KR102175073B1 - Appparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 베이크 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판의 온도를 측정하는 측정 유닛, 그리고 상기 측정 유닛으로부터 측정된 값을 근거로 상기 히터 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 측정 유닛은 접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제1측정기 및 비접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제2측정기를 포함한다. 이로 인해 각 측정기로부터 발생되는 문제점을 상호 보완할 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for baking a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a housing providing a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, a heater unit provided in the substrate supporting unit, and heating a substrate, and a substrate placed on the substrate supporting unit. A measurement unit that measures temperature, and a controller that controls the heater unit based on a value measured from the measurement unit, wherein the measurement unit includes a first measuring device that measures the temperature of the substrate in a contact manner and a substrate in a non-contact manner. It includes a second measuring device for measuring the temperature of. This makes it possible to compensate each other for problems arising from each measuring device.

Figure R1020180097296
Figure R1020180097296

Description

기판 처리 장치 및 방법{Appparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Appparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 베이크 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for thermally treating a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for baking a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photography process includes forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는, 기판을 가열하여 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시키는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 온도에서 진행되며, 액막의 두께는 베이크 공정 온도에 따라 달라진다. 이로 인해 정확한 공정 온도가 요구된다.After the liquid film is formed on the substrate, a baking process of stabilizing the liquid film by heating the substrate to blow off organic substances on the liquid film is performed. The bake process is performed at a very high temperature compared to room temperature, and the thickness of the liquid film varies depending on the bake process temperature. This requires precise process temperatures.

도 1은 일반적인 베이크 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판을 지지하는 플레이트에는 히터(2)가 설치되고, 히터(2)는 센서(4)가 접촉된 접촉식 방식에 의해 온도가 측정된다. 기판(W)의 온도는 히터(2) 온도를 근거로 추정된다. 이는 히터(2)의 온도를 접촉 측정하여 기판(W)의 온도를 간접 측정하는 것으로, 기판(W)의 실제 온도를 정확하게 측정하는 것이 불가능하며, 그 측정된 데이터를 통해 히터(2)의 온도를 조절할 경우, 공정 온도를 벗어나는 경우가 빈번하다.1 is a cross-sectional view showing a general baking apparatus. Referring to FIG. 1, a heater 2 is installed on a plate supporting a substrate, and a temperature of the heater 2 is measured by a contact method in which a sensor 4 is contacted. The temperature of the substrate W is estimated based on the temperature of the heater 2. This is an indirect measurement of the temperature of the substrate W by contact measurement of the temperature of the heater 2, and it is impossible to accurately measure the actual temperature of the substrate W, and the measured data is used to measure the temperature of the heater 2 In the case of controlling, it is frequently out of process temperature.

이를 해결하기 위해 기판의 온도를 직접 측정하는 비접촉식 방식이 제안되었다. 그러나 비접촉식 방식은 적외선 또는 광을 이용한 측정 방식으로, 기판이 반출입되는 과정에서 방사율 및 투과율의 차이로 인해 온도 헌팅이 발생되며, 측정 값의 신뢰가 떨어진다.To solve this problem, a non-contact method of directly measuring the temperature of the substrate has been proposed. However, the non-contact method is a measurement method using infrared or light, and temperature hunting occurs due to the difference in emissivity and transmittance in the process of carrying in/out the substrate, and the reliability of the measured value is poor.

본 발명은 기판의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of accurately measuring the temperature of a substrate.

또한 본 발명은 접촉식 센서 또는 비접촉식 센서를 통해 기판의 온도를 측정 시 발생되는 문제를 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving a problem that occurs when measuring a temperature of a substrate through a contact sensor or a non-contact sensor.

본 발명의 실시예는 기판을 베이크 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for baking a substrate.

기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판의 온도를 측정하는 측정 유닛, 그리고 상기 측정 유닛으로부터 측정된 값을 근거로 상기 히터 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 측정 유닛은 접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제1측정기 및 비접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제2측정기를 포함한다. An apparatus for processing a substrate includes a housing providing a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, a heater unit provided in the substrate supporting unit, and heating a substrate, and a substrate placed on the substrate supporting unit. A measurement unit that measures temperature, and a controller that controls the heater unit based on a value measured from the measurement unit, wherein the measurement unit includes a first measuring device that measures the temperature of the substrate in a contact manner and a substrate in a non-contact manner. It includes a second measuring device for measuring the temperature of.

상기 제어기는 상기 처리 공간 내에 기판의 반입 여부에 따라 상기 제1측정기와 상기 제2측정기 중 하나를 선택하고, 선택된 측정기의 측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어할 수 있다. The controller may select one of the first measuring device and the second measuring device according to whether or not the substrate is carried into the processing space, and control the heater unit according to a measured value of the selected measuring device.

상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판이 반입되기 전에 상기 제1측정기로부터 측정된 제1측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하고, 상기 처리 공간에 기판이 반입된 후에 상기 제2측정기로부터 측정된 제2측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판이 반입된 직후에 상기 제1측정값과 상기 제2측정값을 각각 전달받고, 상기 제1측정값에 의한 기판의 온도와 상기 제2측정값에 의한 기판의 온도의 편차가 일정 범위에 포함되면, 상기 제1측정값 없이 상기 제2측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어할 수 있다. The controller controls the heater unit according to a first measurement value measured from the first measuring device before the substrate is loaded into the processing space, and a second measured from the second measuring device after the substrate is loaded into the processing space. The heater unit can be controlled according to the measured value. The controller receives the first measurement value and the second measurement value, respectively, immediately after the substrate is loaded into the processing space, and the temperature of the substrate according to the first measurement value and the substrate temperature according to the second measurement value When the deviation of is within a certain range, the heater unit may be controlled according to the second measured value without the first measured value.

