JP2006022310A - 低応力、高温フィルム用多環式ポリマーに基づく感光性組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 229920005567 polycyclic polymer Polymers 0.000 title description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 282
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 76
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims abstract description 34
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 27
- LKMJVFRMDSNFRT-UHFFFAOYSA-N 2-(methoxymethyl)oxirane Chemical compound COCC1CO1 LKMJVFRMDSNFRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 22
- HDSXEXIWXIOPOT-UHFFFAOYSA-N 4-(2-phenylethyl)bicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC(C=C2)CC12CCC1=CC=CC=C1 HDSXEXIWXIOPOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- -1 n-decyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- JZEPSDIWGBJOEH-UHFFFAOYSA-N 4-decylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2C=CC1(CCCCCCCCCC)C2 JZEPSDIWGBJOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 12
- 150000002848 norbornenes Chemical class 0.000 abstract description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 54
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 16
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 13
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 10
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 8
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 8
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- QYDCVVDDMNYJTK-UHFFFAOYSA-N Cc1ccccc1.Cc1ccccc1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound Cc1ccccc1.Cc1ccccc1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F QYDCVVDDMNYJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-acetyl-2-methoxyphenoxy)acetic acid Chemical compound COC1=CC(C(C)=O)=CC=C1OCC(O)=O WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005275 alkylenearyl group Chemical group 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- QKAIFCSOWIMRJG-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)-(4-propan-2-ylphenyl)iodanium Chemical compound C1=CC(C(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C)C=C1 QKAIFCSOWIMRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VKQJCUYEEABXNK-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-propoxythioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C(OCCC)=CC=C2Cl VKQJCUYEEABXNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DQNSRQYYCSXZDF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxymethyl)cyclohexane Chemical compound C=COCC1CCC(COC=C)CC1 DQNSRQYYCSXZDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 1,7-octadiene Chemical compound C=CCCCCC=C XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTIRZDOTJROEJA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-4-[(4-ethenoxyphenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(OC=C)=CC=C1CC1=CC=C(OC=C)C=C1 MTIRZDOTJROEJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQFUSWIGRKFAHK-UHFFFAOYSA-N 2,3-epoxypinane Chemical compound CC12OC1CC1C(C)(C)C2C1 NQFUSWIGRKFAHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQKDMKKMCVJJTC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropoxymethyl)oxirane Chemical compound CC(C)COCC1CO1 AQKDMKKMCVJJTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCOCC1CO1 YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQCSZRIVJVOYSU-UHFFFAOYSA-N 2-(ethoxymethyl)oxirane Chemical compound CCOCC1CO1 HQCSZRIVJVOYSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPEGUDKOYOIOOP-UHFFFAOYSA-N 2-(hexoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCCCOCC1CO1 JPEGUDKOYOIOOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWLUZGJDEZBBRH-UHFFFAOYSA-N 2-(propan-2-yloxymethyl)oxirane Chemical compound CC(C)OCC1CO1 NWLUZGJDEZBBRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWNOEVURTVLUNV-UHFFFAOYSA-N 2-(propoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCOCC1CO1 CWNOEVURTVLUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CCC(O)=O)=CC(C(C)(C)C)=C1O WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKVYHNPVKUNCJM-UHFFFAOYSA-N 4-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C(C(C)C)=CC=C2 IKVYHNPVKUNCJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VFOANCKZUPWCRJ-UHFFFAOYSA-N [O-]B(O)O.FC(C(F)=C(C(S(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)=C1F)F)=C1F.C(C=C1)=CC=C1[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound [O-]B(O)O.FC(C(F)=C(C(S(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)=C1F)F)=C1F.C(C=C1)=CC=C1[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 VFOANCKZUPWCRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- NQFUSWIGRKFAHK-BDNRQGISSA-N alpha-Pinene epoxide Natural products C([C@@H]1O[C@@]11C)[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1C2 NQFUSWIGRKFAHK-BDNRQGISSA-N 0.000 description 2
