KR20200042255A

KR20200042255A - Method for cooling hot plate, Apparatus and Method for treating substrate

Info

Publication number: KR20200042255A
Application number: KR1020180122610A
Authority: KR
Inventors: 정성철; 오두영; 한상복
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2018-10-15
Filing date: 2018-10-15
Publication date: 2020-04-23
Also published as: KR102386210B1; CN111048444A

Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus for heat-treating a substrate and a method for cooling a heating plate of the apparatus. The method for cooling a heating plate, which is arranged in a treatment space of a chamber to heat the substrate, removes the substrate from the treatment space, opens the treatment space, and allows air current formed outside of the treatment space to be introduced into the treatment space to cool the heating plate. Therefore, the cooling time of the heating plate can be shortened.

Description

Heating plate cooling method and substrate processing apparatus and method {Method for cooling hot plate, Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 그 장치의 가열 플레이트를 냉각하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for heat treating a substrate and a method for cooling the heating plate of the apparatus.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a photo process includes a process of forming a liquid film such as a photosensitive liquid on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는, 기판을 가열하여 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시키는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 가열 플레이트에 기판을 올려놓고, 기판을 상온에 비해 매우 높은 온도로 가열하는 공정을 포함한다.After forming the liquid film on the substrate, a baking process is performed in which the substrate is heated to blow organic substances on the liquid film to stabilize the liquid film. The baking process involves placing a substrate on a heating plate and heating the substrate to a very high temperature compared to room temperature.

이러한 가열 공정은 고온으로 인한 열변형 및 손상 등을 주기적으로 확인하고, 유지 보수해야한다. 따라서 일정 매의 기판들에 대한 베이크 공정이 완료되거나 일정 주기에 도달되면, 가열 플레이트를 냉각시키고, 가열 플레이트와 이의 주변 장치에 대한 손상 확인 및 유지 보수를 진행한다.Such a heating process should periodically check and maintain heat deformation and damage due to high temperature. Therefore, when the baking process for a certain number of substrates is completed or a certain cycle is reached, the heating plate is cooled, and damage check and maintenance for the heating plate and its peripheral devices are performed.

그러나 가열 플레이트를 자연 냉각하는 데에는 적어도 수 시간을 필요로 한다. 이로 인해 가열 플레이트의 냉각 시간을 단축하고자, 가열 플레이트에 상온의 기판 또는 지그를 강제 접촉시키는 방안이 제기되었다. 그러나 가열 플레이트는 냉각되는 과정에서 수축과 같은 열변형이 발생되며, 이는 냉매 기능을 수행하는 기판을 손상시킨다.However, it takes at least several hours to naturally cool the heating plate. For this reason, in order to shorten the cooling time of the heating plate, a method for forcibly contacting the substrate or jig at room temperature has been proposed. However, the heat plate undergoes thermal deformation such as shrinkage in the process of being cooled, which damages the substrate performing the refrigerant function.

한국 등록 특허 10-1605721Korean Registered Patent 10-1605721

본 발명은 가열 플레이트의 냉각 시간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of shortening the cooling time of a heating plate.

또한 본 발명은 별도의 추가되는 장치의 설치없이 가열 플레이트의 냉각 속도를 향상시킬 수있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of improving the cooling rate of a heating plate without installing a separate additional device.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 그 장치의 가열 플레이트를 냉각하는 방법을 제공한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus for heat treating a substrate and a method for cooling the heating plate of the apparatus.

챔버의 처리 공간 내에 배치되어 기판을 가열 처리하는 가열 플레이트를 냉각하는 방법으로는, 상기 처리 공간에서 상기 기판을 제거한 후에, 상기 처리 공간을 개방시키고, 상기 처리 공간의 외부에 형성된 기류가 상기 처리 공간 내에 유입되어 상기 가열 플레이트를 냉각한다. As a method of cooling a heating plate disposed in a processing space of a chamber to heat a substrate, after removing the substrate from the processing space, the processing space is opened, and airflow formed outside the processing space is the processing space It flows in and cools the heating plate.

상기 가열 플레이트를 냉각할 때와 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리할 때에 상기 기류의 유속은 상이하게 제공될 수 있다. 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에 상기 기류의 유속은 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리할 때보다 크게 제공될 수 있다.The flow rate of the air flow may be provided differently when cooling the heating plate and when processing the substrate in the processing space. When cooling the heating plate, the flow rate of the air flow may be provided larger than when processing the substrate in the processing space.

상기 처리 공간은 상부 바디와 하부 바디의 조합에 의해 형성되고, 상기 처리 공간의 개폐는 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디의 승하강에 의해 이루어지며, 상기 가열 플레이트를 냉각할 때의 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 간의 이격된 거리는 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리할 때의 상기 이격된 거리보다 더 크게 제공될 수 있다.The processing space is formed by a combination of an upper body and a lower body, and the opening and closing of the processing space is made by raising and lowering of the upper body or the lower body, and when the heating plate is cooled, the upper body and the The spaced distance between the lower bodies may be provided larger than the spaced distance when processing the substrate in the processing space.

제1그룹에 속하는 기판들은 상기 가열 플레이트에 의해 제1온도로 가열 처리되고, 상기 가열 플레이트의 냉각은 제1그룹에 속하는 기판들에 대해 가열 처리가 종료된 후에 이루어지며, 상기 제1그룹에 속하는 기판들에 대해 가열 처리가 이루어지는 동안에는 상기 가열 플레이트에 제공된 히터에 연결된 전원이 계속적으로 온(On)되고, 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에는 상기 전원을 오프(Off)할 수 있다.Substrates belonging to the first group are heated to the first temperature by the heating plate, and cooling of the heating plate is performed after the heating treatment is completed for the substrates belonging to the first group, and belonging to the first group During the heating process for the substrates, the power connected to the heater provided on the heating plate is continuously turned on, and the power can be turned off when cooling the heating plate.

