JP2008153369A - Resist agent coater - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の表面にレジスト液を塗布したあと、ホットプレート加熱方式でレジスト液のベーキングまでの一連の処理工程を行うためのレジスト液塗布処理装置に関する。 The present invention relates to a resist solution coating apparatus for performing a series of processing steps from application of a resist solution to the surface of a substrate to baking of the resist solution by a hot plate heating method.
一般に、LCDや半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、レジスト液塗布後の露光前にプリベークが行なわれ、露光・現像後にポストベークが行なわれる。プリベークは、被処理基板(基板、半導体ウエハ等)上に塗布されたレジスト膜中に残留する溶媒を蒸発させ、レジスト膜と基板の密着性を強化するためのもので、レジスト材料が反応しない比較的低い温度で行なわれる。ポストベークは、現像液やリンス液を蒸発させ、レジスト膜パターンの硬化や基板との密着性をより強化するためのもので、レジスト耐熱性以下の温度で行なわれる。 In general, in a photolithography process in a manufacturing process of an LCD or a semiconductor device, pre-baking is performed before exposure after applying a resist solution, and post-baking is performed after exposure and development. Pre-baking is intended to evaporate the solvent remaining in the resist film applied on the substrate to be processed (substrate, semiconductor wafer, etc.) and strengthen the adhesion between the resist film and the substrate. At low temperatures. The post-bake is for evaporating the developing solution and the rinsing solution to further enhance the resist film pattern curing and the adhesion to the substrate, and is performed at a temperature lower than the resist heat resistance.
従来より、ベーキングの一方式として、基板裏面とホットプレート表面との間に1mm以下のギャップ(プロキシミティギャップ)を設けて、ホットプレート表面からの放射熱により基板を加熱するプロキシミティ方式が知られている。プロキシミティ方式は、プロキシミティギャップを形成するために、ホットプレート表面にたとえばピン状のスペーサまたは固定ピンを設けている。 Conventionally, as a method of baking, a proximity method is known in which a gap of 1 mm or less (proximity gap) is provided between the back surface of the substrate and the surface of the hot plate, and the substrate is heated by radiant heat from the surface of the hot plate. ing. In the proximity method, for example, a pin-like spacer or a fixing pin is provided on the surface of the hot plate in order to form a proximity gap.
特許文献1においては、基板の縁近傍の塗布液が有効に塗布されていない部分、すなわち、非有効領域に前記プロキシミティギャップ形成用の固定ピンを配置した例が開示されている。
しかし、特許文献1では、基板の非有効領域にしか固定ピンが配置できないので、重力によって基板がたわみ、この状態で基板が加熱されることによって熱変形が生じるという問題がある。また、このような固定ピンを用いず、基板をホットプレート上に直接載置する方法もあるが、基板表裏の急激な温度差による熱延び量の違いが生じ基板全体が反り、ホットプレートと基板との密着不良が生じるという問題があった。また、ホットプレートと基板との密着不良は、基板裏面とホットプレート表面との間に隙間を生じさせ、基板全体を昇温、均熱させるのには時間がかかるという問題の原因となる。
However, in
また、テーブルコーターによってレジスト液が塗布された基板は、レジスト液の塗工時、塗工後の搬送時、減圧乾燥工程、ベーキング工程において、それぞれ基板裏面と搬送ロボットのアームやベーキング工程時のピンなどの他の部材との接触によって生じる温度差を原因とする接触転写ムラ、乾燥ムラが生じる場合がある。 In addition, the substrate coated with the resist solution by the table coater is used for the resist back surface, the transporting after coating, the vacuum drying process, and the baking process. In some cases, contact transfer unevenness and drying unevenness occur due to temperature differences caused by contact with other members.
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、基板裏面と他の部材との接触によって生じる接触転写ムラ、乾燥ムラをなくすことができ基板に熱変形を生じさせずに高速で昇温、均熱することができるレジスト液塗布処理装置を提供することである。 Accordingly, the technical problem to be solved by the present invention is to eliminate contact transfer unevenness and drying unevenness caused by contact between the back surface of the substrate and other members, and to heat up the substrate at high speed without causing thermal deformation. An object of the present invention is to provide a resist solution coating treatment apparatus capable of soaking.
本発明は、上記技術的課題を解決するために、以下の構成のレジスト液塗布処理装置を提供する。 In order to solve the above technical problem, the present invention provides a resist solution coating treatment apparatus having the following configuration.
