KR20190004494A

KR20190004494A - Apparatus for treating substrate

Info

Publication number: KR20190004494A
Application number: KR1020170084780A
Authority: KR
Inventors: 안은샘; 정영헌; 강만규; 신경식; 이은탁; 김상훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2017-07-04
Filing date: 2017-07-04
Publication date: 2019-01-14
Also published as: KR102366180B1

Abstract

The present invention provides an apparatus for treating a substrate. The apparatus for treating the substrate includes: a housing having a processing space inside; a substrate support unit supporting the substrate in the processing space; a heater unit heating the substrate supported to the substrate supporting unit; and an introduction unit introducing outside gas into the processing space. The introduction unit comprises: a division plate dividing the inner space into a buffer space of an upper part and a discharging space of a lower part and having first holes provided to which the discharging space is gone through; and a discharging plate having second holes discharging gas inside the discharging space into the processing space.

Description

[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, a deposition and coating process is used as a process for forming a film on a substrate. In general, a deposition process is a process of depositing a process gas on a substrate to form a film, and a coating process is a process of applying a process liquid onto a substrate to form a liquid film.

기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역 별 온도를 조절한다.The substrate is baked before and after the film is formed on the substrate. The baking process is a process of heating the substrate at a process temperature or more in a closed space, and the entire region of the substrate is heated to a uniform temperature or the temperature of the region of the substrate is adjusted according to the operator.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 절단 사시도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 처리 장치의 상면에는 복수 개의 도입관들(2)이 위치되며, 외부의 기체들은 도입관들(2)을 통해 버퍼 공간(4)으로 유입된다. 버퍼 공간(4)에 유입된 기체들은 버퍼 플레이트(6)의 토출홀들(8)을 통해 분배되어 기판으로 공급되어야 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cutaway perspective view showing a typical bake processing apparatus. Referring to FIG. 1, a plurality of introduction pipes 2 are disposed on the upper surface of the bake processing apparatus, and external gases are introduced into the buffer space 4 through the introduction pipes 2. The gases introduced into the buffer space 4 must be distributed through the discharge holes 8 of the buffer plate 6 and supplied to the substrate.

그러나 기체는 그 유속 또는 유량이 토출홀들(8)의 위치에 따라 각각 달라진다. 도입관(2)에 가깝게 위치된 토출홀(8)을 통과하는 기체는 이보다 멀게 위치된 토출홀(8)을 통과하는 기체보다 큰 유속 또는 유량을 가진다. However, the flow velocity or flow rate of the gas differs depending on the position of the discharge holes 8, respectively. The gas passing through the discharge hole 8 positioned close to the introduction pipe 2 has a larger flow rate or flow rate than the gas passing through the discharge hole 8 positioned farther away.

이에 따라 기판은 각 영역에 불균일한 유량의 기체가 공급되며, 기판의 영역 별 온도차가 발생된다. 이로 인해 도 2와 같이 얼룩진 현상이 발생되고, 이는 베이크 불량을 야기한다.As a result, the substrate is supplied with a non-uniform flow rate of gas to each region, and a temperature difference is generated in each region of the substrate. As a result, a stained phenomenon occurs as shown in Fig. 2, which causes bake failure.

본 발명은 기판을 영역 별로 균일하게 가열할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly heating a substrate in each region.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히터 유닛, 그리고 외부의 기체를 상기 처리 공간으로 도입하는 도입 유닛을 포함하되, 상기 도입 유닛은 그 내부 공간을 상부의 버퍼 공간과 하부의 토출 공간으로 구획하며, 상기 버퍼 공간과 상기 토출 공간이 통하도록 제공되는 제1홀들이 형성되는 구획 플레이트 및 상기 토출 공간 내의 기체를 상기 처리 공간으로 토출하는 제2홀들이 형성되는 토출 플레이트를 가진다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a housing having a processing space formed therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a heater unit for heating the substrate supported by the substrate supporting unit, Wherein the introduction unit has an inner space defined by an upper portion of the buffer space and an upper portion of the lower space, and a partition plate having first holes provided to allow the buffer space and the discharge space to communicate with each other, And a discharge plate in which second holes for discharging the gas in the discharge space to the processing space are formed.

