JP2006237262A - Heat treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は,基板を加熱処理する加熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate.
半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては,半導体ウエハ(以下,「ウェハ」)の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理(プリベーキング)や,パターンの露光を行った後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング)等,種々の加熱処理が行われている。 In the photoresist processing step in the manufacture of semiconductor devices, heat treatment (pre-baking) after applying a resist solution on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), or heat treatment after pattern exposure ( Various heat treatments such as post-exposure baking are performed.
これらの加熱処理は,通常,加熱処理装置によって行われる。この加熱処理装置は,処理容器内にアルミニウムからなる厚みのある円盤状の熱板を有しており,この熱板の上面に備えられた複数の支持部材に,円盤状のウェハの下面を当接させて支持し,熱板に内蔵されている発熱体によって熱板を所定温度に加熱することで,ウェハを加熱処理していた(例えば,特許文献1参照。)。 These heat treatments are usually performed by a heat treatment apparatus. This heat treatment apparatus has a thick disc-shaped hot plate made of aluminum in a processing vessel, and the lower surface of the disc-shaped wafer is applied to a plurality of support members provided on the upper surface of the hot plate. The wafer is heated by heating the heating plate to a predetermined temperature using a heating element built in the heating plate (see, for example, Patent Document 1).
ところで,通常の基板は薄い平板状になっているが,熱板によって基板を下面から加熱すると,熱応力により基板の周縁部が上昇し,基板が中央部を頂部として下に凸状に,僅かに反り返った状態に変形する。しかしながら従来の加熱処理装置にあっては,基板が反ってしまうと,基板の下面が上昇して支持部材から離れてしまい,基板が中央部だけで支持部材に支持された状態になり,基板が不安定になる問題があった。さらに,バランスが悪くなって基板が傾いてしまうおそれがあった。この場合,基板の傾斜により熱板に近づいた側には熱が多く伝達し,熱板から離れた側に伝達する熱は少なくなるため,基板が不均一に加熱されてしまい,その結果,処理むらが生じるおそれがあった。 By the way, a normal substrate has a thin flat plate shape, but when the substrate is heated from the lower surface by a hot plate, the peripheral edge of the substrate rises due to thermal stress, and the substrate protrudes downward with the central portion at the top. Deforms to warped. However, in the conventional heat treatment apparatus, when the substrate is warped, the lower surface of the substrate is lifted away from the support member, and the substrate is supported by the support member only at the central portion. There was a problem that became unstable. Furthermore, there is a possibility that the substrate is tilted due to poor balance. In this case, the substrate is heated unevenly because a large amount of heat is transmitted to the side closer to the hot plate due to the inclination of the substrate and less heat is transferred to the side away from the hot plate. There was a risk of unevenness.
本発明の目的は,基板を安定させて支持することができる加熱処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that can stably support a substrate.
上記課題を解決するため,本発明によれば,基板を熱処理板上に支持して加熱処理する装置であって,前記熱処理板の上面に,基板の下面を支持する複数の支持部材を備え,前記各支持部材は,基板の下面中央部から外側に離隔したものほど,前記熱処理板の上面から高く突出するように備えられたことを特徴とする,加熱処理装置が提供される。かかる加熱処理装置によれば,加熱により基板が下に凸状に反ったとき,基板の下面が支持部材から離れすぎず,基板を安定させて支持することができる。さらに,前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えても良い。 In order to solve the above problems, according to the present invention, an apparatus for supporting and heating a substrate on a heat treatment plate, comprising a plurality of support members for supporting the lower surface of the substrate on the upper surface of the heat treatment plate, The heat treatment apparatus is provided in which each of the support members is provided so as to protrude higher from the upper surface of the heat treatment plate as the support member is separated from the center of the lower surface of the substrate. According to such a heat treatment apparatus, when the substrate is warped downward by heating, the lower surface of the substrate is not separated from the support member, and the substrate can be stably supported. Furthermore, you may provide the raising / lowering mechanism which raises / lowers each said supporting member, respectively.