本発明のレジスト液塗布処理装置は、基板表面にレジスト液を塗布するテーブルコーターユニットと、前記レジスト液が塗布された基板の非有効領域を支持しつつ前記基板を減圧乾燥する減圧乾燥機ユニットと、前記減圧乾燥された基板を加熱するベーキングユニットと、前記テーブルコーターユニット、減圧乾燥機ユニット、ベーキングユニットの相互間で基板を搬送する1又は複数の搬送ロボットと、前記ベーキングユニットの動作を制御する制御装置を備えるレジスト液塗布処理装置であって、
前記ベーキングユニットは、加熱処理される前記基板を収納する加熱領域内に、
前記加熱領域の内側底面に設けられたホットプレートと、
上下動可能に構成され、前記減圧乾燥機ユニットで支持された部分と同じ非有効領域で前記基板を脱着可能に支持する第1支持ピンと、
前記ホットプレートに対し進退可能に構成され、前記第1支持ピンで支持されるよりも低位置で前記基板を支持する第2支持ピンとを備え、
前記制御装置は、前記加熱領域に搬入された基板を前記第1支持ピンで保持させ、前記第1支持ピンを下降させて前記基板を前記第2支持ピンに載置させた後、前記第2支持ピンを下降させて前記基板を前記ホットプレート上に載置するように、前記ベーキングユニットを制御することを特徴とする。
The resist solution coating apparatus of the present invention includes a table coater unit that coats a resist solution on a substrate surface, and a vacuum dryer unit that vacuum-drys the substrate while supporting an ineffective area of the substrate coated with the resist solution. A baking unit for heating the substrate dried under reduced pressure, one or a plurality of transfer robots for transferring the substrate between the table coater unit, the reduced pressure dryer unit, and the baking unit, and controlling the operation of the baking unit. A resist solution coating apparatus provided with a control device,
The baking unit has a heating area for storing the substrate to be heat-treated,
A hot plate provided on the inner bottom surface of the heating region;
A first support pin configured to be movable up and down, and to removably support the substrate in the same ineffective area as a portion supported by the vacuum dryer unit;
A second support pin configured to be capable of advancing and retreating with respect to the hot plate, and supporting the substrate at a position lower than that supported by the first support pin;
The control device holds the substrate carried into the heating region with the first support pins, lowers the first support pins, and places the substrate on the second support pins, and then The baking unit is controlled to lower the support pins and place the substrate on the hot plate.
上記構成において、前記第2支持ピンは、第1支持ピンよりも多数設けられており、前記基板の塗布液が有効に塗布された領域すなわち、有効領域を支持することが好ましい。ここで有効に塗布された領域とは、塗布液の塗膜の縁側部分において、塗膜が所定の厚みで形成されていない部分を除いた領域である。また、前記ホットプレートの表面から1〜10mmの高さまで前記基板を下降させて、一定時間保持した後に、前記ホットプレート内に収納されることが好ましい。 The said structure WHEREIN: It is preferable that the said 2nd support pin is provided many more than the 1st support pin, and supports the area | region where the coating liquid of the said board | substrate was apply | coated effectively, ie, an effective area | region. Here, the region effectively applied is a region excluding a portion where the coating film is not formed with a predetermined thickness in the edge side portion of the coating film of the coating solution. Further, it is preferable that the substrate is lowered from the surface of the hot plate to a height of 1 to 10 mm and held for a certain time, and then stored in the hot plate.
