KR20160017780A - Substrate treating apparatus and method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate treating apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate treating apparatus comprises: a housing providing a treating space where a substrate is treated; and a support unit which supports a substrate in the treating space, wherein the support unit comprises: a support plate which supports the substrate; and a heating member which is provided on the support plate and heats the substrate supported by the support plate. The support plate is made of a porous ceramic material such that fluid in the treating space is discharged through the support plate by a change in air flow, thereby enabling to control a temperature of the support plate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위한 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Various processes such as photolithography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed to manufacture a semiconductor device. Among these processes, photolithography is a process for forming a pattern and plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices.

사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 지지 플레이트에 기판이 놓이면, 지지 플레이트에 제공된 히터를 통해 그 기판을 열 처리한다. 일 예로, 첫 번째 로트의 기판들에 대해서는 상대적으로 고온으로 열처리가 이루어지고, 두 번째 로트의 기판들에 대해서는 상대적으로 저온으로 열처리가 이루어진다. 따라서, 두 번째 로트의 기판들에 대해 공정을 진행하기 위해서는 지지 플레이트의 온도가 신속하게 내려가야 한다. 그러나, 고온 분위기의 지지 플레이트는 온도 조절에 충분한 시간이 소요된다. 따라서, 도 1과 같은 종래의 일반적인 열처리 장치는, 지지 플레이트(81)의 하부로 냉각 유체를 공급하는 냉각 유체 공급부(85)를 포함한다. 지지 플레이트(81)의 하부로 분사부(86)가 냉각 유체를 분사하므로, 지지 플레이트의 상면이 냉각되기 위해서는 시간이 오래 걸리게 되고, 냉각 유체가 공급되는 영역과 그렇지 않은 영역간에 온도 냉각 속도에 차이가 난다. 또한, 냉각 유체 공급부(85)로 인해 부피가 커지게 되고 구조가 복잡해진다. 또한, 냉각 유체 등의 누수로 인해 파티클이 발생하여 기판 상의 오염을 유발할 수 있다.The photolithography process consists largely of a coating process, an exposure process, and a development process, and a baking process is performed before and after the exposure process. The baking process is a process of heat-treating the substrate. When the substrate is placed on the support plate, the substrate is heat-treated through a heater provided on the support plate. For example, the substrates of the first lot are heat treated at a relatively high temperature and the substrates of the second lot are heat treated at a relatively low temperature. Thus, the temperature of the support plate must be rapidly lowered in order to process the second lot of substrates. However, it takes a sufficient time to adjust the temperature of the support plate in a high temperature atmosphere. Therefore, the conventional general heat treatment apparatus as shown in FIG. 1 includes a cooling fluid supply unit 85 for supplying a cooling fluid to the lower portion of the support plate 81. Since the jetting portion 86 injects the cooling fluid to the lower portion of the support plate 81, it takes a long time for the upper surface of the support plate to be cooled, and the difference in temperature cooling rate I go. Further, the cooling fluid supply portion 85 becomes bulky and the structure becomes complicated. In addition, particles may be generated due to leakage of cooling fluid or the like, which may cause contamination on the substrate.

본 발명은 기판을 신속하게 온도 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 공급하고자 한다.The present invention intends to provide a substrate processing apparatus capable of rapidly controlling a temperature of a substrate.

또한 본 발명은 기판의 영역에 관계없이 균일하게 온도 제어가 가능한 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling the temperature regardless of the region of the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 처리공간을 제공하는 하우징, 상기 처리공간에서 기판을 지지하며, 내부에 가스 유로가 형성되는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트에 제공되며, 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 열 처리하는 가열부재를 포함하되, 상기 지지 플레이트는 다공성 세라믹 재질을 포함하여, 상기 처리공간 내 기류 변화에 의한 상기 기판의 온도 조절이 가능할 수 있다.The substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a housing for providing a processing space therein, a support plate for supporting the substrate in the processing space and having a gas flow path formed therein, And a heating member for thermally treating the substrate supported on the support plate, wherein the support plate includes a porous ceramic material, and the temperature of the substrate can be adjusted by the airflow change in the processing space.

상기 지지 플레이트는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함할 수 있다.The support plate may comprise aluminum oxide (Al2O3).

상기 지지 플레이트는 질화 알루미늄(AlN)을 포함할 수 있다. The support plate may comprise aluminum nitride (AlN).

상기 지지 플레이트는, 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 제 2 영역을 갖되, 상기 제 1 영역은 그 표면이 코팅되어 제공될 수 있다.The support plate has a first region and a second region different from the first region, and the first region may be provided with its surface coated.

