KR102324409B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 기판 지지 유닛의 온도를 측정하는 제1센서 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛으로부터 이격되게 위치되며, 상기 기판 지지 유닛의 주변 온도를 측정하는 제2센서 유닛을 포함한다. 이로 인해 안정화 작업의 완료를 확인 가능하며, 안정화 작업에 소요되는 시간을 효율적으로 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for heat treating a substrate. A substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, a heater unit provided in the substrate supporting unit and heating a substrate supported by the substrate supporting unit, the substrate supporting unit a first sensor unit for measuring a temperature of the , and a second sensor unit for measuring an ambient temperature of the substrate support unit, the second sensor unit being spaced apart from the substrate support unit. Due to this, it is possible to confirm the completion of the stabilization work, and it is possible to efficiently control the time required for the stabilization work.

Figure R1020180008210
Figure R1020180008210

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for heat treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a photographic process includes a process of forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는 기판을 가열하는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 온도에서 진행되며, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하는 것이 요구된다. 이로 인해 기판의 영역 별 온도는 주변 분위기에 의해 쉽게 달라질 수 있으며, 그 주변 분위기를 안정화시키는 안정화 작업이 기판의 가열 공정보다 우선적으로 진행된다.After the liquid film is formed on the substrate, a baking process of heating the substrate is performed. The baking process is performed at a very high temperature compared to room temperature, and it is required to heat the entire area of the substrate to a uniform temperature. For this reason, the temperature of each region of the substrate can be easily changed by the surrounding atmosphere, and the stabilization operation for stabilizing the surrounding atmosphere takes precedence over the heating process of the substrate.

일반적으로 안정화 작업은 기판을 가열하는 히팅 플레이트를 목표 온도로 가열하고 일정 시간이 흐르면, 기판의 가열 처리 공정을 수행한다. In general, in the stabilization operation, a heating plate that heats the substrate is heated to a target temperature, and when a predetermined time elapses, a heat treatment process of the substrate is performed.

그러나 안정화 작업에 대한 별도의 기준은 정해진 사항이 없다. 이로 인해 베이크 공정을 수행하는 작업자에 따라 안정화 작업에 소요되는 시간은 각각 상이하다. 또한 챔버에 따라 그 내부 기류 조건이 모두 다르기 때문에, 안정화 작업에 소요되는 시간을 각 챔버에 동일하게 적용하는 것이 어렵다. 도 1은 종래의 작업자들이 안정화 작업을 마치고, 기판의 가열 공정의 시작 타이밍을 보여주는 그래프이다.However, there is no specific standard for stabilization work. For this reason, the time required for the stabilization operation is different depending on the operator performing the baking process. In addition, since the internal airflow conditions are all different depending on the chamber, it is difficult to equally apply the time required for the stabilization operation to each chamber. 1 is a graph showing the start timing of a heating process of a substrate after the conventional workers have finished stabilizing work.

도 1을 참조하면, 히팅 플레이트의 온도(T1)는 그 주변 장치의 온도(T2)에 비해 목표 온도에 더 빨리 도달된다. 작업자들 중 일부는 안정화가 덜 이루어진 상태(D1)에서 기판의 가열 공정을 수행하여 베이크 불량을 발생시킨다.Referring to FIG. 1 , the temperature T 1 of the heating plate reaches the target temperature faster than the temperature T 2 of the surrounding device. Some of the workers perform the heating process of the substrate in a state in which stabilization is less made (D 1 ), thereby generating a bake defect.

또한 다른 일부는 안정화가 이루어지고도 일정 시간이 흐른 후(D2)에 기판의 가열 공정을 수행하여 불필요한 대기 시간을 소모한다.In addition, some others consume unnecessary waiting time by performing a heating process of the substrate after a certain period of time has elapsed even after stabilization (D 2 ).

한국 등록 특허 10-0784389Korean registered patent 10-0784389

본 발명은 기판을 가열 처리하기 전에, 주변 분위기를 안정화 상태를 확인할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of confirming a stabilized state of a surrounding atmosphere prior to heat treatment of a substrate.