本発明のレジスト液塗布処理装置によれば、ベーキングユニットは、第1支持ピンと第2支持ピンとを備え、減圧乾燥機ユニットによって、基板の塗布液が有効に塗布されていない非有効領域、さらに第1支持ピンは減圧乾燥機ユニットによって基板が支持されるのと同じ領域を支持するので、当該ピンによって与えられるムラは発生しにくく、当該ユニットによって生じるムラは基板の有効領域に影響を与えることがない。第2支持ピンに基板が移動されるときには、第1支持ピンによって保持されている間にレジスト液の乾燥がある程度進行しているので、第2支持ピンと接触してもムラを生じさせにくくなる。また、第2支持ピンが進退可能に構成されており、第2支持ピンを収納することで簡単な構成でホットプレートと直接接触させた状態で加熱するのでレジスト液の乾燥を高速に行うことができ、加熱中の基板に重力による変形も生じさせることがない。 According to the resist solution coating apparatus of the present invention, the baking unit includes the first support pin and the second support pin, the non-effective area where the substrate coating solution is not effectively applied by the reduced pressure dryer unit, and the first Since one support pin supports the same area where the substrate is supported by the vacuum dryer unit, the unevenness provided by the pin is less likely to occur, and the unevenness generated by the unit may affect the effective area of the substrate. Absent. When the substrate is moved to the second support pin, drying of the resist solution proceeds to some extent while it is held by the first support pin, so that even when it comes into contact with the second support pin, unevenness is less likely to occur. In addition, the second support pin is configured to be able to advance and retract, and by storing the second support pin, heating is performed in a state of direct contact with the hot plate with a simple configuration, so that the resist solution can be dried at high speed. It is possible to prevent the substrate being heated from being deformed by gravity.
また、第2支持ピンを多数設けることにより、隣り合う支持ピンの間隔を小さくすることができ、有効領域を保持することにより、重力による基板の反りを少なくすることができる。よって、第2支持ピンに支持されている加熱途中で、反りの影響を少なくしてベーキング処理を行うことができる。また、第2支持ピンを収納時に、前記ホットプレートから1〜10ミリメートルの高さまで基板を一旦下降させて一定時間保持することにより、基板に急激な昇温による熱衝撃を与えずにホットプレート上に載置することができる。 In addition, by providing a large number of second support pins, the interval between adjacent support pins can be reduced, and holding the effective area can reduce the warpage of the substrate due to gravity. Therefore, the baking process can be performed while reducing the influence of warping during the heating supported by the second support pins. In addition, when the second support pins are stored, the substrate is once lowered from the hot plate to a height of 1 to 10 millimeters and held for a certain period of time so that the substrate does not receive a thermal shock due to a sudden temperature rise. It can be mounted on.
以下、本発明の一実施形態に係るレジスト液塗布処理装置について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a resist solution coating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1に、本発明の実施形態にかかるレジスト液塗布処理装置の構成例を示す。このレジスト液塗布処理装置1は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD用の基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、減圧乾燥、ベーキング等の各処理を行うものである。
FIG. 1 shows a configuration example of a resist solution coating apparatus according to an embodiment of the present invention. The resist