내부 공간을 가지는 하우징, 상기 내부 공간에 배치되며 기판을 가열 처리하는 처리 공간을 가지는 가열 유닛, 상기 내부 공간에 배치되며 상기 기판을 냉각 처리하는 냉각 유닛, 그리고 상기 내부 공간에 기류를 형성하는 기류 형성 유닛을 포함하는 장치를 이용하여 상기 기판을 처리하는 방법으로는, 상기 기판을 상기 가열 유닛의 가열 플레이트 상에 배치하여 상기 기판을 가열 처리하는 단계와 상기 처리 공간에서 상기 기판을 제거한 후에 상기 가열 플레이트를 냉각하는 단계를 포함하되, 상기 냉각하는 단계는 상기 처리 공간을 개방시키고, 상기 처리 공간의 외부에 형성된 상기 기류가 상기 처리 공간 내에 유입되어 상기 가열 플레이트를 냉각한다. A housing having an inner space, a heating unit disposed in the inner space and having a processing space for heating a substrate, a cooling unit disposed in the inner space and cooling the substrate, and airflow forming airflow in the inner space As a method of processing the substrate using an apparatus including a unit, the substrate is placed on a heating plate of the heating unit to heat the substrate and after removing the substrate from the processing space, the heating plate Cooling comprises the step of cooling, opening the processing space, and the airflow formed outside the processing space is introduced into the processing space to cool the heating plate.

상기 냉각하는 단계에는 상기 가열 처리하는 단계보다 상기 기류의 유속이 크게 제공될 수 있다.In the cooling step, a flow rate of the airflow may be larger than that in the heat treatment step.

상기 처리 공간은 상부 바디와 하부 바디의 조합에 의해 형성되고, 상기 처리 공간의 개폐는 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디의 승하강에 의해 이루어지며, 상기 냉각하는 단계에서 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 간의 이격된 거리는 상기 가열 처리하는 단계에서 상기 이격된 거리보다 더 크게 제공될 수 있다.The processing space is formed by a combination of an upper body and a lower body, and the opening and closing of the processing space is made by raising and lowering of the upper body or the lower body, and between the upper body and the lower body in the cooling step. The spaced distance may be provided larger than the spaced distance in the heat treatment step.

기판을 처리하는 장치는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 내부 공간에 배치되며, 기판을 가열 처리하는 가열 유닛, 상기 내부 공간에 기류를 형성하는 기류 형성 유닛, 그리고 상기 가열 유닛 및 상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 가열 유닛은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버 및 상기 처리 공간에서 상기 기판을 가열하는 가열 플레이트를 포함하고, 상기 제어기는 상기 처리 공간에서 기판이 제거된 상태에서 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에 상기 내부 공간에 형성된 기류가 상기 처리 공간 내에 유입되도록 상기 처리 공간을 상기 내부 공간에 개방시켜 상기 기류에 의해 상기 가열 플레이트가 냉각되도록 상기 가열 유닛 및 상기 기류 형성 유닛을 제어한다. The apparatus for processing a substrate includes a housing having an interior space, a heating unit disposed in the interior space, and heat-processing the substrate, an airflow forming unit forming an airflow in the interior space, and controlling the heating unit and the airflow forming unit The controller includes a chamber having a processing space therein and a heating plate heating the substrate in the processing space, wherein the controller is configured to remove the heating plate while the substrate is removed from the processing space. When cooling, the heating unit and the airflow forming unit are controlled so that the heating plate is cooled by the airflow by opening the processing space in the inner space so that the airflow formed in the inner space flows into the processing space.

상기 제어기는 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에 상기 기류의 유속이 상기 처리 공간에서 상기 기판을 가열 처리할 때보다 크도록 상기 기류 형성 유닛을 제어할 수 있다.The controller may control the airflow forming unit so that the flow rate of the airflow when cooling the heating plate is greater than when heat-treating the substrate in the processing space.

상기 가열 챔버는, 서로 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 상부 바디와 하부 바디를 포함하고, 상기 가열 유닛은 상기 하부 바디와 상기 상부 바디 중 하나를 승하강시켜 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 간의 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에 상기 하부 바디와 상기 상부 바디 간의 이격 거리가 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리할 때의 상기 이격 거리보다 크도록 상기 승강 유닛을 제어할 수 있다.The heating chamber includes an upper body and a lower body that are combined with each other to form the processing space therein, and the heating unit moves up and down one of the lower body and the upper body between the upper body and the lower body. Further comprising a lifting unit for adjusting the relative height, the controller when cooling the heating plate so that the separation distance between the lower body and the upper body is greater than the separation distance when processing the substrate in the processing space. The lifting unit can be controlled.

상기 가열 플레이트는, 기판이 놓여지는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 히터를 온(On) 또는 오프(Off)하는 전원을 포함하되, 상기 제어기는 상기 가열 플레이트를 냉각할 때에 상기 히터를 오프(Off)하고, 상기 처리 공간에서 상기 제1그룹에 속하는 기판들에 대한 가열 처리가 연속적으로 이루어지는 동안에는 상기 히터를 온(On)할 수 있다.The heating plate includes a support plate on which the substrate is placed, a heater for heating the substrate placed on the support plate, and a power supply for turning the heater on or off, wherein the controller cools the heating plate. When the heater is turned off, the heater may be turned on while heating processing for the substrates belonging to the first group is continuously performed in the processing space.

상기 기류 형성 유닛은 상기 내부 공간에 에어를 공급하는 팬 유닛 및 상기 내부 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 팬 유닛과 상기 배기 유닛의 사이에는 상기 가열 유닛 및 상기 냉각 유닛이 위치될 수 있다.The airflow forming unit includes a fan unit that supplies air to the interior space and an exhaust unit that exhausts the interior space, and when viewed from above, the heating unit and the cooling unit are between the fan unit and the exhaust unit. This can be located.

상기 하우징의 일측벽에는 상기 기판이 반출입되는 반출입구가 형성되고, 상기 팬 유닛은 상기 배기 유닛보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치되며, 상기 냉각 유닛은 상기 가열 유닛보다 상기 팬 유닛에 더 가깝게 위치되고, 상기 가열 유닛은 상기 냉각 유닛보다 상기 배기 유닛에 더가깝게 위치될 수 있다.On one side wall of the housing, a carry-in / out port through which the substrate is carried in and out is formed, the fan unit is located closer to the carry-in port than the exhaust unit, and the cooling unit is located closer to the fan unit than the heating unit , The heating unit may be located closer to the exhaust unit than the cooling unit.

상부에서 바라볼 때 상기 팬 유닛, 상기 냉각 유닛, 상기 가열 유닛, 그리고 상기 배기 유닛은 일 방향을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.When viewed from the top, the fan unit, the cooling unit, the heating unit, and the exhaust unit may be sequentially arranged along one direction.

