KR20180123963A - Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit - Google Patents

Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit Download PDF

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Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus for treating a substrate with heat and a heater unit manufacturing method thereof. The apparatus for treating a substrate comprises: a chamber in which a processing space is formed; and a heater unit positioned in the processing space, and supporting and heating a substrate. The heater unit includes a support plate having a first surface on which the substrate is put; and a heating wire having a shape corresponding to the first surface and heating the substrate put on the first surface, wherein the support plate is provided with a material including ceramic, and the heating wire is provided with a material including metal. Therefore, the durability of the heating wire and the support plate can be improved.

Description

기판 처리 장치 및 히터 유닛의 제조 방법{Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 이의 히터 유닛을 제작하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for heat-treating a substrate and a method of manufacturing the heater unit.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 액막을 형성하는 공정으로 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. In these processes, a coating process is used as a process of forming a liquid film on a substrate. In general, the application step is a step of applying a treatment liquid onto a substrate to form a liquid film.

기판 상에 액막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크하는 베이크 처리 공정이 진행된다. 베이크 처리 공정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시킨다.Before and after the liquid film is formed on the substrate, a baking process for baking the substrate is performed. The baking process is a process of heating the substrate at a process temperature or higher in a closed space, which blows organic substances onto the liquid film to stabilize the liquid film.

이러한 베이크 처리 공정에 사용되는 장치는 기판을 지지 및 가열하는 히터 유닛을 가진다. 히터 유닛은 지지 플레이트 및 발열체를 포함한다. 지지 플레이트는 기판을 지지하며, 발열체는 지지 플레이트에 놓여진 기판을 가열한다. 일반적으로 발열체는 지지 플레이트에 제공된다. The apparatus used in this baking process has a heater unit for supporting and heating the substrate. The heater unit includes a support plate and a heating element. The support plate supports the substrate, and the heating element heats the substrate placed on the support plate. Generally, a heating element is provided on the support plate.

발열체는 도 1과 같이 열선(4)으로 제공되며, 열선(4)은 지지 플레이트(2a)의 저면에 위치된다. 열선(4)의 아래에는 하부 플레이트(2b)가 위치된다. 즉, 열선(4)은 볼트에 의해 하부 플레이트(2b) 및 지지 플레이트(2a)에 체결된다. 열선(4)은 금속 재질로 제공되며, 제작이 용이하고 내구성이 우수한 장점을 가진다. 하부 플레이트(2b) 및 지지 플레이트(2a)는 열 팽창을 고려하여 열선(4)과 동일 또는 유사한 금속 재질로 제공된다. The heating element is provided with a heating wire 4 as shown in Fig. 1, and the heating wire 4 is positioned at a bottom surface of the supporting plate 2a. A lower plate 2b is positioned below the heat line 4. [ That is, the hot wire 4 is fastened to the lower plate 2b and the support plate 2a by bolts. The hot wire 4 is made of a metal material, and is easy to manufacture and has excellent durability. The lower plate 2b and the support plate 2a are provided with a metal material which is the same as or similar to the hot wire 4 in consideration of thermal expansion.

그러나 대기에 노출되는 지지 플레이트(2a) 및 하부 플레이트(2b)는 300℃ 이상에서 산화 및 열 변형이 발생되는 문제로 인해 베이크 처리 공정에 부적합하다.However, the support plate 2a and the lower plate 2b exposed to the atmosphere are unsuitable for the baking process due to oxidation and thermal deformation at 300 DEG C or higher.

또한 발열체는 도 2와 같이 프린트 패턴 히터(8)로 제공될 수 있으며, 프린트 패턴 히터(8)는 지지 플레이트(6)의 저면에 프린팅된다. 프린트 패턴 히터(8)는 코팅액(9)에 의해 대기의 노출이 방지되고, 지지 플레이트(6)는 세라믹을 포함하는 재질로 제공된다. 이러한 지지 플레이트(6)는 우수한 열전도율을 가지며 1000℃에서 산화 및 열 변형이 미발생되는 장점을 가진다. 2, and the print pattern heater 8 is printed on the bottom surface of the support plate 6. The print pattern heater 8 may be provided on the lower surface of the support plate 6 as shown in Fig. The print pattern heater 8 is prevented from being exposed to the atmosphere by the coating liquid 9, and the support plate 6 is provided with a material including ceramic. The support plate 6 has an excellent thermal conductivity and has an advantage that oxidation and thermal deformation are not generated at 1000 ° C.

그러나 패턴 히터(8)를 프린팅하는 제작 과정이 복잡하여 제조 시간이 늦어진다. 또한 프린팅에 따라 균일도가 달라져 기판의 균일한 베이크 공정이 어렵다. 또한 600℃ 이상에서 프린팅 히터가 산화되는 문제로 인해 수명이 낮은 단점을 가진다.However, the manufacturing process for printing the pattern heater 8 is complicated and the manufacturing time is slow. In addition, uniformity varies depending on printing, making it difficult to uniformly bake the substrate. Also, since the printing heater is oxidized at a temperature of 600 ° C or higher, the lifetime is short.