또한 본 발명은 작업자들 개개인에 따라 기판의 베이크 상태가 달라지는 문제를 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving the problem that the bake state of a substrate varies according to individual workers.

또한 본 발명은 안정화 작업에 소요되는 시간을 효율적으로 제어할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of efficiently controlling the time required for stabilization.

본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for heat processing a substrate.

기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 기판 지지 유닛의 온도를 측정하는 제1센서 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛으로부터 이격되게 위치되며, 상기 기판 지지 유닛의 주변 온도를 측정하는 제2센서 유닛을 포함한다. A substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, a heater unit provided in the substrate supporting unit and heating a substrate supported by the substrate supporting unit, the substrate supporting unit a first sensor unit for measuring a temperature of the , and a second sensor unit for measuring an ambient temperature of the substrate support unit, the second sensor unit being spaced apart from the substrate support unit.

상기 제2센서 유닛은 상기 챔버에 설치될 수 있다. 상기 챔버는 하부가 개방된 상부 바디 및 상부가 개방되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 상기 하부 바디에 대응되는 높이에 위치되고, 상기 제2센서 유닛은 상기 상부 바디에 설치될 수 있다. The second sensor unit may be installed in the chamber. The chamber includes an upper body having an open lower portion and a lower body having an open upper portion and forming the processing space therein in combination with the upper body, wherein the substrate support unit is located at a height corresponding to the lower body, , the second sensor unit may be installed on the upper body.

상기 장치는 상기 처리 공간에 기판을 반출입하는 반송 로봇 및 상기 제2센서 유닛으로부터 전달된 온도 정보를 근거로 상기 반송 로봇을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 주변 온도가 안정화 온도에 도달되면, 상기 처리 공간에 기판이 반입되도록 상기 반송 로봇을 제어할 수 있다. The apparatus further includes a transfer robot for loading and unloading substrates into and out of the processing space and a controller for controlling the transfer robot based on temperature information transmitted from the second sensor unit, wherein the controller determines that the ambient temperature reaches a stabilization temperature. Then, the transfer robot can be controlled so that the substrate is loaded into the processing space.

상기 제어기는 기판이 공정 온도로 가열되도록 상기 히터 유닛을 제어하되, 상기 안정화 온도는 상기 공정 온도보다 낮은 온도로 제공될 수 있다. 상기 안정화 온도는 열 평형 상태의 온도로 제공될 수 있다. The controller may control the heater unit to heat the substrate to a process temperature, and the stabilization temperature may be provided at a temperature lower than the process temperature. The stabilization temperature may be provided as a temperature in a thermal equilibrium state.

기판 처리 방법은 상기 기판의 처리 분위기를 안정화시키는 안정화 단계 및 상기 안정화 단계 이후에, 상기 기판을 가열 처리하는 열 처리 단계를 포함하되, 상기 열 처리 단계에는 상기 기판을 공정 온도로 가열하고, 상기 안정화 단계에는 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 감싸는 주변 장치가 안정화 온도에 도달되면, 상기 열 처리 단계가 진행된다. The substrate processing method includes a stabilization step of stabilizing a processing atmosphere of the substrate, and a heat treatment step of heat treating the substrate after the stabilization step, wherein the heat treatment step includes heating the substrate to a process temperature and stabilizing the substrate In the step, when the peripheral device surrounding the substrate support unit supporting the substrate reaches a stabilization temperature, the heat treatment step is performed.

상기 안정화 온도는 상기 공정 온도보다 낮은 온도일 수 있다. 상기 안정화 온도는 열 평형 상태의 온도로 제공될 수 있다.The stabilization temperature may be lower than the process temperature. The stabilization temperature may be provided as a temperature in a thermal equilibrium state.