상기 제 1 영역은 상기 지지 플레이트의 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 지지 플레이트의 가장자리 영역일 수 있다.The first region may be a central region of the support plate, and the second region may be an edge region of the support plate.

상기 기판 처리 장치는 상기 처리공간으로 가스를 제공하도록 상기 가스 유로에 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a gas supply member for supplying gas to the gas flow path to supply gas into the process space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 신속하게 온도 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 공급할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of quickly controlling the temperature of the substrate.

또한 본 발명은 기판의 영역에 관계없이 균일하게 온도 제어가 가능한 기판 처리 장치를 공급할 수 있다.Further, the present invention can provide a substrate processing apparatus capable of temperature control uniformly regardless of the region of the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 일반적인 열처리하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치로 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 13 내지 도 18 각각은 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 20은 도 19의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 도면이다. FIG. 1 is a view showing a conventional substrate processing apparatus for a general heat treatment.
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a plan view showing a bake chamber according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus for performing the heat treatment process of FIG.
8 to 12 are views sequentially illustrating a process of processing a substrate with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
13 to 18 are views showing a substrate processing method according to another embodiment.
19 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment.
20 is a view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2 내지 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 to 20 are views schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 챔버를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 공정 챔버(423), 냉각 플레이트(422), 그리고 가열 처리 유닛(421)을 포함한다. 공정 챔버(423)는 내부에 열처리 공간(802)을 제공한다. 공정 챔버(423)는 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 냉각 플레이트(422)는 가열 처리 유닛(421)에 의해 가열 처리된 기판을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(422)는 열 처리 공간(802)에 위치된다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판을 상온으로 냉각시킬 수 있다.FIG. 6 is a plan view showing a bake chamber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view showing a substrate processing apparatus for performing the heat treatment process of FIG. Referring to Figures 6 and 7, the bake chamber 420 includes a process chamber 423, a cooling plate 422, and a heat treatment unit 421. The process chamber 423 provides a heat treatment space 802 therein. The process chamber 423 is provided to have a rectangular parallelepiped shape. The cooling plate 422 cools the substrate heated by the heat treatment unit 421. The cooling plate 422 is located in the heat treatment space 802. The cooling plate 422 is provided in the form of a circular plate. Inside the cooling plate 422, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the cooling plate 422 may cool the heated substrate to room temperature.

가열 처리 유닛(421)은 기판을 가열 처리한다. 가열 처리 유닛(421)은 기판을 가열 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 지지 유닛(805) 및 하우징(860)을 포함한다. The heating processing unit 421 heats the substrate. The heating processing unit 421 is provided to the substrate processing apparatus 800 for heating the substrate. The substrate processing apparatus 800 includes a support unit 805 and a housing 860.

지지 유닛(805)은 열 처리 공간(802)에 위치된다. 지지 유닛(805)은 지지 플레이트(810), 고정부(815), 리프트핀(820), 가열부재(830), 그리고 흡입 부재(840)를 가진다. 지지 플레이트(810)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(810)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. 지지 플레이트(810)는 다공성 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 지지 플레이트(810)는 산화 알루미늄(Al2O3) 파우더로 제작될 수 있다. 선택적으로 지지 플레이트(810)는 질화 알루미늄(AlN) 파우더로 제작될 수 있다. 또한, 이와 달리, 지지 플레이트(810)는 다른 다양한 종류의 다공성 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(810)의 기공을 통해 처리공간(802) 내 유체가 배출되어, 기류 변화에 의한 지지 플레이트(810)의 온도 조절이 쉽게 이루어질 수 있다. The support unit 805 is located in the heat treatment space 802. The support unit 805 has a support plate 810, a fixing portion 815, a lift pin 820, a heating member 830, and a suction member 840. The support plate 810 is provided in the shape of a circular plate. The upper surface of the support plate 810 is provided with a support region where the substrate W is placed. The support plate 810 may be provided as a porous ceramic material. As an example, the support plate 810 may be made of aluminum oxide (Al 2 O 3) powder. Optionally, the support plate 810 may be made of aluminum nitride (AlN) powder. Alternatively, the support plate 810 may be provided with a variety of other types of porous ceramic materials. The fluid in the processing space 802 is discharged through the pores of the support plate 810 so that the temperature of the support plate 810 can be easily controlled by the change in air flow.