본 발명의 실시예에 의하면, 냉각 단계에는 가열 처리 단계보다 큰 유속의 기류를 형성한다. 이로 인해 가열 플레이트의 냉각 시간을 단축시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, airflow at a flow rate greater than that of the heat treatment step is formed in the cooling step. This can shorten the cooling time of the heating plate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가열 플레이트를 냉각할 때의 상부 바디와 하부 바디 간의 이격된 거리는 상기 기판을 가열 처리할 때보다 더 크게 제공된다. 이로 인해 가열 플레이트를 냉각할 때는 기판을 가열 처리할 때보다 처리 공간에 더 다량의 기류가 유입되어 가열 플레이트의 냉각 시간을 단축시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the spaced apart distance between the upper body and the lower body when cooling the heating plate is provided larger than when the substrate is heated. Due to this, when cooling the heating plate, a larger amount of airflow is introduced into the processing space than when the substrate is heat-treated, thereby shortening the cooling time of the heating plate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 9는 가열 플레이트를 냉각하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 10 내지 도 12는 도 9의 가열 처리 단계를 보여주는 도면이다.
도 13은 도 9의 냉각하는 단계를 보여주는 도면이다.
도 14는 가열 처리 공정과 냉각 처리 공정 간의 히터 상태를 보여주는 그래프이다.
도 15는 제1그룹의 가열 처리 공정, 제2그룹의 가열 처리 공정, 그리고 냉각 처리 공정 간의 히터 상태를 보여주는 그래프이다.
도 16은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or development block of FIG. 1.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a view showing an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3.
5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3.
6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 6.
8 is a plan view showing the substrate support unit of FIG. 7.
9 is a flow chart showing the process of cooling the heating plate.
10 to 12 are views showing the heat treatment step of FIG. 9.
FIG. 13 is a view showing the cooling step of FIG. 9.
14 is a graph showing a heater state between a heat treatment process and a cooling treatment process.
15 is a graph showing a heater state between a first group of heat treatment processes, a second group of heat treatment processes, and a cooling treatment process.
16 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 3.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer explanation.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or flat panel display panel. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of Figure 1, Figure 3 is the substrate processing apparatus of Figure 1 It is a top view.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in series. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top The second direction 14 is referred to as a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드 포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드 포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판들(W)이 수납된 용기(10)는 로드 포트(22)에 놓인다. 로드 포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드 포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and receives the substrate W, which has been processed, into the container 10. The length direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 relative to the index frame 24 is located on the opposite side of the processing module 30. The container 10 in which the substrates W are stored is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be arranged along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealing container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by an operator (not shown) or an operator (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. You can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 provided with a longitudinal direction in the second direction 14 is provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and rotates the third direction 16 Accordingly, it may be provided to be movable.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs an application process and a development process for the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a development block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, which are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed under the development blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other and may be provided with the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the application block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transport robot 3342 is provided in the transport chamber 3400. The transfer robot 3342 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid processing chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to one example, the transfer robot 3342 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, the hand 3420 moves forward and backward, rotation about the third direction 16 as an axis, and the third direction It can be provided to be movable along the (16). In the transport chamber 3400, a guide rail 3300 whose length direction is provided parallel to the first direction 12 is provided, and the transport robot 3342 can be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 4 is a view showing an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3. Referring to FIG. 4, hand 3420 has a base 3428 and support projections 3428. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3431 extends from the base 3428 inward. A plurality of support protrusions 3431 are provided, and support the edge region of the substrate W. According to an example, four supporting protrusions 3431 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 반송 플레이트(3240), 기류 형성 유닛(3250), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. 5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3, and FIG. 6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5. 5 and 6, the heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, a transfer plate 3240, an airflow forming unit 3250, and a controller 1900. It includes.

하우징(3210)은 내부 공간을 가지는 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 일측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 예컨대, 하우징(3210)의 일측벽은 반송 챔버(3400)와 마주하는 면일 수 있다. 반출입구(3214)는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반출입구(3214)를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(3210)의 내부 공간에는 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)가 위치된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped having an internal space. On one side wall of the housing 3210, an entrance (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. For example, one side wall of the housing 3210 may be a surface facing the transfer chamber 3400. The take-out entrance 3214 may remain open. Optionally, a door (not shown) may be provided to open and close the carry-out entrance 3214. In the inner space of the housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transport plate 3240 are located. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transport chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판(W)을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열하여 베이크 처리한다. 도 7은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 그리고 배기 부재(1500)를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus 1000 for heating the substrate W to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats and bakes the substrate W in a reduced pressure atmosphere at normal pressure or lower. 7 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 6. Referring to FIG. 7, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, and an exhaust member 1500.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1124) 및 유입홀(1122)이 형성된다. 배기홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1124)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1122)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower portion. An exhaust hole 1124 and an inflow hole 1122 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of inlet holes 1122 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust holes 1124. The inflow holes 1124 introduce an external air stream into the processing space 1110. According to an example, there are four inflow holes 1122, and the external airflow may be air.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)의 측벽의 일부는 처리 공간에 외부의 기체가 도입되는 가스 도입부(1600)로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. A portion of the sidewall of the lower body 1140 is provided as a gas introduction unit 1600 through which external gas is introduced into the processing space. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other is fixed. In this embodiment, the position of the lower body 1140 is fixed, and the upper body 1120 is described as being moved. The open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other and the processing space 1110 is opened. The blocking position is a position in which the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

일 예에 의하면, 개방 위치에서 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)의 이격 거리는 공정에 따라 달리 제공될 수 있다. 기판의 가열 처리 공정이 진행될 때에는 이격 거리가 제1거리(D₁)를 가지도록 상부 바디(1120)가 승하강되고, 가열 플레이트의 냉각 공정이 진행될 때에는 이격 거리가 제2거리(D₂)를 가지도록 상부 바디(1120)가 승하강될 수 있다. 제1거리(D₁)는 제2거리(D₂)보다 작은 거리로 제공될 수 있다.According to an example, the separation distance between the upper body 1120 and the lower body 1140 in an open position may be provided differently according to a process. When the substrate heat treatment process is performed, the upper body 1120 is moved up and down so that the separation distance has a first distance (D ₁ ), and when the cooling process of the heating plate is performed, the separation distance is the second distance (D ₂ ). The upper body 1120 may be raised and lowered to have it. The first distance D ₁ may be provided as a distance smaller than the second distance D ₂ .