このレジスト液塗布処理装置1は、図7に示すように、ホストコンピュータ61からの制御指示を受けて、下記の各ユニットを動作させるシーケンスコントローラ62が設けられている。ホストコンピュータ61は設定入力部60からの設定情報に基づいて、シーケンスコントローラ62を動作させる。
As shown in FIG. 7, the resist
テーブルコーター13へは、入側ステージ11からの基板が搬入され、レジスト液の塗布工程が行われる。入側ステージ11は、レジスト液塗布処理装置1のカセット搬入出ポートであり、基板を載置可能な入側ステージ11と、このステージ11上の基板100(図5A参照)の出し入れを行う搬送ロボット12とを備えたユニットとして構成されている。
The substrate from the
また、レジスト液塗布処理装置1のテーブルコーター13の下流側には、減圧乾燥機14が設けられる。減圧乾燥機14は、テーブルコーター13によってレジスト液が塗布された基板100を減圧状態で乾燥させる装置である。レジスト液が塗布された基板は、搬送ロボット12から減圧乾燥機14に搬入される。
Further, a
減圧乾燥機は、図6A及び図6Bに示すように、支持ピン58によって基板の非有効領域を支持して、基板100を基台55から浮かした状態で支持する。基板を支持ピン58で支持することにより、基板100を下側から支持する搬送ロボット12の基板支持アームと減圧乾燥機14との基板の受け渡しを容易にすることができる。また、基板が直接支持ピン58と接触する面積を小さくし、ムラの発生を少なくすることができる。
As shown in FIGS. 6A and 6B, the vacuum dryer supports the ineffective area of the substrate by the
また、減圧乾燥機14の基台55の中央部には、支持ピン58よりも細径のサポートピン59が着脱自在に設けられている。サポートピン59は、支持ピン58による基板端部のみの支持では、基板に撓みができ、レジスト液の膜厚が約20μmをこえた場合に、その撓みによりレジスト液が流動するという現象を防止する。したがって、レジスト液をごく薄く塗布する場合には、サポートピン59を設ける必要はなく、支持ピン58のみで基板を保持してもよい。
A
減圧乾燥機14には、搬送ロボット15が設けられており、減圧乾燥処理を行った基板をベーキング装置16へ搬送する。なお、減圧乾燥機14内は、10〜400paに減圧され、内部は、60〜120℃程度に加熱される。
The
ベーキング装置16は、減圧乾燥がなされた基板をベーキングし、レジスト液を固化させるための装置である。ベーキング装置16は、図2に示すように、多段構成になっている。ベーキング装置16の加熱領域161,162,163,164は高さ方向に積み重ねられ、それぞれ独立して基板をベーキング処理する。それぞれの加熱領域で独立してベーキング処理を行う。これにより、テーブルコーター13,減圧乾燥機14による処理のタクトタイムよりも長い処理時間が必要なベーキング処理を並行して行い、装置全体の処理速度を高めることができる。また、ベーキング装置16は、駆動制御部160が設けられており、後述する構成の各加熱領域内の部材を駆動させるための構成が組み込まれている。
The
ベーキング装置16に基板を搬入する搬送ロボット15は、図2に示すように、次のような構成を有する。搬送ロボット15は、鉛直方向に延在する垂直ガイドレール20に沿って昇降移動可能な昇降搬送体21と、この昇降搬送体21上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体22と、この旋回搬送体22上で基板100を支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アーム23とを有している。昇降搬送体21を矢印93の方向に昇降駆動するための駆動部26が垂直ガイドレール20の基端側に設けられ、旋回搬送体22を矢印92の方向に旋回駆動するための駆動部24が昇降搬送体21に取り付けられ、搬送アーム23を進退駆動するための駆動部25が旋回搬送体22に取り付けられている。各駆動部26,25,24はたとえば電気モータ等で構成され、シーケンスコントローラ62からの指示にしたがって制御される。
As shown in FIG. 2, the
上記のように構成された搬送ロボット15は、高速に昇降ないし旋回運動して多段に構成されたベーキング装置16の中の任意の加熱領域に対し基板の搬送及び取り出し可能である。
The
また、ベーキング装置16でベーキング処理が行われた基板は、搬送ロボット15によってクールプレート17に搬送される。クールプレート17は、ベーキングされた基板を冷却するための装置である。また、クールプレート17によって冷却された基板は、搬送ロボット18により取り出され、出側ステージ19によって装置の外部に搬出される。
The substrate that has been baked by the
図3に、このレジスト液塗布処理装置における処理の手順を示す。先ず、入側ステージ11において基板の位置決めを行う(#1)。入側ステージによる位置決めは、前工程から搬送されてきた基板と搬送ロボット12との相対的な位置が毎回同じになるように、入側ステージに設けられたツメ(図示せず)で位置ずれを修正する動作である。
FIG. 3 shows a processing procedure in the resist solution coating apparatus. First, the substrate is positioned in the entry stage 11 (# 1). Positioning by the entry side stage is performed by a claw (not shown) provided on the entry side stage so that the relative position between the substrate conveyed from the previous process and the
次に矢印80に示すように、位置決めされた基板を搬送ロボット12により取り出し(#2)、矢印81に示すように、テーブルコーター13に搬入する(#3)。テーブルコーター13では、たとえば基板の短手方向に幅を有するノズルを長手方向に移動させることにより基板上面(被処理面)にレジスト液が塗布される(#4)。
Next, as shown by an
次に、矢印82で示すように、レジスト液が塗布された基板を搬送ロボット12により取り出し(#5)、矢印83に示すように、減圧乾燥機14に収納する(#6)。
Next, as shown by the