また,本発明によれば,基板を熱処理板によって加熱処理する装置であって,基板を前記熱処理板上に受け渡す際に基板の下面を支持して昇降する複数の昇降ピンと,基板を熱処理する際に前記熱処理板上で基板の下面を支持する複数の支持部材とを備え,前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする,加熱処理装置が提供される。かかる加熱処理装置によれば,加熱により基板が下に凸状に反ったとき,基板の下面に合わせて支持部材の位置を調節することができる。従って,基板を安定させて支持することができる。 According to the present invention, there is also provided an apparatus for heat-treating a substrate with a heat treatment plate, wherein when the substrate is transferred onto the heat treatment plate, a plurality of elevating pins that support the lower surface of the substrate and move up and down and heat-treat the substrate. There is provided a heat treatment apparatus comprising a plurality of support members for supporting the lower surface of the substrate on the heat treatment plate, and an elevating mechanism for elevating and lowering each of the support members. According to such a heat treatment apparatus, when the substrate is warped downward by heating, the position of the support member can be adjusted in accordance with the lower surface of the substrate. Therefore, the substrate can be supported stably.
さらに,前記支持部材の上端部が基板の下面に接触したことを検出するセンサを備えても良い。前記各支持部材を予め測定した基板の反りに基づいて昇降させるようにしても良い。また,前記各支持部材の上端部が基板の下面に接触した際の前記各支持部材の昇降量により,基板の反りを測定するようにしても良い。前記各支持部材は,基板の下面中央部以外の部分を支持することとしても良い。 Furthermore, a sensor that detects that the upper end portion of the support member has contacted the lower surface of the substrate may be provided. You may make it raise / lower each said supporting member based on the curvature of the board | substrate measured previously. Further, the warpage of the substrate may be measured by the amount of elevation of each support member when the upper end portion of each support member contacts the lower surface of the substrate. Each of the support members may support a portion other than the central portion of the lower surface of the substrate.
本発明によれば,基板が下に凸状に反っても,基板を安定させて支持することができ,基板が熱処理板に対して傾くことを防止できる。従って,熱処理の均一性が悪化することを防止できる。 According to the present invention, even when the substrate is warped downward, the substrate can be stably supported, and the substrate can be prevented from being inclined with respect to the heat treatment plate. Therefore, it is possible to prevent the heat treatment uniformity from deteriorating.
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる熱処理板の温度設定装置が備えられた塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of a coating and developing treatment system 1 provided with a temperature setting device for a heat treatment plate according to the present embodiment, and FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system 1. FIG. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system 1.
