of heating the substrate when the substrate is seated on the heating plate.

상기 수평 조절 단계에는 상기 가열 플레이트의 저면이 노출되는 도입 공간으로 가스를 공급하여 상기 도입 공간을 가압할 수 있다. 상기 기판 가열 단계에는 상기 도입 공간과 상기 간극을 연결하는 안내 통로를 개방하되, 상기 안내 통로를 통해 상기 간극에 유입된 가스는 상기 간극의 일측에서 상기 간극의 타측을 향하는 방향을 향하는 기류를 형성할 수 있다. 상기 기류는 상기 간극의 타측으로 배출되고, 상기 가스가 흐르는 방향에 대해 상기 간극에서 상기 가스의 단위 면적당 유속은 상기 도입 공간에서 상기 가스의 단위 면적당 유속보다 빠를 수 있다. In the horizontal adjustment step, the introduction space may be pressurized by supplying gas to the introduction space where the bottom surface of the heating plate is exposed. In the heating step of the substrate, a guide passage connecting the introduction space and the gap is opened, and the gas introduced into the gap through the guide passage forms an airflow from one side of the gap toward the other side of the gap. I can. The airflow is discharged to the other side of the gap, and a flow rate per unit area of the gas in the gap may be higher than a flow rate per unit area of the gas in the introduction space with respect to a direction in which the gas flows.

상기 방법은 상기 가열 플레이트를 냉각하는 냉각 처리 단계를 더 포함하되,상기 냉각 처리 단계에는 상기 도입 공간에 상온 또는 이보다 낮은 온도의 냉각 가스를 공급할 수 있다. The method further includes a cooling treatment step of cooling the heating plate, wherein a cooling gas having a room temperature or a lower temperature may be supplied to the introduction space in the cooling treatment step.

상기 수평 조절 단계는 상기 가열 플레이트에 기판이 안착되기 전에 수행될 수 있다.The horizontal adjustment step may be performed before the substrate is seated on the heating plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 가열 플레이트의 저면이 노출되는 도입 공간을 가압하여 가열 플레이트의 수평 상태를 조절한다. 이로 인해 가열 플레이트를 수평 상태를 조절할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the horizontal state of the heating plate is adjusted by pressing the introduction space in which the bottom surface of the heating plate is exposed. This allows the heating plate to be leveled.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 가열 플레이트의 사이 간극에는 기류가 형성된다. 기류는 기판과 가열 플레이트 간의 열전달 매개체로서, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, an airflow is formed in the gap between the substrate and the heating plate. Airflow is a heat transfer medium between the substrate and the heating plate, and can improve heat transfer efficiency.

도 1은 일반적은 가열 플레이트를 보여주는 단면도이다.
도 2는 일반적으로 휘어짐을 가지는 기판을 베이크하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 9의 가이드 부재를 보여주는 절단 사시도이다.
도 12는 도 9의 간극에서 기류의 흐름을 보여주는 평면도이다.
도 13 및 도 14은 도 9의 가열 유닛을 이용하여 기판을 가열 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 15는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a general heating plate.
2 is a cross-sectional view showing an apparatus for baking a substrate having a generally warp.
3 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5.
7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5.
8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 8.
10 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 9.
11 is a cut perspective view showing the guide member of FIG. 9.
12 is a plan view showing the flow of airflow in the gap of FIG. 9.
13 and 14 are views illustrating a process of heating a substrate using the heating unit of FIG. 9.
15 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 5.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and performs a third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of FIG. 3, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. The coating block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which a substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided parallel to the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6는 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5. 6, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. 4 and 5, the heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7. Referring to FIGS. 7 and 8, the heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 9은 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 기류 공급 유닛, 그리고 제어기(1900)를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in an atmosphere of normal pressure or a lower pressure. 9 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 8. Referring to FIG. 9, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a heater unit 1400, an exhaust unit 1500, an airflow supply unit, and a controller 1900.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. An exhaust hole 1122 and an inlet hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust hole 1122 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of inlet holes 1124 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust hole 1122. The inflow holes 1124 introduce external airflow into the processing space 1110. According to an example, there are four inlet holes 1124, and the external airflow may be air.