상부에서 바라볼 때 상기 제1홀의 면적은 상기 제2홀의 면적보다 작게 제공될 수 있다. 상기 버퍼 공간의 상하 방향의 간격은 상기 토출 공간의 상하 방향의 간격보다 좁게 제공될 수 있다. 상기 버퍼 공간의 상하 방향의 간격과 상기 토출 공간의 상하 방향의 간격은 서로 동일하게 제공될 수 있다. The area of the first hole may be smaller than the area of the second hole when viewed from above. The space in the vertical direction of the buffer space may be narrower than the space in the vertical direction of the discharge space. The vertical spacing of the buffer space and the vertical spacing of the discharge space may be the same.

상부에서 바라볼 때 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 정렬 상태에서 벗어나게 위치될 수 있다. The first hole and the second hole may be positioned apart from each other when viewed from above.

상기 도입 유닛은 상기 버퍼 공간에 기체가 공급되도록 상기 하우징의 관통하여 상기 버퍼 공간에 연결되는 도입관을 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 도입관은 상기 하우징의 중심과 측단의 사이에 위치될 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 상기 처리 공간에 유입된 기체를 배기시키는 배기 유닛을 더 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 하우징의 내측벽과 상기 도입 유닛의 틈을 감싸는 링 형상을 가지며, 배기홀이 형성되는 배기 배플을 더 포함할 수 있다. The introduction unit further includes an introduction tube connected to the buffer space through the housing to supply gas to the buffer space, wherein the introduction tube is positioned between the center and the side of the housing . Wherein the substrate processing apparatus further includes an exhaust unit for exhausting the gas introduced into the processing space, wherein the exhaust unit has a ring shape that encloses a gap between an inner wall of the housing and the introduction unit, And may further include a baffle.

상기 도입 유닛은 상기 하우징의 천장면과 이격되게, 그리고 상기 구획 플레이트보다 높게 위치되며, 상기 구획 플레이트와 조합되어 상기 버퍼 공간을 형성하는 상면 플레이트를 더 포함하되, 상기 하우징의 내측벽, 상기 도입 유닛, 그리고 상기 배기 배플의 조합에 의해 제1배기 공간이 형성되고, 상기 상면 플레이트와 상기 하우징의 천장면의 조합에 의해 상기 제1배기 공간과 통하는 제2배기 공간이 되며, 상기 제2배기 공간의 상하 방향의 간격은 상기 버퍼 공간 및 상기 토출 공간 각각의 상하 방향의 간격의 합과 동일하게 제공될 수 있다 Wherein the introducing unit further comprises a top plate spaced from the ceiling of the housing and positioned higher than the partition plate and combined with the partition plate to form the buffer space, And a combination of the exhaust baffle to form a first exhaust space and a second exhaust space communicating with the first exhaust space by a combination of a ceiling surface of the upper plate and the housing, The vertical spacing may be equal to the sum of the vertical spacing of the buffer space and the vertical spacing of the discharge space

상기 배기 유닛은 하우징의 천장면의 중앙 영역에 설치되며, 천장홀이 형성되는 천장 플레이트 및 상기 천장홀을 통해 배기되는 기체를 외부로 배기시키는 배기 라인을 더 포함할 수 있다.The exhaust unit may further include a ceiling plate formed in a central region of the ceiling of the housing, the ceiling plate having a ceiling hole, and an exhaust line for exhausting the gas exhausted through the ceiling hole to the outside.