塗布現像処理システム1は,図1に示すように例えば25枚の略円盤状のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the coating / development processing system 1 carries out, for example, 25 substantially disk-shaped wafers W in the cassette unit from the outside to the coating / development processing system 1 or carries the wafers W into the cassette C.
カセットステーション2には,カセット載置台5が設けられ,当該カセット載置台5は,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。カセットステーション2には,搬送路6上をX方向に向かって移動可能なウェハ搬送体7が設けられている。ウェハ搬送体7は,カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり,X方向に配列された各カセットC内のウェハWに対して選択的にアクセスできる。
The
ウェハ搬送体7は,Z軸周りのθ方向に回転可能であり,後述する処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属する温調装置60やトランジション装置61に対してもアクセスできる。
The wafer carrier 7 is rotatable in the θ direction around the Z axis, and can also access a
カセットステーション2に隣接する処理ステーション3は,複数の処理装置が多段に配置された,例えば5つの処理装置群G1〜G5を備えている。処理ステーション3のX方向負方向(図1中の下方向)側には,カセットステーション2側から第1の処理装置群G1,第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション3のX方向正方向(図1中の上方向)側には,カセットステーション2側から第3の処理装置群G3,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4の間には,第1の搬送装置10が設けられている。第1の搬送装置10は,第1の処理装置群G1,第3の処理装置群G3及び第4の処理装置群G4内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。第4の処理装置群G4と第5の処理装置群G5の間には,第2の搬送装置11が設けられている。第2の搬送装置11は,第2の処理装置群G2,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。
The
図2に示すように第1の処理装置群G1には,ウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置,例えばウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置20,21,22,露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置23,24が下から順に5段に重ねられている。第2の処理装置群G2には,液処理装置,例えばウェハWに現像液を供給して現像処理する現像処理装置30〜34が下から順に5段に重ねられている。また,第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には,各処理装置群G1,G2内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室40,41がそれぞれ設けられている。
As shown in FIG. 2, the first processing apparatus group G1 includes a liquid processing apparatus that supplies a predetermined liquid to the wafer W and performs processing, for example, resist
例えば図3に示すように第3の処理装置群G3には,温調装置60,ウェハWの受け渡しを行うためのトランジション装置61,精度の高い温度管理下でウェハWを温度調節する高精度温調装置62〜64及びウェハWを高温で加熱処理する高温度熱処理装置65〜68が下から順に9段に重ねられている。
For example, as shown in FIG. 3, the third processing unit group G3 includes a
第4の処理装置群G4では,例えば高精度温調装置70,レジスト塗布処理後のウェハWを加熱処理するプリベーキング装置71〜74及び現像処理後のウェハWを加熱処理するポストベーキング装置75〜79が下から順に10段に重ねられている。
In the fourth processing unit group G4, for example, a high-precision
第5の処理装置群G5では,ウェハWを熱処理する複数の熱処理装置,例えば高精度温調装置80〜83,露光後のウェハWを加熱処理する複数のポストエクスポージャーベーキング装置(以下「PEB装置」とする。)84〜89が下から順に10段に重ねられている。
In the fifth processing unit group G5, a plurality of heat treatment apparatuses for heat-treating the wafer W, for example, high-precision temperature control apparatuses 80 to 83, a plurality of post-exposure baking apparatuses (hereinafter referred to as “PEB apparatuses”) for heat-treating the exposed