본 발명은 히터 유닛의 내구성을 향상시킬 수 있는 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a device capable of improving the durability of a heater unit and a method of manufacturing the same.

또한 본 발명은 발열체와 지지 플레이트 각각의 수명을 연장시킬 수 있는 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide a device capable of extending the life of each of the heating element and the support plate and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 이의 히터 유닛을 제작하는 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for heat treating a substrate and a method of manufacturing the heater unit.

기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버 및 상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지 및 가열하는 히터 유닛을 포함하되, 상기 히터 유닛은 기판이 놓여지는 제1면을 가지는 지지 플레이트 및 상기 제1면과 대응되는 형상을 가지며, 상기 제1면에 놓여진 기판을 가열하는 열선을 포함하되, 상기 지지 플레이트는 세라믹을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 열선은 금속을 포함하는 재질로 제공된다. The apparatus for treating a substrate includes a chamber in which a processing space is formed, and a heater unit disposed in the processing space for supporting and heating the substrate, wherein the heater unit includes: a support plate having a first surface on which the substrate is placed; And a heating wire having a shape corresponding to the first surface and heating the substrate placed on the first surface, wherein the supporting plate is provided with a material containing ceramics, and the heating wire is made of a material containing metal .

상기 지지 플레이트는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 열선은 스테인리스강(SUS) 또는 칸탈(Kanthal)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 상기 열선은 상기 제1면과 반대되는 상기 지지 플레이트의 제2면에 부착되고, 상기 히터 유닛은 상기 제2면에서 상기 열선을 코팅하는 코팅부를 더 포함하되, 상기 코팅부는 상기 지지 플레이트보다 열전도율이 낮은 재질로 제공될 수 있다.The support plate may be made of a material containing aluminum nitride (AlN), and the heat ray may be provided in a material including stainless steel (SUS) or Kanthal. The heating unit may further include a coating unit for coating the hot wire on the second surface, the coating unit having a thermal conductivity higher than that of the support plate, It can be provided with low material.

상기 열선은 제1온도 또는 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 발열되고, 상기 열선은 접착제에 의해 상기 제2면에 부착되되, 상기 접착제는 상기 열선의 발열 온도에 의해 서로 다른 재질로 제공될 수 있다. The hot wire is heated to a first temperature or a second temperature higher than the first temperature, and the hot wire is attached to the second surface by an adhesive, wherein the adhesive is provided in different materials depending on a heating temperature of the hot wire .

상기 열선이 상기 제1온도로 발열될 때에는 상기 접착제가 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 열선이 상기 제2온도로 발열될 때에는 상기 접착제가 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. Wherein when the heat ray is generated at the first temperature, the adhesive is provided as a material including aluminum nitride (AlN), and when the heat ray is generated at the second temperature, the adhesive is made of a material containing zirconium oxide Lt; / RTI >

상기 코팅부는 칼슘알루니노실리케이트(CaAl2Si2O8), 셀시안(Celsian), 물라이트(Mulite), 그리고 산화 지르코늄(ZrO2) 중 하나를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The coating portion may be provided as a material containing one of calcium aluminosilicate (CaAl 2 Si 2 O 8 ), Celsian, Mulite, and zirconium oxide (ZrO 2 ).

또한 기판을 지지하고 가열하는 히터 유닛을 제조하는 방법으로는 상기 기판이 놓이는 제1면 및 상기 제1면의 반대측에 제공되는 제2면을 가지는 지지 플레이트와 상기 제2면과 대응되는 형상을 가지며 기판을 가열하는 열선을 가지는 히터 유닛을 제조하되, 상기 열선은 접착제에 의해 상기 제2면에 부착되되, 상기 지지 플레이트는 세라믹을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 열선은 금속을 포함하는 재질로 제공된다. A method of manufacturing a heater unit for supporting and heating a substrate includes a supporting plate having a first surface on which the substrate is placed and a second surface provided on the opposite side of the first surface and a shape corresponding to the second surface, A method of manufacturing a heater unit having a heating wire for heating a substrate, the heating wire being attached to the second surface by an adhesive, wherein the supporting plate is made of a material containing ceramics, and the heating wire is made of a material containing metal do.

상기 접착제는 상기 기판을 가열하는 온도에 의해 서로 다른 재질이 제공될 수 있다. 상기 기판은 제1온도 또는 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열되고, 상기 기판이 상기 제1온도로 가열될 때에는 상기 접착제가 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되며, 상기 기판이 상기 제2온도로 가열될 때에는 상기 접착제가 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The adhesive may be provided with different materials depending on the temperature at which the substrate is heated. Wherein the substrate is heated to a first temperature or a second temperature higher than the first temperature and when the substrate is heated to the first temperature the adhesive is provided in a material comprising aluminum nitride (AlN) When heated to the second temperature, the adhesive may be provided as a material containing zirconium oxide (ZrO 2).

