KR20170056224A - Bake apparatus and bake method - Google Patents

Bake apparatus and bake method Download PDF

Info

Publication number
KR20170056224A
KR20170056224A KR1020150159605A KR20150159605A KR20170056224A KR 20170056224 A KR20170056224 A KR 20170056224A KR 1020150159605 A KR1020150159605 A KR 1020150159605A KR 20150159605 A KR20150159605 A KR 20150159605A KR 20170056224 A KR20170056224 A KR 20170056224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
gas
lower chamber
upper chamber
Prior art date
Application number
KR1020150159605A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102378336B1 (en
Inventor
최철민
김성언
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150159605A priority Critical patent/KR102378336B1/en
Publication of KR20170056224A publication Critical patent/KR20170056224A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102378336B1 publication Critical patent/KR102378336B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Abstract

The present invention relates to a bake device and a bake method. According to an embodiment of the present invention, the bake method comprises: supplying a substrate to the inside of a lower chamber; heating the substrate in a state in which an upper chamber provided on the upper part of the lower chamber is spaced apart from the lower chamber to process baking of the substrate.

Description

베이크 장치 및 베이크 방법{Bake apparatus and bake method}[0001] The present invention relates to a bake apparatus and a bake method,

본 발명은 기판에 베이크 공정을 수행하는 베이크 장치 및 베이크 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a bake apparatus and a bake method for performing a bake process on a substrate.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In general, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. The photolithography process performed to form the pattern plays an important role in achieving the high integration of the semiconductor device.

포토리소그래피 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 포토레지스트패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; 이하 'EBR'라 한다) 공정 및 에지 노광(edgeexposure of wafer; 이하 'EEW'라 한다) 공정, 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다. The photolithography process is performed to form a photoresist pattern on a semiconductor substrate made of silicon. The photolithography process includes a coating and a soft bake process for forming a photoresist film on a substrate, an exposure and development process for forming a photoresist pattern from the photoresist film, an edge bead removal for removing edge portions of the photoresist film or pattern, an edge bead removal (EBR) process, an edge exposure (EEW) process, a hard bake process for stabilizing and densifying a photoresist pattern, and the like.

베이크 공정은 기판을 가열하는 공정이다. 다만, 베이크 공정 시 밀페된 챔버 내부에서 기판을 가열함과 동시에 챔버 내부를 배기하는 과정에서 기판 상에 도포된 액이 균일한 두께를 유지하지 못하는 경우가 발생하여 베이크 공정에 효율을 저하시키는 문제점이 있다.The baking step is a step of heating the substrate. However, during the baking process, the substrate may not be uniformly heated during the process of heating the substrate inside the chamber and venting the chamber, thereby lowering the efficiency of the baking process have.

본 발명은 베이크 공정에 효율을 향상시킬 수 있는 베이크 장치 및 베이크 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a bake apparatus and a bake method capable of improving the efficiency in the bake process.

또한, 본 발명은 베이크 공정 시 외부의 기류를 차단하며, 공정을 수행하는 공간에 배기할 수 있는 베이크 장치 및 베이크 방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention also provides a bake apparatus and a bake method capable of blowing outside air flow during a bake process and exhausting the process chamber.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 베이크 처리하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method of baking a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 베이크 방법은 기판을 하부 챔버 내부에 제공하고, 상기 하부 챔버의 상부에 제공된 상부 챔버가 상기 하부 챔버로부터 이격되도록 승강시킨 상태에서 상기 기판을 가열하여 상기 기판을 베이크 처리할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the baking method may include: providing a substrate in a lower chamber; heating the substrate in an elevated state such that an upper chamber provided on an upper portion of the lower chamber is spaced apart from the lower chamber; It can be baked.

일 실시 예에 의하면, 상기 베이크 처리 동안에 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 서로 대향되는 접촉면 사이로 외부의 기체가 상기 기판이 제공되는 영역으로 유입되는 것을 방지하는 가스 커튼을 형성할 수 있다.According to one embodiment, during the bake process, a gas curtain may be formed between opposing contact surfaces of the upper chamber and the lower chamber to prevent external gas from entering the region where the substrate is provided.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 커튼은 상기 가스가 아래에서 위를 향하는 방향으로 공급되어 형성될 수 있다. According to one embodiment, the gas curtain may be formed by supplying the gas in a downward direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 커튼은 상기 기판을 둘러싸도록 링형상으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the gas curtain may be provided in a ring shape to surround the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 베이크 처리하는 동안 상기 기판이 제공되는 영역에서 배기는 상기 상부 챔버에 제공된 배기관을 통해 이루어질 수 있다.According to one embodiment, in the region where the substrate is provided during the baking process, the exhaust may be made through the exhaust pipe provided in the upper chamber.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 커튼을 형성하는 가스는 공기 또는 비활성 가스를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the gas forming the gas curtain may comprise air or an inert gas.