상기 일정 범위는 5 내지 15 퍼센테이지(%)를 포함할 수 있다 The certain range may include 5 to 15 percentage (%)

상기 제어기는 상기 측정 유닛으로부터 측정된 온도를 기준으로 상기 제1측정기와 상기 제2측정기 중 하나를 선택하고, 선택된 측정기의 측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 측정된 온도가 설정 온도보다 낮으면 상기 제1측정기로 측정된 값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하고, 상기 측정된 온도가 상기 설정 온도보다 높으면 상기 제2측정기로 측정된 값에 따라 상기 히터 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제1측정기는 상기 제2측정기에 비해 상기 히터 유닛에 더 가깝게 위치될 수 있다. The controller may select one of the first measuring device and the second measuring device based on the temperature measured by the measuring unit, and control the heater unit according to a measured value of the selected measuring device. When the measured temperature is lower than a set temperature, the controller controls the heater unit according to a value measured by the first meter, and when the measured temperature is higher than the set temperature, the controller controls the heater unit according to a value measured by the second meter. The heater unit can be controlled. The first measuring device may be located closer to the heater unit than the second measuring device.

상기 장치는 기판에 대해 베이크 공정을 수행할 수 있다. The apparatus may perform a bake process on the substrate.

또한 기판을 처리하는 방법으로는 상기 기판은 히터 유닛에 의해 가열 처리되되, 상기 기판의 온도는 접촉 방식으로 측정된 값과 비접촉 방식으로 측정된 값 중 선택된 측정값에 기초하여 조절된다. In addition, as a method of treating the substrate, the substrate is heated by a heater unit, and the temperature of the substrate is adjusted based on a selected measurement value among values measured in a contact method and a value measured in a non-contact method.

상기 기판을 처리하는 것은 기판 지지 유닛에 상기 기판이 놓이기 전에, 상기 기판 지지 유닛에 제공된 상기 히터 유닛이 상기 기판 지지 유닛을 가열하는 예열 단계와 상기 기판 지지 유닛에 상기 기판이 놓인 이후에, 가열하는 가열 단계를 포함하되, 상기 예열 단계에서는 상기 기판의 온도를 상기 접촉 방식으로 측정하고, 상기 가열 단계에서는 상기 기판의 온도를 상기 비접촉 방식으로 측정할 수 있다 The processing of the substrate includes a preheating step in which the heater unit provided on the substrate support unit heats the substrate support unit before the substrate is placed on the substrate support unit and after the substrate is placed on the substrate support unit, heating the substrate. Including a heating step, wherein in the preheating step, the temperature of the substrate may be measured in the contact method, and in the heating step, the temperature of the substrate may be measured in the non-contact method.

상기 기판을 처리하는 것은, 상기 예열 단계와 상기 가열 단계의 사이에, 상기 기판의 온도를 안정화하는 안정화 단계를 더 포함하되, 상기 안정화 단계에는 상기 기판의 온도를 상기 접촉 방식과 상기 비접촉 방식 각각으로 측정할 수 있다. The processing of the substrate further includes a stabilizing step of stabilizing the temperature of the substrate between the preheating step and the heating step, wherein the stabilizing step includes adjusting the temperature of the substrate in the contact method and the non-contact method, respectively. Can be measured.

상기 안정화 단계에서 상기 접촉 방식으로 측정된 상기 기판의 온도와 상기 비접촉 방식으로 측정된 상기 기판의 온도의 편차가 일정 범위에 포함되면, 상기 가열 단계를 수행하되, 상기 일정 범위는 5 내지 15 퍼센테이지(%)를 포함할 수 있다. In the stabilization step, if the deviation between the temperature of the substrate measured by the contact method and the temperature of the substrate measured by the non-contact method falls within a certain range, the heating step is performed, and the certain range is 5 to 15 percentages ( %).

상기 기판의 온도는 설정 온도보다 낮으면 상기 접촉 방식으로 측정된 값을 기초로하여 조절되고, 상기 설정 온도보다 높으면 상기 비접촉 방식으로 측정된 값을 기초로하여 조절될 수 있다. When the temperature of the substrate is lower than the set temperature, it may be adjusted based on the value measured by the contact method, and when it is higher than the set temperature, the temperature of the substrate may be adjusted based on the value measured by the non-contact method.

상기 비접촉 방식으로 측정하는 것은, 상기 기판의 온도에 따라 변화되는 상기 기판의 방사율 또는 복사율을 근거로 상기 기판의 온도를 측정할 수 있다. In the non-contact measurement, the temperature of the substrate may be measured based on the emissivity or emissivity of the substrate that changes according to the temperature of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 온도 측정은 비접촉식 측정기와 접촉식 측정기를 혼용한다. 이로 인해 각 측정기로부터 발생되는 문제점을 상호 보완할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the temperature of the substrate is measured by mixing a non-contact type measuring instrument and a contact measuring instrument. This makes it possible to compensate each other for problems arising from each measuring device.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 챔버에 기판이 반입되기 전에 제1측정기로부터 측정된 제1측정값을 신뢰하고, 챔버에 기판이 반입된 후에는 제2측정기로부터 측정된 제2측정값을 신뢰하여, 기판의 온도 측정 정확도를 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the first measurement value measured from the first measuring device is trusted before the substrate is loaded into the chamber, and the second measured value measured from the second measuring device is trusted after the substrate is loaded into the chamber. Thus, it is possible to improve the temperature measurement accuracy of the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 측정 온도가 설정 온도보다 낮을 때에는 제1측정값을 신뢰하고, 높을 때에는 제2측정값을 신뢰하여, 기판의 온도 측정 정확도를 향상시킬 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, when the measurement temperature is lower than the set temperature, the first measurement value is trusted, and when the measurement temperature is high, the second measurement value is trusted, thereby improving the temperature measurement accuracy of the substrate.