고정부(815)는 하우징(860) 내에서 지지 플레이트(810)를 고정한다. 고정부(815)는 지지 플레이트(810)의 측면을 고정할 수 있다. 일 예로, 고정부(815)는 하부 바디(862) 내에 링 형상으로 제공될 수 있다. 고정부(815)에 의해, 지지 플레이트(810)가 하부 바디(862)로부터 이격되게 지지될 수 있다. 이로 인해, 지지 플레이트(810)와 하부 바디(862) 사이에는 공간이 형성될 수 있다. 지지 플레이트(810)와 하부 바디(862) 사이의 공간에서 기류 변화가 활발히 일어날 수 있다. 선택적으로, 지지 플레이트(810)는 하부 바디(862)와 접촉되게 제공되어, 지지 플레이트(810)와 하부 바디(862) 간에 공간이 형성되지 않을 수 있다. The fixing portion 815 fixes the support plate 810 in the housing 860. The fixing portion 815 can fix the side surface of the support plate 810. [ In one example, the fixing portion 815 may be provided in the form of a ring in the lower body 862. The support plate 810 can be supported apart from the lower body 862 by the fixing portion 815. [ Accordingly, a space may be formed between the support plate 810 and the lower body 862. The airflow change can actively take place in the space between the support plate 810 and the lower body 862. [ Alternatively, the support plate 810 may be provided to be in contact with the lower body 862 such that no space is formed between the support plate 810 and the lower body 862.

지지 플레이트(810)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들(812)이 형성된다. 예컨대, 핀 홀(812)들은 3 개로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)은 지지 플레이트(810)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(812)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(812)에는 리프트핀(820)이 위치된다. 리프트핀(820)은 구동부재(미도시)에 의해 승강위치 및 하강위치로 이동 가능한다. 승강위치는 리프트핀(820)의 상단이 핀 홀(812)로부터 위로 돌출되는 위치이고, 하강위치는 리프트핀(820)의 상단이 핀 홀(812)에 제공되는 위치이다. 승강위치에 위치된 리프트핀(820)은 도포부로봇으로부터 기판(W)을 인수받거나, 인계할 수 있다.A plurality of pin holes 812 are formed on the upper surface of the support plate 810. For example, pinholes 812 may be provided in three. Each pin hole 812 is spaced apart along the circumferential direction of the support plate 810. The pinholes 812 are spaced apart from each other at equal intervals. A lift pin 820 is located in each pin hole 812. The lift pin 820 is movable to the lift-up position and the lift-down position by a drive member (not shown). The lift position is a position where the upper end of the lift pin 820 protrudes upward from the pin hole 812 and the lowered position is a position where the upper end of the lift pin 820 is provided to the pin hole 812. The lift pins 820 located at the lifting position can take over or take over the substrate W from the application robot.

가열 부재(830)는 지지 플레이트(810)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 가열 부재(830)는 복수 개의 히터(830)를 포함한다. 각각의 히터(830)는 지지 플레이트(810)의 내부에 위치된다. 각각의 히터(830)는 동일 평면 상에 위치된다. 히터(830)는 지지 플레이트(810)의 상면에 인접하게 위치된다. 각각의 히터(830)는 지지 플레이트(810)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 지지 플레이트(810)의 서로 상이한 영역은 각 히터(830)에 의해 가열되는 히팅존으로 제공된다. 각 히텅존은 히터(830)들과 일대일 대응되도록 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15개 일 수 있다. 예컨대, 가열 부재(830)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heating member 830 heats the substrate W placed on the support plate 810 to a preset temperature. The heating member 830 includes a plurality of heaters 830. Each heater 830 is positioned inside the support plate 810. Each heater 830 is located on the same plane. The heater 830 is positioned adjacent to the upper surface of the support plate 810. Each heater 830 heats different areas of the support plate 810. Different areas of the support plate 810 are provided to the heating zones heated by the respective heaters 830. Each heptane zone is provided to correspond one-to-one with the heaters 830. For example, the heating zones may be fifteen. For example, the heating member 830 may be a thermoelectric element or a hot wire.

지지 유닛(805)은 흡입 부재(840)를 포함할 수 있다. 흡입 부재(840)는 흡입 라인(842), 펌프(844), 그리고 개폐 밸브(846)를 가질 수 있다. 흡입 라인(842)은 지지 유닛(805)에 연결된다. 일 예로, 흡입 라인(842)은 지지 플레이트(810)의 하부 공간에 연결될 수 있다. 선택적으로, 흡입 라인(842)은 지지 플레이트(810)의 다른 영역으로 연결될 수 있다. 흡입 라인(842)은 개폐 밸브(846) 및 펌프(844)에 의해 처리공간(802)의 유체를 흡입할 수 있다. 이로 인해, 처리 공간 내 기류 변화가 일어날 수 있다. 선택적으로, 흡입 부재(840)는 지지 플레이트(810)와 연결될 수 있다. 일 예로, 흡입 라인(842)은 지지 플레이트(810)의 저면과 연결될 수 있다. The support unit 805 may include a suction member 840. The suction member 840 may have a suction line 842, a pump 844, and an on-off valve 846. Suction line 842 is connected to support unit 805. In one example, the suction line 842 may be connected to the lower space of the support plate 810. Alternatively, the suction line 842 may be connected to another area of the support plate 810. [ The suction line 842 is capable of sucking the fluid in the processing space 802 by the opening / closing valve 846 and the pump 844. As a result, a change in the airflow in the processing space can occur. Alternatively, the suction member 840 can be connected to the support plate 810. In one example, the suction line 842 may be connected to the bottom of the support plate 810.