본 발명의 실시예에 의하면, 기체는 처리 공간에 공급되기 전에 2 이상의 공간에서 분배된다. 이로 인해 기체는 처리 공간의 영역 별로 균일하게 공급되고, 기판을 영역 별로 균일하게 가열할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the gas is distributed in two or more spaces before being supplied to the processing space. As a result, the gas is uniformly supplied to each region of the processing space, and the substrate can be uniformly heated in each region.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 구획 플레이트의 제1홀과 토출 플레이트의 제2홀은 서로 비정렬되게 위치된다. 이로 인해 기체는 구획 플레이트 및 토출 플레이트 중 적어도 하나에 부딪혀 기체의 균등 분배 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the first hole of the partition plate and the second hole of the discharge plate are positioned so as not to be aligned with each other. As a result, the gas can strike at least one of the partition plate and the discharge plate to improve the uniform distribution efficiency of the gas.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1홀은 제2홀보다 작은 면적을 가진다. 이로 인해 기체의 균등 분해 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the first hole has an area smaller than that of the second hole. As a result, the equilibrium decomposition efficiency of the gas can be improved.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼 공간의 상하 간격은 토출 공간의 상하 간격과 동일하거나 이보다 작게 제공된다. 이로 인해 버퍼 공간에 도입된 기체는 토출 공간에 도입된 기체보다 더 가압되며, 기체의 균등 분해 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the upper and lower intervals of the buffer space are provided equal to or smaller than the upper and lower intervals of the discharge space. As a result, the gas introduced into the buffer space is pressurized more than the gas introduced into the discharge space, and the uniform decomposition efficiency of the gas can be improved.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 절단 사시도이다.
도 2는 도 1의 장치에 의해 처리된 기판의 영역 별 표면 이미지이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 7은 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 히터 유닛 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 도입 유닛을 확대해 보여주는 절단 사시도이다.
도 10은 도 7의 가열 유닛에 의해 처리된 기판의 영역 별 표면 이미지이다.
도 11은 도 7의 가열 유닛에서 외기의 흐름 경로를 보여주는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cutaway perspective view showing a typical bake processing apparatus.
Figure 2 is a surface-by-area surface image of the substrate processed by the apparatus of Figure 1;
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the direction AA. Fig.
FIG. 4 is a view of the equipment of FIG. 3 viewed from the BB direction.
Fig. 6 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the CC direction
Figure 7 is a cross-sectional view showing the heating unit of Figure 3;
8 is a plan view showing the heater unit and the seating plate of Fig. 7;
Fig. 9 is a cutaway perspective view showing an enlarged view of the introduction unit of Fig. 7; Fig.
10 is a surface-by-area surface image of the substrate processed by the heating unit of Fig.
Fig. 11 is a view showing the flow path of the outside air in the heating unit of Fig. 7; Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. However, the present embodiment is applicable to various apparatuses in which an airflow is formed in a closed substrate processing space. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 3 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view of the plant of FIG. 3 taken along the line A-A, FIG. 4 is a view of the plant of FIG. 3 taken along the line B-B, and FIG. 6 is a view of the plant of FIG. 3 taken along the line C-C.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist coating unit 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in more or less numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application unit robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first buffer unit 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating units 410 all have the same structure. However, the types of the sensitizing solution used in the respective resist coating units 410 may be different from each other. For example, a chemical amplification resist may be used as the sensitizing solution. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid onto the substrate W. [ The resist coating unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the sensitizing solution onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The bake unit 800 can heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface properties of the substrate W before applying the photosensitive liquid and form a process liquid film such as an adhesive on the substrate W have. The bake unit 800 can heat-treat the photosensitive liquid film in a reduced-pressure atmosphere on the substrate W coated with the photosensitive liquid. The volatile substance contained in the photosensitive liquid film can be volatilized. In this embodiment, the bake unit 800 is described as a unit for performing the heat treatment on the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in the shape of a circular plate. Inside the cooling plate 820, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or close to ambient temperature.

가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 7은 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 하우징(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1400), 도입 유닛(1500), 그리고 배기 유닛(1700)을 포함한다. The heating unit 1000 is provided to the substrate processing apparatus 1000 for heating the substrate W. [ The heating unit 1000 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at a normal pressure or lower. Figure 7 is a cross-sectional view showing the heating unit of Figure 3; 7, the heating unit 1000 includes a housing 1100, a substrate supporting unit 1300, a heater unit 1400, an introduction unit 1500, and an exhaust unit 1700. [

하우징(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The housing 1100 provides a processing space 1110 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided with an outer and an interrupted space. The housing 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 바디(1120)는 원통 형상일 수 있다. 상부 바디(1120)의 상면에는 개구가 형성된다. 개구는 상부 바디(1120)의 중심축과 대응되는 영역에 형성될 수 있다. The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. For example, the upper body 1120 may have a cylindrical shape. An opening is formed in the upper surface of the upper body 1120. The opening may be formed in a region corresponding to the center axis of the upper body 1120.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 하부 바디(1140)는 원통 형상일 수 있다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. For example, the lower body 1140 may be cylindrical. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member 1130 and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 can be moved between the open position and the shutoff position by the lifting member 1130. [ Here, the open position is a position where the processing space 1110 is opened by separating the upper body 1120 and the lower body 1140 from each other. The cutoff position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)의 하단과 하부 바디(1140)의 상단의 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 is positioned between the lower end of the upper body 1120 and the upper end of the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 안착 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 도 8은 도 7의 히터 유닛 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322) 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. The substrate supporting unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. [ The substrate supporting unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a seating seating plate 1320 and a lift pin 1340. 8 is a plan view showing the heater unit and the seating plate of Fig. 7; Referring to Figs. 7 and 8, the seating plate 1320 supports the substrate W in the processing space 1110. The seating plate 1320 is provided in a circular plate shape. The substrate W is seated on the upper surface of the seating plate 1320. The area including the center of the upper surface of the seating plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is seated. A plurality of pin holes 1322 are formed on the seating surface of the seating plate 1320. The pin holes 1322 are arranged to surround the center of the seating surface when viewed from above. Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced at equal intervals from each other. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are provided to move up and down. The lift pin 1340 lifts the substrate W from the seating plate 1320 or seats the substrate W on the seating plate 1320. For example, pin holes 1322 may be provided in three.