선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, three or five or more inlet holes 1124 may be provided, or outside air may be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other is fixed in its position. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position in which the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other to open the processing space 1110. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 가열 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 도 10는 도 9의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 가열 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 가열 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(1320)는 기판(W)보다 크고, 하부 바디(1140)보다 작은 직경을 가진다. 가열 플레이트(1320)는 지지축(1322)에 의해 하부 바디(1140)의 바닥벽으로부터 이격되게 위치된다. 가열 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322)은 가열 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 예컨대, 리프트 홀들(1322)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a heating plate 1320, a lift pin 1340, and a support pin 1360. 10 is a plan view showing the substrate support unit of FIG. 9. 9 and 10, the heating plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The heating plate 1320 is provided in a circular plate shape. The heating plate 1320 is larger than the substrate W and has a smaller diameter than the lower body 1140. The heating plate 1320 is positioned to be spaced apart from the bottom wall of the lower body 1140 by the support shaft 1322. The upper surface of the heating plate 1320 functions as a seating surface 1320a on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 are formed on the seating surface 1320a. When viewed from above, the lift holes 1322 are arranged to surround the center of the upper surface of the heating plate 1320. Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. For example, the lift holes 1322 may be combined with each other and arranged to have an annular ring shape. The lift holes 1322 may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals.

예컨대, 리프트 홀들(1322)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 가열 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, three lift holes 1322 may be provided. The heating plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 가열 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the heating plate 1320. The lift pins 1342 are provided in plural, each of which is provided in a pin shape facing a vertical vertical direction. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322. A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between the lifting position and the lowering position. Here, the lifting position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface 1320a, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is equal to or lower than the seating surface 1320a. The driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있고, 기판(W)과 안착면 간에는 간극(1321)이 형성된다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the mounting surface 1320a. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, each of which is fixedly installed on the seating surface 1320a. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized, and a gap 1321 is formed between the substrate W and the mounting surface.

히터 유닛(1400)은 가열 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 가열 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 하부 히터들(1420)을 포함한다. 하부 히터들(1420)은 각각 가열 플레이트(1320)의 저면에 설치된다. 선택적으로 하부 히터들(1420)은 가열 플레이트(1320)의 내부에 위치될 수 있다. 각 하부 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 하부 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 하부 히터들(1420) 중 일부는 안착면(1320a)의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 하부 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면(1320a)의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 하부 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater unit 1400 heats the substrate W placed on the heating plate 1320. The heater unit 1400 is positioned below the substrate W placed on the heating plate 1320. The heater unit 1400 includes a plurality of lower heaters 1420. The lower heaters 1420 are installed on the bottom surface of the heating plate 1320, respectively. Optionally, the lower heaters 1420 may be located inside the heating plate 1320. Each of the lower heaters 1420 is located on the same plane. According to an example, each of the lower heaters 1420 may heat different regions of the seating surface at different temperatures. Some of the lower heaters 1420 heat the central region of the seating surface 1320a to a first temperature, and some of the lower heaters 1420 heat the edge region of the seating surface 1320a to a second temperature. I can. The second temperature may be higher than the first temperature. The lower heaters 1420 may be printed patterns or hot wires.

기류 공급 유닛(1800)은 기판(W)과 가열 플레이트(1320) 간의 사이 공간인 간극(1321)에 기류를 형성한다. 기류 공급 유닛(1800)은 간극(1321)의 일측에서 타측을 향하는 방향의 기류를 형성한다. 또한 기류 공급 유닛(1800)은 가열 플레이트(1320)의 수평도를 조절하는 수평도 조절 유닛(1800)으로 제공될 수 있다. 기류 공급 유닛(1800)은 바디(1820), 안내관(1840), 셔터(1860), 그리고 가이드 부재(1880)를 포함한다. The airflow supply unit 1800 forms an airflow in the gap 1321 that is a space between the substrate W and the heating plate 1320. The airflow supply unit 1800 forms an airflow in a direction from one side of the gap 1321 to the other side. In addition, the airflow supply unit 1800 may be provided as a level control unit 1800 that adjusts the level of the heating plate 1320. The airflow supply unit 1800 includes a body 1820, a guide tube 1840, a shutter 1860, and a guide member 1880.

