KR102277545B1

KR102277545B1 - Apparatus and Method for treating a substrate

Info

Publication number: KR102277545B1
Application number: KR1020190104866A
Authority: KR
Inventors: 지석환; 조민우
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2019-08-27
Filing date: 2019-08-27
Publication date: 2021-07-16
Also published as: KR20210025742A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와; 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate.
According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit exhausting the processing space, the exhaust unit comprising: a lower exhaust unit exhausting the processing space in a downward direction; It may include an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction.

Description

Apparatus and Method for treating a substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method for processing a substrate.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 열처리 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS 가스를 공급하는 공정이다.A photo-lithography process among semiconductor manufacturing processes is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photographic process is usually carried out in a spinner local facility that is connected to an exposure facility and continuously processes the coating process, the exposure process, and the developing process. Such a spinner facility sequentially performs a hexamethyl disilazane (HMDS) treatment process, a coating process, a heat treatment process, and a developing process. Here, the HMDS treatment process is a process of supplying HMDS gas onto the wafer before application of the photoresist in order to increase the adhesion efficiency of the photoresist (PR).

이러한 HMDS 처리 공정은, 이후 수행되는 공정에 따라 요구되는 처리 영역이 달라진다. 예컨대, HMDS 처리 공정 이후의 공정에 따라, 선택적으로 웨이퍼의 상면에만 HDMS 처리가 요구되거나, 웨이퍼의 상면 및 하면 모두에 HMDS 처리가 요구된다. 그러나, 종래의 설비는 웨이퍼의 HMDS 처리 영역을 선택적으로 제어할 수 없었다. 이에, 요구되는 HMDS 처리 영역에 따라, HMDS 처리 공정을 수행하는 설비를 달리해야 한다. 이에, 반도체를 제조하는 설비가 추가적으로 요구되고, 이는 반도체 제조 비용을 증가 시킨다.In this HMDS treatment process, a required treatment area varies according to a subsequent process. For example, depending on the process after the HMDS processing process, HDMS processing is selectively required only on the upper surface of the wafer, or HMDS processing is required on both the upper surface and the lower surface of the wafer. However, conventional equipment cannot selectively control the HMDS processing area of the wafer. Therefore, according to the required HMDS processing area, the equipment for performing the HMDS processing process should be different. Accordingly, a facility for manufacturing a semiconductor is additionally required, which increases the cost of manufacturing the semiconductor.

또한, HMDS 처리 공정을 수행하는 과정에서 공정을 수행하는 챔버 내부 공간에는 암모니아 등의 유기 가스가 발생한다. 이러한 유기 가스는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 그러나, 일반적인 HMDS 처리 공정을 수행하는 챔버는 아래 방향으로 챔버 내부 공간을 배기하기 때문에 이러한 유기 가스가 적절히 배기되지 못한다.In addition, in the process of performing the HMDS treatment process, an organic gas such as ammonia is generated in the space inside the chamber for performing the process. These organic gases are lighter than air and diffuse upwards. However, since the chamber performing the general HMDS treatment process exhausts the chamber interior space downward, the organic gas is not properly exhausted.

본 발명은 가스를 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 발생하는 유기 가스를 효율적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently evacuating organic gas generated in a process of processing a substrate by supplying a gas.

또한, 본 발명은 후속 공정인 감광액 도포 공정에서 사용되는 감광액의 종류에 따라, 기판의 처리 영역을 선택적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of selectively controlling a processing area of a substrate according to a type of a photoresist used in a photoresist application process, which is a subsequent process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와; 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit exhausting the processing space, the exhaust unit comprising: a lower exhaust unit exhausting the processing space in a downward direction; It may include an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버는, 상부 챔버와; 상기 상부 챔버의 아래에 배치되며, 서로 조합되어 상기 처리 공간을 형성하는 하부 챔버를 포함하되, 상기 상부 배기부는 상기 상부 챔버에 제공되고, 상기 하부 배기부는 상기 하부 챔버에 제공될 수 있다.In an embodiment, the process chamber may include an upper chamber; and a lower chamber disposed below the upper chamber and combined with each other to form the processing space, wherein the upper exhaust part is provided in the upper chamber, and the lower exhaust part is provided in the lower chamber.

일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기부는, 상기 상부 챔버 내에 형성되는 버퍼 공간과; 상기 버퍼 공간과 상기 처리 공간을 연통시키며, 상기 상부 챔버에 형성되는 복수의 상부 배기홀과; 상기 버퍼 공간과 연결되며, 상기 버퍼 공간에 감압을 제공하는 상부 배기 라인을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust unit may include: a buffer space formed in the upper chamber; a plurality of upper exhaust holes communicating the buffer space and the processing space and formed in the upper chamber; It may include an upper exhaust line connected to the buffer space and providing pressure reduction to the buffer space.