- 229930006723 alpha-pinene oxide Natural products 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N bisphenol F diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012847 fine chemical Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 2
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 2
- FWOMVFMEDCSXDD-UHFFFAOYSA-N (2-tert-butylphenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.CC(C)(C)C1=CC=CC=C1[SH2+] FWOMVFMEDCSXDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUCIROUEDJQIB-GQCTYLIASA-N (6e)-octa-1,6-diene Chemical compound C\C=C\CCCC=C RJUCIROUEDJQIB-GQCTYLIASA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trifluoro-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(F)=C(F)C=C1F SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical compound C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOYBXUIKQOIDQO-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenoxy)propane Chemical compound C=COCCCOC=C QOYBXUIKQOIDQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPRPJUMQRZTTED-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolanyl Chemical group [CH]1OCCO1 JPRPJUMQRZTTED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005940 1,4-dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 1,6-bis(ethenoxy)hexane Chemical compound C=COCCCCCCOC=C JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRECSNJNCXXLOR-UHFFFAOYSA-N 1,8-bis(ethenoxy)octane Chemical compound C=COCCCCCCCCOC=C IRECSNJNCXXLOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOAQRMLVFRWIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOC=C NSOAQRMLVFRWIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAYAKLSFVAPMEL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC=C LAYAKLSFVAPMEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=C QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXCVIFJHBFNFBO-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctane Chemical compound CCCCCCCCOC=C XXCVIFJHBFNFBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOVVHAHLSILYMB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxythioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2OCCC GOVVHAHLSILYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXBUYALKJGBACG-UHFFFAOYSA-N 10-methylphenothiazine Chemical compound C1=CC=C2N(C)C3=CC=CC=C3SC2=C1 QXBUYALKJGBACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASPUDHDPXIBNAP-UHFFFAOYSA-N 6-ethenoxyhexan-1-ol Chemical compound OCCCCCCOC=C ASPUDHDPXIBNAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YTTHSHHQECODSY-UHFFFAOYSA-N C1CCOC1.C1CCOC1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound C1CCOC1.C1CCOC1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F YTTHSHHQECODSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWNYKBWTXRHIIE-UHFFFAOYSA-N C1COCCO1.C1COCCO1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound C1COCCO1.C1COCCO1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F VWNYKBWTXRHIIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CC(C)(C(*1)C23)C(*)(*)C(*)(*)C1C2C1(*)C3(*)C2C=CC1*2 Chemical compound CC(C)(C(*1)C23)C(*)(*)C(*)(*)C1C2C1(*)C3(*)C2C=CC1*2 0.000 description 1
- FHSFGYSTMFGBDE-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=CC=C1.FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1[Ni]C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F Chemical compound CC1=CC=CC=C1.FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1[Ni]C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F FHSFGYSTMFGBDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPRSFHUWHSTOOD-UHFFFAOYSA-N CCCC(O)=O.CCCC(O)=O.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound CCCC(O)=O.CCCC(O)=O.