상기 주변 장치는 내부에 상기 기판 지지 유닛이 위치되는 처리 공간을 가지는 챔버를 포함할 수 있다. 상기 안정화 단계에는 상기 처리 공간에 상기 기판이 미반입된 상태에서 진행될 수 있다.The peripheral device may include a chamber having a processing space therein in which the substrate support unit is located. The stabilization step may be performed in a state in which the substrate is not loaded into the processing space.

본 발명의 실시예에 의하면, 제1센서 유닛은 기판의 온도를 측정하고, 제2센서 유닛은 기판의 주변 온도를 측정한다. 이로 인해 안정화 작업의 완료를 확인 가능하며, 안정화 작업에 소요되는 시간을 효율적으로 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first sensor unit measures the temperature of the substrate, and the second sensor unit measures the ambient temperature of the substrate. Due to this, it is possible to confirm the completion of the stabilization work, and it is possible to efficiently control the time required for the stabilization work.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 안정화 작업의 완료를 확인 가능하므로, 작업자들 개개인이 안정화 작업에 소요되는 시간을 일괄적으로 조정할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since it is possible to confirm the completion of the stabilization work, it is possible to collectively adjust the time required for the individual workers for the stabilization work.

도 1은 기판 및 그 주변 장치의 온도를 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 기판 및 그 주변 장치의 온도에 따른 안정화 단계의 종료 타이밍을 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 8의 가열 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a graph showing the temperature of a substrate and its peripheral devices.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 .
6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 .
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 .
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7 .
9 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 8 .
10 is a graph showing the end timing of the stabilization step according to the temperature of the substrate and its peripheral devices.
11 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the heating unit of FIG. 8 .
12 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 . is a plan view of

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 to 4 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module ( 20 ), a processing module ( 30 ), and an interface module ( 40 ). According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. 4 and 5 , the heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 , and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 . The heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 히터 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 제1센서 유닛(1620), 제2센서 유닛(1640), 그리고 제어기를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as the apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at or lower than normal pressure. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7 . Referring to FIG. 8 , the heating unit 1000 includes a chamber 1100 , a substrate support unit 1200 , a heater unit 1400 , an exhaust unit 1500 , a first sensor unit 1620 , and a second sensor unit 1640 . ), and the controller.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-processing the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120 , a lower body 1140 , and a sealing member 1160 .

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower portion. An exhaust hole 1122 and an inlet hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120 . The exhaust hole 1122 is formed in the center of the upper body 1120 . The exhaust hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110 . A plurality of inlet holes 1124 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust holes 1122 . The inlet holes 1124 introduce an external airflow into the processing space 1110 . According to an example, the number of inlet holes 1124 may be four, and the external airflow may be air.

선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, three or five or more of the inlet holes 1124 may be provided, or the outside air may be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located below the upper body 1120 . The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120 . That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120 .

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the closed position by the lifting member 1130 , and the other one is fixed. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other and the processing space 1110 is opened. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120 .

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140 . The sealing member 1160 seals the processing space from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 come into contact with each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140 .

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340) 그리고 지지핀(1600)을 포함한다. 도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면(1320a)과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면(1320a)의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110 . The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140 . The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320 , a lift pin 1340 , and a support pin 1600 . 9 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 8 . 8 and 9 , the support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface 1320a on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 , insertion holes 1324 , and vacuum holes 1326 are formed on the seating surface 1320a . The lift holes 1322 , the insertion holes 1324 , and the vacuum holes 1326 are located in different regions. When viewed from the top, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are respectively arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320 . Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Each of the vacuum holes 1326 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The vacuum holes 13260 may provide a negative pressure between the seating surface 1320a and the substrate W, so that the substrate W may be vacuum-adsorbed. For example, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 may be combined with each other and arranged to have an annular ring shape. The lift holes 1322 may be positioned to be spaced apart from each other at the same distance, and the vacuum holes 1326 may be positioned to be spaced apart from each other by the same distance. The insertion holes 1324 are arranged differently from the lift holes 1322 and the vacuum hole 1326 . The insertion holes 1324 may be uniformly arranged over the entire area of the seating surface 1320a.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, three lift holes 1322 and three vacuum holes 1326 may be provided, respectively. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pins 1340 elevate the substrate W on the support plate 1320 . A plurality of lift pins 1342 are provided, and each of the lift pins 1342 is provided in the shape of a vertical vertical pin. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322 . A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between an elevated position and a lowered position. Here, the lifting position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface 1320a, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is the same as or lower than the seat surface 1320a. A driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100 . The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the seating surface 1320a. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342 . A plurality of support pins 1360 are provided, and each is fixedly installed on the seating surface 1320a. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface in direct contact with the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, a contact area between the support pin 1360 and the substrate W may be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면(1320a)의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a fixed position. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface 1320a. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a downwardly inclined shape as it approaches the central axis of the support plate 1320 . Accordingly, the substrate W spanning the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position riding the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface 1320a.