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the top of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 가열 플레이트(1310), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 도 8는 도 7의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 가열 플레이트(1310)는 지지 플레이트(1320) 및 히터(1420)를 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터(1400)로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322)이 형성된다. 리프트 홀들은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a heating plate 1310, a lift pin 1340, and a support pin 1360. 8 is a plan view showing the substrate support unit of FIG. 7. 7 and 8, the heating plate 1310 includes a support plate 1320 and a heater 1420. The support plate 1320 transfers heat generated from the heater 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate (W). The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface 1320a on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 are formed in the seating surface 1320a. The lift holes are located in different areas from each other. When viewed from the top, the lift holes 1322 are arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320, respectively. Each lift hole 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The lift holes 1322 may be spaced apart from each other at equal intervals. For example, three lift holes 1322 may be provided. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

히터(1420)는 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터(1420)는 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터(1420)는 복수 개로 제공된다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치되거나, 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면(1320a)의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면(1320a)의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater 1420 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heater 1420 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320. A plurality of heaters 1420 are provided. The heaters 1420 may be located in the support plate 1320 or may be located on the bottom surface of the support plate 1320. Each heater 1420 is located on the same plane. According to an example, each heater 1420 may heat different areas of the seating surface to different temperatures. Some of the heaters 1420 may heat the central region of the seating surface 1320a to a first temperature, and some of the heaters 1420 may heat the edge region of the seating surface 1320a to a second temperature. . The second temperature may be higher than the first temperature. The heaters 1420 may be a printed pattern or a hot wire.

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the support plate 1320. A plurality of lift pins 1342 are provided, and each is provided in a pin shape facing vertically upward and downward. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322. A drive member (not shown) moves each lift pin 1342 between the lifted and lowered positions. Here, the elevating position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface 1320a, and the descending position is defined as a position at which the upper end of the lift pin 1342 is equal to or lower than the seating surface 1320a. A driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the seating surface 1320a. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, and each is fixedly installed on the seating surface 1320a. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex shape upward. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면(1320a)의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed at a fixed position on the seating surface 1320a. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface 1320a. Guide 1380 has a larger diameter than the substrate (W). The inner surface of the guide 1380 has a downward inclined shape as it approaches the central axis of the support plate 1320. Accordingly, the substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the fixed position on the inclined surface.

배기 부재(1500)는 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 부재(1500)는 배기관(1530), 감압 부재(1560), 그리고 안내판(1520)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1522) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust member 1500 forcibly exhausts the interior of the processing space 1110. The exhaust member 1500 includes an exhaust pipe 1530, a pressure reducing member 1560, and a guide plate 1520. The exhaust pipe 1530 has a tube shape in which the longitudinal direction is vertically directed upward and downward. The exhaust pipe 1530 is positioned to penetrate the upper wall of the upper body 1120. According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110. The pressure reducing member 1560 is connected to the upper end of the exhaust pipe 1530. The pressure reducing member 1560 decompresses the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted through the through holes 1522 and the exhaust pipe 1530 sequentially.

안내판(1520)은 중심에 통공(1522)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 통공(1522)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1520)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1520)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1520)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1520)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1520)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1520 has a plate shape having a through hole 1522 at the center. The guide plate 1520 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1520 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the inside of the through hole 1522 and the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1520 is positioned facing the support surface of the support plate 1320 at the top of the support plate 1320. The guide plate 1520 is positioned higher than the lower body 1140. According to an example, the guide plate 1520 may be positioned at a height facing the upper body 1120. When viewed from the top, the guide plate 1520 is positioned to overlap the inflow hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the top body 1120. Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1520 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap is provided as a flow path through which the airflow introduced through the inflow hole 1124 is supplied to the substrate W.

다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 기류 형성 유닛(3500)은 하우징(3210)의 내부 공간(3212)에 기류를 형성한다. 기류는 내부 공간(3212)에서 대체로 일 방향을 향해 흐를 수 있다. 기류 형성 유닛(3500)은 팬 유닛(3252) 및 배기 유닛(3254)을 포함한다.Referring again to FIGS. 5 and 6, the airflow forming unit 3500 forms airflow in the interior space 3212 of the housing 3210. Airflow may flow generally in one direction in the interior space 3212. The airflow forming unit 3500 includes a fan unit 3252 and an exhaust unit 3254.

팬 유닛(3252)은 내부 공간(3212)에 에어를 공급하고, 배기 유닛(3254)은 내부 공간(3212)을 배기한다. 팬 유닛(3252) 및 배기 유닛(3254) 각각은 하우징(3210)에 설치된다. 팬 유닛(3252)은 에어 공급이 가능한 팬(3252a) 및 에어 공급 라인(3252b)을 포함하고, 배기 유닛(3254)은 내부 공간(3212)을 배기 가능한 에어 배기 라인(3254b) 및 감압 부재(3254a)를 포함할 수 있다. 예컨대, 팬 유닛(3252)은 하우징(3210)의 천장면에 설치되고, 배기 유닛(3254)은 하우징(3210)의 바닥면에 설치될 수 있다. 이에 따라 내부 공간(3212)에는 일 방향으로 갈수록 하향 경사진 흐름의 기류가 형성될 수 있으며, 처리 공간(1110)에서 발생된 파티클이 그 외부에 노출되더라도, 하향 경사진 흐름의 기류가 파티클의 확산을 억제한다. The fan unit 3252 supplies air to the inner space 3212, and the exhaust unit 3254 exhausts the inner space 3212. Each of the fan unit 3252 and the exhaust unit 3254 is installed in the housing 3210. The fan unit 3252 includes a fan 3252a capable of supplying air and an air supply line 3252b, and the exhaust unit 3254 includes an air exhaust line 3254b capable of exhausting the interior space 3212 and a pressure reducing member 3254a ). For example, the fan unit 3252 may be installed on the ceiling surface of the housing 3210, and the exhaust unit 3254 may be installed on the bottom surface of the housing 3210. Accordingly, an airflow of a downwardly inclined flow may be formed in the inner space 3212 toward one direction, and even if the particles generated in the processing space 1110 are exposed to the outside, the airflow of the downwardly inclined flow diffuses the particles. To suppress.