바디(1820)는 가열 플레이트(1320)의 아래에 위치된다. 바디(1820)는 내부에 가스가 도입되는 도입 공간(1822)을 가진다. 바디(1820)의 일면에는 가스가 도입되는 공급구가 형성된다. 공급구에는 가스 공급 라인이 연결되며, 도입 공간(1822)은 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급받는다. 바디(1820)는 가열 플레이트(1320)의 저면이 도입 공간(1822)에 노출되도록 제공된다. 따라서 가열 플레이트(1320)를 지지하는 지지축(1322)은 도입 공간(1822) 내에 위치되며, 도입 공간(1822)의 가압에 의해 가열 플레이트(1320)의 수평도가 조절될 수 있다. The body 1820 is located under the heating plate 1320. The body 1820 has an introduction space 1822 into which gas is introduced. A supply port through which gas is introduced is formed on one surface of the body 1820. A gas supply line is connected to the supply port, and the introduction space 1822 receives gas through the gas supply line. The body 1820 is provided so that the bottom surface of the heating plate 1320 is exposed to the introduction space 1822. Accordingly, the support shaft 1322 supporting the heating plate 1320 is located in the introduction space 1822, and the horizontality of the heating plate 1320 can be adjusted by pressing the introduction space 1822.

안내관(1840)은 바디(1820)에 결합되어 도입 공간(1822) 내의 가스를 간극(1321)의 일측으로 안내한다. 안내관(1840)은 내부에 가스를 안내하는 안내 통로가 형성된다. 안내관(1840)은 제1부분(1842) 및 제2부분(1844)을 가진다. 제1부분(1842)은 하단이 바디(1820)에 결합되며, 바디(1820)로부터 위로 연장되는 길이 방향을 가진다. 즉 제1부분(1842)은 가열 플레이트(1320)와 하부 바디(1820)의 사이 공간에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 가열 플레이트(1320)를 사이에 두고 제1부분(1842)과 공급구가 형성된 일면이 서로 마주하도록 위치될 수 있다. 서로 반대 제1부분(1842)에는 셔터(1860)가 설치되며, 셔터(1860)는 제1부분(1842)의 안내 통로를 개폐한다. 제2부분(1844)은 제1부분(1842)의 상단으로부터 간극(1321)의 일측까지 연장되는 길이 방향을 가진다. 즉 제2부분(1844)은 가열 플레이트(1320)보다 높게 위치된다. 이에 따라 가스는 도입 공간(1822)에 도입되어 제1부분(1842) 및 제2부분(1844)을 순차적으로 통과하여 간극(1321)의 일측으로 공급된다.The guide tube 1840 is coupled to the body 1820 to guide the gas in the introduction space 1822 to one side of the gap 1321. The guide pipe 1840 has a guide passage for guiding gas therein. The guide tube 1840 has a first portion 1842 and a second portion 1844. The first portion 1842 has a lower end coupled to the body 1820 and has a longitudinal direction extending upward from the body 1820. That is, the first part 1842 is located in a space between the heating plate 1320 and the lower body 1820. When viewed from the top, the first portion 1842 and one surface on which the supply port is formed may be positioned to face each other with the heating plate 1320 interposed therebetween. A shutter 1860 is installed in the first portion 1842 opposite to each other, and the shutter 1860 opens and closes the guide passage of the first portion 1842. The second portion 1844 has a longitudinal direction extending from the upper end of the first portion 1842 to one side of the gap 1321. That is, the second portion 1844 is positioned higher than the heating plate 1320. Accordingly, the gas is introduced into the introduction space 1822 and sequentially passes through the first portion 1842 and the second portion 1844 to be supplied to one side of the gap 1321.

도입 공간(1822)은 간극(1321)보다 큰 공간으로 제공된다. 이에 따라 베르누이 원리에 의해 간극(1321)에서 가스의 단위 면적당 유속은 도입 공간(1822)에서 가스 단위 면적당 유속보다 빠르게 제공되며, 간극(1321)은 도입 공간(1822)보다 저압 상태를 가져 기판(W)을 가열 플레이트(1320)에 흡착시킬 수 있다.The introduction space 1822 is provided as a space larger than the gap 1321. Accordingly, according to the Bernoulli principle, the flow rate per unit area of the gas in the gap 1321 is provided faster than the flow rate per unit area of the gas in the introduction space 1822, and the gap 1321 has a lower pressure than the introduction space 1822, and thus the substrate W ) May be adsorbed to the heating plate 1320.

가이드 부재(1880)는 기판(W)이 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드 부재(1880)는 기판(W)의 주변을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 가이드는 기판(W)보다 큰 직경을 가지며, 그 내측면이 기판(W)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 기판(W)이 정 위치를 이탈하여도, 가이드 부재(1880)의 경사면을 타고 정 위치로 이동될 수 있다. The guide member 1880 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a proper position. The guide member 1880 has an annular ring shape surrounding the periphery of the substrate W. The guide has a larger diameter than the substrate W, and has a downwardly inclined shape as the inner surface of the guide is closer to the central axis of the substrate W. Accordingly, even if the substrate W leaves the original position, it may be moved to the original position while riding the inclined surface of the guide member 1880.