히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 히터들(1420)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히팅존들 중 일부는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리 영역에 위치될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도로 가열할 수 있다. The heater unit 1400 heats the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1400 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1400 includes a plurality of heaters 1420 . Heaters 1420 are positioned within support plate 1320 . Optionally, the heaters 1420 may be located on the bottom surface of the support plate 1320 . The heaters 1420 are located on the same plane. The heaters 1420 heat different regions of the support surface. When viewed from the top, the area of the support plate 1320 corresponding to each heater 1420 may be provided as heating zones. Some of the heating zones may be located in the central region of the support plate 1320 , and other parts may be located in the edge region. Each heater 1420 is independently adjustable in temperature. For example, the number of heating zones may be 15. The temperature of each heating zone is measured by a measuring member (not shown). The heaters 1420 may be printed patterns or hot wires. The heater unit 1400 may heat the support plate 1320 to a process temperature.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the inside of the processing space 1110 . The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540 . The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction is perpendicular to the vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to pass through the upper wall of the upper body 1120 . According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122 . That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110 , and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110 . A pressure reducing member 1560 is connected to the upper end of the exhaust pipe 1530 . The pressure reducing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530 . Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted sequentially through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530 .

안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530 . The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned on the upper portion of the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320 . The guide plate 1540 is positioned higher than the lower body 1140 . According to an example, the guide plate 1540 may be positioned at a height facing the upper body 1120 . When viewed from the top, the guide plate 1540 is positioned to overlap the inlet hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120 . Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120 , and the gap is provided as a flow path through which the air flow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

제1센서 유닛(1620)은 지지 플레이트(1320)의 온도를 측정한다. 지지 플레이트(1320) 및 이에 놓인 기판(W)은 히터 유닛(1400)에 의해 가열되고, 그 가열된 온도는 제1센서에 의해 측정된다. 일 예에 의하면, 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도로 가열할 수 있다. The first sensor unit 1620 measures the temperature of the support plate 1320 . The support plate 1320 and the substrate W placed thereon are heated by the heater unit 1400 , and the heated temperature is measured by the first sensor. According to an example, the heater unit 1400 may heat the support plate 1320 to a process temperature.