일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기홀들은, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 챔버의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust holes may be formed in an edge region of the upper chamber when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기홀들은, 상부에서 바라 볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 상기 상부 챔버에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust holes may be formed in the upper chamber to be spaced apart from each other in a circumferential direction when viewed from above.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판에 상기 소수화 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하고, 상기 상부 배기부가 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하여 상기 기판을 처리하면서 발생하는 유기 가스를 상기 처리 공간으로부터 배기할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In the method of treating a substrate, the substrate is treated by supplying the hydrophobicization gas to the substrate, and the upper exhaust unit exhausts the processing space in an upward direction to exhaust organic gas generated while processing the substrate from the processing space. can do.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 영역을 선택적으로 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a region for processing a substrate by supplying a processing gas may be selectively controlled.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to improve the efficiency of a process of processing a substrate by supplying a processing gas.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치에서 상부 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 10은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 9의 배기 단계에서 공정 챔버의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 .
5 is a plan cross-sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 .
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the heating unit of FIG. 6 .
8 is a diagram schematically illustrating an upper chamber in the substrate processing apparatus of FIG. 7 .
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating an embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 .
11 is a diagram illustrating another embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 .
12 is a view illustrating a state in which a processing space of a process chamber is exhausted in the exhaust step of FIG. 9 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as an X-axis direction 12 , and a direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top The Y-axis direction 14 is called, and the direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is called the Z-axis direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. Vessel 10 may be placed in loadport 22 by an operator or by a transfer means (not shown) such as an Overhead Transfer, Overhead Conveyor, or Automatic GuidedVehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and performs the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the X-axis direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer unit 3420 . The transfer unit 3420 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, and the hand A moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16 , and the Z-axis direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer unit 3420 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a plan sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 , and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 . The heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 5000 , and a conveying plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(5000)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(5000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 5000 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 5000 are provided side by side along the Y-axis direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 5000 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(5000) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transport plate 3240 is provided in a substantially circular plate shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. A notch 3244 is formed at an edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand A of the transfer robot 3420 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand A, and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand A and the transfer plate 3240 are changed in the position where the hand A and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W is moved between the hand A and the transfer plate 3240. transmission takes place The conveying plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and is moved along the guide rail 3249 by the actuator 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The guide grooves 3242 are provided along the Y-axis direction 14 in their longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the X-axis direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 5000 .

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착력을 향상시킬 수 있다. 가스는 기판(W)을 소수화시키는 소수화 가스일 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이하에서는, 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000) 중 기판에 포토레지스트의 부착력을 향상시키는 가스를 공급하는 장치를 예를 들어 설명한다.The heating unit 5000 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve adhesion of the photoresist to the substrate W. The gas may be a hydrophobizing gas that hydrophobizes the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas. Hereinafter, an apparatus for supplying a gas for improving adhesion of a photoresist to a substrate among the heating units 5000 provided in the heat treatment chamber 3200 will be described as an example.

도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 기판 처리 장치에서 상부 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 7과 도 8을 참조하면, 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치는, 공정 챔버(5110, 5120), 실링 부재(5200), 지지 유닛(5300), 가스 공급 유닛(5500), 배기 유닛(5710, 5760), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the heating unit of FIG. 6 , and FIG. 8 is a diagram schematically illustrating an upper chamber in the substrate processing apparatus of FIG. 7 . Hereinafter, referring to FIGS. 7 and 8 , the substrate processing apparatus provided in the heating unit 5000 includes process chambers 5110 and 5120 , a sealing member 5200 , a support unit 5300 , and a gas supply unit 5500 . , exhaust units 5710 and 5760, and a controller (not shown).

공정 챔버(5110, 5120)는 내부에 처리 공간(5102)을 제공한다. 공정 챔버(5110, 5120)는 상부 챔버(5110), 하부 챔버(5120), 그리고 구동기(5115)를 포함할 수 있다.The process chambers 5110 and 5120 provide a processing space 5102 therein. The process chambers 5110 and 5120 may include an upper chamber 5110 , a lower chamber 5120 , and a driver 5115 .