図1に示すように第1の搬送装置10のX方向正方向側には,複数の処理装置が配置されており,例えば図3に示すようにウェハWを疎水化処理するためのアドヒージョン装置90,91,ウェハWを加熱する加熱装置92,93が下から順に4段に重ねられている。図1に示すように第2の搬送装置11のX方向正方向側には,例えばウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置94が配置されている。
As shown in FIG. 1, a plurality of processing devices are arranged on the positive side in the X direction of the
インターフェイス部4には,例えば図1に示すようにX方向に向けて延伸する搬送路100上を移動するウェハ搬送体101と,バッファカセット102が設けられている。ウェハ搬送体101は,Z方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり,インターフェイス部4に隣接した図示しない露光装置と,バッファカセット102及び第5の処理装置群G5に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。
In the
次に,上述したPEB装置84の構成について説明する。PEB装置84は,図4及び図5に示すように筐体120内に,ウェハWを加熱処理する加熱部121と,ウェハWを冷却処理する冷却部122を有している。
Next, the configuration of the
加熱部121は,図4に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体130と,下側に位置して蓋体130と一体となって処理室Sを形成する熱板収容部131を有している。
As shown in FIG. 4, the
蓋体130は,中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し,頂上部には,排気部130aが設けられている。処理室S内の雰囲気は,排気部130aから均一に排気される。
The
熱板収容部131は,円筒状のケース140を備えており,ケース140の内側には,ウェハWを加熱する熱処理板としての熱板141と,熱板141の外周部を保持する環状の保持部材142と,その保持部材142の外周を囲んで保持する略筒状のサポートリング143とが備えられている。サポートリング143の上面には,処理室S内に向けて例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口144が形成されており,この吹き出し口144から不活性ガスを噴出することにより,処理室S内をパージすることができる。
The hot
熱板141は,厚みのある略円盤形状をなし,熱板収容部131の中央に,上面を略水平にした状態で支持されている。熱板141の内部には,給電により発熱するヒータ145が内蔵されている。
The
図6に示すように,熱板141の上面には,ウェハWを熱処理する際に熱板141上でウェハWの下面を支持する複数の支持部材146が設けられている。各支持部材146は,熱板141の上面中央部を囲むように配置され,熱板141の上面から上方に向かって突出するように設けられている。例えば図6に示すように,熱板141の上面中央部を中心とした円上において,4個の支持部材146が等間隔を空けて配置されており,さらにその外側の同心円上において,8個の支持部材146が等間隔を空けて配置されている。ウェハWは,ウェハWの下面中央部Cを囲む4箇所,及び,ウェハWの下面周縁部の8箇所に,それぞれ支持部材146の上端部を接触又は近接させた状態で支持される。また,ウェハWの下面は熱板141の上面から離隔され,ウェハWの中央部Cは熱板141の中央部の真上に配置される。このようにウェハWは各支持部材146上に支持されることによって,熱板141の上面とウェハWの下面との間にギャップを形成した状態で載置され,ウェハWに対していわゆるプロキシミティベークが行われる。
As shown in FIG. 6, a plurality of
図7に示すように,ウェハWの下面周縁部を支持する8個の支持部材146は,その内側に設けられた4個の支持部材146よりも,上方に高く突出している。このように,ウェハWの下面中央部Cから外側に離隔しているものほど,熱板141の上面から高く突出させるようにすると,ウェハWが中央部から周縁側に向かうに従い上昇するように,下に向かって凸状に変形している場合でも,各支持部材146がウェハWの下面に接触又は近接するので,ウェハWが安定して支持され,ウェハWが熱板141に対して傾斜することを防止できる。なお,各支持部材146の高さは,予め熱板141による熱処理により変形したウェハWの下面の平均的な反りを調べ,この平均的な反り形状に沿った位置に各支持部材146の上端部が配置されるような高さにしても良い。
As shown in FIG. 7, the eight
図4に示すように熱板141の下方には,ウェハWを熱板141上に受け渡す際にウェハWの下面を支持して昇降させるための第1の昇降ピン150が設けられている。第1の昇降ピン150は,昇降駆動機構151により上下動できる。また,熱板141の上面中央部を囲む3箇所に,熱板141を厚み方向(上下方向)に貫通する貫通孔152が形成されている。各第1の昇降ピン150は,昇降駆動機構151の駆動により熱板141の下方から上昇してそれぞれ貫通孔152に挿入され,貫通孔152内で上下動可能になっており,貫通孔152を通過して熱板141の上方に突出したり熱板141の下方に退出したりすることができる。