제2센서 유닛(1640)은 지지 플레이트(1320) 및 이에 놓여진 기판(W)의 주변 온도를 측정한다. 제2센서 유닛(1640)은 지지 플레이트(1320)의 주변 장치의 온도를 측정하여 상기 주변 온도를 측정한다. 일 예에 의하면, 주변 장치는 상부 바디(1120)를 포함하며, 제2센서 유닛(1640)은 상부 바디(1120)에 설치될 수 있다. 상부 바디(1120)는 주변 장치들 중 지지 플레이트(1320)로부터 가장 멀리 떨어진 장치에 해당된다. 또한 상부 바디(1120)는 지지 플레이트(1320)에 대해 다른 장치들보다 더 멀리 위치된다. 따라서 상부 바디(1120)의 온도는 다른 장치에 비해 예열이 가장 늦게 일어나며, 안정화 단계의 종료 시점 또는 열 처리 단계의 시작 시점을 판단하는 근거가 될 수 있다. 예컨대, 제2센서 유닛(1640)은 외부 기류의 유입 통로에 인접한 상부 바디(1120)의 상면에 설치될 수 있다. The second sensor unit 1640 measures the ambient temperature of the support plate 1320 and the substrate W placed thereon. The second sensor unit 1640 measures the temperature of the peripheral device of the support plate 1320 to measure the ambient temperature. According to an example, the peripheral device may include an upper body 1120 , and the second sensor unit 1640 may be installed on the upper body 1120 . The upper body 1120 corresponds to a device farthest from the support plate 1320 among peripheral devices. Also, the upper body 1120 is positioned further away from the support plate 1320 than other devices. Accordingly, the temperature of the upper body 1120 causes the latest preheating compared to other devices, and may serve as a basis for determining the end time of the stabilization step or the start time of the heat treatment step. For example, the second sensor unit 1640 may be installed on the upper surface of the upper body 1120 adjacent to the inflow passage of the external airflow.

제어기(1700)는 제2센서 유닛(1640)으로부터 전달된 온도 정보를 근거로 반송 플레이트(3240)를 구동시키는 구동기(3246)를 제어한다. 제어기(1700)는 지지 플레이트(1320) 및 이에 놓여진 기판(W)의 주변 온도가 안정화 온도에 도달되면, 처리 공간(1110)에 기판(W)이 반입되도록 구동기(3246)를 제어한다. 여기서 안정화 온도는 공정 온도보다 낮은 온도로 제공된다. 일 예에 의하면, 안정화 온도는 열 평형 상태의 온도일 수 있다. The controller 1700 controls the driver 3246 for driving the carrying plate 3240 based on the temperature information transmitted from the second sensor unit 1640 . When the ambient temperature of the support plate 1320 and the substrate W placed thereon reaches a stabilization temperature, the controller 1700 controls the driver 3246 to load the substrate W into the processing space 1110 . Here, the stabilization temperature is provided at a temperature lower than the process temperature. According to an example, the stabilization temperature may be a temperature in a thermal equilibrium state.

다음은 상술한 가열 유닛을 이용하여 기판(W)을 가열 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)을 가열 처리하는 방법은 안정화 단계 및 열 처리 단계를 포함한다. 안정화 단계와 열 처리 단계는 순차적으로 진행된다. Next, a method of heat-processing the substrate W using the above-described heating unit will be described. The method of heat-treating the substrate W includes a stabilization step and a heat treatment step. The stabilization step and the heat treatment step are performed sequentially.

안정화 단계에는 처리 공간(1110)에 기판(W)이 미반입된 상태에서 진행된다. 안정화 단계가 진행되면, 상부 바디(1120)는 하강되어 처리 공간(1110)을 외부로부터 밀폐한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도(T1)로 가열한다. 도 10은 기판 및 그 주변 장치의 온도에 따른 안정화 단계의 종료 타이밍을 보여주는 그래프이다. 도 10을 참조하면, 제2센서 유닛(1640)은 상부 바디(1120)의 온도를 실시간으로 측정한다. 상부 바디(1120)의 온도는 지지 플레이트(1320)의 온도와 함께 올라간다. 지지 플레이트(1320)의 온도는 상부 바디(1120)에 비해 빠르게 상승된다. 일정 시간이 흐르면, 지지 플레이트(1320)는 공정 온도(T1)에 도달되고, 지지 플레이트(1320)의 온도는 열 평형 상태를 유지한다. 지지 플레이트(1320)의 온도가 공정 온도(T1)에 도달된 후에도, 상부 바디(1120)의 온도는 계속적으로 상승된다. The stabilization step is performed in a state in which the substrate W is not loaded into the processing space 1110 . When the stabilization step is performed, the upper body 1120 is lowered to seal the processing space 1110 from the outside. The heater unit 1400 heats the support plate 1320 to the process temperature T 1 . 10 is a graph showing the end timing of the stabilization step according to the temperature of the substrate and its peripheral devices. Referring to FIG. 10 , the second sensor unit 1640 measures the temperature of the upper body 1120 in real time. The temperature of the upper body 1120 rises together with the temperature of the support plate 1320 . The temperature of the support plate 1320 is increased faster than that of the upper body 1120 . After a certain time passes, the support plate 1320 reaches the process temperature T 1 , and the temperature of the support plate 1320 maintains a thermal equilibrium state. Even after the temperature of the support plate 1320 reaches the process temperature T 1 , the temperature of the upper body 1120 is continuously increased.