상부에서 바라볼 때 팬 유닛(3252)과 배기 유닛(3254)은 제2방향(14)과 평행한 방향을 따라 배치된다. 상부에서 바라볼 때 팬 유닛(3252)과 배기 유닛(3254)은 그 사이에 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)이 위치되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 팬 유닛(3252)은 배기 유닛(3254)보다 하우징(3210)에 형성된 반출입구(3214)에 더 가깝게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)보다 팬 유닛(3252)에 더 가깝게 위치되고, 가열 유닛(3230)은 냉각 유닛(3220)보다 배기 유닛(3254)에 더 가깝게 위치될 수 있다. 이로 인해 팬 유닛(3252)으로부터 공급된 에어는 냉각 유닛(3220)을 통과하여 상온보다 낮은 온도의 기류를 형성할 수 있다. When viewed from the top, the fan unit 3252 and the exhaust unit 3254 are arranged along a direction parallel to the second direction 14. When viewed from the top, the fan unit 3252 and the exhaust unit 3254 are arranged such that the cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are positioned therebetween. According to an example, the fan unit 3252 may be positioned closer to the carry-out port 3214 formed in the housing 3210 than the exhaust unit 3254. When viewed from the top, the cooling unit 3220 is located closer to the fan unit 3252 than the heating unit 3230, and the heating unit 3230 is located closer to the exhaust unit 3254 than the cooling unit 3220. You can. Due to this, air supplied from the fan unit 3252 may pass through the cooling unit 3220 to form an air stream having a temperature lower than room temperature.

기류 형성 유닛(3500)은 하우징(3210)의 내부 공간(3212)에 제1유속의 기류 또는 제2유속의 기류를 형성할 수 있다. 여기서 제1유속은 제2유속보다 작은 유속일 수 있다. 일 예에 의하면, 처리 공간(1110)에서 기판(W)의 가열 처리할 때에는 제1유속의 기류를 형성하고, 가열 플레이트(1310)를 냉각할 때에는 제2유속의 기류를 형성할 수 있다. 기류의 유속은 팬 유닛(3252)과 배기 유닛(3254) 중 적어도 하나를 통해 조절할 수 있다. 본 실시예에는 팬 유닛(3252)의 알피엠(RPM)을 조절하여 기류의 유속을 조절하는 것으로 설명한다.The airflow forming unit 3500 may form a first airflow or a second airflow in the inner space 3212 of the housing 3210. Here, the first flow rate may be a flow rate smaller than the second flow rate. According to an example, when the substrate W is heat-treated in the processing space 1110, an air flow at a first flow rate may be formed, and when the heating plate 1310 is cooled, an air flow at a second flow rate may be formed. The air flow rate can be adjusted through at least one of the fan unit 3252 and the exhaust unit 3254. In this embodiment, it will be described as adjusting the flow rate of the airflow by adjusting the RPM of the fan unit 3252 (RPM).

제어기(1900)는 기판(W)의 가열 처리 공정과 가열 플레이트(1310)의 냉각 공정이 각각 이루어지도록 가열 유닛(3230) 및 기류 형성 유닛(3500)을 제어한다. 제어기(1900)는 수행하고자 하는 공정의 종류에 따라 승강 부재(1130) 및 팬 유닛(3252)을 달리 제어할 수 있다. 제어기(1900)는 기판 가열 처리 공정과 가열 플레이트(1310)의 냉각 공정에 따라 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간의 이격 거리 및 기류의 유속을 달리 제어할 수 있다. 본 실시예에서 기판(W)의 가열 처리 공정은 기판(W)이 처리 공간(1110)에서 가열되는 공정과 처리 공간(1110)에 기판(W)이 반입 및 반출되는 과정을 포함하는 것으로 설명한다. 일 예에 의하면, 가열 플레이트(1310)의 냉각 공정이 진행될 때에는 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행될 때보다 기류의 유속이 크게 제공될 수 있다. 또한 가열 플레이트(1310)의 냉각 공정이 진행될 때에는 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행될 때보다이격 거리가 크게 제공될 수 있다.The controller 1900 controls the heating unit 3230 and the airflow forming unit 3500 so that the heat treatment process of the substrate W and the cooling process of the heating plate 1310 are respectively performed. The controller 1900 may control the elevating member 1130 and the fan unit 3252 differently according to the type of process to be performed. The controller 1900 may differently control the separation distance between the upper body 1120 and the lower body 1140 and the air flow velocity according to the substrate heat treatment process and the cooling process of the heating plate 1310. In the present embodiment, the heat treatment process of the substrate W is described as including a process in which the substrate W is heated in the processing space 1110 and a process in which the substrate W is brought in and out in the processing space 1110. . According to an example, when the cooling process of the heating plate 1310 is performed, the flow rate of the air flow may be provided larger than when the heat treatment process of the substrate W is performed. In addition, when the cooling process of the heating plate 1310 is performed, a separation distance may be provided larger than when the heat treatment process of the substrate W is performed.

다음은 상술한 장치로 기판(W)을 가열 처리하고, 가열 플레이트(1310)를 냉각 처리하는 방법을 설명한다. 도 9는 가열 플레이트를 냉각하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 10 내지 도 12는 도 9의 가열 처리 단계를 보여주는 도면이며, 도 13은 도 9의 냉각하는 단계를 보여주는 도면이다. Next, a method of heating the substrate W with the above-described apparatus and cooling the heating plate 1310 will be described. 9 is a flow chart showing the process of cooling the heating plate, FIGS. 10 to 12 are views showing the heat treatment step of FIG. 9, and FIG. 13 is a view showing the cooling step of FIG. 9.