히터 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 각각의 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1420)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 장착될 수 있다.The heater unit 1400 heat-treats the substrate W placed on the seating plate 1320. The heater unit 1400 is located inside the seating plate 1320. The heater unit 1400 includes a plurality of heaters 1420. Each of the heaters 1420 is positioned within the seating plate 1320. Each heater 1420 is positioned on the same plane. Each heater 1420 heats different areas of the seating plate 1320. An area of the seating plate 1320 corresponding to each heater 1420 as viewed from above may be provided in the heating zones. The temperature of each heater 1420 is independently adjustable. For example, the number of heating zones may be fifteen. The temperature of each heating zone is measured by a sensor (not shown). The heater 1420 may be a thermoelectric element or a hot wire. Optionally, the heaters 1420 may be mounted on the underside of the seating plate 1320.

도입 유닛(1500)은 외부의 기체(이하, 외기)를 처리 공간(1110)에 도입한다. 도 9는 도 7의 가스 도입 유닛을 확대해 보여주는 절단 사시도이며, 도 10은 도 7의 가열 유닛에 의해 처리된 기판의 영역 별 표면 이미지이다. 도 7, 도 9, 그리고 도 10을 참조하면, 도입 유닛(1500)은 도입 부재(1600) 및 도입관(1520)을 포함한다. 도입 부재(1600)는 처리 공간(1110)에서 기판 지지 유닛(1300)과 마주하도록 위치된다. 도입 부재(1600)는 기판 지지 유닛(1300)의 상부에 위치된다. 도입 부재(1600)는 내부에 도입 공간이 형성되는 통 형상을 가진다. 도입 부재(1600)는 상면 플레이트(1620), 구획 플레이트(1640), 그리고 토출 플레이트(1660)를 포함한다. 상면 플레이트(1620), 구획 플레이트(1640), 그리고 토출 플레이트(1660)는 위에서 아래 방향을 따라 순차적으로 위치된다. 즉, 구획 플레이트(1640)는 상면 플레이트(1620)와 토출 플레이트(1660)의 사이에 위치된다. 상면 플레이트(1620)는 도입 부재(1600)의 상면 부분에 해당되고, 토출 플레이트(1660)는 도입 부재(1600)의 저면 부분에 해당된다. 즉 상면 플레이트(1620)와 토출 플레이트(1660)의 사이 공간은 도입 공간에 해당될 수 있다. 상면 플레이트(1620) 및 토출 플레이트(1660)는 서로 동일한 직경을 가지는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상면 플레이트(1620) 및 토출 플레이트(1660)는 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 즉 상면 플레이트(1620) 및 토출 플레이트(1660)는 상부 바디(1120)로부터 이격되게 위치된다. 상면 플레이트(1620)는 하우징(1100)의 천장면으로부터 이격되게 위치된다. 토출 플레이트(1660)는 기판 지지 유닛(1300)으로부터 이격되게 위치된다. 토출 플레이트(1660)는 상부 바디(1120)의 하단과 동일하거나 이보다 높게 위치될 수 있다. The introduction unit 1500 introduces an external gas (hereinafter referred to as ambient air) into the processing space 1110. Fig. 9 is a cutaway perspective view showing an enlarged view of the gas introduction unit of Fig. 7, and Fig. 10 is a surface-by-area surface image of the substrate processed by the heating unit of Fig. Referring to Figs. 7, 9 and 10, the introduction unit 1500 includes an introduction member 1600 and an introduction tube 1520. Fig. The introduction member 1600 is positioned to face the substrate support unit 1300 in the processing space 1110. The introduction member 1600 is positioned on the top of the substrate supporting unit 1300. The introduction member 1600 has a cylindrical shape in which an introduction space is formed therein. The introduction member 1600 includes a top plate 1620, a partition plate 1640, and a discharge plate 1660. The top plate 1620, the partition plate 1640, and the discharge plate 1660 are sequentially positioned along the top-down direction. That is, the partition plate 1640 is positioned between the top plate 1620 and the discharge plate 1660. The upper surface plate 1620 corresponds to the upper surface portion of the introduction member 1600 and the discharge plate 1660 corresponds to the lower surface portion of the introduction member 1600. [ That is, the space between the top plate 1620 and the discharge plate 1660 may correspond to the introduction space. The top plate 1620 and the discharge plate 1660 are provided in the shape of a circular plate having the same diameter as each other. The upper plate 1620 and the discharge plate 1660 have diameters smaller than the inner diameter of the upper body 1120. [ That is, the upper surface plate 1620 and the discharge plate 1660 are positioned apart from the upper body 1120. The top plate 1620 is positioned away from the ceiling of the housing 1100. Discharge plate 1660 is positioned away from substrate support unit 1300. The discharge plate 1660 may be positioned at the same or higher than the lower end of the upper body 1120.