도 11은 도 9의 가이드 부재를 보여주는 절단 사시도이다. 도 11을 참조하면, 가이드 부재(1880)는 제1가이드(1882) 및 제2가이드(1886)를 포함한다. 본 실시예에는 가이드 부재(1880)가 2 개의 가이드를 포함하는 것으로 설명한다. 그러나 가이드의 개수는 이에 한정되지 않으며, 1 개 또는 3 개 이상으로 제공될 수 있다.11 is a cut perspective view showing the guide member of FIG. 9. Referring to FIG. 11, the guide member 1880 includes a first guide 1882 and a second guide 1886. In this embodiment, it will be described that the guide member 1880 includes two guides. However, the number of guides is not limited thereto, and may be provided as one or three or more.

제1가이드(1882) 및 제2가이드(1886)는 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가진다. 제1가이드(1882) 및 제2가이드(1886) 각각은 호 형상을 가진다. 제1가이드(1882)는 간극(1321)의 일측을 감싸도록 위치되고, 제2가이드(1886)는 간극(1321)의 타측을 감싸도록 위치된다. 이에 따라 기판(W), 가열 플레이트(1320), 제1가이드(1882), 그리고 제2가이드(1886)의 조합에 의해 간극(1321)은 닫힌 공간으로 제공된다. 제1가이드(1882)에는 유입홀(1884)이 형성되고, 이와 반대되는 제2가이드(1886)에는 배출홀(1888)이 형성된다. 유입홀(1884)은 안내 통로에 공급된 가스를 간극(1321)에 공급하는 홀로 기능하고, 배출홀(1888)은 간극(1321)에 형성된 기류를 배출시키는 홀로 기능한다. 유입홀들(1884)은 복수 개로 제공되며, 제1가이드(1882)의 길이 방향을 따라 배열된다. 예컨대. 유입홀들(1884)을 제1가이드(1882)의 길이 방향을 따라 일렬 또는 복수열로 배열될 수 있다. 배출홀(1888)은 유입홀(1884)보다 적은 개수로 제공된다. 예컨대, 배출홀(1888)은 1 개 또는 복수 개로 제공될 수 있다. 본 실시예에는 배출홀(1888)이 1 개로 제공되는 것으로 설명한다. 그러나 배출홀(1888)이 복수 개로 제공되는 경우에는, 서로 인접한 배출홀(1888)들 간의 간격이 유입홀들(1884) 간의 간격보다 조밀하게 배열될 수 있다. 이에 따라 간극(1321)에 형성된 기류는 일측에서 타측으로 흐르는 과정에서 배출홀(1888)로 좁혀지는 흐름 경로를 가지게 되며, 이는 유입홀(1884)과 배출홀(1888)이 일대일 대향되게 위치되는 것보다 기류의 경로 동선을 연장시킬 수 있다. 이로 인해 기판(W)과 가열 플레이트(1320) 간의 열 전달률을 높일 수 있다. The first guide 1882 and the second guide 1886 are combined with each other to have an annular ring shape. Each of the first guide 1882 and the second guide 1886 has an arc shape. The first guide 1882 is positioned to surround one side of the gap 1321, and the second guide 1886 is positioned to surround the other side of the gap 1321. Accordingly, the gap 1321 is provided as a closed space by a combination of the substrate W, the heating plate 1320, the first guide 1882, and the second guide 1886. An inlet hole 1884 is formed in the first guide 1882, and an outlet hole 1888 is formed in the second guide 1886 opposite to this. The inlet hole 1884 functions as a hole for supplying the gas supplied to the guide passage to the gap 1321, and the discharge hole 1888 functions as a hole for discharging the airflow formed in the gap 1321. A plurality of inlet holes 1884 are provided, and are arranged along the length direction of the first guide 1882. for example. The inflow holes 1884 may be arranged in a row or in a plurality of rows along the length direction of the first guide 1882. The discharge holes 1888 are provided in a smaller number than the inlet holes 1884. For example, one or a plurality of discharge holes 1888 may be provided. In this embodiment, it will be described that one discharge hole 1888 is provided. However, when a plurality of discharge holes 1888 are provided, a space between the discharge holes 1888 adjacent to each other may be arranged more densely than a space between the inlet holes 1884. Accordingly, the airflow formed in the gap 1321 has a flow path that narrows to the discharge hole 1888 in the process of flowing from one side to the other side, which is where the inlet hole 1884 and the discharge hole 1888 are positioned to face one-to-one It is possible to extend the path of the air flow more. Accordingly, a heat transfer rate between the substrate W and the heating plate 1320 may be increased.