減圧乾燥機14では、図6に示すように、基板100の非有効領域を支持ピン58により支持し、減圧乾燥を行う(#7)。上記のように、減圧乾燥機14にサポートピン59を取り付け、基板の撓みを少なくした状態で減圧乾燥を行うこともできる。ただし。サポートピン59が基板の有効領域と接触することによりムラが発生する原因となるため、サポートピンは細径のものを用いることが好ましい。
In the
減圧乾燥が終了した基板は、矢印84に示すように搬送ロボット15により取り出された後(#8)、矢印85で示すように、ベーキング装置16に収納される(#9)。ベーキング装置16は、後述するように3段階の加熱を行う(#10)。ベーキング装置16でのタクトタイムは、ベーキング装置16よりも上流側に位置する各装置のタクトタイムよりも長いため、ベーキング装置16の1枚の基板の収納後、矢印86,87に示すように、ベーキング装置16の任意の段の加熱領域内から他の基板の取り出しが行われる(#11)。
The substrate after the drying under reduced pressure is taken out by the
図4にベーキング装置16の基本構成を示す。ベーキング装置16は、上述のように多段構成になっており、図4に示す構成のものが多段に積み重ねられるようになっている。これらの各段の構成は、上述したように駆動制御部160によって個別に動作可能になっている。
FIG. 4 shows a basic configuration of the
この実施形態によるベーキング装置16は、筐体40の中に多段に構成された4段の加熱領域161〜164を有する。個々の加熱領域(図4では、代表して2段目の加熱領域の構成について示す。)は、同様の構成を有し、図示するように、ホットプレート44を一定の高さ位置でほぼ水平に固定配置し、ホットプレート44は熱伝導率の高い金属たとえばアルミニウムからなり、たとえば発熱抵抗体からなるヒータ(図示せず)が内蔵されている。
The
ホットプレート44には上下に貫通する貫通孔49が離散的な配置パターンで複数箇所に形成されており、各貫通孔49には基板100の搬入出時に基板100を昇降可能に支持するための第2支持ピンとしてリフトピン43が上下方向に移動可能に設けられている。これらのリフトピン43は、水平ベース部材42を介して昇降機構41に結合されている。昇降機構41の昇降駆動により、リフトピン43を退避用の最下位位置とプロキシミティ加熱用の最上位位置との間で矢印96に示すように昇降移動させるようになっている。
The
また、加熱領域の筐体内壁には、第1支持ピン48が設けられた第1ベース47が設けられている。第1支持ピン48は、減圧乾燥機14の支持ピン58により支持されるのと同じ位置で基板100の非有効領域102を支持可能に構成されている(図5A参照)。また、第1ベース47は、第1支持ピン48を矢印95に示すように駆動させ、基板100の非有効領域102の外側へ収納可能に構成される。
A
また、第1ベース47は、昇降機構46により矢印94に示すように、上下移動可能に構成されており、第1支持ピン48を、リフトピン43への基板の受け渡しを行う最下位置と、搬送ロボット15からの基板の受け渡しを行う最上位置との間を移動可能になっている。
Further, the
図5A,図5Bに第1支持ピン48とリフトピン43との位置関係を示す。第1支持ピン48は、上記のように基板100の非有効領域102において、減圧乾燥機14の支持ピン58によって支持されている部分の同じ非有効領域を支持する。これにより、有効領域101にムラを発生させることがなく、当該基板100を液晶ディスプレイに用いた場合に、色ムラなどの原因を防止することができる。
5A and 5B show the positional relationship between the
一方、リフトピン43は、第1支持ピン48よりも内側に位置し、基板100の有効領域101を支持する。後述するようにリフトピン43は、ベーキング装置16による第2加熱(プロキシミティ加熱)用に用いられるものであり、第1加熱を終了した状態で基板を支持し、レジスト液の揮発成分の大部分が揮発してレジスト液がある程度固化している状態であるため、有効領域101で支持してもムラの発生をおこすことは少ない。また、第1支持ピン48よりも高い密度で設けられているため、基板の撓みを防止し、撓んだ状態でのレジスト液の固化を防止することができる。
On the other hand, the lift pins 43 are located inside the first support pins 48 and support the
図8A〜図8C及び図9を参照してベーキング装置16で行われるベーキング処理について説明する。図8A〜図8Cは、ベーキング処理における各工程でのベーキング装置16内の部材の位置を示す図である。図9は、ベーキング装置及びクールプレートでの基板の温度変化を示すグラフである。なお、図9において点線で示しているのは従来のプロキシミティ加熱を行った場合の温度変化である。
The baking process performed in the
まず、図8Aに示すように、第1支持ピン48は、第1ベース47が最上位置に存在した状態で、搬送ロボット15から搬入された基板100を受け取る。このときの基板100とホットプレート44との間隔Aは、およそ100mm程度であることが好ましい。基板は、加熱領域に搬入された後、図9のS2に示すように徐々に昇温し続ける(第1加熱)。この段階において、レジスト液の揮発成分が揮発し、レジスト液は徐々に固化し始める。
First, as shown in FIG. 8A, the first support pins 48 receive the
次いで、S3に示す所定時間経過後(図9では55秒経過後)、第1ベース47が下降し、リフトピン43へ基板が受け渡され、基板100がリフトピンに支持された状態で第2加熱を行う。このときの状態を図8Bに示す。リフトピン43は、基板100をホットプレート44との間隔Bがおよそ1〜10mm、好ましくは2〜3mmとなるように支持した状態で、加熱を行う。第2加熱では、先の第1加熱と比較して、開始時に温度が上昇するが、その後の温度は緩やかになる。したがって、急激な加熱による基板のたわみの発生を少なくすることができる。また、前述のように、リフトピン43が基板の有効領域を支持しているため、重力による熱変形も最小限に止められる。第2加熱では、レジスト液の塗膜の乾燥が進行し、加熱領域(雰囲気)とリフトピンの温度差が異なった状態であっても、異なった乾燥膜の形成が抑えられ、ムラの発生を抑制することができる。また、第2加熱においては、レジスト液の塗膜の乾燥がほぼ完了するため、基板の撓みが大きい状態での加熱は好ましくなく、リフトピン43で有効領域を支持することにより、これを有効に防止することができる。