하우징(860)은 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되는 처리 공간(802)을 제공한다. 하우징(860)은 하부 바디(862), 상부 바디(864), 구동기(866)를 포함한다. 하부 바디(862)는 지지 플레이트(810)가 놓이는 공간을 제공한다. 하부 하부 바디(862)는 그 위치가 고정되게 설치된다. 상부 바디(864)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 조합되어 내부에 처리 공간(802)을 형성한다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 동일한 직경을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)의 상부에 위치된다. 상부 바디(864)는 구동기(866)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 상부 바디(864)는 상하 방향으로 이동되어 승강 위치 및 하강 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치되는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)와 이격되는 위치이고, 하강 위치는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)에 접촉되게 제공되는 위치이다. 하강위치에는 상부 바디(864)와 하부 바디(862) 간의 틈을 차단한다. 따라서 상부 바디(864)가 하강위치로 이동되면, 상부 바디(864), 하부 바디(862), 그리고 지지 플레이트(810)에 의해 처리 공간(802)이 형성된다. The housing 860 provides a processing space 802 through which the heat treatment process of the substrate W proceeds. The housing 860 includes a lower body 862, an upper body 864, and a driver 866. The lower body 862 provides space in which the support plate 810 is placed. The lower lower body 862 is installed so that its position is fixed. The upper body 864 has a cylindrical shape with its bottom opened. The upper body 864 is combined with the lower body 862 to form a processing space 802 therein. The upper body 864 has the same diameter as the lower body 862. The upper body 864 is positioned above the lower body 862. The upper body 864 is movable up and down by a driver 866. [ The upper body 864 is moved in the vertical direction and is movable to the elevating position and the lowering position. Here, the upper body 864 is positioned to be separated from the lower body 862, and the lowered position is a position where the upper body 864 is provided to be in contact with the lower body 862. And the gap between the upper body 864 and the lower body 862 is blocked at the lowered position. Accordingly, when the upper body 864 is moved to the lowered position, the processing space 802 is formed by the upper body 864, the lower body 862, and the support plate 810.

상부 바디(864)는 가스 공급부재(865)를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 도 7과 같이, 상부 바디(864)의 상면에 가스 공급부재(865)가 형성될 수 있다. 가스 공급부재(865)는 상부 바디(864)의 중심축과 대응되게 형성된다. 가스 공급부재(865)는 처리 공간(802)으로 가스를 공급하여, 처리 공간(802) 내 기류 변화를 야기할 수 있다. The upper body 864 may further include a gas supply member 865. For example, as shown in FIG. 7, a gas supply member 865 may be formed on the upper surface of the upper body 864. The gas supply member 865 is formed to correspond to the central axis of the upper body 864. The gas supply member 865 may supply gas to the process space 802 and cause an airflow change in the process space 802. [

선택적으로, 기판 처리 장치는 단열 부재(850) 및/또는 가이드(880)를 가질 수 있다. 단열 부재(850)는 지지 플레이트(810)의 주변에 위치된 장치들이 열 변형되는 것을 방지한다. 단열 부재(850)는 지지 플레이트(810)의 주변 장치들이 가열 부재(830)에서 발생된 고온의 열에 노출되는 것을 최소화한다. 가이드(880)는 공급구(816)를 통해 처리공간으로 제공된 가스의 흐름을 제어한다. 가이드(880)는 공급구(816)를 통해 제공된 가스와 기판(W) 간의 접촉을 최소화하도록 가스의 흐름을 우회시킨다. 또한, 기판 처리 장치는 외부의 공기가 처리 공간(802)에 유입되는 것을 방지하는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.Alternatively, the substrate processing apparatus may have a thermal insulating member 850 and / or a guide 880. The heat insulating member 850 prevents the devices located around the support plate 810 from being thermally deformed. The heat insulating member 850 minimizes exposure of the peripheral devices of the support plate 810 to the high temperature heat generated in the heating member 830. The guide 880 controls the flow of gas supplied through the supply port 816 to the process space. The guide 880 bypasses the flow of gas to minimize contact between the gas supplied through the supply port 816 and the substrate W. [ Further, the substrate processing apparatus may further include a sealing member for preventing external air from entering the processing space 802.