예컨대, 유입홀들(1884)은 서로 다른 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 유입홀들(1884)은 배출홀(1888)을 향하는 방향으로 제공될 수 있다. For example, the inlet holes 1884 may be provided to face different directions. The inlet holes 1884 may be provided in a direction toward the outlet hole 1888.

배출홀(1888)에는 배출 라인이 연결되며, 배출 라인은 감압 부재(1890)에 의해 감압된다. 이에 따라 유입홀(1884)을 통해 공급된 가스는 배출홀(1888)로 배출된다. A discharge line is connected to the discharge hole 1888, and the discharge line is depressurized by a pressure reducing member 1890. Accordingly, the gas supplied through the inlet hole 1884 is discharged to the outlet hole 1888.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the interior of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540. The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction faces in a vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to penetrate the upper wall of the upper body 1120. According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110. A pressure reducing member 1560 is connected to an upper end of the exhaust pipe 1530. The depressurizing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere in the processing space 1110 is exhausted through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530 in sequence.

안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1220)의 상부에서 지지 플레이트(1220)의 제1면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned above the support plate 1220 to face the first surface of the support plate 1220. The guide plate 1540 is positioned higher than the lower body 1140. According to an example, the guide plate 1540 may be positioned at a height facing the upper body 1120. When viewed from above, the guide plate 1540 is positioned to overlap the inlet hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap is provided as a flow path through which the airflow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

제어기(1900)는 셔터(1860)를 제어한다. 제어기(1900)는 기판(W)이 안착되기 이전에 안내 통로를 차단하여 도입 공간(1822)을 가압하고, 이후에 안내 통로를 개방하여 간극(1321) 내에 기류를 형성되도록 셔터를 제어할 수 있다. The controller 1900 controls the shutter 1860. The controller 1900 may block the guide passage before the substrate W is seated to pressurize the introduction space 1822, and then open the guide passage to control the shutter to form an airflow in the gap 1321. .

다음은 상술한 가열 유닛을 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 도 13 및 도 14은 도 9의 가열 유닛을 이용하여 기판을 가열 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 13 및 도 14를 참조하면, 기판 처리 방법은 수평 조절 단계와 기판 가열 단계를 포함한다. 수평 조절 단계는 가열 플레이트(1320)의 수평도를 조절하는 단계이고, 기판 가열 단계는 기판(W)을 공정 온도로 가열하는 단계이다. 수평 조절 단계는 가열 플레이트(1320)에 기판(W)이 안착되기 전에 수행될 수 있다. 수평 조절 단계에는 안내 통로를 차단하고, 도입 공간(1822)에 가스를 공급하여 도입 공간(1822)을 가압한다. 이에 따라 처진 형상을 가지는 가열 플레이트(1320)를 편평한 상태로 조절할 수 있다. 예컨대, 가열 플레이트(1320)는 그 자체 하중에 의해 중앙 영역이 아래로 볼록하게 처진 형상을 가질 수 있으며, 도입 공간(1822)을 가압함으로써 가열 플레이트(1320)의 수평도를 조절할 수 있다.Next, a method of processing the substrate W using the above-described heating unit will be described. 13 and 14 are views illustrating a process of heating a substrate using the heating unit of FIG. 9. 13 and 14, the substrate processing method includes a horizontal adjustment step and a substrate heating step. The horizontal adjustment step is a step of adjusting the horizontality of the heating plate 1320, and the substrate heating step is a step of heating the substrate W to a process temperature. The horizontal adjustment step may be performed before the substrate W is seated on the heating plate 1320. In the horizontal adjustment step, the guide passage is blocked and gas is supplied to the introduction space 1822 to pressurize the introduction space 1822. Accordingly, the heating plate 1320 having a sagging shape can be adjusted to a flat state. For example, the heating plate 1320 may have a shape in which the central region is convexly drooped down by its own load, and the horizontality of the heating plate 1320 may be adjusted by pressing the introduction space 1822.