도 1은 일반적인 베이크 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 8의 가열 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 11은 도 10에서 제1측정값과 제2측정값을 보여주는 그래프이다.
도 12 내지 도 14는 도 10의 플로우 차트에 따른 기판 처리 단계를 보여주는 도면들이다.
도 15는 도 8의 가열 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 다른 실시예의 플로우 차트이다.
도 16 및 도 17은 도 15의 플로우 차트에 따른 기판 처리 단계를 보여주는 도면들이다.
도 18은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a general baking apparatus.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 2.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4.
6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4.
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7.
9 is a plan view showing the substrate support unit of FIG. 8.
10 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the heating unit of FIG. 8.
11 is a graph showing a first measurement value and a second measurement value in FIG. 10.
12 to 14 are diagrams illustrating a substrate processing step according to the flow chart of FIG. 10.
15 is a flow chart of another embodiment showing a process of processing a substrate using the heating unit of FIG. 8.
16 and 17 are diagrams illustrating a substrate processing step according to the flow chart of FIG. 15.
18 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. The following describes a case where a wafer is used as a substrate as an example.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 2, and FIG. 4 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and performs a third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the coating block 30a includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which a substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided parallel to the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4. Referring to FIG. 7, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6. 6 and 7, the heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transfer plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열하여 베이크 처리한다. 도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 상부 히터 유닛(1440), 배기 유닛(1500), 측정 유닛(1800), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats and bakes the substrate W in an atmosphere of normal pressure or lower pressure. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7. Referring to FIG. 8, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a heater unit 1420, an upper heater unit 1440, an exhaust unit 1500, a measurement unit 1800, and Includes a controller 1900.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1124) 및 유입홀(1122)이 형성된다. 배기홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1124)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1122)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. An exhaust hole 1124 and an inlet hole 1122 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of inlet holes 1122 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust hole 1124. The inflow holes 1124 introduce external airflow into the processing space 1110. According to an example, there are four inlet holes 1122, and the external airflow may be air.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)의 측벽의 일부는 처리 공간에 외부의 기체가 도입되는 가스 도입부(1600)로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. A part of the sidewall of the lower body 1140 is provided as a gas introduction part 1600 through which external gas is introduced into the processing space. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other is fixed in its position. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position in which the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other to open the processing space 1110. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면(1320a)과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면(1320a)의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320, a lift pin 1340, and a support pin 1360. 9 is a plan view showing the substrate support unit of FIG. 8. 8 and 9, the support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface 1320a on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322, insertion holes 1324, and vacuum holes 1326 are formed on the seating surface 1320a. The lift holes 1322, the insertion holes 1324, and the vacuum holes 1326 are located in different regions. When viewed from above, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320, respectively. Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Each of the vacuum holes 1326 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The vacuum holes 13260 provide negative pressure between the seating surface 1320a and the substrate W, so that the substrate W may be vacuum-adsorbed. For example, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 may be combined with each other and arranged to have an annular ring shape. The lift holes 1322 may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals, and the vacuum holes 1326 may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals. The insertion holes 1324 are arranged differently from the lift holes 1322 and the vacuum hole 1326. The insertion holes 1324 may be evenly arranged over the entire area of the seating surface 1320a.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, the lift holes 1322 and the vacuum hole 1326 may be provided in three, respectively. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the support plate 1320. The lift pins 1342 are provided in plural, each of which is provided in a pin shape facing a vertical vertical direction. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322. A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between the lifting position and the lowering position. Here, the lifting position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface 1320a, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is equal to or lower than the seating surface 1320a. The driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the mounting surface 1320a. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, each of which is fixedly installed on the seating surface 1320a. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면(1320a)의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면(1320a)의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a proper position on the mounting surface 1320a. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface 1320a. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a shape inclined downward as it approaches the central axis of the support plate 1320. Accordingly, the substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position along the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface 1320a.

히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면(1320a)의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면(1320a)의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater unit 1420 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 includes a plurality of heaters 1420. The heaters 1420 are respectively located in the support plate 1320. Optionally, the heaters 1420 may be located on the bottom of the support plate 1320. Each of the heaters 1420 is located on the same plane. According to an example, each of the heaters 1420 may heat different regions of the seating surface at different temperatures. Some of the heaters 1420 may heat the central region of the seating surface 1320a to the first temperature, and some of the heaters 1420 may heat the edge region of the seating surface 1320a to the second temperature. . The second temperature may be higher than the first temperature. The heaters 1420 may be printed patterns or heating wires.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530), 감압 부재(1560), 그리고 안내판(1520)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1522) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the interior of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530, a pressure reducing member 1560, and a guide plate 1520. The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction faces in a vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to penetrate the upper wall of the upper body 1120. According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110. A pressure reducing member 1560 is connected to an upper end of the exhaust pipe 1530. The depressurizing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere in the processing space 1110 is exhausted through the through hole 1522 and the exhaust pipe 1530 in sequence.