본 발명의 실시예에 의하면, 지지 플레이트는 세라믹 재질을 포함하고, 열선은 금속 재질을 포함한다. 이로 인해 열선 및 지지 플레이트의 내구성을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the support plate includes a ceramic material, and the heat wire includes a metal material. This can improve the durability of the heat ray and the support plate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 열선은 이보다 열 전도율이 낮은 재질로 코팅된다. 이로 인해 열 손실을 방지하며, 열선이 대기에 노출되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the hot wire is coated with a material having a lower thermal conductivity. This prevents heat loss and prevents heat rays from being exposed to the atmosphere.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 열선은 접착제에 의해 지지 플레이트에 부착되되, 접착제는 열선이 제1온도로 발열될 때 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공된다. 이로 인해 열선과 지지 플레이트 간의 열 전도를 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the hot wire is attached to the support plate by an adhesive, wherein the adhesive is provided with a material containing aluminum nitride (AlN) when the hot wire is heated to the first temperature. This can increase the heat conduction between the heat line and the support plate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 접착제는 열선이 제1온도보다 높은 제2온도로 발열될 때 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공된다. 이로 인해 열선의 열 팽창으로 인한 히터 유닛의 수명 감축을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the adhesive is provided with a material containing zirconium oxide (ZrO 2) when the heat ray is generated at a second temperature higher than the first temperature. Thus, it is possible to prevent the life of the heater unit from being reduced due to thermal expansion of the heat ray.

도 1은 일반적으로 열선이 사용되는 히터 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 일반적으로 프린트된 패턴 히터가 사용되는 히터 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 히터 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 10의 히터 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 11의 열선을 보여주는 사시도이다.
도 13은 도 11의 히터 유닛을 제조하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 14는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a sectional view showing a heater unit in which a heat wire is generally used.
2 is a cross-sectional view showing a heater unit in which a pattern heater, which is generally printed, is used.
3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the development block of Fig. 3;
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of Fig.
FIG. 6 is a view showing an example of a hand of the carrying robot of FIG. 5;
FIG. 7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5; FIG.
8 is a front view of the heat treatment chamber of Fig.
9 is a sectional view showing the heating unit of Fig.
10 is a plan view showing the heater unit of FIG.
11 is a cross-sectional view showing the heater unit of Fig.
FIG. 12 is a perspective view showing the heat line of FIG. 11. FIG.
13 is a flowchart showing a process of manufacturing the heater unit of FIG.
14 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. The shape of the elements in the figures is therefore exaggerated to emphasize a clearer description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.FIG. 3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 3, Fig.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. The direction in which the index module 20, the processing module 30 and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above A direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 conveys the substrate W from the container 10 housing the substrate W to the processing module 30 and stores the processed substrate W in the container 10. [ The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. With reference to the index frame 24, the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30. The container 10 in which the substrates W are housed is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealing container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 10 can be placed on the load port 22 by conveying means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle or by an operator. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Inside the index frame 24, an index robot 2200 is provided. The index frame 24 is provided with a guide rail 2300 whose longitudinal direction is provided in the second direction 14 and the index robot 2200 can be provided movably on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed and the hand 2220 is moved forward and backward, rotated about the third direction 16 and rotated in the third direction 16 And can be provided to be movable along.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. [ The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process with respect to the substrate W and the developing block 30b performs a developing process with respect to the substrate W. [ A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of development blocks 30b are provided, and the development blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed under the development blocks 30b. According to one example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and can be provided with the same structure. Further, the two developing blocks 30b perform the same process and can be provided with the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to Fig. 5, the application block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. [ The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transport chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422. [ The transport robot 3422 transports the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid processing chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to one example, the carrying robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 is moved forward and backward, rotated about the third direction 16, (Not shown). A guide rail 3300 is provided in the transport chamber 3400 so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 and the transport robot 3422 can be provided movably on the guide rail 3300 .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 6 is a view showing an example of a hand of the carrying robot of FIG. 5; Referring to Fig. 6, the hand 3420 has a base 3428 and a support projection 3429. Fig. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. [ Support protrusions 3429 extend from base 3428 inwardly thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support the edge region of the substrate W. [ According to one example, four support protrusions 3429 may be provided at regular intervals.

다시 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring again to Figures 4 and 5, a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. FIG. 7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. The heat treatment chamber 3200 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveyance plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. On the side wall of the housing 3210, an inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. The inlet opening can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the inlet. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the transfer plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided along the second direction 14 side by side. According to one example, the cooling unit 3220 may be positioned closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from above. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. [ According to one example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and can be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 9는 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 히터 유닛(1200), 그리고 배기 유닛(1500)을 포함한다. The heating unit 3230 is provided to the apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than normal temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at a normal pressure or lower. 9 is a sectional view showing the heating unit of Fig. Referring to Fig. 9, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a heater unit 1200, and an exhaust unit 1500.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided with an outer and an interrupted space. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. An exhaust hole 1122 and an inlet hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. An exhaust hole 1122 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. The inlet holes 1124 are provided so as to be spaced apart from each other, and are arranged to surround the exhaust holes 1122. The inlet holes 1124 introduce external airflow into the processing space 1110. According to one example, the number of the inlet holes 1124 is four, and the external air flow may be air.