Next, after the elapse of a predetermined time shown in S3 (55 seconds in FIG. 9), the
次にS4に示す所定時間経過後(図9では80秒経過後)、ホットプレートに設けた吸引機構(図示なし)によって基板をホットプレート44表面へ吸引密着を開始すると同時に、図8Cに示すように、リフトピン43をホットプレート44内へ収納し、基板とホットプレートとが接触した状態で第3加熱を開始する。このとき、第1支持ピン48は基板100の外側へ退避する。また、吸引密着時においては、第2加熱にて基板はホットプレート44に近い位置でたわみや熱変形を生じない状態で保持されているため、ホットプレートへ基板全面が同時に吸引されて同時に密着されるので密着不良を生じない。
Next, after elapse of a predetermined time shown in S4 (after 80 seconds in FIG. 9), a suction mechanism (not shown) provided on the hot plate starts suction contact with the surface of the
第3加熱では、開始直後に基板100の温度を約90℃程度にまで昇温させ、完全に塗膜をほぼ完全に乾燥させる。また、平板上のホットプレートに接触した状態であるので、基板100の撓みもなく、ほとんど平滑な状態で、急速な加熱均熱によって塗膜の乾燥を完了させることができる。また、ホットプレート44に設けられている貫通孔49の部分の温度がホットプレートの板面に比較して低温となっているが、塗膜の乾燥が十分に進んでいるので、ムラの発生をおこさせる原因にはなりにくい。
In the third heating, immediately after the start, the temperature of the
その後、S6のタイミングでリフトピン43を上昇させたあと、基板100を支持可能な位置まで第1支持ピン48を戻したのち上昇させて、基板100をホットプレート44から持ち上げる。その後、搬送ロボット15によって矢印88に示すように基板100をベーキング装置16から取り出す(#11)。
Thereafter, after the lift pins 43 are raised at the timing of S6, the first support pins 48 are returned to a position where the
ベーキング装置16から搬出された基板100は、搬送ロボット15によって、矢印89に示すように、クールプレート17に送られる(#12)。クールプレート17では、基板100の温度は急激に低下(図9のS9参照)する(#13)。基板100が十分に冷却された後(S10)、矢印90に示すようにクールプレートから搬送ロボット18によって基板100が取り出され(#14)、矢印91に示すように、出側ステージ19に搬送される(#15)。
The
出側ステージ19では、基板の位置決めが行われる(#16)。出側ステージ18による位置決めは、一連の動作で生じた基板の位置ずれが、後工程に影響を与えないように出側ステージに設けられたツメ(図示せず)で位置ずれを修正する動作である。
In the
以上説明したように、本実施形態のレジスト液塗布処理装置によれば、減圧乾燥機とベーキング装置の第1支持ピンとの基板の支持位置が同じ非有効領域であるため、減圧乾燥機及びベーキング装置における支持によるムラの影響を少なくすることができる。また、ベーキング装置においては、所定の時間経過後に、塗膜の乾燥がある程度進んだ後にリフトピン43によって基板を撓みの発生を少ない状態で、加熱することができる。したがって、リフトピンと基板とが接触することに起因するムラの発生を少なくすることができる。さらに、リフトピンを収納させることで、容易にホットプレートと接触させた状態で基板を加熱することができる。さらに、基板がホットプレートに近い位置でたわみや熱変形を生じない状態で保持されているので、ホットプレートの基板全面が同時に吸引されるため、基板のホットプレートへの密着不良も生じることなく、基板の撓みがない状態で高速な加熱均熱による基板のベーキング処理を行うことができる。 As described above, according to the resist solution coating apparatus of this embodiment, since the support position of the substrate between the vacuum dryer and the first support pin of the baking device is the same ineffective region, the vacuum dryer and the baking device are the same. The influence of unevenness due to support in can be reduced. In the baking apparatus, the substrate can be heated by the lift pins 43 with little occurrence of bending after a predetermined time has elapsed and the coating film has been dried to some extent. Therefore, the occurrence of unevenness due to the contact between the lift pins and the substrate can be reduced. Furthermore, by storing the lift pins, the substrate can be easily heated while being in contact with the hot plate. Furthermore, since the substrate is held at a position close to the hot plate without being bent or thermally deformed, the entire surface of the hot plate is sucked at the same time, so there is no poor adhesion of the substrate to the hot plate, The substrate can be baked by high-speed heating soaking in a state where the substrate is not bent.