본 발명은 베이크 장치를 제공한다. The present invention provides a baking apparatus.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 베이크 장치는 서로 조합되어 처리 공간을 가지는 상부 챔버와 하부 챔버를 포함하는 공정 챔버와 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버와 연결되어 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버를 승하강시키는 구동기와 상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하는 가열 유닛과 그리고 상기 상부 챔버 또는 하부 챔버에 제공되어 상기 처리 공간의 주변으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 상기 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되 상기 제어기는 상기 기판에 베이크 공정 시 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버를 승하강시켜 상기 처리 공간을 개방하도록 상기 구동기를 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the bake apparatus includes a process chamber including an upper chamber and a lower chamber having a processing space in combination with each other, and a lower chamber connected to the upper chamber or the lower chamber, A heating unit disposed in the processing space and supporting the substrate; a heating unit heating the substrate placed on the supporting unit; and a gas supply unit provided in the upper chamber or the lower chamber to supply gas to the periphery of the processing space, And a controller for controlling the supply unit and the actuator, wherein the controller controls the actuator to open the processing space by raising and lowering the upper chamber or the lower chamber during the baking process on the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버의 접촉면에 형성되는 가스 공급홀과 상기 가스 공급홀과 연결되어 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the gas supply unit may include a gas supply hole formed in a contact surface of the upper chamber or the lower chamber, and a gas supply line connected to the gas supply hole to supply gas.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급홀은 링형상으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the gas supply hole may be provided in a ring shape.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 가스 공급 유닛을 더 제어하며 상기 제어기는 상기 처리 공간이 개방 시 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 서로 대향되는 벽들 사이로 가스 커튼을 형성하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller further controls the gas supply unit, and the controller controls the gas supply unit to open the gas supply unit to form a gas curtain between opposing walls of the upper chamber and the lower chamber, can do.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 유닛은 상기 지지 유닛 내에 위치하는 히터를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the heating unit may include a heater positioned in the support unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 베이크 장치는 상기 처리 공간을 배기하는 배기관을 포함하는 배기 유닛을 더 포함하며 상기 배기관은 상기 상부 챔버와 연결될 수 있다.According to one embodiment, the bake apparatus further includes an exhaust unit including an exhaust pipe for exhausting the processing space, and the exhaust pipe may be connected to the upper chamber.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 배기 유닛을 더 제어하며 상기 제어기는 상기 베이크 공정 시 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어할 수 있다. According to one embodiment, the controller further controls the exhaust unit, and the controller can control the exhaust unit to exhaust the processing space during the baking process.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 베이크 공정 시 처리 공간을 개방하여 베이크 공정에 효율을 높일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the processing space can be opened in the baking step to increase the efficiency in the baking step.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 베이크 공정 시 기판의 주위로 가스 커튼을 제공하여, 외부의 기류 유입을 차단하여 베이크 공정에 효율을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a gas curtain is provided around the substrate in the baking step, thereby blocking external air flow and improving the efficiency of the baking process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 베이크 공정 시 처리 공간을 배기하여 기판에 흄 등의 반응 부산물에 의한 오염을 최소화할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, contamination by reaction by-products such as fumes can be minimized by exhausting the processing space in the baking process.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 베이크 공정 시 가스 커튼이 형성되는 것을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 베이크 장치의 다른 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 베이크 장치로 베이크 공정 시 가스 커튼이 형성되느 것을 보여주는 도면이다.
도 8은 내지 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 공정이 수행되는 과정을 개략적으로 보여주는 도면들이다. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view of the substrate processing apparatus 1 of Fig. 1 viewed from the direction AA.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 viewed from the BB direction.
4 is a cross-sectional view illustrating a bake apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing that a gas curtain is formed in the bake process of FIG.
6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the bake apparatus of FIG.
Fig. 7 is a view showing that a gas curtain is formed in the bake process in the bake apparatus of Fig. 6; Fig.
FIGS. 8 to 10 are views schematically showing a process of performing a baking process according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. The facility of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facilities of this embodiment are used to perform a coating process and a developing process on a substrate.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 to 3 are schematic views of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a top view of the substrate processing apparatus, FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 taken along the line A-A, and FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 taken along the line B-B.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and developing module 400, an interface module 700, Module 800. < / RTI > The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction in one direction. The purge module 800 may be provided in the interface module 700. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure device at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)과 각각 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16, Quot;