선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Alternatively, the inlet holes 1124 may be provided in three or more than five, or the outside air may be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member 1130 and the other is fixed in position. In the present embodiment, it is assumed that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are separated from each other and the processing space 1110 is opened. The cutoff position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. A sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 are in contact with each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

히터 유닛(1200)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지 및 가열한다. 히터 유닛(1200)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 히터 유닛(1200)은 지지 플레이트(1220), 리프트 핀(1340), 지지핀(1360), 가이드(1380), 열선(1240), 그리고 코팅부(1260)를 포함한다. The heater unit 1200 supports and heats the substrate W in the processing space 1110. The heater unit 1200 is fixedly coupled to the lower body 1140. The heater unit 1200 includes a support plate 1220, a lift pin 1340, a support pin 1360, a guide 1380, a heat wire 1240, and a coating unit 1260.

도 10은 도 9의 히터 유닛을 보여주는 평면도이고, 도 11은 도 10의 히터 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1220)는 열선로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1220)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1220)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1220)의 상면은 기판(W)이 놓이는 제1면으로 제공된다. 제1면에는 복수의 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 제1면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 제1면과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. FIG. 10 is a plan view showing the heater unit of FIG. 9, and FIG. 11 is a sectional view showing the heater unit of FIG. Referring to FIGS. 8 and 9, the support plate 1220 transmits heat generated from the heat wire to the substrate W. FIG. The support plate 1220 is provided in the shape of a circular plate. The upper surface of the support plate 1220 has a larger diameter than the substrate W. [ The upper surface of the support plate 1220 is provided as a first surface on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 and vacuum holes 1326 are formed on the first surface. The lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are located in different areas from each other. The lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are arranged so as to surround the center of the first surface, respectively. Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Each of the vacuum holes 1326 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Vacuum holes 13260 provide a negative pressure between the first surface and the substrate W to vacuum adsorb the substrate W. [ For example, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 may be arranged so as to have an annular ring shape in combination with each other. The lift holes 1322 are spaced equidistantly from each other, and the vacuum holes 1326 can be spaced equidistantly from each other.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1220)는 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1220)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, three lift holes 1322 and one vacuum hole 1326 may be provided. The support plate 1220 may be provided with a material containing ceramics. The support plate 1220 may be provided with a material containing aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1220) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 제1면보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 제1면과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pins 1340 move the substrate W up and down on the support plate 1220. A plurality of lift pins 1342 are provided, and each of the lift pins 1342 is provided in the form of a vertically-oriented pin. A lift pin 1340 is located in each lift hole 1322. A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between a lift position and a lift position. Here, the lift position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the first face, and the lower position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is the same as or lower than the first face. The driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 제1면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 제1면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pins 1360 prevent direct contact of the substrate W with the first surface. The support pin 1360 is provided in the shape of a pin having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, and each of them is fixed to the first surface. Support pins 1360 are positioned to protrude upward from seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex shape. The contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 제1면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1220)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 제1면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.Guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is in place. Guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the first surface. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. [ The inner surface of the guide 1380 has a downwardly inclined shape as it approaches the central axis of the support plate 1220. The substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position along the inclined surface. Also, the guide 1380 can prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the first surface.

열선(1240)은 지지 플레이트(1220)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 도 12는 도 11의 열선을 보여주는 사시도이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 열선(1240)은 지지 플레이트(1220)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 열선(1240)은 상면 및 저면이 각각 편평한 판 형상으로 제공된다. 열선(1240)은 지지 플레이트(1220)에 대응되는 크기를 가지며, 지지 플레이트(1220)의 제1면과 반대되는 제2면에 부착된다. 즉 열선(1240)은 지지 플레이트(1220)의 저면에 부착된다. 열선(1240)은 접착제(1250)에 의해 제2면에 부착된다. 접착제(1250)는 세라믹을 포함하는 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 접착제(1250)는 열선(1240)의 발열 온도에 따라 종류가 상이하게 제공될 수 있다. 열선(1240)은 제1온도 또는 이보다 높은 제2온도로 발열될 수 있다. 제1온도는 400℃ 또는 600℃ 일 수 있다. The heat line 1240 heats the substrate W placed on the support plate 1220. FIG. 12 is a perspective view showing the heat line of FIG. 11. FIG. Referring to Figures 11 and 12, the hot wire 1240 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1220. The heat line 1240 is provided in the form of a flat plate having an upper surface and a lower surface, respectively. The hot wire 1240 has a size corresponding to the support plate 1220 and is attached to a second side of the support plate 1220 opposite the first side. That is, the heat wire 1240 is attached to the bottom surface of the support plate 1220. The hot wire 1240 is attached to the second side by an adhesive 1250. The adhesive 1250 is provided as a material containing ceramics. According to one example, the adhesive 1250 may be provided differently depending on the heat generation temperature of the heat ray 1240. The hot wire 1240 may generate heat at a first temperature or a second temperature higher. The first temperature may be 400 ° C or 600 ° C.