수평 조절 단계가 완료되면, 기판 가열 단계가 진행된다. 기판 가열 단계에는 기판(W)이 가열 플레이트(1320)에 안착된다. 안내 통로는 개방되고, 기판(W)과 가열 플레이트(1320) 간의 간극(1321)에는 이의 일측으로부터 타측으로 향하는 기류가 형성된다. 기류는 가열 플레이트(1320)로부터 발생된 열을 전달하는 열전달 매개체로 기능한다. 이로 인해 기판(W)의 온도를 신속하게 높일 수 있다. 또한 가스는 히터(1420)가 설치된 도입 공간(1822)을 통과한다. 가스는 도입 공간(1822)을 통과하는 과정에서 예비 가열되고, 간극(1321)에 제공된 가스는 열 전달을 보다 신속히 수행할 수 있다.When the leveling step is completed, the substrate heating step proceeds. In the substrate heating step, the substrate W is mounted on the heating plate 1320. The guide passage is opened, and an airflow from one side thereof to the other side is formed in the gap 1321 between the substrate W and the heating plate 1320. The airflow functions as a heat transfer medium that transfers heat generated from the heating plate 1320. Accordingly, the temperature of the substrate W can be rapidly increased. In addition, the gas passes through the introduction space 1822 in which the heater 1420 is installed. The gas is preheated in the process of passing through the introduction space 1822, and the gas provided in the gap 1321 may perform heat transfer more quickly.

상술한 실시예에 의하면, 아래로 처진 형상을 가지는 가열 플레이트(1320)에 대해 도입 공간(1822)을 가압하여 가열 플레이트(1320)의 수평도를 조절하는 것으로 설명하였다. 그러나 도입 공간(1822)을 감압하는 감압 부재를 더 설치함으로써, 위로 볼록한 형상을 가지는 가열 플레이트(1320)에 대해 대처할 수 있다. According to the above-described embodiment, it has been described that the horizontality of the heating plate 1320 is adjusted by pressing the introduction space 1822 against the heating plate 1320 having a downward sag shape. However, by further providing a pressure reducing member for depressurizing the introduction space 1822, it is possible to cope with the heating plate 1320 having a convex upward shape.

또한 상술한 실시예에는 도입 공간(1822)에 가스를 공급하여 가열 플레이트(1320)의 수평도를 조절하는 것으로 설명하였으나, 도입 공간(1822)에 상온 또는 이보다 낮은 온도의 냉각 가스를 공급하여 가열 플레이트(1320)를 냉각시킬 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, it has been described that the horizontality of the heating plate 1320 is adjusted by supplying gas to the introduction space 1822, but by supplying a cooling gas of room temperature or lower temperature to the introduction space 1822 (1320) can be cooled.

또한 본 발명의 실시예는 베르누이 원리를 이용하여 기판을 흡착하며, 간극(1321) 내에 기류를 형성한다. 이로 인해 진공압을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 방식에 비해 간극(1321) 내에 기류 형성으로 인한 기판(W)의 열 전달율을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention adsorbs the substrate using the Bernoulli principle and forms an airflow in the gap 1321. Accordingly, compared to a method of adsorbing the substrate W using vacuum pressure, the heat transfer rate of the substrate W due to the formation of airflow in the gap 1321 may be improved.

또한 상술한 실시예는 베르누이의 원리를 이용하여 기판(W)을 흡착 지지한다. 이로 인해 휘어짐을 가지는 기판(W)을 흡착 지지하는 과정에서 기판(W)의 주변 분위기가 흡착되는 것을 최소화하면서 기판(W)을 흡착 지지할 수 있다.In addition, the above-described embodiment adsorbs and supports the substrate W by using Bernoulli's principle. Accordingly, in the process of adsorbing and supporting the curved substrate W, the substrate W may be adsorbed and supported while minimizing adsorbing of the surrounding atmosphere of the substrate W.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7, the transfer plate 3240 has a substantially disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 가열 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the heating plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed is a cooling plate 3222. It is made while in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front-end liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear-end liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may all be photoresists.