도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치로 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 13 내지 도 18 각각은 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다. 이하, 도 8 내지 도 12를 참조하여 기판 처리 과정을 설명한다. 이 때, 개폐 밸브(846)의 내부가 채워져있는 것은 개폐 밸브(846)가 닫혀있는 것을 의미한다. 또한, 개폐 밸브(846)의 내부가 비워져 있는 것은 개폐 밸브(846)가 열려있는 것을 의미한다. 8 to 12 are views sequentially illustrating a process of processing a substrate with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 13 to 18 are views showing a substrate processing method according to another embodiment. Hereinafter, a substrate processing process will be described with reference to FIGS. At this time, the inside of the open / close valve 846 means that the open / close valve 846 is closed. The fact that the inside of the opening / closing valve 846 is empty means that the opening / closing valve 846 is opened.

먼저, 제 1 로트의 기판(W1)에 대해 제 1 공정이 진행된다. 기판(W1)이 지지 플레이트(810) 상에 제공되고, 지지 플레이트(810)는 제 1 온도로 제어되어 제 1 공정을 진행한다. 이 때, 제 1 온도는 고온으로 제공된다. 제 1 공정이 완료되면 하우징(860)이 오픈된다. 하우징(860)이 오픈되면, 처리 공간(802) 내에는 외부 기류가 유입된다. 이로 인해, 다공성 재질로 제작된 지지 플레이트(810)를 통해 처리 공간(802) 내 유체가 배출된다. 이때, 개폐 밸브(846)가 열리고 펌프(844)를 작동시켜, 원활한 유체 배출을 도울 수 있다. 또한, 가스 공급부재(865)로 처리 공간(802) 내 가스가 유입되어, 처리 공간(802) 내 기류 변화를 촉진시킬 수 있다. 지지 플레이트(810)의 기공을 통해, 처리 공간(802) 내 유체가 지지 플레이트(810)의 전 영역을 걸쳐 배출되고, 이로 인해 지지 플레이트(810)의 온도 조절이 가능하다. 이 후, 지지 플레이트(810)가 제 2 공정을 위한 제 2 온도로 온도가 떨어지면, 제 2 그룹의 기판(W2)에 대해 제 2 공정이 수행된다. 제 2 공정은 지지 플레이트(810)가 제 2 온도로 제어되며 수행되는 공정이다. 이 때, 제 2 온도는 제 1 온도보다 낮은 온도로 제어된다. 일 예로, 제 1 공정 및 제 2 공정은 베이크 공정일 수 있다. 이 때, 제 1 공정은 약 110℃의 온도로 제어되는 공정이고, 제 2 공정은 약 90℃의 온도로 제어되는 공정일 수 있다. 지지 플레이트(810)의 전 영역에서의 유체 배출에 의해 온도 조절이 가능하므로, 보다 신속한 온도 조절이 가능하다. 또한, 기존의 냉각 유체 분사 구조 등이 불필요하게 되어 보다 간단한 구조의 레이아웃을 제공할 수 있다. 또한, 냉각 유체 누수에 따른 파티클 발생을 방지할 수 있다. First, the first process is performed on the substrate W1 of the first lot. The substrate W1 is provided on the support plate 810, and the support plate 810 is controlled to the first temperature to proceed the first process. At this time, the first temperature is provided at a high temperature. When the first process is completed, the housing 860 is opened. When the housing 860 is opened, external air flows into the processing space 802. As a result, the fluid is discharged from the processing space 802 through the support plate 810 made of a porous material. At this time, the opening and closing valve 846 is opened and the pump 844 is operated to facilitate smooth fluid discharge. Further, the gas in the processing space 802 may be introduced into the processing space 802 by the gas supply member 865, thereby promoting the change of the air flow in the processing space 802. Through the pores of the support plate 810, the fluid in the processing space 802 is discharged over the entire area of the support plate 810, thereby enabling temperature control of the support plate 810. Thereafter, if the temperature of the support plate 810 drops to the second temperature for the second process, the second process is performed on the second group of substrates W2. The second process is a process in which the support plate 810 is controlled and performed at a second temperature. At this time, the second temperature is controlled to a temperature lower than the first temperature. In one example, the first process and the second process may be a baking process. In this case, the first process may be a process controlled at a temperature of about 110 캜, and the second process may be a process controlled at a temperature of about 90 캜. The temperature can be adjusted by discharging the fluid in the entire region of the support plate 810, so that the temperature can be adjusted more quickly. Further, a conventional cooling fluid injection structure and the like are not required, and a layout of a simpler structure can be provided. In addition, it is possible to prevent the generation of particles due to leakage of the cooling fluid.