이후, 상부 바디(1120)가 안정화 온도(T2)에 도달되면, 안정화 단계가 종료되고, 열 처리 단계가 진행된다. 여기서 안정화 온도(T2)는 공정 온도(T1)보다 낮은 온도로 제공된다. 안정화 온도(T2)는 열 평형 상태의 온도로 제공된다.Thereafter, when the upper body 1120 reaches the stabilization temperature (T 2 ), the stabilization step ends, and the heat treatment step proceeds. Here, the stabilization temperature (T 2 ) is provided at a temperature lower than the process temperature (T 1 ). The stabilization temperature T 2 is provided as the temperature at thermal equilibrium.

열 처리 단계가 진행되면, 상부 바디(1120)는 승강 이동되고, 처리 공간(1110)은 개방된다. 반송 플레이트는 기판(W)을 처리 공간(1110)에 반입한다. 반송 플레이트는 기판(W)을 승강 위치로 이동된 리프트 핀(1340)에 인계한다. 상부 바디(1120)는 하강 이동되어 처리 공간(1110)을 밀폐하고, 리프트 핀(1340)은 소정 시간동안 승강 위치 상태를 유지한다. 이는 기판(W)의 예열 단계에 해당될 수 있다. 예열 단계는 기판(W)의 온도가 급격이 상승하여 휘어지는 것을 방지할 수 있다. 기판(W)의 예열 단계가 완료되면, 리프트 핀(1340)은 하강 위치로 이동되고, 기판(W)은 지지핀(1360)에 놓여져 가열 처리된다.When the heat treatment step is performed, the upper body 1120 is moved up and down, and the treatment space 1110 is opened. The transfer plate carries the substrate W into the processing space 1110 . The transfer plate transfers the substrate W to the lift pins 1340 moved to the lifting position. The upper body 1120 moves downward to seal the processing space 1110 , and the lift pins 1340 maintain the elevated position for a predetermined time. This may correspond to a preheating step of the substrate (W). The preheating step may prevent the substrate W from being bent due to a sudden increase in temperature. When the preheating step of the substrate W is completed, the lift pins 1340 are moved to the lowered position, and the substrate W is placed on the support pins 1360 to be heat-treated.

상술한 실시예에 의하면, 지지 플레이트(1320) 및 기판(W)을 감싸는 주변 장치의 온도를 측정하고, 주변 장치의 온도가 열 평형 상태에 도달되면, 그 즉시 기판(W)을 가열하는 열 처리 단계를 수행한다. 이로 인해 주변 장치가 안정화되지 않거나, 안정화 상태에 과도한 시간을 소요하는 것을 방지할 수 있다.According to the above-described embodiment, the temperature of the peripheral device surrounding the support plate 1320 and the substrate W is measured, and when the temperature of the peripheral device reaches a thermal equilibrium state, a heat treatment that immediately heats the substrate W Follow the steps. Due to this, it is possible to prevent the peripheral device from being stabilized or spending excessive time in the stabilization state.