열선(1240)의 발열 온도가 제1온도를 가지는 경우에는 열선(1240)과 지지 플레이트(1220) 간의 열전도율을 향상시키고자, 접착제(1250)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The adhesive 1250 may be provided with a material containing aluminum nitride (AlN) to improve the thermal conductivity between the heat ray 1240 and the support plate 1220 when the heat temperature of the heat ray 1240 has the first temperature have.

이와 달리, 열선(1240)의 발열 온도가 제2온도를 가지는 경우에는 열선(1240)과 지지 플레이트(1220) 간의 열팽창율을 고려하여 접착제(1250)는 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 이로 인해 히터 유닛(1200)의 수명을 연장시킬 수 있다.The adhesive 1250 may be made of a material containing zirconium oxide (ZrO 2) in consideration of the thermal expansion coefficient between the heat ray 1240 and the support plate 1220 when the heat temperature of the heat ray 1240 has the second temperature . Thus, the life of the heater unit 1200 can be prolonged.

열선(1240)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 열선(1240)은 스테인리스강(SUS) 또는 칸탈(Kanthal)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The hot wire 1240 may be provided of a material containing a metal. The hot wire 1240 may be provided with a material including stainless steel (SUS) or Kanthal.

코팅부(1260)는 열선(1240)이 처리 공간(1110)에 노출되는 것을 방지한다. 코팅부(1260)는 열선(1240)을 코팅한다. 열선(1240)은 코팅부(1260)의 코팅에 의해 절연 및 산화 방지될 수 있다. 코팅부(1260)는 지지 플레이트(1220)보다 열 전도율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 이로 인해 열선(1240)의 열손실을 최소화할 수 있다. 예컨대, 코팅부(1260)는 칼슘알루니노실리케이트(CaAl2Si2O8), 셀시안(Celsian), 물라이트(Mulite), 그리고 산화 지르코늄(ZrO2) 중 하나를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The coating portion 1260 prevents the heat ray 1240 from being exposed to the processing space 1110. Coating portion 1260 coats hot wire 1240. The hot wire 1240 may be insulated and prevented from oxidation by coating of the coating portion 1260. The coating portion 1260 may be provided with a material having a thermal conductivity lower than that of the support plate 1220. This can minimize the heat loss of the hot wire 1240. For example, the coating portion 1260 may be provided with a material comprising one of calcium aluminosilicate (CaAl 2 Si 2 O 8 ), Celsian, Mulite, and zirconium oxide (ZrO 2 ) have.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the inside of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540. The exhaust pipe 1530 has a tubular shape that is vertically oriented in the longitudinal direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to pass through the upper wall of the upper body 1120. According to one example, the exhaust pipe 1530 can be positioned so as to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the process space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the process space 1110. A decompression member 1560 is connected to an upper end of the exhaust pipe 1530. The decompression member 1560 decompresses the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere in the process space 1110 is exhausted sequentially through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530.

안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1220)의 상부에서 지지 플레이트(1220)의 제1면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 at its center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the inside of the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned to face the first surface of the support plate 1220 at the top of the support plate 1220. The guide plate 1540 is positioned higher than the lower body 1140. According to one example, the guide plate 1540 can be positioned at a height that faces the upper body 1120. The guide plate 1540 is positioned to overlap with the inlet hole 1124 and has a diameter that is spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. [ A gap is created between the side edge of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120 and the gap is provided to the flow path through which the airflow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

다음은 상술한 히터 유닛(1200)을 제조하는 방법을 설명한다. 도 13은 도 11의 히터 유닛(1200)을 제조하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 13을 참조하면, 열선(1240)는 지지 플레이트(1220)와 별도로 제작된다. 열선(1240)은 접착제(1250)에 의해 지지 플레이트(1220)의 제2면에 접착된다. 접착제(1250)는 히터 유닛(1200)의 용도에 따라 종류가 상이한 재질로 제공될 수 있다. 열선(1240)이 지지 플레이트(1220)에 부착되면, 열선(1240) 및 지지 플레이트(1220)의 제2면에는 코팅막을 형성한다. 열선(1240)에 코팅막이 형성됨에 따라 열선(1240)이 대기에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해 열선(1240)을 절연하고, 산화되는 방지할 수 있다. 또한 열선(1240)로부터 발생된 열이 지지 플레이트(1220)가 아닌 다른 영역으로 열손실되는 것을 방지할 수 있다. The following describes a method of manufacturing the heater unit 1200 described above. 13 is a flowchart showing a process of manufacturing the heater unit 1200 of FIG. Referring to FIG. 13, the heat wire 1240 is manufactured separately from the support plate 1220. The hot wire 1240 is bonded to the second side of the support plate 1220 by an adhesive 1250. The adhesive 1250 may be provided in a different material depending on the use of the heater unit 1200. When the heating wire 1240 is attached to the supporting plate 1220, a coating film is formed on the second surface of the heating wire 1240 and the supporting plate 1220. As the coating film is formed on the hot wire 1240, the hot wire 1240 can be prevented from being exposed to the atmosphere. As a result, the heat ray 1240 can be insulated and prevented from being oxidized. Also, it is possible to prevent heat generated from the heat line 1240 from being lost to a region other than the support plate 1220.