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can implement in another various aspect.
本発明にかかるレジスト液塗布処理装置は、例えば、液晶ディスプレイのガラス基板におけるレジスト液の塗布処理に好適に用いることができる。 The resist solution coating apparatus according to the present invention can be suitably used for, for example, a resist solution coating process on a glass substrate of a liquid crystal display.
1 レジスト液塗布処理装置
11 入側ステージ
12 搬送ロボット
13 テーブルコーター
14 減圧乾燥機
15 搬送ロボット
16 ベーキング装置
17 クールプレート
18 搬送ロボット
19 出側ステージ
40 筐体
41 昇降機構
42 水平ベース部材
43 リフトピン
44 ホットプレート
46 昇降機構
47 第1ベース
48 第1支持ピン
49 貫通孔
58 減圧乾燥機の支持ピン
100 基板
101 有効領域
102 非有効領域
161、162,163,164 加熱領域
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記ベーキングユニットは、加熱処理される前記基板を収納する加熱領域内に、
前記加熱領域の内側底面に設けられたホットプレートと、
上下動可能に構成され、前記減圧乾燥機ユニットで支持された部分と同じ非有効領域で前記基板を脱着可能に支持する第1支持ピンと、
前記ホットプレートに対し進退可能に構成され、前記第1支持ピンで支持されるよりも低位置で前記基板を支持する第2支持ピンとを備え、
前記制御装置は、前記加熱領域に搬入された基板を前記第1支持ピンで保持させ、前記第1支持ピンを下降させて前記基板を前記第2支持ピンに載置させた後、前記第2支持ピンを下降させて前記基板を前記ホットプレート上に載置するように、前記ベーキングユニットを制御することを特徴とする、レジスト液塗布処理装置。 A table coater unit for applying a resist solution to the substrate surface; a vacuum dryer unit for drying the substrate under reduced pressure while supporting an ineffective region of the substrate coated with the resist solution; and heating the substrate dried under reduced pressure A resist solution coating apparatus comprising: a baking unit; one or a plurality of transfer robots that transfer a substrate between the table coater unit, the vacuum dryer unit, and the baking unit; and a control device that controls the operation of the baking unit. There,
The baking unit has a heating area for storing the substrate to be heat-treated,
A hot plate provided on the inner bottom surface of the heating region;
A first support pin configured to be movable up and down, and to removably support the substrate in the same ineffective area as a portion supported by the vacuum dryer unit;
A second support pin configured to be capable of advancing and retreating with respect to the hot plate, and supporting the substrate at a position lower than that supported by the first support pin;
The control device holds the substrate carried into the heating region with the first support pins, lowers the first support pins, and places the substrate on the second support pins, and then The resist solution coating processing apparatus, wherein the baking unit is controlled so that a support pin is lowered and the substrate is placed on the hot plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006338608A JP2008153369A (en) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | Resist agent coater |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2011146705A (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Semes Co Ltd | Substrate-processing apparatus |
KR20190089546A (en) * | 2018-01-23 | 2019-07-31 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
JP2020092165A (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006338608A patent/JP2008153369A/en active Pending
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