기판(W)을 가열 처리하는 단계(S100)에는, 액 처리 챔버(3600)에서 액막이 형성된 기판(W)을 반송 로봇(3422)에 의해 하우징(3210)에 반입한다. 하우징(3210)의 내부 공간(3212)에는 제1유속의 기류가 형성된다. 하우징(3210)에 반입된 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)으로 반송된다. 히터(1420)에 연결된 전원은 계속적으로 온(On) 상태를 유지하여 가열 플레이트(1310)가 공정 온도를 유지시킨다. 상부 바디(1120)는 하부 바디(1140)로부터 제1거리(D₁)만큼 이격되게 이동되고, 기판(W)은 제1거리(D₁)의 개방 영역으로 통해 처리 공간(1110)에 반입된다. 이후 상부 바디(1120)는 하강되어 처리 공간(1110)을 밀폐하고, 기판(W)은 공정 온도로 가열 처리된다. 이후 상부 바디(1120)를 하부 바디(1140)로부터 제1거리(D₁)만큼 이격되게 승강 이동시키고, 반송 플레이트(3240)에 의해 기판(W)은 제1거리(D₁)의 개방 영역을 통해 처리 공간(1110)으로부터 반출되어 냉각 유닛(3220)으로 반송되어 냉각 처리된다. 냉각 처리가 완료된 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 인터페이스 모듈(40)로 반송된다. In the step (S100) of heating the substrate W, the substrate W on which the liquid film is formed in the liquid processing chamber 3600 is carried into the housing 3210 by the transfer robot 3422. A first air flow rate is formed in the inner space 3212 of the housing 3210. The substrate W carried into the housing 3210 is transported to the heating unit 3230 by the transport plate 3240. The power connected to the heater 1420 continuously maintains an On state, so that the heating plate 1310 maintains a process temperature. The upper body 1120 is moved away from the lower body 1140 by a first distance D ₁ , and the substrate W is brought into the processing space 1110 through an open area of the first distance D ₁ . . Thereafter, the upper body 1120 is lowered to seal the processing space 1110, and the substrate W is heat-treated to a process temperature. Thereafter, the upper body 1120 is moved up and down to be spaced apart from the lower body 1140 by a first distance D ₁ , and the substrate W is opened to the open area of the first distance D ₁ by the transfer plate 3240. Through this, it is taken out from the processing space 1110 and conveyed to the cooling unit 3220 to be cooled. The substrate W on which the cooling process is completed is transferred to the interface module 40 by the transfer robot 3342.

가열 플레이트(1310)로부터 기판(W)이 제거되어 기판(W)의 가열 처리 단계(S100)가 완료되면, 가열 플레이트(1310)를 냉각하는 단계(S200)를 진행한다.When the substrate W is removed from the heating plate 1310 and the heat treatment step S100 of the substrate W is completed, the step S200 of cooling the heating plate 1310 is performed.

가열 플레이트(1310)를 냉각하는 단계(S200)에는, 히터(1420)에 연결된 전원을 오프(Off)한다. 상부 바디(1120)를 하부 바디(1140)로부터 제1거리(D₁)보다 큰 제2거리(D₂)만큼 이격되게 승강 이동시킨다. 하우징(3210)의 내부 공간(3212)에는 기류가 제1유속에서 제2유속으로 조절된다. 이로 인해 기판(W)을 가열 처리하는 단계보다 더 많은 양의 기류가 처리 공간(1110)으로 유입되며, 가열 플레이트(1310)를 냉각시킨다. In the step S200 of cooling the heating plate 1310, the power connected to the heater 1420 is turned off. The upper body 1120 is moved up and down away from the lower body 1140 by a second distance D ₂ greater than the first distance D ₁ . In the inner space 3212 of the housing 3210, airflow is adjusted from a first flow rate to a second flow rate. Due to this, a larger amount of airflow is introduced into the processing space 1110 than the step of heating the substrate W, thereby cooling the heating plate 1310.

상술한 실시예에는 가열 플레이트(1310)를 냉각함에 있어서, 가열 플레이트(1310)에 냉매를 직접 접촉시켜 냉각하는 방식이 아닌 비접촉 냉각 방식이다. 따라서 비접촉 냉각 방식은 접촉 냉각 방식에 비해 공정이 단순하며, 냉매 이동 및 냉매 접촉 과정에 발생되는 사고 등을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, in cooling the heating plate 1310, it is a non-contact cooling method, not a method of directly cooling the refrigerant by contacting the heating plate 1310. Therefore, the non-contact cooling method has a simpler process than the contact cooling method, and it is possible to prevent an accident occurring in a refrigerant movement and a refrigerant contact process.

또한 기판(W)을 가열 처리하는 단계(S100)에는 가열 플레이트(1310)를 냉각하는 단계(S200)에 비해 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간의 이격 거리가 작게 제공된다. 이는 기판(W)을 가열 처리하는 단계(S100)에서 상부 바디(1120)의 이동 거리를 최소화함으로써 기판(W)의 가열 처리 단계(S100)에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 또한 처리 공간(1110)의 개방 영역이 냉각하는 단계에 비해 줄어들기 때문에 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 양을 최소화함으로써, 가열 플레이트(1310)의 온도가 하락되는 것을 최소화하기 위함이다. In addition, in the step S100 of heating the substrate W, a separation distance between the upper body 1120 and the lower body 1140 is smaller than in the step S200 of cooling the heating plate 1310. This can shorten the time required for the heat treatment step (S100) of the substrate (W) by minimizing the moving distance of the upper body (1120) in the heat treatment step (S100) of the substrate (W). In addition, since the open area of the processing space 1110 is reduced compared to the cooling step, it is to minimize the temperature of the heating plate 1310 by minimizing the amount of airflow entering the processing space 1110.

또한 기판(W)을 가열 처리하는 단계(S100)에는 가열 플레이트(1310)를 냉각하는 단계에 비해 기류의 유속이 작게 제공된다. 이로 인해 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 양을 최소화함으로써, 기판(W)을 가열 처리하는 중에 가열 플레이트(1310)의 온도 하락을 최소화할 수 있다. In addition, the step (S100) of heating the substrate (W) is provided with a smaller air flow rate than the step of cooling the heating plate (1310). Due to this, by minimizing the amount of airflow flowing into the processing space 1110, it is possible to minimize the temperature drop of the heating plate 1310 during the heat treatment of the substrate W.

이와 반대로, 가열 플레이트(1310)를 냉각하는 단계(S200)에는 기판(W)을 가열 처리하는 단계(S100)에 비해 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 양이 늘어나므로, 기판(W)을 가열 처리할 때(S100)에 비해 가열 플레이트(1310)의 온도 하락 폭을 높일 수 있다. On the contrary, in the step S200 of cooling the heating plate 1310, since the amount of airflow entering the processing space 1110 is increased compared to the step S100 of heating the substrate W, the substrate W is increased. When the heat treatment is performed (S100), the temperature drop width of the heating plate 1310 can be increased.