상술한 실시예에 의하면, 지지 플레이트(1220)는 세라믹 재질로 제공되므로, 금속 재질보다 높은 내구성을 가진다. 또한 열선(1240)은 지지 플레이트(1220)와 독립되게 제작되므로, 지지 플레이트(1220)에 패턴 발열체를 프린트하는 프린팅 패턴 발열체에 비해 제작 난이도 및 비용이 낮다. According to the above-described embodiment, since the support plate 1220 is made of a ceramic material, it has higher durability than a metal material. In addition, since the heating wire 1240 is manufactured independently of the supporting plate 1220, the manufacturing difficulty and cost are lower than the printing pattern heating element that prints the pattern heating element on the supporting plate 1220.

또한 열선(1240)과 지지 플레이트(1220) 간의 열 전도율 또는 열 팽창율을 고려하여 기판의 가열 온도에 따라 접착제(1250)의 재질을 달리한다. 이로 인해 열선(1240)과 지지 플레이트(1220) 간의 열 전도율을 높이거나, 이들의 장기적 수명을 기대할 수 있다.The material of the adhesive 1250 is varied according to the heating temperature of the substrate in consideration of the thermal conductivity or the coefficient of thermal expansion between the heat line 1240 and the support plate 1220. As a result, the heat conductivity between the heat line 1240 and the support plate 1220 can be increased, and their long-term service life can be expected.

다시 도 7 및 도 8을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring again to Figures 7 and 8, the transport plate 3240 is provided with a generally disc shape and has a diameter corresponding to the substrate W. [ A notch 3244 is formed at the edge of the transport plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the projection 3429 formed in the hand 3420 of the above-described conveying robots 3422 and 3424. [ The notch 3244 is provided at a position corresponding to the projection 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the projection 3429. [ When the positions of the hand 3420 and the transfer plate 3240 are changed in the vertical and horizontal positions of the hand 3420 and the transfer plate 3240, the position of the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 Delivery is done. The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and can be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by the driver 3246. [ A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the transport plate 3240. The guide groove 3242 extends from the end of the conveying plate 3240 to the inside of the conveying plate 3240. The guide grooves 3242 are provided along the second direction 14 and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12. [ The guide grooves 3242 prevent the transport plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when transferring the substrate W between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1220) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1220 and the cooling of the substrate W is carried out in such a manner that the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed is cooled by the cooling plate 3222, As shown in Fig. The transfer plate 3240 is provided with a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W can be performed well. According to one example, the transport plate 3240 may be provided of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in the heat treatment chamber of some of the heat treatment chambers 3200 can supply gas during the heating of the substrate W to improve the rate of adhesion of the substrate W to the photoresist. According to one example, the gas may be a hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at a location adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid processing chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602 (front liquid treating chambers). The other part of the liquid processing chambers 3600 is provided at a position adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid processing chambers are referred to as a rear heat treating chamber 3604 (rear heat treating chamber).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The shear solution processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W and the posterior solution processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. [ The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquids. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist can be applied on the substrate W coated with the anti-reflection film. Alternatively, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflective film. In this case, the antireflection film may be coated on the substrate W coated with the photoresist. Optionally, the first liquid and the second liquid are the same kind of liquid, and they may all be photoresist.

도 14는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 14를 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 14 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of Fig. 14, the liquid processing chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. On the side wall of the housing 3610, an inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. The inlet port can be opened and closed by a door (not shown). A cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. On the upper wall of the housing 3610, a fan filter unit 3670 forming a downward flow in the housing 3260 may be provided. The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. [ The supporting unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during the liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring again to Figures 4 and 5, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as front buffer 3802 (front buffer). The plurality of pre-stage buffers 3802 are provided and stacked on each other along the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40. [ These buffer chambers are referred to as a rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plural and are stacked on each other along the vertical direction. Each of the pre-stage buffers 3802 and the post-stage buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the pre-stage buffer 3802 is carried in or out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear stage buffer 3804 is carried in or out by the transport robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The development block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid processing chamber 3600. [ The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400 and the liquid treatment chamber 3600 of the development block 30b are connected to the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400 and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a. ), Which is similar to that of the first embodiment. However, in the developing block 30b, the liquid processing chambers 3600 are all provided to the developing chamber 3600 which supplies the same developing solution to develop the substrate.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional processing chamber 4200, an interface buffer 4400, and a carrying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.At the upper end of the interface frame 4100, a fan filter unit may be provided which forms a downward flow inside. The additional processing chamber 4200, the interface buffer 4400, and the carrying member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 can perform a predetermined additional process before the substrate W completed in the application block 30a is transferred to the exposure apparatus 50. [ Alternatively, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is brought into the developing block 30b. According to one example, the additional process may be an edge exposure process for exposing the edge region of the substrate W, or an upper surface cleaning process for cleaning the upper surface of the substrate W or a lower surface cleaning process for cleaning the lower surface of the substrate W . A plurality of additional processing chambers 4200 are provided, and they may be provided to be stacked on each other. Additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transported between the application block 30a, the additional processing chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the development block 30b temporarily remains during transportation. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to one example, the additional processing chamber 4200 may be disposed on one side of the longitudinal extension of the transfer chamber 3400, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transporting member 4600 transports the substrate W between the coating block 30a, the additional processing chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The carrying member 4600 may be provided with one or a plurality of robots. According to one example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional processing chamber 4200 and the interface buffer 4400. The interface robot 4606 transfers the substrate W between the interface buffer 4400 and the exposure apparatus 50 and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed and the hand is moved forward and backward, a rotation about an axis parallel to the third direction 16, Can be provided movably along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602 and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the conveying robots 3422 and 3424. The hand of the robot that selectively transfers the substrate W directly to the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422 and 3424, . ≪ / RTI >