구획 플레이트(1640)는 도입 공간을 상부의 버퍼 공간(1630)과 하부의 토출 공간(1650)으로 구획한다. 구획 플레이트(1640)는 판부와 측부를 가진다. 판부는 상면 플레이트(1620)와 동일한 직경의 원판 형상으로 제공된다. 측부는 판부의 측단으로부터 상하 방향으로 연장되어 상면 플레이트(1620) 및 토출 플레이트(1660)에 연결된다. 즉 측부는 도입 부재(1600)의 측면 부분에 해당될 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(1630), 토출 공간(1650), 그리고 처리 공간(1110)은 구획될 수 있다. The partition plate 1640 divides the introduction space into an upper buffer space 1630 and a lower discharge space 1650. The partition plate 1640 has a plate portion and a side portion. The plate portion is provided in the shape of a disk having the same diameter as that of the upper surface plate 1620. The side portion extends in the vertical direction from the side end of the plate portion and is connected to the upper surface plate 1620 and the discharge plate 1660. That is, the side portion may correspond to the side portion of the introduction member 1600. Thus, the buffer space 1630, the discharge space 1650, and the processing space 1110 can be partitioned.

구획 플레이트(1640)에는 복수의 제1홀(1642)들이 형성되고, 토출 플레이트(1660)에는 복수의 제2홀(1662)들이 형성된다. 제1홀(1642)에 의해 버퍼 공간(1630)과 토출 공간(1650)은 서로 통하도록 제공된다. 제2홀(1662)에 의해 토출 공간(1650)과 처리 공간(1110)은 서로 통하도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1홀(1642)과 제2홀(1662)은 서로 정렬 상태에서 벗어나게 위치된다. 이로 인해 제1홀(1642)을 통해 토출 공간(1650)으로 유입된 외기가 토출 플레이트(1660)에 부딪혀 분배될 수 있다.A plurality of first holes 1642 are formed in the partition plate 1640 and a plurality of second holes 1662 are formed in the discharge plate 1660. The buffer space 1630 and the discharge space 1650 are provided to communicate with each other by the first hole 1642. And the discharge space 1650 and the processing space 1110 are provided to communicate with each other by the second hole 1662. [ The first hole 1642 and the second hole 1662 are positioned apart from each other when viewed from above. The outside air flowing into the discharge space 1650 through the first hole 1642 can be hit by the discharge plate 1660 and distributed.

도입관(1520)은 상부 바디(1120)의 천장면을 관통하여 상면 플레이트(1620)에 연결된다. 도입관(1520)은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 예컨대, 도입관(1520)은 3 개 또는 4 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 도입관(1520)은 상면 플레이트(1620)의 중심과 측단의 사이에 연결된다. 상부에서 바라볼 때 도입관(1520)과 제1홀(1642)은 서로 정렬 상태에서 벗어나게 위치된다. 이에 따라 외기는 버퍼 공간(1630)의 중앙 영역과 가장자리 영역으로 신속하게 분배될 수 있다.The introduction tube 1520 is connected to the top plate 1620 through the ceiling of the upper body 1120. The introduction pipes 1520 are provided in plural and are arranged so as to have an annular ring shape in combination with each other. For example, the number of introduction pipes 1520 may be three or four. The inlet pipe 1520 is connected between the center of the upper plate 1620 and the side edge. The inlet pipe 1520 and the first hole 1642 are positioned apart from each other when viewed from above. Thus, the ambient air can be quickly distributed to the central region and the edge region of the buffer space 1630.