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다.The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 120 are arranged in a line along the second direction 14. In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1방향(12), 제2방향(14) 그리고 제3방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 and the buffer module 300 placed on the table 120 of the load port 100. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided in the form of a substantially rectangular parallelepiped. The frame 210 is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is a four-axis drive system in which the hand 221 directly handling the substrate W is movable and rotatable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16, This is a possible structure. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제2방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 includes a housing 331 and a first buffer robot 360. The housing 331 supports the index robot 220 and the first buffer robot 360 in a direction in which the index robot 220 is provided, 1 buffer robot 360 has an opening (not shown) in the direction in which it is provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2방향(14) 및 제3방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The first buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is driven only in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with the index robot 220 and the development module 402 so that the development robot can carry the substrate W to or from the cooling plate 352 in the direction in which the index robot 220 is provided, The robot has an opening in the direction provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors for opening and closing the above-described opening.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 액처리 챔버(410), 베이크 챔버(500), 그리고 이송 챔버(430)를 가진다. 액처리 챔버(410), 베이크 챔버(500), 그리고 이송 챔버(430)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(410)는 기판(W)에 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(500)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a liquid processing chamber 410, a bake chamber 500, and a transfer chamber 430. The liquid processing chamber 410, the bake chamber 500, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. The liquid processing chamber 410 may be provided with a resist application chamber 410 for performing a resist coating process on the substrate W. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 500 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

이송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 이송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 이송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(500), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공된다. 아암(435)는 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하게 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하다. 아암(435)은 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합된다. 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하다. 받침대(437)은 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, the applicator robot 432 and the guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application part robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 500, the resist application chambers 410 and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided with a stretchable structure. The arm 435 allows the hand 434 to move in the horizontal direction. The support base 436 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 435 is linearly movable along the support 436 in the third direction 16. The arm 435 is coupled to a support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437. The pedestal 437 is movable along the guide rail 433. The pedestal 437 is coupled to the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가질 수 있다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 포함한다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)에는 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. 세정액은 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정한다. 일 예로 세정액은 탈이온수로 공급될 수 있다.The resist application chambers 410 may all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 includes a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 is provided in the form of a cup having an open top. The support plate 412 is placed in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. The resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid. The cleaning liquid cleans the surface of the substrate W to which the photoresist is applied. As an example, the cleaning liquid may be supplied as deionized water.

베이크 챔버(500)에는 베이크 장치(500)가 제공된다. 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 장치(500)를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 4를 참고하며, 베이크 장치(500)는 기판(W)에 베이크 공정을 수행한다. 베이크 장치(500)는 공정 챔버(510), 구동기(520), 지지 유닛(530), 가열 유닛(540), 가스 공급 유닛(550), 배기 유닛(570) 그리고 제어기(590)를 포함한다. The bake chamber 500 is provided with a bake apparatus 500. 4 is a cross-sectional view showing a bake apparatus 500 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, referring to Fig. 4, the bake apparatus 500 performs a bake process on the substrate W. Fig. The bake apparatus 500 includes a process chamber 510, a driver 520, a support unit 530, a heating unit 540, a gas supply unit 550, an exhaust unit 570 and a controller 590.

공정 챔버(510)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 공정 챔버(510)는 원통형상으로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 공정 챔버(510)는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. The process chamber 510 provides a processing space therein. The process chamber 510 may be provided in a cylindrical shape. Alternatively, the process chamber 510 may be provided in a rectangular parallelepiped shape.

공정 챔버(510)는 상부 챔버(511)와 하부 챔버(513)를 포함한다. 상부 챔버(511)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 상부 챔버(511)는 승하강 가능하게 제공된다. 하부 챔버(513)는 상부 챔버(511)와 대향되게 위치한다. 하부 챔버(513)는 상부 챔버(511)의 아래에 위치한다. 하부 챔버(513)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 상부 챔버(511)와 하부 챔버(513)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 형성한다. The process chamber 510 includes an upper chamber 511 and a lower chamber 513. The upper chamber 511 is provided in a circular shape when viewed from above. The upper chamber 511 is provided so as to be movable up and down. The lower chamber 513 is located opposite the upper chamber 511. [ The lower chamber 513 is located below the upper chamber 511. The lower chamber 513 is provided in a circular shape when viewed from above. The upper chamber 511 and the lower chamber 513 are combined with each other to form a processing space therein.