As shown in FIG. 4, below the
加熱部121に隣接する冷却部122には,例えばウェハWを載置して冷却する冷却板170が設けられている。冷却板170は,例えば図5に示すように略方形の平板形状を有し,加熱部121側の端面が円弧状に湾曲している。図4に示すように冷却板170の内部には,例えばペルチェ素子などの冷却部材170aが内蔵されており,冷却板170を所定の設定温度に調整できる。
In the
冷却板170は,加熱部121側に向かって延伸するレール171に取付けられている。冷却板170は,駆動部172によりレール171上を移動できる。冷却板170は,加熱部121側の熱板141の上方まで移動できる。
The
冷却板170には,例えば図5に示すようにX方向に沿った2本のスリット173が形成されている。スリット173は,冷却板170の加熱部121側の端面から冷却板170の中央部付近まで形成されている。このスリット173により,加熱室121側に移動した冷却板170と,熱板141上に突出した第1の昇降ピン150との干渉が防止される。図4に示すように冷却部122内のスリット173の下方には,第2の昇降ピン174が設けられている。第2の昇降ピン174は,昇降駆動部175によって昇降できる。第2の昇降ピン174は,冷却板170の下方から上昇してスリット173を通過し,冷却板170の上方に突出できる。
In the
図5に示すように冷却板170を挟んだ筐体120の両側面には,ウェハWを搬入出するための搬入出口180が形成されている。
As shown in FIG. 5, a loading / unloading
以上のように構成されたPEB装置84では,先ず,略水平な姿勢に保持されたウェハWが,搬入出口180を通じて冷却部122内に搬入され,冷却板170上に載置される。そして,蓋体130が上昇して処理室Sが開放された状態で,冷却板170の移動により,冷却板170に支持されたウェハWが熱板収容部131の上方に搬送される。ウェハWが熱板141の上方に搬送されると,予め上昇して待機していた3本の第1の昇降ピン150の上端部に受け渡される。ウェハWを受け渡した後,冷却板170が退出したら,蓋体130が下降して熱板収容部131と一体となり,処理室Sが閉鎖される。そして,第1の昇降ピン150が下降して,ウェハWが熱板141上の支持部材146に受け渡される。ウェハWを受け渡した第1の昇降ピン150は,熱板141の貫通孔152内にそれぞれ収納される。こうしてウェハWが支持部材146の上端部に載せられ,熱板141の上面から持ち上げられた状態で支持される。なお,熱板141は予め昇温されており,ウェハWが熱板141に近接されることにより,ウェハWの加熱が開始される。
In the
ところで,PEB装置84に搬入された直後のウェハWは略平板状になっているが,熱板141によって急激に加熱されると,ウェハWに熱応力が発生し,図7に示すように,ウェハWが僅かに下に凸状に湾曲する。即ち,ウェハWの周縁部に向かうに従い中央部Cに対して上昇するような反りが生じる。このようにウェハWが変形しても,下面においてウェハWの中央部Cを囲む3点以上の位置に支持部材146が接触するので,ウェハWは確実に支持される。また,各支持部材146は,外側のものが内側のものより高くなっているので,各支持部材146の上端部が,下に凸状になったウェハWの下面に沿ってそれぞれ接触又は近接した状態になり,ウェハWが安定した状態で支持される。従って,ウェハWが熱板141に対して傾斜することを防止できる。
By the way, the wafer W immediately after being carried into the
このようにウェハWを熱板141上に支持して,所定の時間,例えば60秒〜90秒程度の熱処理を行う。熱処理時間が経過すると,第1の昇降ピン150が上昇して,ウェハWが第1の昇降ピン150により熱板141から上昇される。これにより,ウェハWの加熱が終了する。この後,蓋体130が上昇して,処理室Sが開放された後,冷却板170が移動して,第1の昇降ピン150からウェハWを受け取って退出する。これにより,ウェハWが加熱部121から冷却部122に搬出される。そして,冷却部122において冷却板170上のウェハWが冷却されたら,搬入出口180を通じて冷却部122から搬出される。こうして,一連の熱処理が終了する。
In this way, the wafer W is supported on the
以上の実施の形態によれば,ウェハWが熱応力で下に凸状に反ったときに,複数の支持部材146がウェハWの中央部C以外の個所に接触するように配置したことにより,ウェハWが熱板141に対して傾斜することを防止できる。さらに,これらの支持部材146が,ウェハWの下面中央部Cから外側に離隔したものほど上端部の位置が高くなるように備えられていることにより,ウェハWが下に凸状に反っても,各支持部材146がウェハWの下面から離れすぎず,ウェハWを安定させ,確実に支持することができる。従って,熱板141に対してウェハWが傾くことを防止でき,それにより熱処理の均一性が悪化することを防止できる。即ち,PEB装置84での熱処理を経て形成されるレジストパターンの線幅のウェハ面内における均一性が悪化することを防止できる。
According to the above embodiment, when the wafer W is warped downward due to thermal stress, the plurality of
以上の実施の形態においては,熱板141の上面中央部を囲む4個の支持部材146が配置され,その外側に8個の支持部材146が配置された構成としたが,支持部材の個数や配置は,かかるものに限定されない。例えば,熱板141の上面中央部を中心とした3つの同心円上にそれぞれ支持部材を配置し,これら3つの同心円上に並んだ支持部材によって,ウェハWの下面を支持しても良い。また,以上の実施の形態においては,各支持部材146はウェハWの下面中央部C以外の部分を支持するように配置されていたが,図8に示すように,熱板141の上面中央部に,他の支持部材146より低くウェハWの下面中央部Cに接触又は近接可能な支持部材を備えても良い。この場合も,ウェハWが下に凸状に反ったとき,ウェハWの下面中央部Cより外側において他の支持部材146が接触することにより,ウェハWが傾くことを防止できる。