이와 달리, 도 13과 같이, 기판 처리 장치는 하우징(860)이 닫힌 상태에서, 흡입 부재(840) 및 가스 공급부재(865)로 인한 기류 변화를 일으켜 지지 플레이트(810)의 온도 조절이 가능하다. 또한, 선택적으로, 도 14와 같이, 기판 처리 장치에 흡입 부재(840)가 제공되지 않고, 하우징(860)이 개방되고 가스 공급부재(865)로 가스를 공급하여, 지지 플레이트(810)의 온도 조절이 가능하다. 또한, 도 15와 같이, 기판 처리 장치는 가스 공급부재(865)가 제공되지 않고, 하우징(860)이 개방 및 흡입부재(840)로 기류 변화를 일으켜 지지 플레이트(810)의 온도 조절이 가능하다. 이와 달리, 기판 처리 장치는 하우징(860) 개방, 흡입 부재(840), 가스 공급부재(865) 중 어느 하나만을 구비할 수 있다(도 16 내지 도 18 참조). 13, the substrate processing apparatus is capable of adjusting the temperature of the support plate 810 by causing an air flow change due to the suction member 840 and the gas supply member 865 in a state in which the housing 860 is closed . 14, a suction member 840 is not provided in the substrate processing apparatus, the housing 860 is opened, gas is supplied to the gas supply member 865, and the temperature of the support plate 810 Adjustable. 15, the substrate processing apparatus is not provided with the gas supply member 865, and the temperature of the support plate 810 can be adjusted by causing the airflow change of the housing 860 to open and the suction member 840 . Alternatively, the substrate processing apparatus may have only one of the opening of the housing 860, the suction member 840, and the gas supply member 865 (see FIGS. 16 to 18).

도 19는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(900)를 보여주는 도면이다. 도 20은 도 19의 기판 처리 장치(900)의 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 도 19의 기판 처리 장치(900)는 지지 유닛(905) 및 하우징(960)을 가진다. 지지 유닛(905)는 지지 플레이트(910), 리프트핀(920), 그리고 가열 부재(930)를 가진다. 도 19의 지지 플레이트(910), 리프트핀(920), 가열 부재(930), 그리고 하우징(960) 각각은 도 7의 지지 플레이트(810), 리프트핀(820), 가열 부재(830), 그리고 하우징(860)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 다만, 기판 처리 장치(900)는 흡입 부재를 포함하지 않는다. 19 is a view showing a substrate processing apparatus 900 according to another embodiment. 20 is a view showing another embodiment of the substrate processing apparatus 900 of FIG. The substrate processing apparatus 900 of FIG. 19 has a support unit 905 and a housing 960. The support unit 905 has a support plate 910, a lift pin 920, and a heating member 930. Each of the support plate 910, the lift pins 920, the heating member 930 and the housing 960 in Fig. 19 is formed by the support plate 810, the lift pins 820, the heating member 830, and Has substantially the same or similar structure and function as the housing (860). However, the substrate processing apparatus 900 does not include a suction member.