또한 상술한 실시예에는 주변 장치인 상부 바디(1120)의 온도를 측정하고, 이로부터 측정된 온도 정보를 근거로 열 처리 단계가 진행되는 것을 설명하였다. 그러나 주변 장치는 상부 바디(1120)에 한정되지 않으며, 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)를 포함할 수 있다. 도 11과 같이, 상부 바디(1120)에는 제2센서 유닛(1640)이 설치되고, 하부 바디(1140)에는 제3센서 유닛(1660)이 설치될 수 있다. 상부 바디(1120)의 온도 및 하부 바디(1140)의 온도를 각각 측정하고, 각각에서 측정된 온도가 안정화 온도(T2)에 도달되면 기판(W)의 열 처리 단계가 진행될 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, it has been described that the temperature of the upper body 1120, which is a peripheral device, is measured, and the heat treatment step is performed based on the temperature information measured therefrom. However, the peripheral device is not limited to the upper body 1120 , and may include an upper body 1120 and a lower body 1140 . 11 , the second sensor unit 1640 may be installed in the upper body 1120 , and the third sensor unit 1660 may be installed in the lower body 1140 . The temperature of the upper body 1120 and the temperature of the lower body 1140 are measured, respectively, and when the measured temperatures reach the stabilization temperature T 2 , the heat treatment step of the substrate W may be performed.

선택적으로, 주변 장치는 안내판(1540)을 포함할 수 있다.Optionally, the peripheral device may include a guide plate 1540 .

또한 도 8 및 도 11에는 센서 유닛(1640,1660)이 챔버(1100)의 외면에 설치되는 것으로 도시되어 있으나, 센서 유닛(1640,1660)은 챔버(1100)의 내부 또는 내면에 설치될 수 있다.In addition, although the sensor units 1640 and 1660 are shown to be installed on the outer surface of the chamber 1100 in FIGS. 8 and 11 , the sensor units 1640 and 1660 may be installed inside or on the inner surface of the chamber 1100. .

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7 , the transport plate 3240 is provided in a substantially disk shape, and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at an edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand 3420 , and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand 3420 and the carrier plate 3240 are changed in a position where the hand 3420 and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the substrate W between the hand 3420 and the carrier plate 3240 is transmission takes place The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The length direction of the guide grooves 3242 is provided along the second direction 14 , and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the support plate 1320 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well achieved. According to an example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 12는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 12를 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 12 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 . 12 , the liquid processing chambers 3602 and 3604 include a housing 3610 , a cup 3620 , a support unit 3640 , and a liquid supply unit 3660 . The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620 , the support unit 3640 , and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3670 for forming a downdraft in the housing 3260 may be provided on the upper wall of the housing 3610 . The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640 .

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to that of However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the remaining robots have a different shape. can be provided as

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method for processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflective film application process (S22) in the liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment after The photoresist film coating process S24 in the chamber 3604 and the heat treatment process S25 in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front-end buffer 3802 to the front-end heat treatment chamber 3200 . The substrate W is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes the substrate W out of the heat treatment chamber 3200 and moves it to the front stage liquid treatment chamber 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the front stage liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 .

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream liquid processing chamber 3604 .

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate W from the downstream buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200 .

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 .

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the liquid treatment chamber 3600 , and the heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 . do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 transports the substrate W to the heat treatment chamber 3200 by unloading the substrate W from the downstream buffer 3804 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 .

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600 .

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate W is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 .

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

1100: 챔버 1110: 처리 공간
1120: 상부 바디 1140: 하부 바디
1320: 지지 플레이트 1400: 히터 유닛
1620: 제1센서 유닛 1640: 제2센서 유닛1100: chamber 1110: processing space
1120: upper body 1140: lower body
1320: support plate 1400: heater unit
1620: first sensor unit 1640: second sensor unit