구동기(520)는 상부 챔버(511) 또는 하부 챔버(513)와 연결된다. 구동기(520)는 상부 챔버(511) 또는 하부 챔버(513)를 승하강시킨다. 일 예로 구동기(520)는 상부 챔버(511)와 연결된다. 구동기(520)는 상부 챔버(511)와 연결되는 경우, 상부 챔버(511)를 승하강 시킬 수 있다. 구동기(520)에 의해 처리 공간은 밀폐 또는 개방된다. 구동기(520)는 외부에 기판(W)이 유입 또는 유출 되거나, 베이크 공정 시 처리 공간을 개방하도록 상부 챔버(511)를 승강 시킨다.The driver 520 is connected to the upper chamber 511 or the lower chamber 513. The driver 520 moves the upper chamber 511 or the lower chamber 513 up and down. For example, the actuator 520 is connected to the upper chamber 511. When the actuator 520 is connected to the upper chamber 511, the actuator 520 can move the upper chamber 511 up and down. The processing space is sealed or opened by the driver 520. [ The actuator 520 moves the upper chamber 511 up and down to open or clear the processing space in the bake process.

이와는 달리, 구동기(520)는 하부 챔버(513)와 연결될 수 있다. 이 경우, 구동기(520)는 하부 챔버(513)를 승하강 시킬 수 있다. Alternatively, the actuator 520 may be connected to the lower chamber 513. [ In this case, the driver 520 can move the lower chamber 513 up and down.

지지 유닛(530)은 처리 공간 내에 위치한다. 지지 유닛(530)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(530)은 지지 플레이트(531)를 포함한다. The support unit 530 is located within the processing space. The support unit 530 supports the substrate W. [ The support unit 530 includes a support plate 531.

지지 플레이트(531)는 상부면에 기판(W)이 놓인다. 지지 플레이트(531)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(531)는 원통형상으로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(531)의 상면은 기판(W)보다 큰 크기로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 기판(W)과 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(531)의 상면은 열 전도율이 좋은 재질로 제공된다. The support plate 531 has a substrate W on its upper surface. The support plate 531 is provided in a circular shape when viewed from above. The support plate 531 may be provided in a cylindrical shape. The upper surface of the support plate 531 may be provided with a larger size than the substrate W. [ Alternatively, it may be provided in a size corresponding to the substrate W. [ The upper surface of the support plate 531 is provided with a material having a good thermal conductivity.

가열 유닛(540)은 지지 유닛(530)에 놓인 기판(W)을 가열 할 수 있다. 가열 유닛(540)은 히터(541)를 포함한다. 히터(541)는 지지 플레이트(531)의 내부에 위치한다. 히터(541)는 지지 플레이트(531) 상에 놓인 기판(W)을 가열 한다. 본 실시 예에서는 가열 유닛(540)이 지지 플레이트(531)의 내부에 제공되는 것으로 예로 들었으나, 이와는 달리, 지지 유닛(530)의 외부에서 기판(W)에 열을 조사하는 장치로 제공될 수 있다. The heating unit 540 can heat the substrate W placed on the supporting unit 530. [ The heating unit 540 includes a heater 541. The heater 541 is located inside the support plate 531. The heater 541 heats the substrate W placed on the support plate 531. In this embodiment, although the heating unit 540 is provided inside the support plate 531, it may alternatively be provided as an apparatus for irradiating heat to the substrate W from outside the support unit 530 have.

가스 공급 유닛(550)은 처리 공간의 주변으로 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(550)은 가스를 공급하여 기판(W)을 둘러싸도록 가스 커튼(G)을 형성한다. 도 5와 같이 가스 공급 유닛(550)은 하부 챔버(513)의 접촉면에 형성된 가스 공급홀(551)에서 공급되는 가스를 통해서 형성될 수 있다. 이와는 달리, 도 7과 같이 가스 커튼(G)은 상부 챔버(511)의 접촉면(512)에 형성된 가스 공급홀(551)에서 공급되는 가스를 통해서 형성될 수 있다. The gas supply unit 550 supplies gas to the periphery of the processing space. The gas supply unit 550 supplies a gas to form a gas curtain G so as to surround the substrate W. [ As shown in FIG. 5, the gas supply unit 550 may be formed through a gas supplied from a gas supply hole 551 formed in the contact surface of the lower chamber 513. 7, the gas curtain G may be formed through the gas supplied from the gas supply hole 551 formed in the contact surface 512 of the upper chamber 511. In this case,

가스 공급 유닛(550)은 가스 공급홀(551), 가스 공급 라인(553) 그리고 밸브(557)를 포함한다. The gas supply unit 550 includes a gas supply hole 551, a gas supply line 553, and a valve 557.