상부 챔버(5110)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부 챔버(5110)의 아래에 배치될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)는 서로 조합되어 처리 공간(5102)을 형성할 수 있다.The upper chamber 5110 may be provided in a circular shape when viewed from above. The upper chamber 5110 may be provided in a cylindrical shape with an open lower part. The upper chamber 5110 may be provided in a cylindrical shape with an open lower portion. The lower chamber 5120 may be disposed below the upper chamber 5110 . The lower chamber 5120 may be provided in a circular shape when viewed from the top. The lower chamber 5120 may be provided in a cylindrical shape with an open top. The lower chamber 5120 may be provided in a cylindrical shape with an open top. The upper chamber 5110 and the lower chamber 5120 may be combined with each other to form a processing space 5102 .

구동기(5115)는 상부 챔버(5110)와 결합할 수 있다. 구동기(5115)는 상부 챔버(5110)를 상하로 승하강 시킬 수 있다. 구동기(5115)는 공정 챔버(5110, 5120) 내부로 기판(W)을 반입시 상부 챔버(5110)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(5110, 5120)의 내부를 개방할 수 있다. 구동기(5115)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부 챔버(5110)를 하부 챔버(5120)와 접촉시켜 공정 챔버(5110, 5120) 내부를 밀폐시킬 수 있다. 본 실시예에서는 구동기(5115)가 상부 챔버(5110)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와 달리 구동기(5115)는 하부 챔버(5120)와 연결되어 하부 챔버(5120)를 승하강 시킬 수도 있다.The driver 5115 may be coupled to the upper chamber 5110 . The actuator 5115 may move the upper chamber 5110 up and down. The driver 5115 may open the interior of the process chambers 5110 and 5120 by moving the upper chamber 5110 upward when the substrate W is loaded into the process chambers 5110 and 5120 . The driver 5115 may seal the inside of the process chambers 5110 and 5120 by bringing the upper chamber 5110 into contact with the lower chamber 5120 during the process of processing the substrate W. In this embodiment, the driver 5115 is provided in connection with the upper chamber 5110 as an example, but unlike this, the driver 5115 is connected to the lower chamber 5120 to raise and lower the lower chamber 5120. .

실링 부재(5200)는 처리 공간(5102)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 부재(5200)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)의 접촉면에 설치된다. 일 예로 실링 부재(5200)는 하부 챔버(5120)의 접촉면에서 설치될 수 있다.The sealing member 5200 seals the processing space 5102 from the outside. The sealing member 5200 is installed on the contact surface of the upper chamber 5110 and the lower chamber 5120 . For example, the sealing member 5200 may be installed on the contact surface of the lower chamber 5120 .

지지 유닛(5300)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5300)은 지지판(5310), 핀(5320), 그리고 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다.The support unit 5300 may support the substrate W. The support unit 5300 may include a support plate 5310 , a fin 5320 , and a heating member 5330 .

지지판(5310)은 처리 공간(5102) 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지판(5310)에는 핀(5320)이 제공되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 핀(5320)은 기판(W)의 하면과 지지판(5310)의 상면을 서로 이격시키도록 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공될 수 있다. 지지판(5310)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지판(5310)은 열 전도성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지판(5310)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The support plate 5310 may support the substrate W in the processing space 5102 . A pin 5320 may be provided on the support plate 5310 to support the substrate W. The pins 5320 may be provided to space the lower surface of the substrate W and the upper surface of the support plate 5310 apart from each other. The support plate 5310 may be provided in a circular shape when viewed from above. The upper surface of the support plate 5310 may have a larger cross-sectional area than the substrate W. The support plate 5310 may be made of a material having excellent thermal conductivity. The support plate 5310 may be made of a material having excellent heat resistance. For example, the support plate 5310 may be made of a material including a metal.

또한, 지지 유닛(5300)에는 기판(W)을 승하강 시키는 리프트 핀 모듈(미도시)이 제공될 수 있다. 리프트 핀 모듈은 공정 챔버(5110, 5120) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 유닛(5030) 상에 내려 놓거나, 기판(W)을 들어올려 공정 챔버(5110, 5120)의 외부의 반송 수단으로 인계할 수 있다. 일 예에 의하면, 리프트 핀 모듈의 리프트 핀은 3개가 제공될 수 있다.In addition, the support unit 5300 may be provided with a lift pin module (not shown) for elevating the substrate (W). The lift pin module receives the substrate W from the transfer means outside the process chambers 5110 and 5120 and puts it down on the support unit 5030, or lifts the substrate W to the outside of the process chambers 5110 and 5120. It can be handed over by means of conveyance. According to an example, three lift pins of the lift pin module may be provided.