In the above embodiment, the four
各支持部材146は,ウェハWの下面位置に合わせて昇降可能にしても良い。図9に示す例では,熱板141の下方に,支持部材146をそれぞれ昇降させるモータ等の昇降機構190が複数備えられている。また,熱板141には,熱板141を厚み方向に貫通する貫通孔191が複数形成されている。各支持部材146は棒状に形成され,それぞれ貫通孔191内において上下動可能に通されている。各支持部材146の下端部は熱板141の下方において昇降機構190によって支持され,上端部は熱板141の上面から突出可能になっている。かかる構成においては,各昇降機構190の駆動により各支持部材146をそれぞれ熱板141に対して個別に昇降させることで,各支持部材146の上端部の位置をウェハWの下面位置に合わせることができる。従って,ウェハWが反ったとき,各支持部材146をウェハWの下面にそれぞれ当接させ,ウェハWを安定させることができる。なお,ウェハWを冷却板170から熱板141上に受け渡す際は,先ず熱板141上から上昇させた3本の第1の昇降ピン150によってウェハWを冷却板170から受け取り,各第1の昇降ピン150を下降させてウェハWを熱板141に近接させ,第1の昇降ピン150から支持部材146にウェハWを受け渡すようにすれば良い。熱処理中は支持部材146によってウェハWの下面を支持し,熱処理後,ウェハWを熱板141上から冷却板170に受け渡す際は,3本の第1の昇降ピン150によってウェハWを支持部材146から受け取って熱板141から離隔させ,その後,第1の昇降ピン150から冷却板170によってウェハWを受け取るようにすれば良い。
Each
また,例えば図10に示すように,各支持部材146の上端部に接触センサ195をそれぞれ備え,各接触センサ195の検出値により,支持部材146の上端部がウェハWの下面に接触したことを検知できるようにしても良い。さらに,各昇降機構190の駆動を制御する制御部196に,各接触センサ195の検出値が送信される構成とし,制御部196は各接触センサ195の検出値に基づいて各昇降機構190の駆動を制御する構成としても良い。
Further, for example, as shown in FIG. 10, a
各支持部材146の昇降は,予め熱板141による熱処理により変形したウェハWの下面の平均的な反りを調べておき,この平均的な反り形状に沿った位置に上端部がそれぞれ位置決めされるように調節しても良い。また,例えばウェハWがPEB装置84に搬入される前に反っているおそれがある場合等には,予め搬入前のウェハWについて下面の平均的な反りを調べておき,この平均的な反り形状に沿った位置に上端部が位置決めされるようにしても良い。
In order to raise and lower each
また,PEB装置84における熱処理前に,各ウェハWについて反りを測定し,各ウェハWの反りに合わせて上端部の高さを逐一変更するようにしても良い。例えば図11に示すように,塗布現像処理システム1に,ウェハWの反りを測定するレーザ変位計等を備えた反り測定装置200を設置する。そして,PEB装置84に搬入する前にウェハWを反り測定装置200に搬入し,ウェハWの反りを測定するようにする。測定結果は反り測定装置200から図10の制御部196に送信する。そして,ウェハWをPEB装置84に搬入し,熱板141に近接させる際に,制御部196の制御により,反り測定装置200において測定した反りに基づいて,各支持部材146を昇降移動させる。このようにすれば,各ウェハWの反り形状に合わせて支持部材146の上端部が配置され,ウェハWをより安定的に支持することができる。
Further, the warpage of each wafer W may be measured before the heat treatment in the
また,ウェハWが熱板141上に支持されたとき,上端部がウェハWの下面に接触する位置まで移動させた際の各支持部材146の昇降量により,ウェハWの反りを測定するようにしても良い。例えば図10において,各支持部材146の接触センサ195がウェハWに接触する位置まで動かしたときの昇降機構190の駆動量に基づき,制御部196においてウェハWの反りを計算できるようにしても良い。
Further, when the wafer W is supported on the
以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば上記実施の形態は,PEB装置84の加熱部121に関する例であったが,熱板を備えたプリベーキング装置やポストベーキング装置などの他の加熱処理装置にも本発明は適用できる。さらに,本発明は,ウェハ以外の例えばFPD(フラットパネルディスプレイ),フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を熱処理する装置にも適用できる。
The example of the embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this example and can take various forms. For example, although the said embodiment was an example regarding the
本発明は,基板を熱板によって加熱する加熱処理装置に有用である。 The present invention is useful for a heat treatment apparatus that heats a substrate with a hot plate.