가스 공급홀(551)은 상부 챔버(511)와 하부 챔버(513)가 접촉하는 접촉면(512,514)에 형성된다. 일 예로 가스 공급홀(551)은 하부 챔버(513)의 접촉면(514)에 형성될 수 있다. 가스 공급홀(551)은 링형상으로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 하부 챔버(513)의 접촉면의 형상에 따라, 직사각형 등의 형상으로 제공될 수 있다. 상술한 예와는 달리, 도 6과 같이 가스 공급홀(551)은 상부 챔버(511)의 접촉면(512)에 형성될 수 있다. The gas supply holes 551 are formed in the contact surfaces 512 and 514 where the upper chamber 511 and the lower chamber 513 contact each other. For example, the gas supply hole 551 may be formed in the contact surface 514 of the lower chamber 513. The gas supply hole 551 may be provided in a ring shape. Alternatively, it may be provided in a shape such as a rectangle depending on the shape of the contact surface of the lower chamber 513. 6, the gas supply hole 551 may be formed in the contact surface 512 of the upper chamber 511. In this case,

가스 공급 라인(553)은 가스 공급홀(551)에 가스를 공급한다. 일 예로 가스는 공기 또는 비활성 가스 일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨가스로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(553)은 가스 공급홀(551)과 연결된다. The gas supply line 553 supplies gas to the gas supply hole 551. As an example, the gas may be air or an inert gas. The inert gas may be provided by nitrogen gas, argon gas, or helium gas. The gas supply line 553 is connected to the gas supply hole 551.

가스 공급 라인(553)에는 밸브(557)가 제공된다. 밸브(557)는 공급되는 가스의 유량을 조절한다. 일 예로 밸브(557)는 온오프 밸브(557)로 제공될 수 있다. A gas supply line 553 is provided with a valve 557. The valve 557 regulates the flow rate of the supplied gas. For example, the valve 557 may be provided with an on-off valve 557.

배기 유닛(570)는 처리 공간을 배기한다. 배기 유닛(570)는 배기관(571), 배기 플레이트(573) 그리고 배기 라인(575)을 포함한다. The exhaust unit 570 exhausts the processing space. The exhaust unit 570 includes an exhaust pipe 571, an exhaust plate 573, and an exhaust line 575.

배기관(571)은 하부 챔버(513)의 상벽과 연결된다. 배기관(571)은 하부 챔버(513)의 중앙 영역에 결합된다. 배기관(571)은 유체가 통과 가능한 원통 형상으로 관 형태로 제공될 수 있다. The exhaust pipe 571 is connected to the upper wall of the lower chamber 513. The exhaust pipe 571 is coupled to the central region of the lower chamber 513. The exhaust pipe 571 may be provided in the form of a tube in a cylindrical shape through which the fluid can pass.

배기 플레이트(573)는 처리 공간을 배기 시 배기의 흐름을 원활하게 한다. 배기 플레이트(573)는 처리 공간 내 위치한다. 배기 플레이트(573)는 지지 유닛(530)의 상부에 위치한다. 배기 플레이트(573)는 지지 플레이트(531)와 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 배기 플레이트(573)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 배기 플레이트(573)는 중앙에는 배기홀(574)이 형성된다. 배기홀(574)은 배기관(571)과 대향되게 위치한다. The exhaust plate 573 smoothes the flow of the exhaust gas when exhausting the processing space. The exhaust plate 573 is located in the processing space. The exhaust plate 573 is located above the support unit 530. The exhaust plate 573 may be provided in a size corresponding to the support plate 531. The exhaust plate 573 may be provided in a circular shape when viewed from above. An exhaust hole 574 is formed at the center of the exhaust plate 573. The exhaust hole 574 is located opposite to the exhaust pipe 571.

배기 라인(575)은 배기관(571)에 연결된다. 배기 라인(575)은 처리 공간에서 배기되는 유체를 배기관(571)을 통해서 공급 받아 외부로 배기한다. The exhaust line 575 is connected to the exhaust pipe 571. The exhaust line 575 supplies the fluid discharged from the processing space through the exhaust pipe 571 and exhausts the fluid to the outside.

제어기(590)는 기판(W)에 베이크 공정 시 상부 챔버(511) 또는 하부 챔버(513)를 승하강시켜 처리 공간을 개방하도록 구동기(520)를 제어한다. 일 예로 제어기(590)는 베이크 공정 시 구동기(520)를 제어하여 상부 챔버(511)를 승강시켜 처리 공간을 개방한다. 제어기(590)는 처리 공간이 개방 시 상부 챔버(511)와 상기 하부 챔버(513)의 서로 대향되는 접촉면(512,514) 사이로 가스 커튼(G)을 형성하도록 가스 공급 유닛(550)을 제어한다. 제어기(590)는 베이크 공정 시 외부에 기류가 처리 공간으로 유입되는 것을 방지하고자 가스 커튼(G)을 형성하도록 가스 공급 유닛(550)을 제어한다. 제어기(590)는 베이크 공정 시 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛(570)를 제어한다. The controller 590 controls the actuator 520 to open the processing space by raising and lowering the upper chamber 511 or the lower chamber 513 in the baking process to the substrate W. [ For example, the controller 590 controls the driver 520 in the bake process to lift the upper chamber 511 to open the processing space. The controller 590 controls the gas supply unit 550 to form the gas curtain G between the upper chamber 511 and the opposed contact surfaces 512 and 514 of the lower chamber 513 when the processing space is open. The controller 590 controls the gas supply unit 550 so as to form the gas curtain G so as to prevent the airflow from flowing into the processing space outside during the baking process. The controller 590 controls the exhaust unit 570 to exhaust the processing space in the bake process.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 방법을 설명한다.Hereinafter, a bake method according to an embodiment of the present invention will be described.