일 예에 의하면, 도 11과 같이 버퍼 공간(1630)의 상하 간격은 토출 공간(1650)의 상하 간격보다 좁게 제공될 수 있다. 또한 제1홀(1642)의 면적은 제2홀(1662)의 면적보다 작게 제공된다. 이에 따라 버퍼 공간(1630)에는 토출 공간(1650)보다 큰 압력이 작용되며, 외기는 버퍼 공간(1630)에서 1차 균등 분배되고, 토출 공간(1650)에서 2차 균등 분배될 수 있다.11, the upper and lower spaces of the buffer space 1630 may be provided to be narrower than the upper and lower spaces of the discharge space 1650. The area of the first hole 1642 is smaller than the area of the second hole 1662. Accordingly, a larger pressure is applied to the buffer space 1630 than the discharge space 1650, and the outside air is firstly evenly distributed in the buffer space 1630 and can be secondarily evenly distributed in the discharge space 1650.

배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)에 유입된 외기를 강제 배기한다. 배기 유닛(1700)은 제1배기 배플(1720), 제2배기 배플(1740). 천장 플레이트(1760), 커버(1780), 배기 라인(1790), 감압 부재(1792)를 포함한다. The exhaust unit 1700 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. The exhaust unit 1700 forcibly exhausts the outside air flowing into the processing space 1110. The exhaust unit 1700 includes a first exhaust baffle 1720 and a second exhaust baffle 1740. A ceiling plate 1760, a cover 1780, an exhaust line 1790, and a pressure-reducing member 1792.

제1배기 배플(1720)은 도입 부재(1600)와 상부 바디(1120)의 내측벽의 사이에 위치된다, 제1배기 배플(1720)은 환형의 링 형상을 가진다. 제1배기 배플(1720)에는 복수의 제1배기홀(1722)들이 형성된다. 제1배기홀(1722)들은 제1배기 배플(1720)의 저면에서 상면까지 연장되는 홀로 제공된다. 제1배기홀(1722)들은 수직 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 제1배기홀(1722)들은 제1배기 배플(1720)의 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 각각의 제1배기홀(1722)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 이에 따라 외기가 배기되는 과정에서 일부 영역으로 집중 배기되는 것을 1차 방지할 수 있다.The first exhaust baffle 1720 is positioned between the introduction member 1600 and the inner wall of the upper body 1120. The first exhaust baffle 1720 has an annular ring shape. A plurality of first exhaust holes 1722 are formed in the first exhaust baffle 1720. The first exhaust holes 1722 are provided as holes extending from the bottom surface of the first exhaust baffle 1720 to the top surface. The first exhaust holes 1722 may be provided so as to face the vertical direction. The first exhaust holes 1722 are arranged to be arranged along the circumferential direction of the first exhaust baffle 1720. Each of the first exhaust holes 1722 is spaced at equal intervals from each other. Accordingly, it is possible to prevent the concentrated exhaust from being partially concentrated in the process of exhausting the outside air.

제2배기 배플(1740)은 도입 부재(1600)와 상부 바디(1120)의 천장면의 사이에 위치된다. 제2배기 배플(1740)은 환형의 링 형상을 가진다. 제2배기 배플(1740)은 상면 플레이트(1620)와 동일하거나 이보다 작은 직경을 가진다. 제2배기 배플(1740)에는 복수의 제2배기홀(1742)들이 형성된다. 제2배기홀(1742)들은 제2배기 배플(1740)의 외측면에서 내측면까지 연장되는 홀로 제공된다. 제2배기홀(1742)들은 수평 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 제2배기홀(1742)들은 제2배기 배플(1740)의 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 각각의 제2배기홀(1742)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 이에 따라 외기는 배기되는 과정에서 일부 영역으로 집중 배기되는 것을 2차 방지할 수 있다. The second exhaust baffle 1740 is positioned between the entrance surface of the introduction member 1600 and the ceiling of the upper body 1120. The second exhaust baffle 1740 has an annular ring shape. The second exhaust baffle 1740 has a diameter equal to or smaller than the top plate 1620. A plurality of second exhaust holes 1742 are formed in the second exhaust baffle 1740. The second exhaust holes 1742 are provided as holes extending from the outer surface to the inner surface of the second exhaust baffle 1740. And the second exhaust holes 1742 may be provided so as to face in the horizontal direction. The second exhaust holes 1742 are arranged to be arranged along the circumferential direction of the second exhaust baffle 1740. Each of the second exhaust holes 1742 is spaced at equal intervals from each other. Accordingly, it is possible to prevent the outside air from being concentratedly exhausted to a partial region during the process of exhausting.