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly send and receive the substrate W to and from the heating unit 3230 of the front end heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. The transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the development block 30b may be provided to transfer the substrate W directly to and from the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200. [

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate by using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process S20, an edge exposure process S40, an exposure process S60, and a development process S80 are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment step S20 includes a heat treatment step S21 in the heat treatment chamber 3200, an antireflection film coating step S22 in the shear solution treatment chamber 3602, a heat treatment step S23 in the heat treatment chamber 3200, The photoresist film coating step S24 in the chamber 3604, and the heat treatment step S25 in the heat treatment chamber 3200 in this order.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. [ The substrate W carries the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. [ When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 returns the substrate to the cooling unit 3220. [ The transfer plate 3240 contacts the cooling unit 3220 in a state of supporting the substrate W to perform the cooling process of the substrate W. [ When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220 and the transfer robot 3422 transfers the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end solution processing chamber 3602 Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An antireflection film is coated on the substrate W in the shearing solution treatment chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the front end solution processing chamber 3602 and loads the substrate W into the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, the above-described heating process and cooling process are sequentially performed. When each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the post-stage liquid processing chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is coated on the substrate W in the rear end solution processing chamber 3604.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the rear stage liquid processing chamber 3604 and carry the substrate W into the heat treatment chamber 3200. [ The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200. When each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear stage buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 takes out the substrate W from the rear stage buffer 3804 and transfers it to the auxiliary processing chamber 4200. [

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the sub-process chamber 4200. [

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary processing chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development processing step S80 is performed by sequentially performing the heat treatment step S81 in the heat treatment chamber 3200, the developing step S82 in the liquid treatment chamber 3600, and the heat treatment step S83 in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, An example of the conveying path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described below.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 takes out the substrate W from the exposure apparatus 50 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400. [

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 carries the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear stage buffer 3804. The carrying robot 3422 carries the substrate W from the rear stage buffer 3804 and transports the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is conveyed to the developing chamber 3600 by the conveying robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. In the developing chamber 3600, a developing solution is supplied onto the substrate W to perform a developing process.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is taken out of the developing chamber 3600 by the carrying robot 3422 and brought into the heat treatment chamber 3200. The substrate W is subjected to a heating process and a cooling process in sequence in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out of the wafer W in the heat treatment chamber 3200 by the carrying robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes the substrate W from the front end buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.Described processing block of the substrate processing apparatus 1 is described as performing the coating processing process and the developing processing process. However, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating processing step, and the film to be coated on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description discloses preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

1200: 히터 유닛 1220: 지지 플레이트
1240: 열선 1260: 코팅부
1340: 리프트 핀 1360: 지지핀
1380: 가이드1200: heater unit 1220: support plate
1240: Hot wire 1260: Coating part
1340: Lift pin 1360: Support pin
1380: Guide