Claims (11)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 제공되며, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히터 유닛과;
상기 기판 지지 유닛의 온도를 측정하는 제1센서 유닛과;
상기 기판 지지 유닛으로부터 이격되게 위치되며, 상기 기판 지지 유닛의 주변 장치의 온도를 측정하는 제2센서 유닛과;
상기 제1센서 유닛에 의해 측정된 상기 지지 유닛의 온도를 기반으로 상기 지지 유닛이 상기 기판을 처리하기 위한 공정 온도에 도달하였는지 여부와 상기 제2센서 유닛에 의해 측정된 상기 주변 장치의 온도를 기반으로 상기 주변 장치가 열 평형 상태인 안정화 온도에 도달하였는지 여부를 판단하는 제어기를 포함하되,
상기 제2센서 유닛은 상기 챔버에 설치되고,
상기 주변 장치의 온도는 상기 챔버의 온도를 포함하는 기판 처리 장치.a chamber having a processing space therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a heater unit provided in the substrate supporting unit and configured to heat the substrate supported by the substrate supporting unit;
a first sensor unit for measuring a temperature of the substrate support unit;
a second sensor unit positioned to be spaced apart from the substrate supporting unit and configured to measure a temperature of a peripheral device of the substrate supporting unit;
based on whether the support unit has reached a process temperature for processing the substrate based on the temperature of the support unit measured by the first sensor unit and the temperature of the peripheral device measured by the second sensor unit Including a controller for determining whether the peripheral device has reached a stabilization temperature that is a thermal equilibrium state,
The second sensor unit is installed in the chamber,
The temperature of the peripheral device includes a temperature of the chamber. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 챔버는,
하부가 개방된 상부 바디와;
상부가 개방되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은 상기 하부 바디에 대응되는 높이에 위치되고,
상기 제2센서 유닛은 상기 상부 바디에 설치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber is
an upper body having an open lower portion;
A lower body having an open upper portion and being combined with the upper body to form the processing space therein,
The substrate support unit is located at a height corresponding to the lower body,
The second sensor unit is a substrate processing apparatus installed on the upper body. 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 장치는,
상기 처리 공간에 기판을 반출입하는 반송 로봇과;
상기 제2센서 유닛으로부터 전달된 온도 정보를 근거로 상기 반송 로봇을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 주변 장치의 온도가 상기 안정화 온도에 도달되면, 상기 처리 공간에 기판이 반입되도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 1 or 3,
The device is
a transfer robot for loading and unloading substrates into the processing space;
Further comprising a controller for controlling the transport robot based on the temperature information transmitted from the second sensor unit,
When the temperature of the peripheral device reaches the stabilization temperature, the controller controls the transfer robot to load the substrate into the processing space. 제4항에 있어서,
상기 제어기는 상기 기판이 상기 공정 온도로 가열되도록 상기 히터 유닛을 제어하되,
상기 안정화 온도는 상기 공정 온도보다 낮은 온도로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The controller controls the heater unit to heat the substrate to the process temperature,
The stabilization temperature is a substrate processing apparatus provided at a temperature lower than the process temperature. 삭제delete 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판의 처리 분위기를 안정화시키는 안정화 단계와;
상기 안정화 단계 이후에, 상기 기판을 가열 처리하는 열 처리 단계를 포함하되,
상기 열 처리 단계에는 상기 기판의 온도를 측정하여 상기 기판을 상기 공정 온도로 가열하고,
상기 안정화 단계에는 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 감싸는 주변 장치의 온도를 측정하여 상기 주변 장치가 상기 안정화 온도에 도달되면, 상기 열 처리 단계가 진행되는 기판 처리 방법.A method for processing a substrate using the apparatus of claim 1, comprising:
stabilizing the processing atmosphere of the substrate;
After the stabilization step, comprising a heat treatment step of heat-treating the substrate,
In the heat treatment step, measuring the temperature of the substrate and heating the substrate to the process temperature,
In the stabilization step, a temperature of a peripheral device surrounding the substrate support unit supporting the substrate is measured, and when the peripheral device reaches the stabilization temperature, the heat treatment step is performed. 제7항에 있어서,
상기 안정화 온도는 상기 공정 온도보다 낮은 온도인 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
The stabilization temperature is a temperature lower than the process temperature. 삭제delete 삭제delete 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 안정화 단계에는 상기 처리 공간에 상기 기판이 미반입된 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.
9. The method of claim 7 or 8,
In the stabilizing step, the substrate processing method is performed in a state in which the substrate is not loaded into the processing space.
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