천장 플레이트(1760)는 상부 바디(1120)의 개구에 삽입되게 위치된다. 즉 천장 플레이트(1760)는 상부 바디(1120)의 상면의 중심 영역에 위치된다. 천장 플레이트(1760)는 원형의 판 형상을 가지며, 도입 부재(1600)보다 작은 직경을 가진다. 천장 플레이트(1760)에는 복수의 천장홀(1762)들이 형성된다. 천장홀(1762)들은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 선택적으로, 천장홀(1762)은 단일하게 제공되며 상부 바디(1120)의 중심축과 일치되게 위치될 수 있다.The ceiling plate 1760 is positioned to be inserted into the opening of the upper body 1120. That is, the ceiling plate 1760 is located in the center area of the upper surface of the upper body 1120. The ceiling plate 1760 has a circular plate shape and has a diameter smaller than that of the introduction member 1600. A plurality of ceiling holes 1762 are formed in the ceiling plate 1760. The ceiling holes 1762 may be arranged so as to have a ring shape in combination with each other. Alternatively, the ceiling hole 1762 may be provided in unity and positioned to coincide with the central axis of the upper body 1120.

커버(1780)는 하부가 개방된 컵 형상을 가진다. 커버(1780)는 천장 플레이트(1760)보다 큰 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 커버(1780)는 천장 플레이트(1760)의 전체 영역에 중첩되게 위치된다. The cover 1780 has a cup shape with its bottom opened. The cover 1780 has a larger diameter than the ceiling plate 1760. Cover 1780 is positioned over the entire area of ceiling plate 1760 when viewed from above.

배기 라인(1790)은 커버(1780)에 연결된다. 배기 라인(1790) 상에는 감압 부재(1792)가 설치된다. 감압 부재(1792)는 배기 라인(1790)을 감압한다. 감압에 의한 배기력은 각 배기 공간(1730,1750)을 통해 처리 공간(1110)으로 전달되어 외기를 배기할 수 있다.The exhaust line 1790 is connected to the cover 1780. On the exhaust line 1790, a pressure-reducing member 1792 is provided. The decompression member 1792 decompresses the exhaust line 1790. The exhausting force due to the decompression can be transmitted to the processing space 1110 through the exhaust spaces 1730 and 1750 to exhaust the outside air.

상술한 실시예에 의하면, 외기는 도입 부재(1600), 상부 바디(1120)의 내측벽, 그리고 제1배기 배플(1720)의 조합에 의해 형성된 제1배기 공간(1730)으로 1차 배기된다. 이후, 도입 부재(1600), 상부 바디(1120)의 천장면, 그리고 제2배기 배플(1740)의 조합에 의해 형성된 제2배기 공간(1750)으로 2차 배기된다. 이후, 천장 플레이트(1760)와 커버(1780)의 조합에 의해 형성된 제3배기 공간으로 3차 배기되며, 제1배기홀(1722), 제2배기홀(1742), 그리고 천장홀(1762) 각각에 의해 균등 배기될 수 있다. According to the embodiment described above, the outside air is firstly exhausted to the first exhaust space 1730 formed by the combination of the introduction member 1600, the inner wall of the upper body 1120, and the first exhaust baffle 1720. Thereafter, the exhaust gas is secondarily exhausted to a second exhaust space 1750 formed by the combination of the introduction member 1600, the top surface of the upper body 1120, and the second exhaust baffle 1740. The first exhaust hole 1722, the second exhaust hole 1742, and the ceiling hole 1762 are then exhausted to the third exhaust space formed by the combination of the ceiling plate 1760 and the cover 1780 . &Lt; / RTI >

또한 제2배기 공간(1750)의 상하 간격은 버퍼 공간(1630)의 상하 간격 및 토출 공간(1650)의 상하 간격의 합과 동일하게 제공될 수 있다. 이로 인해 처리 공간(1110)의 외기 배기량을 통해 외기 유입량을 용이하게 조절 가능하다.The upper and lower spaces of the second exhaust space 1750 may be the same as the sum of the upper and lower spaces of the buffer space 1630 and the upper and lower spaces of the discharge space 1650. Thus, the inflow amount of the outside air can be easily adjusted through the amount of outside air exhausted in the processing space 1110.