또한, 지지 유닛(5300)은 지지 유닛(5300)에 놓인 기판(W)을 가열하는 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(5330)는 지지판(5310)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 가열 부재(5330)는 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지판(5310)의 내부에 복수개로 제공될 수 있다.Also, the support unit 5300 may include a heating member 5330 that heats the substrate W placed on the support unit 5300 . For example, the heating member 5330 may be located inside the support plate 5310 . For example, the heating member 5330 may serve as a heater. A plurality of heaters may be provided inside the support plate 5310 .

가스 공급 유닛(5500)은 처리 공간(5102) 내에 위치한 기판(W)으로 처리 가스를 공급할 수 있다. 처리 가스는 밀착용 가스를 포함할 수 있다. 일 예로 처리 가스는 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 포함할 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 성질을 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 또한 처리 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 캐리어 가스는 불활성가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스일 수 있다. The gas supply unit 5500 may supply a processing gas to the substrate W located in the processing space 5102 . The processing gas may include a gas for adhesion. For example, the processing gas may include hexamethyldisyrein (HMDS). The processing gas may change the properties of the substrate W from hydrophilicity to hydrophobicity. In addition, the processing gas may be provided mixed with the carrier gas. The carrier gas may be provided as an inert gas. For example, the inert gas may be nitrogen gas.

가스 공급 유닛(5500)은 가스 공급관(5510)과 가스 공급 라인(5530)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(5510)은 상부 챔버(5110)의 중앙 영역에 연결될 수 있다. 가스 공급관(5510)은 가스 공급 라인(5530)에서 전달된 처리 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 가스 공급관(5510)이 공급하는 처리 가스의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향 되도록 위치할 수 있다.The gas supply unit 5500 may include a gas supply pipe 5510 and a gas supply line 5530 . The gas supply pipe 5510 may be connected to the central region of the upper chamber 5110 . The gas supply pipe 5510 may supply the processing gas delivered from the gas supply line 5530 to the substrate W. A supply position of the processing gas supplied by the gas supply pipe 5510 may be positioned to face the central upper region of the substrate W. Referring to FIG.

배기 유닛(5710, 5760)은 처리 공간(5102)을 배기한다. 배기 유닛(5710, 5760)은 상부 배기부(5710), 그리고 하부 배기부(5760)를 포함할 수 있다.The exhaust units 5710 and 5760 exhaust the processing space 5102 . The exhaust units 5710 and 5760 may include an upper exhaust part 5710 and a lower exhaust part 5760 .

상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 상부 배기부(5710)는 지지 유닛(5300)보다 상부에 제공될 수 있다. 상부 배기부(5710)는 상부 챔버(5110)에 제공될 수 있다. 상부 배기부(5710)는 버퍼 공간(5711), 상부 배기홀(5712), 상부 배기 라인(5713), 제1밸브(5714), 그리고 상부 감압 부재(5715)를 포함할 수 있다.The upper exhaust unit 5710 may exhaust the processing space 5102 in an upward direction. The upper exhaust part 5710 may be provided above the support unit 5300 . The upper exhaust part 5710 may be provided in the upper chamber 5110 . The upper exhaust part 5710 may include a buffer space 5711 , an upper exhaust hole 5712 , an upper exhaust line 5713 , a first valve 5714 , and an upper pressure reducing member 5715 .

버퍼 공간(5711)은 상부 배기홀(5712)로 유입되는 가스를 상부 배기 라인(5713)으로 전달할 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가지도록 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 가스 공급관(5510)을 둘러싸도록 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다.The buffer space 5711 may transfer the gas flowing into the upper exhaust hole 5712 to the upper exhaust line 5713 . The buffer space 5711 may be formed in the upper chamber 5110 . The buffer space 5711 may be formed in the upper chamber 5110 to have a circular shape when viewed from the top. The buffer space 5711 may be formed in the upper chamber 5110 to surround the gas supply pipe 5510 .

상부 배기홀(5712)은 처리 공간(5712)과 버퍼 공간(5711)을 연통시킬 수 있다. 상부 배기홀(5712)은 상부 챔버(5110)의 내측 상면으로부터 버퍼 공간(5711)까지 연통될 수 있다. 상부 배기홀(5712)은 복수로 제공될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 상부에서 바라볼 때 상부 챔버(5110)의 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 상부에서 바라볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 상부 챔버(5110)에 형성될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 상부 챔버(5110)에 형성될 수 있다.The upper exhaust hole 5712 may communicate the processing space 5712 and the buffer space 5711 . The upper exhaust hole 5712 may communicate from an inner upper surface of the upper chamber 5110 to the buffer space 5711 . A plurality of upper exhaust holes 5712 may be provided. The upper exhaust hole 5710 may be formed in an edge region of the upper chamber 5110 when viewed from above. The upper exhaust hole 5710 may be formed in the upper chamber 5110 to be spaced apart from each other in the circumferential direction when viewed from the top. The upper exhaust holes 5710 may be formed in the upper chamber 5110 to be spaced apart from each other at the same distance.