안내판(1520)은 중심에 통공(1522)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 통공(1522)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1520)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1520)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1520)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1520)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1520)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1520 has a plate shape having a through hole 1522 in the center. The guide plate 1520 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1520 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1522 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1520 is positioned above the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320. The guide plate 1520 is positioned higher than the lower body 1140. According to an example, the guide plate 1520 may be positioned at a height facing the upper body 1120. When viewed from the top, the guide plate 1520 is positioned to overlap with the inlet hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1520 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap is provided as a flow path through which the airflow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

측정 유닛(1800)은 기판 지지 유닛(1300)에 놓인 기판(W)의 온도를 측정한다. 측정 유닛(1800)은 다양한 방식으로 기판(W)의 온도를 측정한다. 일 예에 의하면, 측정 유닛(1800)은 접촉 방식으로 기판(W)의 온도를 측정하거나, 비접촉 방식으로 기판(W)의 온도를 측정한다. 여기서 접촉 방식은 기판(W)의 온도를 간접 측정하는 방식이고, 비접촉 방식은 기판(W)의 온도를 직접 측정하는 방식일 수 있다. 측정 유닛(1800)은 제1측정기(1820) 및 제2측정기(1840)를 포함한다.The measurement unit 1800 measures the temperature of the substrate W placed on the substrate support unit 1300. The measurement unit 1800 measures the temperature of the substrate W in various ways. According to an example, the measurement unit 1800 measures the temperature of the substrate W in a contact method or measures the temperature of the substrate W in a non-contact method. Here, the contact method may be a method of indirectly measuring the temperature of the substrate W, and the non-contact method may be a method of directly measuring the temperature of the substrate W. The measuring unit 1800 includes a first measuring device 1820 and a second measuring device 1840.

제1측정기(1820)는 접촉 방식으로 기판(W)의 온도를 측정한다. 제1측정기(1820)는 히터 유닛(1420)의 온도를 직접 측정한다. 제1측정기(1820)에 의해 측정된 제1측정값은 제어기(1900)로 전달되고, 제어기(1900)는 제1측정값을 근거로 기판(W)의 온도를 판단한다. 예컨대, 제1측정기(1820)는 지지 플레이트(1320)에서 중앙 영역에 제공된 히터(1420)와 가장자리 영역에 제공된 히터(1420) 각각의 온도를 측정할 수 있다. The first measuring device 1820 measures the temperature of the substrate W in a contact method. The first measuring device 1820 directly measures the temperature of the heater unit 1420. The first measured value measured by the first measuring device 1820 is transmitted to the controller 1900, and the controller 1900 determines the temperature of the substrate W based on the first measured value. For example, the first measuring device 1820 may measure the temperature of each of the heater 1420 provided in the center region and the heater 1420 provided in the edge region of the support plate 1320.

제2측정기(1840)는 비접촉 방식으로 기판(W)의 온도를 측정한다. 제2측정기(1840)는 파이로미터(pyrometer) 일 수 있다. 제2측정기(1840)는 기판(W)의 방사율 또는 복사율을 근거로 기판의 온도를 측정할 수 있다. 제2측정기(1840)는 복수 개로 제공되며, 기판(W)의 서로 다른 영역을 측정할 수 있다. 제2측정기들(1840)은 상부 바디(1120)의 천장면에 동일 높이를 가지도록 설치되며, 상부 바디(1120)의 중심축과 서로 다른 거리를 가지도록 이격되게 위치될 수 있다. 따라서 제2측정기(1840)는 제1측정기(1820)에 비해 히터(1420)로부터 멀리 이격되게 위치되며, 기판(W)의 온도를 측정함에 있어서, 히터(1420)의 열 온도 영향을 덜 받는다.The second measuring device 1840 measures the temperature of the substrate W in a non-contact method. The second measuring device 1840 may be a pyrometer. The second measuring device 1840 may measure the temperature of the substrate based on the emissivity or emissivity of the substrate W. The second measuring device 1840 is provided in plural, and may measure different areas of the substrate W. The second measuring devices 1840 are installed to have the same height on the ceiling surface of the upper body 1120 and may be spaced apart to have a different distance from the central axis of the upper body 1120. Accordingly, the second measuring device 1840 is located farther away from the heater 1420 than the first measuring device 1820, and is less affected by the thermal temperature of the heater 1420 when measuring the temperature of the substrate W.

선택적으로 제2측정기(1840)는 열화상 카메라일 수 있다.Optionally, the second measuring device 1840 may be a thermal imaging camera.