지지 플레이트(910)는 제 1 영역(910a) 및 제 2 영역(910b)을 가진다. 일 예로, 제 1 영역(910a)은 지지 플레이트(910)의 중앙 영역이고, 제 2 영역(910b)은 지지 플레이트(910)의 가장자리 영역일 수 있다. 이 때, 제 1 영역(910a)은 원통 형상으로 제공되고, 제 2 영역(910b)은 링 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 영역(910b)은 그 표면에 코팅막(911)을 포함한다. 일 예로, 도 19 및 도 20과 같이, 제 2 영역(910b)의 저면에 코팅막(911)이 제공될 수 있다. 따라서, 지지 플레이트(910)의 제 2 영역(910b)의 기공을 통한 기류 배출이 차단되고, 유체 배출 속도를 제어할 수 있다. 이로 인해, 지지 플레이트(910)의 온도 변화를 영역별로 제어할 수 있다. 제 1 공정이 완료되고, 하우징(960)이 열려 외류가 유입되면, 외류와 접촉 면적이 넓은 제 2 영역 (910b)은 제 1 영역(910a)에 비해 온도가 급격히 떨어진다. 따라서, 지지 플레이트(910)의 제 2 영역(910b)에 코팅막(911)을 제공함으로써, 온도 조절 속도를 제어할 수 있다. 도 19와 같이, 코팅막(911)은 제 2 영역(910b)의 하면의 복수 개의 영역에 제공될 수 있다. 반면, 도 20과 같이, 코팅막(911)은 제 2 영역(910b)의 하면 영역에 대응되게 제공될 수 있다. 선택적으로, 코팅막(911)은 제 2 영역(910b)의 전 외측 영역에 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 1 영역(910a)은 지지 플레이트(910)의 가장자리 영역이고, 제 2 영역(910b)은 지지 플레이트(910)의 중앙 영역일 수 있다. 또한, 이와 달리, 지지 플레이트(910)는 다양한 형상 및 수의 영역으로 나뉘어 제공될 수 있다. The support plate 910 has a first region 910a and a second region 910b. In one example, the first region 910a may be the central region of the support plate 910 and the second region 910b may be the edge region of the support plate 910. [ At this time, the first region 910a may be provided in a cylindrical shape, and the second region 910b may be provided in a ring shape. The second region 910b includes a coating film 911 on its surface. For example, as shown in Figs. 19 and 20, a coating film 911 may be provided on the bottom of the second region 910b. Therefore, the airflow discharge through the pores of the second region 910b of the support plate 910 is blocked, and the fluid discharge speed can be controlled. Thus, the temperature change of the support plate 910 can be controlled for each region. When the first process is completed and the housing 960 is opened and an outflow is introduced, the temperature of the second region 910b having a large contact area with the outflow is sharply lower than that of the first region 910a. Therefore, by providing the coating film 911 in the second region 910b of the support plate 910, the temperature control speed can be controlled. As shown in Fig. 19, the coating film 911 may be provided in a plurality of areas on the lower surface of the second area 910b. On the other hand, as shown in FIG. 20, the coating film 911 may be provided corresponding to the lower region of the second region 910b. Alternatively, the coating film 911 may be provided in a front outer region of the second region 910b. Alternatively, the first region 910a may be the edge region of the support plate 910 and the second region 910b may be the central region of the support plate 910. [ Alternatively, the support plate 910 may be provided divided into regions of various shapes and numbers.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 지지 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 지지 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 지지 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 지지 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포 모듈(401)의 베이크 챔버와 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a support plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the support plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the support plate 472 may be provided in a single bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only cooling plate 471, while others may only have support plate 472. Since the bake chamber 470 of the developing module 402 has the same configuration as the bake chamber of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 지지 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 지지 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 지지 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 지지 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a support plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the support plate 622 is provided with a heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element. The support plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only the support plate 622, and the other portions may include only the cooling plate 621. [

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 지지 플레이트(672)를 가진다. 지지 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a support plate 672. The support plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

810: 지지 플레이트
830: 가열부재
840: 흡입 부재
860: 하우징
865: 가스 공급부재
910: 지지 플레이트
910a: 제 1 영역
910b: 제 2 영역
911: 코팅막810: Support plate
830: heating member
840: Suction member
860: Housing
865: gas supply member
910: Support plate
910a:
910b:
911: Coating film

Claims (18)