상술한 예에서는 상부 배기홀(5712)이 복수로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 배기홀(5712)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 링 형상을 가지는 상부 배기홀(5712)은 상부 챔버(5110)의 내측 상면으로부터 버퍼 공간(5711)까지 연장될 수도 있다.In the above example, it has been described that a plurality of upper exhaust holes 5712 are provided as an example, but is not limited thereto. For example, the upper exhaust hole 5712 may be provided to have a ring shape when viewed from the top. The upper exhaust hole 5712 having a ring shape may extend from the inner upper surface of the upper chamber 5110 to the buffer space 5711 .

상부 배기 라인(5713)은 버퍼 공간(5711)과 연결될 수 있다. 상부 배기 라인(5713)은 상부 배기홀(5712)을 거쳐 버퍼 공간(5711)으로 유입되는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 상부 배기 라인(5713)에는 제1밸브(5714)가 설치될 수 있다. 또한, 상부 배기 라인(5713)에는 상부 감압 부재(5715)가 제공될 수 있다. 상부 감압 부재(5715)는 감압을 제공할 수 있다. 상부 감압 부재(5715)가 제공하는 감압은 상부 배기 라인(5713), 버퍼 공간(5711), 그리고 상부 배기홀(5712)을 거쳐 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 상부 감압 부재(5715)는 펌프로 제공될 수 있다. 이와 달리 감압 부재는 감압을 제공하는 공지의 장치로 제공될 수 있다.The upper exhaust line 5713 may be connected to the buffer space 5711 . The upper exhaust line 5713 may exhaust gas flowing into the buffer space 5711 through the upper exhaust hole 5712 to the outside. A first valve 5714 may be installed in the upper exhaust line 5713 . In addition, an upper pressure reducing member 5715 may be provided in the upper exhaust line 5713 . The upper pressure reducing member 5715 may provide pressure reduction. The reduced pressure provided by the upper pressure reducing member 5715 may be transferred to the processing space 5102 through the upper exhaust line 5713 , the buffer space 5711 , and the upper exhaust hole 5712 . The upper pressure reducing member 5715 may be provided as a pump. Alternatively, the pressure reducing member may be provided with a known device for providing pressure reduction.

하부 배기부(5760)는 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기부(5760)는 지지 유닛(5300) 보다 아래에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 지지 유닛(5300)에 지지되는 기판(W)보다 아래에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 하부 챔버(5120)에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 하부 배기홀(5762), 하부 배기 라인(5763), 제2밸브(5764), 그리고 하부 감압 부재(5765)를 포함할 수 있다.The lower exhaust unit 5760 may exhaust the processing space 5102 downward. The lower exhaust unit 5760 may be provided below the support unit 5300 . The lower exhaust unit 5760 may be provided below the substrate W supported by the support unit 5300 . The lower exhaust unit 5760 may be provided in the lower chamber 5120 . The lower exhaust unit 5760 may include a lower exhaust hole 5762 , a lower exhaust line 5763 , a second valve 5764 , and a lower pressure reducing member 5765 .

하부 배기홀(5762)은 하부 챔버(5120)에 형성될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 복수로 제공될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 하부 배기홀(5762)은 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 링 형상을 가지는 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 지지판(5310)을 감싸도록 제공될 수 있다.The lower exhaust hole 5762 may be formed in the lower chamber 5120 . The lower exhaust hole 5762 may exhaust the processing space 5102 downward. A plurality of lower exhaust holes 5762 may be provided. The lower exhaust holes 5762 may be provided to be spaced apart from each other when viewed from above. The lower exhaust holes 5762 may be provided to be spaced apart from each other along the circumferential direction when viewed from above. However, the present invention is not limited thereto, and the lower exhaust hole 5762 may be provided to have a ring shape. The lower exhaust hole 5762 having a ring shape may be provided to surround the support plate 5310 when viewed from the top.