도 8은 내지 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 공정이 수행되는 과정을 개략적으로 보여주는 도면들이다. 이하, 도 8 내지 도 10을 참고하면, 공정 챔버(510)로 외부에 기판(W)이 반입된다. 기판(W)의 반입은 상부 챔버(511)를 상부로 이동시켜 처리 공간을 개방 후 기판(W)을 반입한다. 기판(W)의 반입은 별도의 이송 유닛(미도시)을 통해서 이루어진다. FIGS. 8 to 10 are views schematically showing a process of performing a baking process according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, referring to FIGS. 8 to 10, the substrate W is carried into the process chamber 510. The transfer of the substrate W moves the upper chamber 511 upward, opens the processing space, and then loads the substrate W thereon. The transfer of the substrate W is carried out through a separate transfer unit (not shown).

기판(W)의 반입 후 처리 공간은 밀폐된다. 처리 공간으로 반입된 기판(W)은 별도의 리프튼 핀(미도시)등에 의해 지지 유닛(530) 상에 놓인다. The processing space after the carrying-in of the substrate W is sealed. The substrate W transferred into the processing space is placed on the supporting unit 530 by a separate lifting pin (not shown) or the like.

베이크 공정의 시작 시 상부 챔버(511)가 상부 이동하여 처리 공간을 개방한다. 처리 공간의 개방과 함께 도 9와 같이 가스를 공급하여 가스 커튼(G)을 형성한다. 가스 커튼(G)은 기판(W)을 둘러싸도록 링형상으로 형성될 수 있다. 가스는 아래에서 위를 향하는 방향으로 공급된다. 가스커튼은 하부챔버의 접촉면에서 상부 챔버(511)의 접촉면까지 형성된다. 처리 공간의 개방 후 가열 유닛(540)으로 지지 유닛(530)에 놓인 기판(W)을 가열하여 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정이 진행되는 동안 처리 공간에서는 배기가 이루어진다. 배기는 상부 챔버(511)의 배기관(571)을 통해서 수행된다. 도 10과 같이 내부에 기류는 기판(W)의 상부에 형성된 배기 플레이트(573)의 상부 중앙 또는 하부 중앙을 걸쳐서 배기관(571)을 거쳐 외부로 빠져나간다. At the start of the baking process, the upper chamber 511 moves upward to open the processing space. The gas curtain G is formed by supplying the gas as shown in Fig. 9 together with the opening of the processing space. The gas curtain G may be formed in a ring shape so as to surround the substrate W. The gas is supplied in a downward direction. The gas curtain is formed from the contact surface of the lower chamber to the contact surface of the upper chamber 511. After the opening of the processing space, the substrate W placed on the supporting unit 530 is heated by the heating unit 540 to perform the baking process. During the bake process, the process space is evacuated. The exhaust is performed through the exhaust pipe 571 of the upper chamber 511. As shown in FIG. 10, the airflow passes through the upper center or lower center of the exhaust plate 573 formed on the upper portion of the substrate W, and exits through the exhaust pipe 571.

본 발명의 베이크 방법은 기판(W)의 주변에 가스 커튼(G)을 형성하여 베이크 공정 시 외부의 기류가 처리 공간으로 유입되는 것을 방지하여 기판(W)의 오염을 최소화 또는 방지할 수 있다. 또한, 진공압으로 유지된 밀폐된 챔버 내부에서 공정을 수행하지 않아 별도의 진공압 유지 장치가 필요하지 않다. 또한, 밀폐된 챔버에서 공정 수행 시 기판(W)의 유입 또는 유출 시 챔버가 개방되어 외부의 기류로 인한 오염이 일어날 수 있다. 그러나 본 발명은 처리 공간을 개방하여 베이크 공정을 수행하여 상술한 오염이 일어나지 않아 베이크 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.The baking method of the present invention can form a gas curtain G around the substrate W to prevent external airflow from flowing into the processing space during the baking process to minimize or prevent contamination of the substrate W. [ In addition, since the process is not performed inside the closed chamber maintained at the vacuum pressure, a separate vacuum pressure holding device is not required. Also, when the substrate W is introduced into or out of the closed chamber, the chamber may be opened to cause contamination due to external airflow. However, according to the present invention, the bake process is performed by opening the process space, so that the contamination does not occur and the efficiency of the bake process can be improved.