또한 본 실시예에는 단일의 기판(W)에 대해 가열 처리 공정이 완료되면, 가열 플레이트(1310)를 냉각 처리하는 공정이 수행되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 14와 같이, 제1그룹에 속하는 기판들이 연속하여 가열 처리 공정(P₁)을 수행하고, 그 이후에 가열 플레이트(1310)를 냉각 처리하는 공정(Pc)을 수행할 수 있다. 제1그룹의 기판들에 대해 가열 처리가 이루어지고 있는 중(P₁)에는 제1그룹의 기판들이 반출입되는 과정에서 처리 공간(1110)의 개폐 여부에 관계없이, 히터(1420)에 연결된 전원을 계속적으로 온(On) 상태로 유지하여 가열 플레이트(1310)의 온도가 떨어지는 것을 방지할 수 있다.In addition, in this embodiment, when the heat treatment process is completed for a single substrate W, it has been described that the process of cooling the heating plate 1310 is performed. However, as shown in FIG. 14, the substrates belonging to the first group may continuously perform a heat treatment process (P ₁ ), and thereafter a process (Pc) of cooling the heating plate 1310 may be performed. While the first group of substrates is being heated (P ₁ ), power is connected to the heater 1420 regardless of whether the processing space 1110 is opened or closed in the process of carrying in and out of the first group of substrates. The temperature of the heating plate 1310 may be prevented from dropping by continuously maintaining the On state.

이와 반대로, 제1그룹에 속하는 기판들의 가열 처리 공정(P₁)이 종료되어 가열 플레이트(1310)의 냉각 처리 공정(Pc)이 시작될 때에는 전원을 오프(off)할 수 있다. Conversely, when the heat treatment process (P ₁ ) of the substrates belonging to the first group is finished and the cooling process (Pc) of the heating plate 1310 is started, the power may be turned off.

또한 도 15와 같이, 제1그룹에 속하는 기판들의 가열 처리 공정(P₁)이 종료되고, 제2그룹에 속하는 기판들은 제1그룹의 기판보다 낮은 온도로 가열 처리할 경우(P2)에는, 제2그룹에 속하는 기판들의 가열 처리 공정(P₂)을 시작하기 전에 가열 플레이트(1310)의 냉각 처리 공정을 수행할 수 있다. 여기서 가열 플레이트(1310)의 냉각은, 제2그룹의 기판들의 가열 처리 공정(P₂)을 수행하고자 가열 플레이트(1310)의 공정 온도로 신속히 조절하기 위함이다.Also, as shown in FIG. 15, when the heat treatment process (P ₁ ) of the substrates belonging to the first group is ended, and the substrates belonging to the second group are heated at a lower temperature than the substrates of the first group (P2), the Before starting the heat treatment process (P ₂ ) of the substrates belonging to the second group, a cooling treatment process of the heating plate 1310 may be performed. Here, the cooling of the heating plate 1310 is to quickly adjust the process temperature of the heating plate 1310 to perform the heat treatment process P ₂ of the second group of substrates.

다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring again to FIGS. 5 and 6, the transport plate 3240 is generally provided with a disc shape, and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the projection 3431 formed in the hand 3420 of the transfer robot 3342 described above. Further, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the projection 3431 formed in the hand 3420, and is formed at a position corresponding to the projection 3431. When the vertical position of the hand 3420 and the conveying plate 3240 is changed at a position where the hand 3420 and the conveying plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the conveying plate 3240 is changed. Delivery is made. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3248 and can be moved between the first area 3212 and the second area 3214 by the driver 3246 along the guide rail 3248. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the conveying plate 3240 to the inside of the conveying plate 3240. The guide groove 3242 is provided in the longitudinal direction along the second direction 14, and the guide grooves 3324 are positioned spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is performed between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. Heating of the substrate W is performed in a state where the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and cooling of the substrate W is performed by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed, and the cooling plate 3222. It is made in the contact state. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer is well performed between the cooling plate 3222 and the substrate W. According to an example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in the heat treatment chamber of some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas during heating of the substrate W to improve the adhesion rate of the substrate W of the photoresist. According to an example, the gas may be a hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked with each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided in a position adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided in a position adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treatment chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front end liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear end liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on a substrate W coated with an anti-reflection film. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the substrate W coated with the photoresist. Optionally, the first liquid and the second liquid are liquids of the same kind, and all of them may be photoresists.

도 16은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 16을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 16 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 3. Referring to FIG. 16, the liquid processing chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. On the sidewall of the housing 3610, an entrance (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. The entrance can be opened and closed by a door (not shown). A cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 forming a descending air flow in the housing 3260 may be provided on the upper wall of the housing 3610. The cup 3620 has a treatment space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring to FIGS. 2 and 3 again, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). A plurality of shear buffers 3802 are provided, and are stacked with each other along the vertical direction. The other part of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffers 3804 (rear buffer). A plurality of rear end buffers 3804 are provided, and are stacked with each other along the vertical direction. Each of the front end buffers 3802 and the back end buffers 3804 temporarily stores the plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or out by the index robot 2200 and the transport robot 3342. The substrate W stored in the rear end buffer 3804 is carried in or out by the transport robot 3342 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid processing chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid processing chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid processing chamber 3600 of the application block 30a. ) And generally comes in a similar structure and arrangement, so it is for this. However, all of the liquid processing chambers 3600 in the developing block 30b are provided to the developing chamber 3600 for developing the substrate by supplying the same developer.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 with an external exposure device 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transport member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit forming a descending air stream therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the conveying member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W on which the process is completed in the application block 30a is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W on which the process is completed in the exposure apparatus 50 is carried into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process for exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process for cleaning the top surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process for cleaning the bottom surface of the substrate W You can. A plurality of additional process chambers 4200 are provided, and they may be provided to be stacked with each other. All additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the development block 30b temporarily stays during transportation. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The conveying member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to one example, the transfer member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 provides an interface buffer 4400 and an exposure device ( The substrate W may be transported between 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, the hand moving forward and backward, rotating about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transport robot 3342. Optionally, the hand of the robot that exchanges the substrate W directly with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3342, and the other robot's hand is provided in a different shape. Can be.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3342 provided in the application block 30a and the development block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. For the substrate W, a coating treatment process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) includes a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflection coating process in the shear liquid treatment chamber 3602 (S22), a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a rear stage liquid treatment The photoresist film coating process (S24) in the chamber 3604 and the heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802. The transfer robot 3342 transfers the substrate W stored in the shear buffer 3802 to the shear heat treatment chamber 3200. The substrate W transports the substrate W to the heating unit 3230 by the transport plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transport plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 in a state where the substrate W is supported, and performs a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3342 removes the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the shear liquid treatment chamber 3602. Returns.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. The anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid treatment chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3342 carries the substrate W out of the shear liquid treatment chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, the above-described heating and cooling processes are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3342 unloads the substrate W and transfers it to the rear stage liquid processing chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the rear end liquid processing chamber 3604.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3342 carries out the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 to bring the substrate W into the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, the above-described heating and cooling processes are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3342 transfers the substrate W to the rear end buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 takes the substrate W out of the rear end buffer 3804 and transfers it to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.The edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes the substrate W out of the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in a heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in a liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in a heat treatment chamber 3200 in sequence. do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 takes the substrate W out of the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and conveys the substrate W to the rear end buffer 3804. The transfer robot 3342 transfers the substrate W from the rear end buffer 3804 to transfer the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3342.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. The developing chamber 3600 is supplied with a developer on the substrate W to perform a developing process.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is taken out of the developing chamber 3600 by the transfer robot 3342 and is carried into the heat treatment chamber 3200. The substrate W is sequentially heated and cooled in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is taken out of the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the shear buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 removes the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.It has been described that the processing block of the substrate processing apparatus 1 described above performs a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the scope of the art or knowledge in the art. The embodiments described describe the best conditions for implementing the technical spirit of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