하부 배기 라인(5763)은 하부 배기홀(5762)과 연결될 수 있다. 하부 배기 라인(5763)은 하부 배기홀(5762)으로 유입되는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 하부 배기 라인(5763)에는 제2밸브(5764)가 설치될 수 있다. 또한, 하부 배기 라인(5763)에는 하부 감압 부재(5765)가 제공될 수 있다. 하부 감압 부재(5765)는 감압을 제공할 수 있다. 하부 감압 부재(5765)가 제공하는 감압은 하부 배기 라인(5763), 그리고 하부 배기홀(5762)을 거쳐 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 하부 감압 부재(5765)는 펌프로 제공될 수 있다. The lower exhaust line 5763 may be connected to the lower exhaust hole 5762 . The lower exhaust line 5763 may exhaust gas flowing into the lower exhaust hole 5762 to the outside. A second valve 5764 may be installed in the lower exhaust line 5763 . In addition, a lower pressure reducing member 5765 may be provided in the lower exhaust line 5763 . The lower pressure reducing member 5765 may provide pressure reduction. The reduced pressure provided by the lower pressure reducing member 5765 may be transferred to the processing space 5102 through the lower exhaust line 5763 and the lower exhaust hole 5762 . The lower pressure reducing member 5765 may be provided as a pump.

제어기는 가스 공급 유닛(5500)과 배기 유닛(5710, 5760)을 제어한다. 제어기는 기판(W)을 처리시 상부 배기부(5710) 또는 하부 배기부(5760)가 선택적으로 처리 공간(5102)을 배기할 수 있도록 가스 공급 유닛(5500)과 배기 유닛(5710, 5760)을 제어할 수 있다. 일 예로, 제어기는 상부 감압 부재(5715) 또는 하부 감압 부재(5765) 중 어느 하나가 사용되도록 이들을 선택적으로 제어할 수 있다. The controller controls the gas supply unit 5500 and the exhaust units 5710 and 5760 . The controller connects the gas supply unit 5500 and the exhaust units 5710 and 5760 to the upper exhaust part 5710 or the lower exhaust part 5760 to selectively exhaust the processing space 5102 when processing the substrate W. can be controlled For example, the controller may selectively control either the upper pressure-sensitive member 5715 or the lower pressure-sensitive member 5765 to be used.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고, 도 10은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 일 실시 예를 보여주는 도면이고, 도 11은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이고, 도 12는 도 9의 배기 단계에서 공정 챔버의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, FIG. 10 is a diagram illustrating an embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 , and FIG. 11 is a processing step of FIG. It is a view showing another embodiment of processing a substrate, and FIG. 12 is a view showing a state in which the processing space of the process chamber is exhausted in the exhaust step of FIG. 9 .

도 9 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 처리 단계(S10), 그리고 배기 단계(S20)를 포함할 수 있다.9 to 12 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a processing step ( S10 ) and an exhaust step ( S20 ).

처리 단계(S10)는 지지 유닛(5300)에 지지된 기판(W)으로 소수화 가스(G)를 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계일 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이 처리 단계(S10)에는 기판(W)으로 소수화 가스(G)를 공급하여 기판(W)을 소수화 시킬 수 있다. 처리 단계(S10)에는 가스 공급 유닛(5500)이 지지 유닛(5300)에 지지된 기판(W)의 상면으로 가스(G)를 공급할 수 있다. 이때, 하부 배기부(5760)는 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 또한, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)으로 공급되는 소수화 가스(G)와 기판(W)의 표면과의 컨택 앵글을 조절할 수 있다. 예컨대, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제1배기량인 경우 소수화 가스(G)와 기판(W) 표면과의 컨택 앵글을 크게 할 수 있다. 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제2배기량인 경우 소수화 가스(G)와 기판(W)의 표면과의 컨택 앵글을 작게할 수 있다. 제1배기량은 제2배기량 보다 큰 배기량일 수 있다. 즉, 하부 배기 유닛(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 커지면 처리 공간(5102)에 강한 하강 기류를 형성하면 기판(W)과 소수화 가스(G)의 컨택 앵클을 크게 할 수 있다.The processing step S10 may be a step of processing the substrate W by supplying the hydrophobization gas G to the substrate W supported by the support unit 5300 . As shown in FIG. 10 , in the processing step S10 , the substrate W may be hydrophobized by supplying the hydrophobization gas G to the substrate W. In the processing step S10 , the gas supply unit 5500 may supply the gas G to the upper surface of the substrate W supported by the support unit 5300 . In this case, the lower exhaust unit 5760 may exhaust the processing space 5102 downward. In addition, the contact angle between the hydrophobization gas G supplied to the substrate W and the surface of the substrate W may be adjusted by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 . For example, when the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 is the first exhaust amount, the contact angle between the hydrophobization gas G and the surface of the substrate W may be increased. When the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 is the second exhaust amount, the contact angle between the hydrophobization gas G and the surface of the substrate W may be reduced. The first exhaust amount may be a larger displacement than the second exhaust amount. That is, when the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 increases, a strong downward airflow is formed in the processing space 5102 , and the contact angle between the substrate W and the hydrophobization gas G can be increased.

또한, 도 11에 도시된 바와 같이 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다. 예컨대, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제3배기량인 경우 소수화 가스(G)는 기판(W)의 하면으로 공급될 수 있다. 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제4배기량인 경우 소수화 가스(G)는 기판(W)의 하면으로 공급되지 않을 수 있다. 제3배기량은 가스 공급 유닛(5500)이 공급하는 단위 시간당 가스 공급 유량보다 작은 배기량일 수 있다. 제4배기량은 가스 공급 유닛(5500)이 공급하는 단위 시간당 가스 공급 유량과 같거나 큰 배기량일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 하부 배기부(5760)의 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 상면, 하면, 상면 및 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다.Also, as shown in FIG. 11 , the gas G may be supplied to the lower surface of the substrate W by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 . For example, when the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust part 5760 is the third exhaust amount, the hydrophobization gas G may be supplied to the lower surface of the substrate W. When the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 is the fourth exhaust amount, the hydrophobicization gas G may not be supplied to the lower surface of the substrate W. The third exhaust amount may be an exhaust amount that is smaller than a gas supply flow rate per unit time supplied by the gas supply unit 5500 . The fourth exhaust amount may be equal to or greater than the gas supply flow rate per unit time supplied by the gas supply unit 5500 . That is, according to an embodiment of the present invention, the gas G may be supplied to the upper surface, the lower surface, the upper surface, and the lower surface of the substrate W by adjusting the exhaust flow rate of the lower exhaust unit 5760 .

배기 단계(S20)는 처리 단계(S10) 이후 수행될 수 있다. 배기 단계(S20)는 처리 단계(S10)를 수행하는 과정에서 발생하는 유기 가스(N)를 처리 공간(5102)으로부터 배기하는 단계이 일 수 있다. 유기 가스(N)는 암모니아 가스일 수 있다. 배기 단계(S20)는 상부 배기부(5710)가 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기하여 처리 공간(5102)에서 발생한 유기 가스(N)를 처리 공간(5102)으로부터 외부로 배기할 수 있다. 처리 공간(5102)에서 발생한 유기 가스(N)는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 본 발명의 실시 예에 의하면, 상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기하여 발생된 유기 가스(N)를 효율적으로 배기할 수 있다.The exhaust step ( S20 ) may be performed after the processing step ( S10 ). The exhausting step S20 may be a step of exhausting the organic gas N generated in the process of performing the processing step S10 from the processing space 5102 . The organic gas N may be ammonia gas. In the exhaust step S20 , the upper exhaust unit 5710 may exhaust the processing space 5102 upward. The upper exhaust unit 5710 may exhaust the processing space 5102 upward to exhaust the organic gas N generated in the processing space 5102 from the processing space 5102 to the outside. The organic gas N generated in the processing space 5102 is lighter than air and diffuses upward. According to an embodiment of the present invention, the upper exhaust unit 5710 may efficiently exhaust the organic gas N generated by exhausting the processing space 5102 upward.

종래의 기판 처리 설비에 의하면, 처리 가스로 기판을 처리시 기판의 상면에만 처리가 수행되거나 또는 기판의 상면 및 하면에 처리가 수행될 수 있었다. 다시 말해, 종래의 설비는 기판의 상면 또는 기판의 상,하면을 선택적으로 처리하기 위해서는 서로 다른 설비를 이용해야 했다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는, 또한, 본 발명의 일 실시예는, 하부 배기부(5760)의 단위시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 상면 및/또는 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다. 이에 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스로 처리되는 기판의 영역을 하나의 설비로 선택적으로 처리할 수 있다. 이에 가스로 처리되는 기판의 영역을 달리하기 위해 별개의 설비가 요구되지 않는다. 이에 추가적인 기판 처리 설비가 요구되지 않고, 이는 반도체 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.According to a conventional substrate processing facility, when processing a substrate with a processing gas, the processing may be performed only on the upper surface of the substrate, or the processing may be performed on the upper and lower surfaces of the substrate. In other words, the conventional equipment had to use different equipment in order to selectively process the upper surface of the substrate or the upper and lower surfaces of the substrate. However, in an embodiment of the present invention, in an embodiment of the present invention, the gas G is applied to the upper and/or lower surfaces of the substrate W by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 . can supply Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the region of the substrate to be treated with the gas may be selectively treated with one facility. Accordingly, a separate facility is not required to change the area of the substrate to be treated with the gas. Accordingly, an additional substrate processing facility is not required, which has the effect of reducing semiconductor manufacturing costs.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하부 배기부(5760)의 단위시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)과 소수화 가스(G)의 컨택 앵글을 조절할 수 있다. 이에, 기판(W)에 대한 처리를 효율적으로 제어할 수 있는 추가 제어 인자를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the contact angle between the substrate W and the hydrophobization gas G may be adjusted by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the lower exhaust unit 5760 . Accordingly, it is possible to provide an additional control factor that can efficiently control the processing of the substrate (W).

또한, 소수화 가스(G)가 기판(W)으로 공급되면 처리 공간(5102) 내에는 유기 가스(N)가 발생한다. 유기 가스(N)는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상부 배기부(5710)가 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기한다. 이에, 소수화 가스(G)가 공급되어 발생하는 유기 가스(N)를 더욱 효율적으로 배기할 수 있다.In addition, when the hydrophobicization gas G is supplied to the substrate W, the organic gas N is generated in the processing space 5102 . The organic gas (N) is lighter than air and diffuses upward. However, according to an exemplary embodiment, the upper exhaust unit 5710 exhausts the processing space 5102 upward. Accordingly, the organic gas N generated by supplying the hydrophobicization gas G can be more efficiently exhausted.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3420 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3420 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of the above, a description thereof is omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which a substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16 .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

기판 처리 장치 : 5000
공정 챔버 : 5100
상부 챔버 : 5110
구동기 : 5115
하부 챔버 : 5120
내부 공간 : 5102
실링 부재 : 5200
지지 유닛 : 5300
지지판 : 5310
리프트 핀 : 5320
가열 부재 : 5330
가스 공급 유닛 : 5500
가스 공급관 : 5510
가스 공급 라인 : 5530
배기 유닛 : 5700
상부 배기부 : 5710
버퍼 공간 : 5711
상부 배기홀 : 5712
상부 배기라인 : 5713
제1밸브 : 5714
상부 감압 부재 : 5715
하부 배기부 : 5760
하부 배기홀 : 5762
하부 배기 라인 : 5763
제2밸브 : 5764
하부 감압 부재 : 5765Substrate processing unit: 5000
Process Chamber: 5100
Upper chamber: 5110
Actuator: 5115
Lower chamber: 5120
Internal space: 5102
Sealing member: 5200
Support unit: 5300
Support plate: 5310
Lift Pin: 5320
Heating element: 5330
Gas supply unit: 5500
Gas supply pipe: 5510
Gas supply line: 5530
Exhaust unit: 5700
Upper exhaust: 5710
Buffer Space: 5711
Upper exhaust hole: 5712
Upper exhaust line: 5713
1st valve: 5714
Upper pressure reducing member: 5715
Lower exhaust: 5760
Lower exhaust hole: 5762
Bottom exhaust line: 5763
2nd valve: 5764
Lower pressure reducing member: 5765

Claims

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a process chamber having a processing space therein;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
A controller for controlling the gas supply unit and the exhaust unit,
The exhaust unit is
a lower exhaust for exhausting the processing space in a downward direction;
an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction;
The controller is
performing a treatment step of evacuating the treatment space through the lower exhaust unit while the hydrophobization gas is supplied into the treatment space;
performing an exhaust step after the treatment step,
The substrate processing apparatus in which the processing space is exhausted through the upper exhaust part in the exhausting step.

According to claim 1,
The process chamber,
an upper chamber;
a lower chamber disposed below the upper chamber and combined with each other to form the processing space,
The upper exhaust portion is provided in the upper chamber,
The lower exhaust portion is provided in the lower chamber.

3. The method of claim 2,
The upper exhaust part,
a buffer space formed in the upper chamber;
a plurality of upper exhaust holes communicating the buffer space and the processing space and formed in the upper chamber;
and an upper exhaust line connected to the buffer space and configured to provide a reduced pressure to the buffer space.

4. The method of claim 3,
The upper exhaust holes are
A substrate processing apparatus formed in an edge region of the upper chamber when viewed from above.

5. The method of claim 4,
The upper exhaust holes are
A substrate processing apparatus formed in the upper chamber to be spaced apart from each other in a circumferential direction when viewed from above.

In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of any one of claims 1 to 5,
processing the substrate by supplying the hydrophobicization gas to the substrate;
and an exhaust step of exhausting organic gas generated while processing the substrate by the upper exhaust unit exhausting the processing space from the processing space;
In the processing step, the processing space is exhausted downward,
In the evacuation step, the processing space is evacuated in an upward direction.