또한, 베이크 공정 시 처리 공간을 배기하여 공정 중 발생되는 부산물로 인해 기판(W)이 오염되는 것을 최소화 또는 방지하여 베이크 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the efficiency of the baking process can be improved by minimizing or preventing contamination of the substrate W due to by-products generated during the process by exhausting the process space during the baking process.

다시 도 1 내지 도 3을 참고하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 액처리 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 액처리 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 1 to 3, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a liquid processing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. [ The liquid processing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The liquid processing chamber 460 may be provided as a developing chamber. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 transfers the substrate W between the bake chambers 470, the developing chambers 460 and the second buffer 330 of the first buffer module 300 and the cooling chamber 350 . The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상 모듈(402)에 제공되는 베이크 챔버(470)은 전술한 베이크 챔버(500)와 대체로 동일하게 제공된다. The bake chamber 470 provided in the development module 402 is provided substantially the same as the bake chamber 500 described above.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The interface module 700 transfers the substrate W. The interface module 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900.

제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the processed substrates W before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are moved. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure similar to that of the first buffer 720. The interface module may be provided with only buffers and robots as described above without providing a chamber to perform a predetermined process on the wafer.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

500: 베이크 장치 510: 공정 챔버
520: 구동기 530: 지지 유닛
540: 가열 유닛 550: 가스 공급 유닛
570: 배기 부재 590: 제어기500: Bake apparatus 510: Process chamber
520: Actuator 530: Supporting unit
540: heating unit 550: gas supply unit
570: exhaust member 590: controller

Claims (13)

기판을 베이크 처리하는 방법에 있어서,
기판을 하부 챔버 내부에 제공하고, 상기 하부 챔버의 상부에 제공된 상부 챔버가 상기 하부 챔버로부터 이격되도록 승강시킨 상태에서 상기 기판을 가열하여 상기 기판을 베이크 처리하는 베이크 방법.
A method for baking a substrate,
Wherein the substrate is provided inside the lower chamber and the substrate is baked by heating the substrate while the upper chamber provided at the upper portion of the lower chamber is moved up and away from the lower chamber.
제1항에 있어서,
상기 베이크 처리 동안에 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 서로 대향되는 접촉면 사이로 외부의 기체가 상기 기판이 제공되는 영역으로 유입되는 것을 방지하는 가스 커튼을 형성하는 베이크 방법.
The method according to claim 1,
Wherein during said bake process a gas curtain is formed between opposing contact surfaces of said upper chamber and said lower chamber to prevent external gases from entering the region where said substrate is provided.
제2항에 있어서,
상기 가스 커튼은 상기 가스가 아래에서 위를 향하는 방향으로 공급되어 형성되는 베이크 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the gas curtain is formed by supplying the gas in a direction from bottom to top.
제2항에 있어서,
상기 가스 커튼은 상기 기판을 둘러싸도록 링형상으로 제공되는 베이크 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the gas curtain is provided in a ring shape to surround the substrate.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이크 처리하는 동안 상기 기판이 제공되는 영역에서 배기는 상기 상부 챔버에 제공된 배기관을 통해 이루어지는 베이크 방법.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the exhaust in the region where the substrate is provided during the baking process is through an exhaust line provided in the upper chamber.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 커튼을 형성하는 가스는 공기 또는 비활성 가스를 포함하는 베이크 방법.
5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the gas forming the gas curtain comprises air or an inert gas.
베이크 장치에 있어서,
서로 조합되어 처리 공간을 가지는 상부 챔버와 하부 챔버를 포함하는 공정 챔버와;
상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버와 연결되어 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버를 승하강시키는 구동기와;
상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하는 가열 유닛과; 그리고
상기 상부 챔버 또는 하부 챔버에 제공되어 상기 처리 공간의 주변으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과
상기 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 기판에 베이크 공정 시 상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버를 승하강시켜 상기 처리 공간을 개방하도록 상기 구동기를 제어하는 베이크 장치.
In the bake apparatus,
A process chamber including an upper chamber and a lower chamber having a processing space in combination with each other;
A driver connected to the upper chamber or the lower chamber to move up and down the upper chamber or the lower chamber;
A support unit located in the processing space and supporting the substrate;
A heating unit for heating the substrate placed on the supporting unit; And
A gas supply unit provided in the upper chamber or the lower chamber to supply gas to the periphery of the processing space;
And a controller for controlling the driver,
Wherein the controller controls the actuator to open the processing space by raising and lowering the upper chamber or the lower chamber during a baking process on the substrate.
제7항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 상부 챔버 또는 상기 하부 챔버의 접촉면에 형성되는 가스 공급홀과
상기 가스 공급홀과 연결되어 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 베이크 장치.
8. The method of claim 7,
The gas supply unit includes:
A gas supply hole formed in a contact surface of the upper chamber or the lower chamber,
And a gas supply line connected to the gas supply hole to supply gas.
제8항에 있어서,
상기 가스 공급홀은 링형상으로 제공되는 베이크 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the gas supply hole is provided in a ring shape.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 가스 공급 유닛을 더 제어하며,
상기 제어기는 상기 처리 공간이 개방 시 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 서로 대향되는 벽들 사이로 가스 커튼을 형성하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 베이크 장치.
10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The controller further controls the gas supply unit,
Wherein the controller controls the gas supply unit to form a gas curtain between opposing walls of the upper chamber and the lower chamber when the processing space is opened.
제9항에 있어서,
상기 가열 유닛은 상기 지지 유닛 내에 위치하는 히터를 포함하는 베이크 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the heating unit comprises a heater located within the support unit.
제7항에 있어서,
상기 베이크 장치는 상기 처리 공간을 배기하는 배기관을 포함하는 배기 유닛을 더 포함하며,
상기 배기관은 상기 상부 챔버와 연결되는 베이크 장치.
8. The method of claim 7,
The bake apparatus further includes an exhaust unit including an exhaust pipe for exhausting the processing space,
And the exhaust pipe is connected to the upper chamber.
제12항에 있어서,
상기 제어기는 상기 배기 유닛을 더 제어하며,
상기 제어기는 상기 베이크 공정 시 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 베이크 장치.
13. The method of claim 12,
The controller further controls the exhaust unit,
Wherein the controller controls the exhaust unit to exhaust the processing space in the baking step.
KR1020150159605A 2015-11-13 2015-11-13 Bake apparatus and bake method KR102378336B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150159605A KR102378336B1 (en) 2015-11-13 2015-11-13 Bake apparatus and bake method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150159605A KR102378336B1 (en) 2015-11-13 2015-11-13 Bake apparatus and bake method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170056224A true KR20170056224A (en) 2017-05-23
KR102378336B1 KR102378336B1 (en) 2022-03-24