제어기(1900)는 측정 유닛(1800)으로부터 측정된 값을 근거로 히터 유닛(1420)을 제어한다. 처리 공간(1110) 내에 기판(W)의 반입 여부에 따라 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840) 중 선택된 측정기의 측정값을 근거로 히터 유닛(1420)을 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(1900)는 처리 공간(1110)에 기판(W)이 반입되기 전에는 제1측정값으로 히터 유닛(1420)을 제어하고, 처리 공간(1110)에 기판(W)이 반입된 후에는 제2측정값으로 히터 유닛(1420)을 제어할 수 있다. 히터 유닛(1420)을 제어하기 위한 근거가 제1측정값에서 제2측정값으로 전환되는 시점에 대해, 제어기(1900)는 처리 공간(1110)에 기판(W)이 반입된 직후에는 기판(W)의 온도를 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840) 각각으로부터 측정하고, 제1측정값에 의한 기판의 온도와 제2측정값에 의한 기판의 온도 편차가 일정 범위에 포함되면, 제1측정기(1820)의 제1측정값 없이 제2측정값을 근거로 히터 유닛(1420)을 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 일정 범위는 5 내지 15 퍼센테이지(%)일 수 있다. The controller 1900 controls the heater unit 1420 based on the value measured from the measurement unit 1800. The heater unit 1420 is controlled based on a measurement value selected from the first measuring device 1820 and the second measuring device 1840 according to whether or not the substrate W is brought into the processing space 1110. According to an example, the controller 1900 controls the heater unit 1420 with the first measurement value before the substrate W is brought into the processing space 1110, and the substrate W is brought into the processing space 1110. After that, the heater unit 1420 may be controlled with the second measurement value. When the basis for controlling the heater unit 1420 is switched from the first measured value to the second measured value, the controller 1900 is configured to control the substrate W immediately after the substrate W is carried into the processing space 1110. ) Is measured from each of the first measuring device 1820 and the second measuring device 1840, and if the temperature of the substrate by the first measured value and the temperature deviation of the substrate by the second measured value are within a certain range, The heater unit 1420 may be controlled based on the second measurement value without the first measurement value of the first measurement device 1820. For example, the predetermined range may be 5 to 15 percentages (%).

선택적으로 기판의 온도 편차는 10 퍼센테이지(%) 이하이면, 제1측정값없이 제2측정값을 근거로 히터 유닛(1420)을 제어할 수 있다.Optionally, if the temperature deviation of the substrate is 10 percent (%) or less, the heater unit 1420 may be controlled based on the second measurement value without the first measurement value.

또한 이와 유사하게, 제어기(1900)는 처리 공간(1110)에 기판(W)의 유무에 따라 히터 유닛(1420)을 제어할 수 있다. 기판(W)이 처리 공간(1110)에 미제공된 경우에는 제1측정값으로 히터 유닛(1420)을 제어하고, 처리 공간(1110)에 제공된 경우에는 제2측정값으로 히터 유닛(1420)을 제어할 수 있다. Also similarly, the controller 1900 may control the heater unit 1420 according to the presence or absence of the substrate W in the processing space 1110. When the substrate W is not provided in the processing space 1110, the heater unit 1420 is controlled by the first measurement value, and when the substrate W is provided in the processing space 1110, the heater unit 1420 is controlled by the second measurement value. can do.

다음은 상술한 가열 유닛(1000)으로 기판(W)을 가열하여 베이크 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)을 베이크 처리하는 방법으로는, 예열 단계, 안정화 단계, 그리고 가열 단계를 포함한다. Next, a method of heating the substrate W with the above-described heating unit 1000 to perform a baking process will be described. A method of baking the substrate W includes a preheating step, a stabilizing step, and a heating step.

도 10은 도 8의 가열 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 11은 도 10에서 제1측정값과 제2측정값을 보여주는 그래프이며, 도 12 내지 도 14는 도 10의 플로우 차트에 따른 기판 처리 단계를 보여주는 도면들이다. 도 10 내지 도 14를 참조하면, 예열 단계에는 기판(W)이 처리 공간(1110)에 반입되기 전 단계로써, 지지 플레이트(1320)를 공정 온도 또는 그 이상로 가열한다. 예열 단계에는 제1측정기(1820)가 활성화되고 제2측정기(1840)가 비활성화된다. 도 12 내지 도 14에서 도시된 실선은 제어기(1900)에 의해 활성화된 측정기이고, 도시된 점선은 제어기(1900)에 의해 비활성화된 측정기이다. 제1측정기(1820)가 지지 플레이트(1320)의 온도를 측정하여 제1측정값을 산출하고, 제1측정값을 기초로 하여 히터(1420)의 온도를 조절한다. 챔버(1100)가 개방되면, 기판(W)이 처리 공간(1110)에 반입되고, 리프트 핀(1340)은 승강 이동되어 기판(W)을 지지한다. 이때 제1측정값은 챔버(1100)의 외부에 의해 하락된다. 리프트 핀(1340)은 하강 이동되어 기판(W)을 지지 플레이트(1320)에 안착시킨다. 기판(W)이 지지 플레이트(1320)에 안착되면 처리 공간(1110)은 밀폐되고, 안정화 단계가 수행된다.FIG. 10 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the heating unit of FIG. 8, FIG. 11 is a graph showing a first measurement value and a second measurement value in FIG. 10, and FIGS. 12 to 14 are These are diagrams showing a substrate processing step according to a flow chart of. 10 to 14, the preheating step is a step before the substrate W is carried into the processing space 1110, and the support plate 1320 is heated to a process temperature or higher. In the preheating step, the first meter 1820 is activated and the second meter 1840 is deactivated. The solid line shown in FIGS. 12 to 14 is the measuring device activated by the controller 1900, and the illustrated dotted line is the measuring device deactivated by the controller 1900. The first measuring device 1820 measures the temperature of the support plate 1320 to calculate a first measured value, and adjusts the temperature of the heater 1420 based on the first measured value. When the chamber 1100 is opened, the substrate W is carried into the processing space 1110, and the lift pin 1340 is moved up and down to support the substrate W. At this time, the first measured value is dropped by the outside of the chamber 1100. The lift pin 1340 moves downward to mount the substrate W on the support plate 1320. When the substrate W is seated on the support plate 1320, the processing space 1110 is sealed and a stabilization step is performed.

안정화 단계가 수행되면, 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840)는 각각 활성화된다. 안정화 단계에는 제1측정값과 제2측정값 각각에 의한 기판(W)의 온도가 각각 산출된다. 기판(W)은 처리 공간에 반입된 직후이므로, 제1측정값에 의한 온도값(T1)은 제2측정값에 의한 온도값(T2)에 비해 높게 산출된다. 시간이 지남에 따라 온도값(T2)은 온도값(T1)에 가까워지며, 온도값(T1)과 온도값(T2)의 편차는 줄어든다. 온도값(T1)과 온도값(T2)의 편차가 5 내지 15 퍼센테이지(%) 이내로 줄어들면, 가열 단계를 진행한다. 선택적으로 상기 편차가 10 퍼센테이지(%) 또는 그 이하이면, 가열 단계를 진행할 수 있다.When the stabilization step is performed, the first meter 1820 and the second meter 1840 are activated, respectively. In the stabilization step, the temperature of the substrate W according to each of the first measurement value and the second measurement value is calculated. Since the substrate W is immediately carried into the processing space, the temperature value T 1 based on the first measured value is calculated higher than the temperature value T 2 based on the second measured value. Temperature value with time (T 2) is becomes close to the temperature value (T 1), reduces the deviation of the temperature value (T 1) and the temperature value (T 2). When the deviation between the temperature value T 1 and the temperature value T 2 decreases within 5 to 15 percent (%), the heating step is performed. Optionally, if the deviation is 10 percent (%) or less, the heating step may be performed.

가열 단계가 진행되면, 제1측정기(1820)가 비활성화되고 제2측정기(1840)가 활성화된다. 제2측정기(1840)는 기판(W)의 온도를 측정하여 제2측정값을 산출한다. 산출된 제2측정값을 기초로 하여 히터(1420)의 온도를 조절한다. 예컨대, 제2측정값이 공정 온도보다 높을 경우에는 히터(1420)의 온도를 낮추고, 제2측정값이 공정 온도보다 낮을 경우에는 히터(1420)의 온도를 높일 수 있다. When the heating step proceeds, the first meter 1820 is deactivated and the second meter 1840 is activated. The second measuring device 1840 measures the temperature of the substrate W to calculate a second measured value. The temperature of the heater 1420 is adjusted based on the calculated second measurement value. For example, when the second measurement value is higher than the process temperature, the temperature of the heater 1420 may be lowered, and when the second measurement value is lower than the process temperature, the temperature of the heater 1420 may be increased.

상술한 실시예에 의하면, 가열 유닛(1000)은 비접촉 측정 방식과 접촉 측정 방식을 혼용하되, 기판(W)이 처리 공간(1110)에 반입되기 전에는 접촉 방식으로 지지 플레이트(1320)의 온도를 측정하고, 기판(W)이 반입된 후에는 비접촉 방식으로 기판(W)의 온도를 측정한다. 이로 인해 접촉 방식만을 사용하는 경우에 기판(W)의 온도를 부정확하게 측정하는 문제점을 해결할 수 있고, 비접촉 방식만을 사용하는 경우에 기판(W)이 반입되는 과정에서 기판(W)의 온도 측정값이 헌팅되는 것을 방지하여 기판(W)의 온도 측정 정확도를 향상시킬 수 있다. According to the above-described embodiment, the heating unit 1000 uses a mixture of a non-contact measurement method and a contact measurement method, but measures the temperature of the support plate 1320 by a contact method before the substrate W is carried into the processing space 1110. And, after the substrate W is loaded, the temperature of the substrate W is measured in a non-contact method. As a result, it is possible to solve the problem of incorrectly measuring the temperature of the substrate W when only the contact method is used, and when only the non-contact method is used, the temperature measured value of the substrate W in the process of carrying the substrate W By preventing this hunting, it is possible to improve the accuracy of temperature measurement of the substrate W.

또한 예열 단계와 가열 단계 사이에 수행되는 안정화 단계에는, 기판(W)의 온도 측정 방식을 접촉 방식에서 비접촉 방식으로 전환하는 시점이 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840)에 의한 측정 온도 편차가 최소화될 때이다. 이로 인해 기판(W)의 온도 측정 방식이 접촉 방식에서 비접촉 방식으로 전환되는 중에 그 온도 측정값이 헌팅되는 것을 방지할 수 있다. In addition, in the stabilization step performed between the preheating step and the heating step, the point at which the temperature measurement method of the substrate W is switched from the contact method to the non-contact method is measured by the first measuring instrument 1820 and the second measuring instrument 1840. This is when the deviation is minimized. Accordingly, it is possible to prevent hunting of the measured temperature value while the method of measuring the temperature of the substrate W is switched from the contact method to the non-contact method.

또한 상술한 실시예에는 처리 공간(1110)에 기판(W) 반입 여부에 따라 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840) 중 선택된 측정기로 기판(W)의 온도를 측정하는 것을 설명하였다. In addition, in the above-described embodiment, it has been described that the temperature of the substrate W is measured with a measuring instrument selected from among the first measuring device 1820 and the second measuring device 1840 according to whether or not the substrate W is brought into the processing space 1110.

그러나 기판(W)이 반입되기 전에는 제1측정기(1820)에 의한 온도 측정이 실시되고, 기판(W)이 반입된 후에는 제1측정기(1820)와 제2측정기(1840) 중 선택된 측정기에 의한 온도 측정이 실시될 수 있다. 도 15는 도 8의 가열 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 다른 실시예의 플로우 차트이고, 도 16 및 도 17은 도 15의 플로우 차트에 따른 기판 처리 단계를 보여주는 도면들이다. 도 16 내지 도 17을 참조하면, 기판(W)이 지지 플레이트(1320)에 놓여진 후에 히터(1420)에 의해 가열된다. 이때 기판(W)이 지지 플레이트(1320)에 놓여진 직후에는 제1측정기(1820)에 의해 기판(W)의 온도가 측정된다. 이후 기판(W)이 온도가 계속적으로 상승하여 설정 온도를 넘어가면, 기판(W)의 온도 측정은 제1측정기(1820)에서 제2측정기(1840)로 전환된다. 예컨대, 설정 온도는 500 내지 600 도 일 수 있다. However, before the substrate (W) is carried in, the temperature is measured by the first measuring device 1820, and after the substrate (W) is carried in, the temperature is measured by a measuring device selected from the first measuring device 1820 and the second measuring device 1840. Temperature measurement can be carried out. FIG. 15 is a flow chart of another embodiment showing a process of processing a substrate using the heating unit of FIG. 8, and FIGS. 16 and 17 are views showing a substrate processing step according to the flow chart of FIG. 15. 16 to 17, the substrate W is heated by the heater 1420 after being placed on the support plate 1320. At this time, immediately after the substrate W is placed on the support plate 1320, the temperature of the substrate W is measured by the first measuring device 1820. Thereafter, when the temperature of the substrate W continues to rise and exceeds the set temperature, the temperature measurement of the substrate W is switched from the first measuring device 1820 to the second measuring device 1840. For example, the set temperature may be 500 to 600 degrees.

이는 기판(W)의 측정 온도가 설정 온도보다 낮은 경우에는, 그 측정 온도와 실제 온도 간의 오차가 허용 범위 내에 포함된다. 이와 달리, 기판(W)의 측정 온도가 설정 온도보다 높은 경우에는, 그 측정 온도와 실제 온도 간의 오차가 허용 범위를 벗어나게 된다. 이로 인해 설정 온도를 기준으로, 측정 온도가 이보다 낮을 때에는 접촉 방식의 제1측정기(1820)에 의한 기판(W) 온도 측정이 실시되고, 측정 온도가 설정 온도보다 높을 때에는 비접촉 방식의 제2측정기(1840)에 의한 기판(W) 온도 측정이 실시되어 기판(W)의 온도 측정 정확도를 향상시킬 수 있다. In this case, when the measured temperature of the substrate W is lower than the set temperature, the error between the measured temperature and the actual temperature is included within the allowable range. In contrast, when the measured temperature of the substrate W is higher than the set temperature, an error between the measured temperature and the actual temperature is out of the allowable range. For this reason, based on the set temperature, when the measurement temperature is lower than this, the substrate W temperature is measured by the first measuring device 1820 of the contact method, and when the measured temperature is higher than the set temperature, the second measuring device of the non-contact method ( 1840), the temperature measurement of the substrate W is performed, so that the accuracy of the temperature measurement of the substrate W may be improved.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7, the transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made while in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front-end liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear-end liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may all be photoresists.

도 18은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 18을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 18 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4. Referring to FIG. 18, the liquid processing chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The entrance may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 that forms a downward airflow in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610. The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as a rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hands of the other robots are provided in a different shape. Can be.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage. A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the liquid processing chamber 3604 at the rear stage, and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1320: 지지 플레이트 1340: 리프트 핀
1420: 히터 1800: 측정 유닛
1820: 제1측정기 1840: 제2측정기
1900: 제어기1320: support plate 1340: lift pin
1420: heater 1800: measuring unit
1820: first measuring device 1840: second measuring device
1900: controller