W ウェハ
1 塗布現像処理システム
84 PEB装置
141 熱板
146 支持部材
190 昇降機構
195 接触センサ
W wafer 1 coating and developing
Claims (7)
前記熱処理板の上面に,基板の下面を支持する複数の支持部材を備え,
前記各支持部材は,基板の下面中央部から外側に離隔したものほど,前記熱処理板の上面から高く突出するように備えられたことを特徴とする,加熱処理装置。 An apparatus for supporting and heating a substrate on a heat treatment plate,
A plurality of support members for supporting the lower surface of the substrate on the upper surface of the heat treatment plate;
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein each of the support members is provided so as to protrude higher from the upper surface of the heat treatment plate as it is spaced outward from the central portion of the lower surface of the substrate.
基板を前記熱処理板上に受け渡す際に基板の下面を支持して昇降する複数の昇降ピンと,
基板を熱処理する際に前記熱処理板上で基板の下面を支持する複数の支持部材とを備え,
前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする,加熱処理装置。 An apparatus for heat-treating a substrate with a heat treatment plate,
A plurality of elevating pins that support and lower the substrate when the substrate is transferred onto the heat treatment plate;
A plurality of support members for supporting the lower surface of the substrate on the heat treatment plate when the substrate is heat-treated,
A heat treatment apparatus comprising an elevating mechanism for elevating and lowering each of the support members.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009129944A (en) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tatsumo Kk | Aligner apparatus |
KR100933610B1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-12-23 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Vacuum drying equipment |
US20110236162A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Processing-object-supporting mechanism, supporting method, and conveying system including the mechanism |
JP2018117130A (en) * | 2012-12-31 | 2018-07-26 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | Device for applying stress to semiconductor substrate |
JP2018157039A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | キヤノン株式会社 | Substrate holding device, lithographic apparatus, and article manufacturing method |
KR20180116153A (en) * | 2017-04-14 | 2018-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Pin control method and substrate processing apparatus |
CN111029276A (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate cooling apparatus and substrate cooling method |
-
2005
- 2005-02-24 JP JP2005049605A patent/JP2006237262A/en active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100933610B1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-12-23 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Vacuum drying equipment |
JP2009129944A (en) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tatsumo Kk | Aligner apparatus |
US20110236162A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Processing-object-supporting mechanism, supporting method, and conveying system including the mechanism |
CN102214593A (en) * | 2010-03-24 | 2011-10-12 | 株式会社安川电机 | Processing-object-supporting mechanism, supporting method, and conveying system including the mechanism |
JP2011204784A (en) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Yaskawa Electric Corp | Workpiece supporting mechanism, supporting method, and conveying system including the same |
CN102214593B (en) * | 2010-03-24 | 2014-06-18 | 株式会社安川电机 | Processing-object-supporting mechanism, supporting method, and conveying system including the mechanism |
US11276583B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-15 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
US11276582B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-15 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
JP2018117130A (en) * | 2012-12-31 | 2018-07-26 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | Device for applying stress to semiconductor substrate |
US11282715B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-22 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
US11764071B2 (en) | 2012-12-31 | 2023-09-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
JP2018157039A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | キヤノン株式会社 | Substrate holding device, lithographic apparatus, and article manufacturing method |
JP7030416B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-03-07 | キヤノン株式会社 | Substrate holding device, lithography device, manufacturing method of goods |
KR20180116153A (en) * | 2017-04-14 | 2018-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Pin control method and substrate processing apparatus |
KR102456285B1 (en) | 2017-04-14 | 2022-10-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Pin control method and substrate processing apparatus |
CN111029276A (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate cooling apparatus and substrate cooling method |
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