Family

ID=59050529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150159605A KR102378336B1 (en) 2015-11-13 2015-11-13 Bake apparatus and bake method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102378336B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302526B2 (en) * 2019-01-14 2022-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Supercritical drying apparatus and method of drying substrate using the same
KR20220059997A (en) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070014578A (en) * 2005-07-29 2007-02-01 삼성전자주식회사 Apparatus for baking a layer formed on a substrate
KR20130035840A (en) * 2011-09-30 2013-04-09 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20150039063A (en) * 2013-09-30 2015-04-09 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus, substrate treating facility including the apparatus, and substrate treating method using the apparatus
KR20150101951A (en) * 2014-02-27 2015-09-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070014578A (en) * 2005-07-29 2007-02-01 삼성전자주식회사 Apparatus for baking a layer formed on a substrate
KR20130035840A (en) * 2011-09-30 2013-04-09 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20150039063A (en) * 2013-09-30 2015-04-09 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus, substrate treating facility including the apparatus, and substrate treating method using the apparatus
KR20150101951A (en) * 2014-02-27 2015-09-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302526B2 (en) * 2019-01-14 2022-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Supercritical drying apparatus and method of drying substrate using the same
KR20220059997A (en) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102378336B1 (en) 2022-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170048787A (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR101605721B1 (en) Bake apparatus and Apparatus for treating substrate
KR20160017699A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20180000928A (en) unit for treating substrate and bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR102397846B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR102315662B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102099116B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102516725B1 (en) bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR20190004494A (en) Apparatus for treating substrate
KR102378336B1 (en) Bake apparatus and bake method
KR102000023B1 (en) Substrate treating apparatus
KR101776018B1 (en) Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate
KR20220034304A (en) Bake unit and Apparatus for treating substrate
KR102403200B1 (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR102270622B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102119681B1 (en) lift pin assembly and bake unit with the assembly
KR102444878B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20180031849A (en) Apparatus for treatinf substrate
KR101885567B1 (en) Apparatus treating substrate
KR101870651B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20180025505A (en) Bake unit, Apparatus and method for treating substrate with the unit
KR101935941B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20160081010A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR101884853B1 (en) Substrate support unit and apparatus to treat substrate including same
KR20170056990A (en) Apparatus for treating substrate and Exhaust method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant