KR100983938B1 - 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 피식각막의 상면에 유리 전이 온도가 상이한 감광성 고분자를 각각 포함하는 3종 이상의 포토레지스트 조성물을 유리 전이 온도가 높은 것부터 순차대로 코팅하여 다층의 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층에 대하여 리소그래피 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 리플로우하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
상기 미세 패턴 형성 방법에 의해 안정되고 균일하며, 콘택홀의 직경이 보다 작은 미세 패턴 형성이 가능하다.
미세 패턴, 유리 전이 온도, 포토레지스트, 리플로우 공정

Description

반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법{Fine pattern forming method of semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법으로, 보다 구체적으로는 감광성 고분자의 유리 전이 온도가 다른 다층의 포토레지스트층을 형성하여 리플로우 공정시 안정되고 균일하며, 미세한 선폭을 가진 패턴을 형성할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 컴퓨터와 같은 정보매체의 급속한 보급에 따라, 반도체 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라 반도체의 집적도 향상을 위한 제조 기술이 발전되고 있으며, 고집적화에 따른 패턴의 미세화로 인해 미세 패턴 형성 방법이 반도체 소자의 제조 공정에서 중요한 문제로 대두되고 있다.
통상적인 반도체 소자의 패턴 형성 공정에서는 패턴을 형성하기 위한 피식각막, 예를 들어 실리콘막, 절연막, 또는 도전막 위에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 피식각막을 식각하여 원하는 패턴을 형성한다.
미세 패턴을 형성하기 위해, 상기와 같은 통상의 방법으로 형성된 포토레지스트 패턴에 열을 가하여 리플로우(reflow)시키는 방법이 사용되고 있다. 포토레지스트 패턴을 형성한 후에, 포토레지스트 내의 중합체가 갖는 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg) 이상으로 열을 가하면 포토레지스트가 팽창하고, 측방으로 유동하면서 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 영역으로 확장하여 콘택홀의 직경 및 패턴 간격이 줄어든다. 이와 같은 공정을 리플로우(reflow) 공정이라 한다.
상기 리플로우 공정에 의해 콘택홀의 직경이나 패턴 간격이 더 좁은 반도체 소자를 제조할 수 있으나, reflow 속도를 조절하기가 어렵고 온도 구배와 중력의 영향으로 상부는 넓고 하부는 좁은 접시 모양의 포토레지스트 패턴이 형성되어 균일한 미세 패턴의 선폭을 얻기 어려운 문제점이 있다.
상기의 문제점을 해결하고자, 본 발명의 목적은 포토레지스트의 리플로우 속도 및 리플로우 양을 조절할 수 있어 안정되고 균일한 패턴 형성이 가능하고, 미세 선폭을 얻을 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하고자, 본 발명은
피식각막의 상면에 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)가 상이한 감광성 고분자를 각각 포함하는 3종 이상의 포토레지스트 조성물을 유리 전이 온도가 높은 것부터 순차대로 코팅하여 다층의 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 다층의 포토레지스트층에 대하여 리소그래피(lithography) 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴에 대하여 리플로우(reflow)공정을 행하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 리플로우 공정은 상기 다층의 포토레지스트층중 최상층내 감광성 고분자의 유리 전이 온도와 최하층내 감광성 고분자의 유리 전이 온도 사이에서 행해질 수 있다.
상기 감광성 고분자는 하기 화학식 1로 표현되는 반복 단위를 포함한다 :
[화학식 1]
Figure 112008057333924-pat00001
(상기 화학식 1에서,
R은 에테르기 또는 에스테르기를 포함하거나 포함하지 않는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 시클로 알킬기이다.)
상기 화학식 1로 표현되는 반복 단위는 감광성 고분자 전체 반복 단위에 대하여 20 내지 50몰%로 함유될 수 있다.
상기 감광성 고분자는 포토레지스트 조성물 100중량부에 대하여 1 내지 30중량부로 포함될 수 있다.
본 발명에 의하면 리플로우 공정시 포토레지스트의 리플로우 속도 및 리플로우 양의 조절이 가능하므로 콘택홀의 측벽 프로파일의 변형이 최소화되어 균일한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 리플로우 양을 조절 가능하므로 원하는 선 폭(critical dimension) 에 맞추어 공정을 진행할 수 있고, 안정된 포토레지스트 패턴이 형성되므로 반도체 소자의 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의해 보다 직경이 작은 콘택홀의 형성이 가능하므로 미세 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 반도체 기판(100)위에 형성된 피식각막(200)의 상면에 감광성 고분자를 각각 포함하는 3종 이상의 포토레지스트 조성물을 코팅하여 다층의 포토레지스트층(300)을 형성한다. 각 층을 형성하는 상기 포토레지스트 조성물내 감광성 고분자의 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)는 각각 상이하다. 감광성 고분자의 유리 전이 온도가 높은 포토레지스트 조성물부터 순차대로 코팅하여 다층을 형성시킨다.
상기와 같이 각 층의 유리 전이 온도가 상이하도록 다층의 포토 레지스트층을 형성하면 후에 리플로우 공정시 각 층의 유동성이 달라져 리플로우 속도 및 양도 달라지게 된다. 따라서, 단일의 포토레지스트층을 형성할때보다 균일한 패턴을 형성할 수 있다.
상기 다층의 포토레지스트층(300)은 하기와 같은 방법으로 형성된다. 피식각 막의 상면(200)에 유리 전이 온도가 가장 높은 감광성 고분자를 포함하는 포토레지스트 조성물을 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 도포하여 제1 포토레지스트층(310)을 형성한다. 이후 baking 공정으로 용매를 제거하고 다음으로 유리 전이 온도가 높은 포토레지스트 조성물을 도포하여 제2 포토레지스트층(320)을 형성한다. 동일한 과정으로 제3 포토레지스트층(330)을 형성한다. 상기 과정을 반복하여 다층의 포토레지스트층(300)을 형성할 수 있다.
상기 다층의 포토레지스트는 3층 이상으로 형성될 수 있다. 바람직하게는 3내지 5층으로 형성될 수 있다. 3층 미만이면 균일한 패턴을 형성할 수 없고, 5층을 초과하여 형성되면 공정이 번거롭고 비용이 많이 소요된다.
도 1b를 참조하면, 상기 다층의 포토레지스트층(300)에 대하여 통상적인 리소그래피 공정을 행하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
리소그래피 공정은 상기와 같이 형성된 다층의 포토레지스트층을 소정 패턴으로 노광하는 노광공정, 현상공정등을 포함한다. 상기 리소그래피 공정에 의하여 피식각막의 상면이 D1만큼 노출된 포토레지스트 패턴이 형성된다.
도 1c를 참조하면, 상기와 같이 형성된 포토레지스트 패턴에 대하여 리플로우 공정을 행한다.
상기 리플로우 공정에 의하여 피식각막의 상면이 D1보다 좁은 D2만큼 노출된 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 상이한 다층의 포토레지스트층에 의 해 컨택홀의 측벽 프로파일이 균일하게 유지될 수 있다.
최하 포토레지스트층내 감광성 고분자의 유리 전이 온도가 가장 높으므로 리플로우 온도에서 최하층은 유동성이 적어 측방향으로 리플로우되는 양이 상대적으로 작고, 상층으로 갈수록 유리 전이 온도가 낮으므로 유동성이 커지고 리플로우 되는 양이 많아 측방향으로 이동하는 양이 많아진다. 또한, 리플로우 온도에서 최하층이 가장 단단하므로 중력에 의해 측방향으로 밀리는 양도 감소하게 될 것이다. 따라서, 중력 및 온도구배의 영향으로 상부는 넓고 하부는 좁은 접시 모양의 패턴이 형성되던 종래의 문제점이 감소될 수 있다.
리플로우 공정의 온도는 감광성 고분자에 포함되어 있는 아크릴레이트 단위체의 종류와 그 함량 및 원하는 패턴의 모양에 따라 달라질 수 있다. 바람직하게는 최상층 포토레지스트층내의 감광성 고분자의 의 유리 전이 온도와 최하층 포토레지스트층내 감광성 고분자의 유리 전이 온도 사이의 온도에서 행해 질 수 있다.
시간은 30초에서 90초사이이면 적당하다.
이하, 본 발명의 감광성 고분자 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 대해 상세히 설명한다.
상기 감광성 고분자는 하기 화학식 1로 표현되는 반복단위를 포함한다 :
[화학식 1]
Figure 112008057333924-pat00002
(상기 화학식 1에서,
R은 에테르기 또는 에스테르기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 시클로 알킬기이다.)
감광성 고분자의 유리 전이 온도는 상기 화학식 1로 표현되는 반복 단위의 함량으로 조절될 수 있다. 상기 반복단위는 아크릴레이트 단량체가 중합되면서 이중 결합이 없어진 것으로, 상기 반복 단위의 함량이 높을수록 유리 전이 온도는 낮아진다.
유리 전이 온도는 고분자 물질에 열을 가했을 때 분자들이 활성을 가지고 움직이기 시작하는 온도이다. 유리 전이 온도가 높은 물질일수록 동일 온도에서 유동성이 작다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 반복 단위는 감광성 고분자 전체 반복 단위에 대하여 20 내지 50몰%로 포함될 수 있다. 상기 범위 미만으로 포함되면 감광성 고분자의 유리 전이 온도가 상승하여 리플로우시 200℃이상의 매우 높은 온도로 진행되어야 하고, 상기 범위를 초과하면 유리 전이 온도가 낮아 동일 온도에서 유동성이 증가하므로 리플로우양을 조절하기 힘들어 원하는 균일한 모양의 패턴을 형성할 수 없다.
상기 감광성 고분자는 상기 화학식 1의 반복 단위를 생성하기 위한 아크릴레이트 단량체, 산에 민감한 보호기를 가진 단량체, 및 가교결합성 단량체등 감광성 고분자에 통상적으로 사용되는 단량체들의 중합반응에 의해 제조될 수 있다. 중합반응은 라디칼 중합반응, 용액 중합 반응, 벌크 중합 반응 또는 금속 촉매를 이용한 중합반응으로 수행될 수 있다. 상기 감광성 고분자는 블록 공중합체 또는 랜덤 공중합체일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 감광성 고분자의 중량 평균 분자량(Mw)은 3000 내지 100000정도인 것을 사용할 수 있다. 상기 감광성 고분자의 구체적인 예로 하기 화학식 2의 고분자를 들 수 있다 :
[화학식 2]
Figure 112008057333924-pat00003
(상기 화학식 2에서,
R1 내지 R3는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 시클로 알킬기이고,
R4는 수소, 메틸기 또는 에틸기이고,
a, b, c, d는 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각 반복단위의 몰%로 a,b,c는 각각 1 내지 60몰%이고, d는 20 내지 50몰%이다.)
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 감광성 고분자는 포토레지스트 100중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 바람직하게는 3 내지 15중량부로 포함될 수 있다. 1중량부 미만으로 포함되면 코팅 후 남게 되는 포토레지스트층이 너무 얇아 원하는 두께의 패턴을 형성하기 어렵고, 30중량부를 초과하면 코팅의 균일성이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 포토 레지스트 조성물은 상기 감광성 고분자; 광산 발생제; 및 유기용매를 포함한다.
상기 광산 발생제는 노광에 의해 H+등 산성분을 생성하여, 화학증폭 작용을 유도하는 기능을 하는 것으로, 빛에 의해 산을 발생시킬 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용할 수 있으며, 바람직하게는 유기술폰산 등의 황화염계 화합물, 오니움염계 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 광산 발생제의 구체적인 예로, 157nm 및 193nm에서 흡광도가 적은 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트(phthalimidotrifluoromethanesulfonate),디니트로벤질토실레이트(dinitrobenzyl tosylate),n-데실디술폰(n-decyldisulfone),나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트(naphthylimidotrifluoromethanesulfonate),디페틸요도염헥사플루오로포스페이트(diphenylliodoniumhexafluorophosphate),디페틸요도염 헥사플루오로 아르세네이트(diphenyliodoniumhexafluoroarsenate),디페닐요도염헥사플루오로안티모네이트(diphenyliodoniumhexafluoroantimonate),디페닐파라톨루에닐설포늄트리플레이트(diphenylparaisobuylphenylsulfoniumtriflate),트리페닐설포늄헥사플루오로안티모네이트(triphenylsulfoniumhexafluoroantimonite),트리페닐설포늄트리플레이트(triphenylsulfoniumtriflate),디부틸나프틸설포늄트리플레이트(dibutylnaphthylsulfonium triflate) 및 이들의 혼합물등이 있다.
상기 광산 발생제의 함량은 상기 감광성 고분자 100중량부에 대해 0.05 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 만약 0.05중량부 미만인 경우에는 포토레지스트 조성물의 빛에 대한 민감도가 저하되어 보호기의 탈보호가 곤란할 염려가 있고, 20중량부를 초과하면 광산 발생제에 다량의 산이 발생하여 레지스트 패턴의 단면이 불량해질 염려가 있다.
상기 유기 용매는 포토레지스트 조성물의 제조에 통상적으로 사용되는 다양한 유기 용매를 광범위하게 사용할 수 있다. 구체적으로, 에틸렌그리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 시클로헥사논, 디옥산, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 3-에톡시에틸프로피오네이트, 2-헵탄온, 감마-부티로락톤, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시2-메칠프로피오산메틸, 3-에톡시프로 피온산에틸, 3-메톡시-2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 및 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 유기염기를 더욱 포함할 수 있다. 상기 유기염기의 구체적인 예로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 이들의 혼합물등이 있다. 상기 유기염기의 함량은 포토레지스트 100중량부에 대하여 0.01 내지 10중량부인 것이 바람직하다. 유기염기의 함량이 0.01중량부 미만이면 레지스트 패턴에 티탑(t-top) 현상이 발생할 염려가 있고, 함량이 10중량부를 초과하면 포토레지스트의 감도가 떨어져 패턴 형성율이 저하될 염려가 있다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
< 실시예1 > Tg 가 상이한 감광성 고분자의 제조
1-1. 2-methyl-2-adamantyl-5-norbonene-2-carboxylate 0.161mol, maleic anhydride 0.161mol, 2-methyl-2-adamantyl-methacrylate 0.05mol, 및 2-hydroxylethyl acrylate 0.05mol 및 개시제로 아조비스(이소부티로 니트릴)(AIBN, azobisisobutylronitrile) 10g을 무수 THF 100g에 용해시키고 60℃ 에서 24시간 동안 중합반응 시켰다. 중합 완결후에 과량의 디에틸에테르에서 재침전시켜 Tg가 150℃인 감광성 고분자 수지를 얻었다.
1-2. 상기 실시예 1-1에서 2-hydroxylethyl acrylate를 0.1mol 첨가한 것을 제외하고 상기와 같은 방법으로 중합하여 Tg가 141℃인 감광성 고분자 수지를 얻었다.
1-3. 상기 실시예 1-1에서 2-hydroxylethyl acrylate를 0.15mol 첨가한 것을 제외하고 상기와 같은 방법으로 중합하여 Tg가 132℃인 감광성 고분자 수지를 얻었다. 하기 표 1 은 실시예 1-1 내지 1-3에 의해 얻어진 감광성 고분자 수지를 나타낸다.
반응 시간 중량평균분자량( Mw ) 수율(%) Tg
실시예 1-1 24 h 8900 72 150oC
실시예 1-2 24 h 8800 74 141oC
실시예 1-3 24 h 9100 76 132oC
< 실시예 2> 포토레지스트 조성물의 제조
2-1. 실시예 1-1에서 제조한 감광성 고분자 2g, 프탈이미도 트리플루오르메탄술포네이트 0.024g 및 트리페닐설포늄트리플레이트(TPS-105) 0.06g을 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(PGMEA) 20g에 녹인 후, 0.2μm필터로 여과시켜 제1 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
2-2. 실시에 1-2에서 제조한 감광성 고분자 2g을 포함하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2-1과 같은 방법으로 제2 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
2-3. 실시에 1-3에서 제조한 감광성 고분자 2g을 포함하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2-1과 같은 방법으로 제3 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
< 실시예 3> 포토레지스트 패턴 형성
3-1. 반도체 기판(100)위에 형성된 피식각막(200)의 상면에 상기 제1 포토레지스트 조성물, 제2 포토레지스트 조성물, 제3 포토레지스트 조성물을 순차대로 코팅하여, 제1 포토레지스층(310), 제2 포토레지스트층(320) 및 제3 포토레지스트층(330)을 포함하는 다층의 포토 레지스트층(300)을 형성하였다(도 1a).
3-2. 다층의 포토레지스트층(300)에 대하여, 노광 및 현상 공정을 거쳐 통상적인 리소그래피 공정으로 피식각막의 상면이 D1만큼 노출된 포토레지스트 패턴을 형성하였다(도 1b).
3-3. 상기 포토레지스트 패턴에 대하여 145℃ 에서 60초동안 리플로우 공정을 행하여 피식각막의 상면이 D2 만큼 노출된 도 1c와 같은 패턴을 얻었다.
< 비교예 1> 단일층의 포토레지스트층을 이용한 포토레지스트 패턴 형성
1-1. 상기 실시예 1-2 에서 제조된 감광성 고분자를 포함하는 제2 포토레지스트 조성물을 반도체 기판(100′)에 형성된 피식각막(200′)의 상면에 코팅하여 포토레지스트층(300′)을 형성하고(도 2a), 실시예 3-2와 같은 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다(도 2b).
1-2. 상기 포토레지스트 패턴에 대하여 145℃ 에서 60초동안 리플로우 공정을 행하여 피식각막의 상면이 D3 만큼 노출된 도 2c 와 같은 패턴을 얻었다.
상기 도 1c 와 도 2c를 참조하면, 실시예와 비교예에서 형성된 패턴은 리플로우 공정을 하기 전보다 콘택홀의 직경이 감소한다. 그러나 비교예의 방법으로 생성된 도 2c에 의하면 리플로우 속도 및 양을 조절할 수가 없어 콘택홀의 직경을 원하는 만큼 안정되게 생성할 수 없다. 예를 들어, 컨택홀의 직경이 D2인 패턴을 형성하고 싶은 경우에 리플로우 속도에 따라 D3의 직경을 갖는 패턴이 형성될 수도 있다. 또한, 측벽 프로파일이 버티컬하지 않고 접시모양으로 상부는 넓고 하부는 좁게 생성된다.
이에 반해 실시예의 방법으로 형성된 도 1c의 경우 리플로우 양 및 속도를 조절하여 콘택홀의 직경이 D2가 되는 안정된 패턴을 형성할 수 있고, 측벽 프로파일이 버티컬하고 균일하게 형성된다.
도 1a 내지 1c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 과정을 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 비교예에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 과정을 공정순서에 따라 도시한 단면도이다.

Claims (5)

  1. 피식각막의 상면에 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)가 상이한 감광성 고분자를 각각 포함하는 포토레지스트 조성물을 유리 전이 온도가 높은 것부터 순차대로 코팅하여 3층 내지 5층의 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 3층 내지 5층의 포토레지스트층에 대하여 리소그래피(lithography) 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴에 대하여 리플로우(reflow)공정을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 리플로우 공정이 상기 감광성 고분자의 유리 전이 온도중 가장 낮은 유리 전이 온도와 가장 높은 유리 전이 온도 사이에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 고분자가 포토레지스트 조성물에 대하여 1 내지 30중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 고분자가 하기 화학식 1로 표현되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112008057333924-pat00004
    (상기 화학식 1에서,
    R은 에테르기 또는 에스테르기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 시클로 알킬기이다.)
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표현되는 반복 단위가 감광성 고분자 전체 반복 단위에 대하여 20 내지 50몰%로 함유되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
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