Claims (15)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 하우징과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판의 온도를 측정하는 측정 유닛과;
상기 측정 유닛으로부터 측정된 값을 근거로 상기 히터 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 측정 유닛은.
접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제1측정기와;
비접촉 방식으로 기판의 온도를 측정하는 제2측정기를 포함하고,
상기 제어기는 상기 처리 공간 내에 기판의 반입 여부에 따라 상기 제1측정기와 상기 제2측정기 중 하나를 선택하고, 선택된 측정기의 측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A housing providing a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A heater unit provided on the substrate supporting unit and heating the substrate;
A measuring unit that measures a temperature of a substrate placed on the substrate supporting unit;
Including a controller for controlling the heater unit based on the value measured from the measurement unit,
The measurement unit is.
A first measuring device for measuring the temperature of the substrate in a contact manner;
Including a second measuring device for measuring the temperature of the substrate in a non-contact method,
The controller selects one of the first measuring device and the second measuring device according to whether or not a substrate is carried into the processing space, and controls the heater unit according to a measured value of the selected measuring device. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판이 반입되기 전에 상기 제1측정기로부터 측정된 제1측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하고, 상기 처리 공간에 기판이 반입된 후에 상기 제2측정기로부터 측정된 제2측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The controller controls the heater unit according to a first measurement value measured from the first measuring device before the substrate is loaded into the processing space, and a second measured from the second measuring device after the substrate is loaded into the processing space. A substrate processing apparatus that controls the heater unit according to a measured value. 제3항에 있어서,
상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판이 반입된 직후에 상기 제1측정값과 상기 제2측정값을 각각 전달받고, 상기 제1측정값에 의한 기판의 온도와 상기 제2측정값에 의한 기판의 온도의 편차가 일정 범위에 포함되면, 상기 제1측정값 없이 상기 제2측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The controller receives the first measurement value and the second measurement value, respectively, immediately after the substrate is loaded into the processing space, and the temperature of the substrate according to the first measurement value and the substrate temperature according to the second measurement value When the deviation of is within a predetermined range, the heater unit is controlled according to the second measurement value without the first measurement value. 제4항에 있어서,
상기 일정 범위는 5 내지 15 퍼센테이지(%)를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The predetermined range is a substrate processing apparatus including 5 to 15 percentage (%). 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 처리 공간 내에 기판이 반입된 이후에 상기 측정 유닛으로부터 측정된 온도를 기준으로 상기 제1측정기와 상기 제2측정기 중 하나를 선택하고, 선택된 측정기의 측정값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller selects one of the first measuring instrument and the second measuring instrument based on the temperature measured from the measuring unit after the substrate is loaded into the processing space, and controls the heater unit according to the measured value of the selected measuring instrument. Substrate processing apparatus. 제6항에 있어서,
상기 제어기는 상기 측정된 온도가 설정 온도보다 낮으면 상기 제1측정기로 측정된 값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하고, 상기 측정된 온도가 상기 설정 온도보다 높으면 상기 제2측정기로 측정된 값에 따라 상기 히터 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
When the measured temperature is lower than a set temperature, the controller controls the heater unit according to a value measured by the first meter, and when the measured temperature is higher than the set temperature, the controller controls the heater unit according to a value measured by the second meter. A substrate processing apparatus that controls the heater unit. 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1측정기는 상기 제2측정기에 비해 상기 히터 유닛에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 3 to 7,
The first measuring device is located closer to the heater unit than the second measuring device. 제8항에 있어서,
상기 장치는 기판에 대해 베이크 공정을 수행하는 장치인 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The apparatus is a substrate processing apparatus that performs a bake process on a substrate. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판은 히터 유닛에 의해 가열 처리되되,
기판 지지 유닛에 상기 기판이 놓이기 전에, 상기 기판 지지 유닛에 제공된 상기 히터 유닛이 상기 기판 지지 유닛을 가열하는 예열 단계와;
상기 기판 지지 유닛에 상기 기판이 놓인 이후에, 가열하는 가열 단계를 포함하되,
상기 예열 단계에서는 상기 기판의 온도를 접촉 방식으로 측정하고,
상기 가열 단계에서는 상기 기판의 온도를 비접촉 방식으로 측정하여
상기 기판의 온도는 상기 접촉 방식으로 측정된 값과 상기 비접촉 방식으로 측정된 값 중 선택된 측정값에 기초하여 조절되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
The substrate is heated by a heater unit,
A preheating step of heating the substrate support unit by the heater unit provided on the substrate support unit before the substrate is placed on the substrate support unit;
After the substrate is placed on the substrate support unit, including a heating step of heating,
In the preheating step, the temperature of the substrate is measured by a contact method,
In the heating step, the temperature of the substrate is measured in a non-contact method
The substrate processing method wherein the temperature of the substrate is adjusted based on a measurement value selected from a value measured by the contact method and a value measured by the non-contact method. 삭제delete 제10항에 있어서,
상기 기판을 처리하는 것은,
상기 예열 단계와 상기 가열 단계의 사이에, 상기 기판의 온도를 안정화하는 안정화 단계를 더 포함하되,
상기 안정화 단계에는 상기 기판의 온도를 상기 접촉 방식과 상기 비접촉 방식 각각으로 측정하는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
Processing the substrate,
Between the preheating step and the heating step, further comprising a stabilizing step of stabilizing the temperature of the substrate,
In the stabilizing step, the temperature of the substrate is measured by the contact method and the non-contact method respectively. 제12항에 있어서,
상기 안정화 단계에서 상기 접촉 방식으로 측정된 상기 기판의 온도와 상기 비접촉 방식으로 측정된 상기 기판의 온도의 편차가 일정 범위에 포함되면, 상기 가열 단계를 수행하되,
상기 일정 범위는 5 내지 15 퍼센테이지(%)를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
In the stabilization step, if the temperature of the substrate measured by the contact method and the temperature of the substrate measured by the non-contact method fall within a certain range, the heating step is performed,
The predetermined range is a substrate processing method including 5 to 15 percentage (%). 제10항에 있어서,
상기 가열 단계에서,
상기 기판의 온도는 설정 온도보다 낮으면 상기 접촉 방식으로 측정된 값을 기초로하여 조절되고, 상기 설정 온도보다 높으면 상기 비접촉 방식으로 측정된 값을 기초로하여 조절되는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
In the heating step,
When the temperature of the substrate is lower than a set temperature, the temperature of the substrate is adjusted based on a value measured by the contact method, and when the temperature is higher than the set temperature, the temperature of the substrate is adjusted based on a value measured by the non-contact method. 제10항, 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비접촉 방식으로 측정하는 것은,
상기 기판의 온도에 따라 변화되는 상기 기판의 방사율 또는 복사율을 근거로 상기 기판의 온도를 측정하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 10 and 12 to 14,
Measuring in the non-contact method,
A substrate processing method of measuring the temperature of the substrate based on the emissivity or emissivity of the substrate that changes according to the temperature of the substrate.
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