다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.Referring again to FIGS. 3 to 6, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development unit 460, a bake unit 470, and a transfer chamber 480. [ The developing unit 460, the bake unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The developing unit 460 and the bake unit 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of bake units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 470 may be provided in a greater number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake units 470, developing units 460, a second buffer 330 and a cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and a second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing units 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes a region of the photoresist on the substrate W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing unit 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake units 470 may include a post bake process in which the substrate W is heated before the development process is performed, a hard bake process in which the substrate W is heated after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating unit 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating unit 472 is provided with a heating means 474 such as a heating wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating unit 472 may be provided in one bake unit 470, respectively. Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471, while others may only include the heating unit 472. [ Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as that of the bake unit 800 of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The preprocessing module 601 has a protective film application unit 610, a bake unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film application unit 610, the transfer chamber 630, and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The protective film applying unit 610 and the bake unit 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application units 610 are provided, and are arranged along the third direction 16 to form a layer with each other. Alternatively, a plurality of protective film application units 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, the plurality of bake units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application units 610, the bake units 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film coating unit 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application unit 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying unit 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the supporting plate 612. [

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake unit 620, respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only the heating plate 622, while others may only include the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake unit 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake units 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, the post-exposure bake units 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 uses the deep ultraviolet light to heat the substrate W subjected to the exposure process. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake unit having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1100: 하우징 1110: 처리 공간
1300: 기판 지지 유닛 1400: 히터 유닛
1500: 도입 유닛 1630: 버퍼 공간
1640: 구획 플레이트 1642: 제1홀
1650: 토출 공간 1660: 토출 플레이트
1662: 제2홀1100: housing 1110: processing space
1300: substrate holding unit 1400: heater unit
1500: introduction unit 1630: buffer space
1640: compartment plate 1642: first hole
1650: Discharge space 1660: Discharge plate
1662: Second hole

Claims

An apparatus for processing a substrate,
A housing having a processing space formed therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A heater unit for heating a substrate supported by the substrate supporting unit;
And an introduction unit for introducing an external gas into the processing space,
The introduction unit includes:
A partition plate which divides the internal space into an upper buffer space and a lower discharge space and in which first holes are provided to allow the buffer space and the discharge space to communicate with each other,
And a second hole for discharging the gas in the discharge space to the processing space.

3. The method of claim 2,
Wherein an area of the first hole is smaller than an area of the second hole when viewed from above.

The method according to claim 1,
Wherein an interval in the vertical direction of the buffer space is narrower than an interval in the vertical direction of the discharge space.

The method according to claim 1,
Wherein an interval between the upper and lower directions of the buffer space and an interval between the upper and lower directions of the discharge space are equal to each other.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the first hole and the second hole are positioned apart from each other when viewed from above.

6. The method of claim 5,
The introduction unit includes:
And an introduction pipe connected to the buffer space through the housing to supply gas to the buffer space,
Wherein the introduction tube is positioned between the center and the side end of the housing when viewed from above.

The method according to claim 6,
The substrate processing apparatus includes:
Further comprising an exhaust unit for exhausting the gas introduced into the processing space,
The exhaust unit includes:
Further comprising an exhaust baffle having a ring shape surrounding an inner wall of the housing and a gap between the introduction unit and an exhaust hole formed therein.

8. The method of claim 7,
The introduction unit includes:
Further comprising a top plate spaced apart from a ceiling surface of the housing and positioned above the partition plate and combined with the partition plate to form the buffer space,
A first exhaust space is formed by a combination of the inner wall of the housing, the introduction unit, and the exhaust baffle,
A second exhaust space communicating with the first exhaust space by a combination of a ceiling surface of the upper plate and the housing,
Wherein the vertical spacing of the second exhaust space is equal to the sum of the vertical spacing of each of the buffer space and the discharge space.

9. The method of claim 8,
The exhaust unit includes:
A ceiling plate installed in a central area of the ceiling of the housing and having a ceiling hole;
And an exhaust line for exhausting the gas exhausted through the ceiling hole to the outside.