도 15는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 15를 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 15 is a diagram schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 5. Referring to FIG. 15, the liquid processing chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The entrance may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 that forms a downward airflow in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610. The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring again to FIGS. 4 and 5, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The shear buffers 3802 are provided in plural and are positioned to be stacked on each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as a rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hands of the other robots are provided in a different shape. Can be.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage. A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the liquid processing chamber 3604 at the rear stage, and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The heating process and cooling process described above are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1321: 간극 1800: 기류 공급 유닛
1820: 바디 1822: 도입 공간
1840: 안내관 1860: 셔터
1880: 가이드 부재1321: gap 1800: air flow supply unit
1820: body 1822: introduction space
1840: guide 1860: shutter
1880: guide member

Claims

In the apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space therein;
A heating plate supporting a substrate in the processing space;
A heater for heating the substrate placed on the heating plate;
Including an air flow supply unit for supplying air flow to the gap between the heating plate and the substrate supported on the heating plate,
The air flow supply unit supplies air flow from the outside of the heating plate to the gap,
The airflow supply unit supplies gas from one side of the gap so that an airflow in a direction from one side of the gap toward the other side opposite to the other side is formed,
The airflow supply unit,
A body having an introduction space into which gas is introduced under the heating plate;
A guide tube connected to the body and having a guide passage for guiding the gas in the introduction space to one side of the gap;
The guide tube includes a shutter for opening and closing the guide passage,
The bottom surface of the heating plate is exposed to the introduction space,
The device,
Further comprising a controller for controlling the shutter,
The controller blocks the guide passage to pressurize the introduction space, and then opens the guide passage to control the shutter so that the gas in the introduction space flows from one side of the gap to the other side.

delete

The method of claim 1,
The controller pressurizes the introduction space to adjust the horizontality of the heating plate, and then controls the heater to heat the substrate.

The method of claim 1,
The airflow supply unit,
Further comprising a guide member that is installed on the heating plate and has a ring shape surrounding the periphery of the substrate, and is combined with the substrate and the heating plate to form the gap into a closed space,
The guide member,
A first guide surrounding one side of the gap and having an inlet hole communicating the guide passage with the gap;
A substrate processing apparatus comprising a second guide that surrounds the other side of the gap and has a discharge hole.

The method of claim 6,
The inlet holes are provided in plural, and are arranged along the length direction of the first guide,
The substrate processing apparatus is provided in a smaller number of the discharge holes than the inlet holes.

The method of claim 7,
One or more discharge holes are provided,
When the plurality of discharge holes are provided, the discharge holes are arranged more densely than the inlet holes when viewed from the center of the guide member.

The method according to any one of claims 6 to 8,
The airflow supply unit,
A discharge line connected to the discharge hole;
A substrate processing apparatus further comprising a pressure reducing member for depressurizing the discharge line,

A heating plate supporting the substrate;
A heater for heating the substrate placed on the heating plate;
Including a horizontality adjustment unit for adjusting the horizontality of the heating plate,
The horizontal degree adjustment unit,
A body having an introduction space into which gas is introduced under the heating plate;
Including a gas supply line for supplying gas to the introduction space,
The bottom surface of the heating plate is exposed to the introduction space, and the horizontality is adjusted by the gas supplied to the introduction space.

The method of claim 10,
The body is a substrate processing apparatus provided in a cylindrical shape surrounding the bottom surface of the heating plate.

The method of claim 11,
The device further comprises a controller for controlling the leveling unit,
The leveling unit is
A guide tube connected to the body and having a guide passage for guiding the gas in the introduction space to one side of a gap between the substrate and the heating plate;
Further comprising a shutter for opening and closing the guide passage,
The controller controls the shutter so that the guide passage is blocked while the horizontality of the heating plate is adjusted.

In the method of processing a substrate placed on a heating plate,
A horizontal adjustment step of adjusting the horizontal state of the heating plate;
When the substrate is seated on the heating plate, comprising a substrate heating step of heating the substrate,
In the horizontal adjustment step, a substrate processing method of pressurizing the introduction space by supplying gas to the introduction space where the bottom surface of the heating plate is exposed.

delete

The method of claim 13,
In the substrate heating step, a guide passage connecting the introduction space and the heating plate and the gap between the substrate is opened,
The gas flowing into the gap through the guide passage forms an airflow from one side of the gap toward the other side of the gap.

The method of claim 15,
The airflow is discharged to the other side of the gap,
A substrate processing method wherein a flow rate per unit area of the gas in the gap with respect to a direction in which the gas flows is faster than a flow rate per unit area of the gas in the introduction space.

The method of claim 13,
The above method,
Further comprising a cooling treatment step of cooling the heating plate,
In the cooling treatment step, a cooling gas having a room temperature or lower temperature is supplied to the introduction space.