Claims (9)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간이 형성되는 챔버와;
상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지 및 가열하는 히터 유닛을 포함하되,
상기 히터 유닛은,
기판이 놓여지는 제1면을 가지는 지지 플레이트와;
상기 제1면과 대응되는 형상을 가지며, 상기 제1면에 놓여진 기판을 가열하는 열선을 포함하되,
상기 지지 플레이트는 세라믹을 포함하는 재질로 제공되고,
상기 열선은 금속을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A chamber in which a processing space is formed;
And a heater unit positioned in the processing space for supporting and heating the substrate,
The heater unit includes:
A support plate having a first surface on which a substrate is placed;
A heating wire having a shape corresponding to the first surface and heating the substrate placed on the first surface,
Wherein the support plate is provided with a material including a ceramic,
Wherein the hot wire is provided as a material containing a metal. 제1항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되고,
상기 열선은 스테인리스강(SUS) 또는 칸탈(Kanthal)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The support plate is provided with a material containing aluminum nitride (AlN)
Wherein the heating wire is made of a material including stainless steel (SUS) or cantalum (Kanthal). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 열선은 상기 제1면과 반대되는 상기 지지 플레이트의 제2면에 부착되고,
상기 히터 유닛은,
상기 제2면에서 상기 열선을 코팅하는 코팅부를 더 포함하되,
상기 코팅부는 상기 지지 플레이트보다 열전도율이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The hot wire is attached to a second surface of the support plate opposite to the first surface,
The heater unit includes:
And a coating unit coating the hot wire on the second surface,
Wherein the coating portion is provided with a material having a thermal conductivity lower than that of the support plate. 제3항에 있어서,
상기 열선은 제1온도 또는 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 발열되고,
상기 열선은 접착제에 의해 상기 제2면에 부착되되,
상기 접착제는 상기 열선의 발열 온도에 의해 서로 다른 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the heat ray is generated at a first temperature or a second temperature higher than the first temperature,
The hot wire is attached to the second surface by an adhesive,
Wherein the adhesive is provided in a different material depending on a heat generation temperature of the hot wire. 제4항에 있어서,
상기 열선이 상기 제1온도로 발열될 때에는 상기 접착제가 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되고,
상기 열선이 상기 제2온도로 발열될 때에는 상기 접착제가 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
When the hot wire is heated to the first temperature, the adhesive is provided in a material containing aluminum nitride (AlN)
Wherein the adhesive is provided as a material including zirconium oxide (ZrO 2 ) when the hot wire generates heat at the second temperature. 제3항에 있어서,
상기 코팅부는 칼슘알루니노실리케이트(CaAl2Si2O8), 셀시안(Celsian), 물라이트(Mulite), 그리고 산화 지르코늄(ZrO2) 중 하나를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The coating unit substrate processing apparatus is provided from a material containing one of a calcium aluminate silicate Nino (CaAl 2 Si 2 O 8) , cyan cell (Celsian), mullite (Mulite), and zirconium oxide (ZrO 2). 기판을 지지하고 가열하는 히터 유닛을 제조하는 방법에 있어서,
상기 기판이 놓이는 제1면 및 상기 제1면의 반대측에 제공되는 제2면을 가지는 지지 플레이트와 상기 제2면과 대응되는 형상을 가지며 기판을 가열하는 열선을 가지는 히터 유닛을 제조하되,
상기 열선은 접착제에 의해 상기 제2면에 부착되되,
상기 지지 플레이트는 세라믹을 포함하는 재질로 제공되고,
상기 열선은 금속을 포함하는 재질로 제공되는 히터 유닛의 제조 방법.A method of manufacturing a heater unit for supporting and heating a substrate,
A support plate having a first surface on which the substrate is placed and a second surface provided on the opposite side of the first surface, and a heater wire having a shape corresponding to the second surface and heating the substrate,
The hot wire is attached to the second surface by an adhesive,
Wherein the support plate is provided with a material including a ceramic,
Wherein the heating wire is made of a material containing a metal. 제7항에 있어서,
상기 접착제는 상기 기판을 가열하는 온도에 의해 서로 다른 재질이 제공되는 히터 유닛의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the adhesive is provided with different materials by a temperature for heating the substrate. 제8항에 있어서,
상기 기판은 제1온도 또는 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열되고,
상기 기판이 상기 제1온도로 가열될 때에는 상기 접착제가 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되고,
상기 기판이 상기 제2온도로 가열될 때에는 상기 접착제가 산화 지르코늄(ZrO2)을 포함하는 재질로 제공되는 히터 유닛의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the substrate is heated to a first temperature or a second temperature higher than the first temperature,
Wherein when the substrate is heated to the first temperature, the adhesive is provided in a material comprising aluminum nitride (AlN)
Wherein the adhesive is provided as a material including zirconium oxide (ZrO 2) when the substrate is heated to the second temperature.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220024313A (en) * 2019-12-05 2022-03-03 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR20220043639A (en) * 2020-09-29 2022-04-05 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR20220056663A (en) * 2020-10-28 2022-05-06 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrates

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101162347B1 (en) * 2009-01-26 2012-07-04 트리오 세라믹스 가부시키가이샤 Curable inorganic composition
KR20130015544A (en) * 2011-08-04 2013-02-14 주식회사 에스제이씨 Thermal conductive adhesive
KR20140019683A (en) * 2012-08-07 2014-02-17 주식회사 솔라웨이 Heater and method for manufacturing the same
KR20160017780A (en) * 2014-08-04 2016-02-17 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and method
KR101658392B1 (en) * 2015-08-13 2016-09-21 김세영 heating element manufacturing method and the heating element thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101162347B1 (en) * 2009-01-26 2012-07-04 트리오 세라믹스 가부시키가이샤 Curable inorganic composition
KR20130015544A (en) * 2011-08-04 2013-02-14 주식회사 에스제이씨 Thermal conductive adhesive
KR20140019683A (en) * 2012-08-07 2014-02-17 주식회사 솔라웨이 Heater and method for manufacturing the same
KR20160017780A (en) * 2014-08-04 2016-02-17 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and method
KR101658392B1 (en) * 2015-08-13 2016-09-21 김세영 heating element manufacturing method and the heating element thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220024313A (en) * 2019-12-05 2022-03-03 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR20220043639A (en) * 2020-09-29 2022-04-05 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR20220056663A (en) * 2020-10-28 2022-05-06 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrates

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