내부에 기판에 대해 공정을 처리하는 처리공간을 제공하는 하우징; 및
상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하되,
상기 지지 유닛은,
상기 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 제공되며, 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 열 처리하는 가열부재를 포함하되,
상기 지지 플레이트는 다공성 세라믹 재질로 제공되어, 상기 처리공간 내 기류 변화에 의해 상기 처리공간 내 유체가 상기 지지 플레이트를 통해 배출되어 상기 지지 플레이트의 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치.A housing for providing a processing space for processing the substrate therein; And
And a support unit for supporting the substrate in the processing space,
The support unit includes:
A support plate for supporting the substrate;
And a heating member provided on the support plate for heat treating the substrate supported on the support plate,
Wherein the support plate is provided with a porous ceramic material so that fluid in the processing space is discharged through the support plate due to a change in air flow in the processing space to control the temperature of the support plate. 제 1 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the support plate comprises aluminum oxide (Al2O3). 제 1 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the support plate comprises aluminum nitride (AlN). 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는,
제 1 영역; 및
상기 제 1 영역과 상이한 제 2 영역을 갖되,
상기 제 2 영역은 그 표면에 상기 유체 배출을 차단하는 코팅막을 포함하는 기판 처리 장치. The method according to claim 2 or 3,
The support plate
A first region; And
And a second region different from the first region,
Wherein the second region comprises a coating film for blocking the fluid discharge on the surface thereof. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 영역은 상기 지지 플레이트의 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 지지 플레이트의 가장자리 영역인 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first region is a central region of the support plate and the second region is an edge region of the support plate. 제 5 항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 지지 플레이트의 저면이 상기 하우징으로부터 이격되어 기류 변화가 일어나는 공간을 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The support unit includes:
Further comprising: a space in which a bottom surface of the support plate is spaced from the housing and an airflow change occurs. 제 6 항에 있어서,
상기 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트를 통해 배출되는 유체의 흐름을 흡입하는 흡입 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the support unit further comprises a suction member for sucking a flow of the fluid discharged through the support plate. 제 7 항에 있어서,
상기 흡입 부재는 상기 공간에 연결되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the suction member is connected to the space. 제 8 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 처리공간 내로 가스를 공급하여 상기 처리공간 내 기류변화를 일으키는 가스 공급 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a gas supply member for supplying a gas into the processing space to cause an airflow change in the processing space. 제 1 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정은 베이크 공정인 기판 처리 장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the process is a baking process. 하우징 내 처리 공간에 제공되는 지지 플레이트에 지지된 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 제 1 그룹의 기판은 제 1 온도로 제 1 공정을 수행하고, 제 2 그룹의 기판은 상기 제 1 온도보다 낮은 온도인 제 2 온도로 제 2 공정을 수행하되, 상기 제 1 그룹의 기판에 대한 상기 제 1 공정이 완료된 이후에 상기 지지 플레이트의 온도를 상기 제 2 온도로 떨어뜨리고, 상기 지지 플레이트는 다공성 재질로 제공되어 기공을 통해 상기 처리 공간 내 유체를 배출하여 상기 지지 플레이트의 온도를 떨어뜨리는 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate supported on a support plate provided in a processing space in a housing, the first group of substrates performing a first process at a first temperature and the second group of substrates The second step is performed at a second temperature which is a low temperature, the temperature of the support plate is lowered to the second temperature after the first process for the first group of substrates is completed, and the support plate is made of a porous material Wherein a temperature of the support plate is lowered by discharging fluid in the processing space through pores. 제 11 항에 있어서,
상기 하우징은,
하부 바디 및
상기 하부 바디와 서로 조합되어 상기 처리 공간을 제공하고, 상하 이동이 가능한 상부 바디를 더 포함하고,
상기 제 1 공정이 완료되면, 상기 상부 바디가 오픈되어 상기 처리 공간 내로 외류가 유입되는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The housing includes:
The lower body and
Further comprising an upper body which is combined with the lower body to provide the processing space and is movable up and down,
Wherein when the first process is completed, the upper body is opened and an outflow is introduced into the processing space. 제 12 항에 있어서,
상기 지지 플레이트의 저면이 상기 하우징으로부터 이격되게 제공되어 형성된 공간에서 기류 변화가 일어나는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein a bottom surface of the support plate is provided so as to be spaced apart from the housing, thereby causing a change in airflow in a space formed. 제 13 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 공간에 연결되는 흡입 부재로 상기 공간 내를 흐르는 유체의 흐름을 흡입하여 배출하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the housing sucks and discharges a flow of fluid flowing through the space by a suction member connected to the space. 제 14 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 처리공간 내로 가스를 공급하여 상기 처리공간 내 기류변화를 일으키는 가스 공급 부재를 더 포함하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the housing further comprises a gas supply member for supplying a gas into the processing space to cause an airflow change in the processing space. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정은 베이크 공정인 기판 처리 방법.16. The method according to any one of claims 11 to 15,
Wherein the first step and the second step are a baking step. 제 16 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 2 영역은 그 표면을 코팅하여 상기 지지 플레이트의 유체 배출을 차단하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the support plate comprises a first region and a second region that is different from the first region, the second region coating the surface thereof to block fluid discharge of the support plate. 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 영역은 상기 지지 플레이트의 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 지지 플레이트의 가장자리 영역인 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the first region is a central region of the support plate and the second region is an edge region of the support plate.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180078899A (en) * 2016-12-30 2018-07-10 세메스 주식회사 Substrate support unit and apparatus to treat substrate including same
KR20180123963A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit
KR20190097333A (en) * 2017-02-14 2019-08-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate treating method
KR20220075872A (en) * 2020-11-30 2022-06-08 세메스 주식회사 Substrate processing member

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133197A (en) * 2001-10-25 2003-05-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device and heat treatment method
JP2005150699A (en) * 2003-10-22 2005-06-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP2007142238A (en) * 2005-11-21 2007-06-07 Nikon Corp Wafer holder, exposure apparatus and method for manufacturing device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133197A (en) * 2001-10-25 2003-05-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device and heat treatment method
JP2005150699A (en) * 2003-10-22 2005-06-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP2007142238A (en) * 2005-11-21 2007-06-07 Nikon Corp Wafer holder, exposure apparatus and method for manufacturing device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180078899A (en) * 2016-12-30 2018-07-10 세메스 주식회사 Substrate support unit and apparatus to treat substrate including same
KR20190097333A (en) * 2017-02-14 2019-08-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate treating method
US10915025B2 (en) 2017-02-14 2021-02-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method
KR20180123963A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit
KR20220075872A (en) * 2020-11-30 2022-06-08 세메스 주식회사 Substrate processing member

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