1100: 챔버 1110: 처리 공간
1900: 제어기 3210: 하우징
3212: 내부 공간 3220: 냉각 유닛
32320(1000): 가열 유닛 3250: 기류 형성 유닛
D₁; 제1거리 D₂; 제1거리1100: chamber 1110: processing space
1900: controller 3210: housing
3212: interior space 3220: cooling unit
32320 (1000): heating unit 3250: airflow forming unit
D ₁ ; First distance D ₂ ; 1st Street

Claims

A method of cooling a heating plate disposed in a processing space of a chamber for heating a substrate,
After removing the substrate from the processing space, the heating plate cooling method of opening the processing space and cooling the heating plate by introducing airflow formed outside the processing space into the processing space.

According to claim 1,
The heating plate cooling method in which the air flow velocity is provided differently when cooling the heating plate and when processing the substrate in the processing space.

According to claim 2,
When cooling the heating plate, the flow rate of the air flow is greater than when processing the substrate in the processing space.

The method according to any one of claims 1 to 3,
The processing space is formed by a combination of an upper body and a lower body,
The opening and closing of the processing space is made by raising and lowering of the upper body or the lower body,
A heating plate cooling method in which a spaced distance between the upper body and the lower body when cooling the heating plate is greater than the spaced distance when processing the substrate in the processing space.

According to claim 4,
Substrates belonging to the first group are heated to the first temperature by the heating plate,
Cooling of the heating plate is performed after the heat treatment is completed for the substrates belonging to the first group,
While the heat treatment is performed on the substrates belonging to the first group, the power connected to the heater provided on the heating plate is continuously turned on,
When cooling the heating plate, the heating plate cooling method of turning off the power.

A housing having an inner space, a heating unit disposed in the inner space and having a processing space for heating a substrate, a cooling unit disposed in the inner space and cooling the substrate, and airflow forming airflow in the inner space In the method of processing the substrate using a device comprising a unit,
Placing the substrate on a heating plate of the heating unit to heat the substrate;
Cooling the heating plate after removing the substrate from the processing space,
The cooling step opens the processing space, and the airflow formed outside the processing space flows into the processing space to cool the heating plate.

The method of claim 6,
In the cooling step, a substrate processing method in which a flow rate of the airflow is larger than that of the heat treatment step.

The method of claim 6 or 7,
The processing space is formed by a combination of an upper body and a lower body,
The opening and closing of the processing space is made by raising and lowering of the upper body or the lower body,
In the cooling step, a spaced distance between the upper body and the lower body is provided to be greater than the spaced distance in the heating process.

In the apparatus for processing a substrate,
A housing having an interior space;
A heating unit disposed in the interior space and heating the substrate;
An airflow forming unit that forms an airflow in the interior space;
A controller for controlling the heating unit and the airflow forming unit,
The heating unit,
A chamber having a processing space therein;
A heating plate for heating the substrate in the processing space,
The controller opens the processing space to the internal space so that the airflow formed in the internal space flows into the processing space when the heating plate is cooled while the substrate is removed from the processing space, and the heating plate is applied by the airflow. The substrate processing apparatus that controls the heating unit and the airflow forming unit so that it is cooled.

The method of claim 9,
And the controller controls the airflow forming unit such that the flow rate of the airflow when cooling the heating plate is greater than when heat-treating the substrate in the processing space.

The method of claim 9 or 10,
The heating chamber,
The upper body and the lower body that are combined with each other to form the processing space therein,
The heating unit,
Further comprising a lifting unit for adjusting the relative height between the upper body and the lower body by elevating one of the lower body and the upper body,
The controller is a substrate processing apparatus for controlling the lifting unit so that the separation distance between the lower body and the upper body when cooling the heating plate is greater than the separation distance when processing the substrate in the processing space.

The method of claim 11,
The heating plate,
A support plate on which the substrate is placed;
A heater for heating the substrate placed on the support plate;
It includes a power to turn on (On) or off (Off) the heater,
The controller turns off the heater when cooling the heating plate, and performs substrate processing to turn on the heater while heating processing for the substrates belonging to the first group is continuously performed in the processing space. Device.

The method of claim 11,
The air flow forming unit,
A fan unit that supplies air to the interior space;
It includes an exhaust unit for exhausting the interior space,
The substrate processing apparatus when the heating unit and the cooling unit are located between the fan unit and the exhaust unit when viewed from the top.

The method of claim 13,
On one side wall of the housing, a carry-in and out port through which the substrate is carried in and out is formed,
The fan unit is located closer to the take-out inlet than the exhaust unit,
The cooling unit is located closer to the fan unit than the heating unit,
The heating unit is positioned closer to the exhaust unit than the cooling unit.

The method of claim 14,
When viewed from the top, the fan unit, the cooling unit, the heating unit, and the exhaust unit are substrate processing apparatuses arranged sequentially in one direction.