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F YPRSFHUWHSTOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTTZHWARRGOXFM-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(C)cc(C)c1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound Cc1cc(C)cc(C)c1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F JTTZHWARRGOXFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- HIBSXGQBBLHJKL-UHFFFAOYSA-N [O-]B(O)O.FC(C(F)=C(C(S(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)=C1F)F)=C1F.C(C=C1)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 Chemical compound [O-]B(O)O.FC(C(F)=C(C(S(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)=C1F)F)=C1F.C(C=C1)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 HIBSXGQBBLHJKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 125000001743 benzylic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- FDYBDHNULJSPAO-UHFFFAOYSA-N c1ccccc1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F Chemical compound c1ccccc1.Fc1c(F)c(F)c([Ni]c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c(F)c1F FDYBDHNULJSPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- LRZCOABZEULHCP-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.C1CCCCC1 LRZCOABZEULHCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000004186 cyclopropylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N dimethylpyridine Natural products CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxybenzene Chemical group C=COC1=CC=CC=C1 NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 125000003392 indanyl group Chemical group C1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002757 morpholinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 239000002777 nucleoside Substances 0.000 description 1
- 150000003833 nucleoside derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005936 piperidyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Chemical group 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Chemical group 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Chemical group 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical group O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000003507 tetrahydrothiofenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 125000001984 thiazolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000004568 thiomorpholinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKQVSNHTBLJCH-UHFFFAOYSA-N trifluoromethanesulfonimidic acid Chemical compound NS(=O)(=O)C(F)(F)F KAKQVSNHTBLJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTCOSYZEYALTGJ-UHFFFAOYSA-N tris(2-tert-butylphenyl)sulfanium Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1[S+](C=1C(=CC=CC=1)C(C)(C)C)C1=CC=CC=C1C(C)(C)C UTCOSYZEYALTGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 230000004584 weight gain Effects 0.000 description 1
- 235000019786 weight gain Nutrition 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ノルボルネン型モノマーから得られる二つ以上の種類の区別される型の反復単位を有する主鎖を持ったビニル付加ポリマーからなり、第一型の反復単位は、式1に表わされるグリシジルエーテル置換ノルボルネンモノマーから得られ、第二型の反復単位はアラルキル置換ノルボルネンモノマーから得られる。
[式中、Xは−CH2−,−CH2−CH2−および−O−O−から選択、mは0〜5,R1,R2,R3およびR4の少なくとも一つはグリシジルエーテル含有基]
【選択図】なし
Description
本出願は米国仮特許出願第60/585,829号(2004年7月7日出願)および米国特許出願第10/465,511(2003年6月19日出願)の優先権の利益を主張し、それぞれは参照することにより本明細書中に援用される。
本発明は感光性多環式ポリマー、その組成物、それから形成されるフィルム、およびマイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスにおいて使用するそれらの使用方法、より具体的には、前記ポリマー、組成物、フィルムおよびその処理方法であって、ここで該ポリマーが機能化されたノルボルネン型のモノマーの付加重合により得られる反復単位を包含し、フィルムが、他のものの中で低い内部応力および高温安定性により特徴付けられるものに関する。
マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス産業の急速な発展は誘電性ポリマー物質に対する大きな需要をもたらしてきた。少なくとも部分的には、この需要は、過去に製造されたデバイスよりもより高い機能性および速い演算速度をなし遂げるような物質を必要とするデバイスを目指すこれらの産業の進展により喚起された。例えば、高密度のメモリーやマイクロプロセッサーなどの進んだマイクロエレクトロニクスデバイスには、容量結合効果を減少させるために可能な限り低い誘電定数を有する誘電性物質によってそれぞれから絶縁されていなければならない、狭い間隔の電気相互接続(electrical interconnects)の数個の層が、概して必要である。
したがって、マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス産業において使用されるための適正なモデュラスを有する低誘電定数ポリマー物質を提供するために、上述した従来技術の物質の欠点を解決すべく、およびそれ自体が感光性で感光の差異に水を必要とせず、物理的、機械的および化学的特性の特定の値を有するように調整可能な物質について、熱心な研究を行い、さらに種々の用途のために容易に調整される感光材料の使用を可能にする方法を提供するための研究を行った結果、本発明者は、適切なノルボルネン形モノマーを選択し、当該モノマー2,3連鎖によるポリマー主鎖の形成を含むビニル付加重合により重合し、さらに適切な添加剤を形成されたビニル付加ポリマーに付与しその感光性ポリマー組成物提供することにより、本発明が完成する事を発見した。
本発明はビニル付加多環式ポリマー、その組成物、それから形成されるフィルム、および、マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスにおいてそのポリマー、組成物、フィルムを使用するための処理方法または使用方法に関する。有利な点として、前述の組成物のポリマーおよびフィルムは、官能基化されたノルボルネン型モノマーのビニル付加重合の結果である反復単位を含み、ここで、そのような官能基化されたノルボルネン型モノマーにはエポキシ基含有ノルボルネン型モノマーが含まれる。
により表されるモノマーから独立して選択される。当該実施態様のポリマーは内部応力が低いフィルムを形成するためのポリマー組成物に使用することができる、当該フィルムは300℃を超える加工処理温度に曝すことができ、パターンを形成するように感光させることができ、その場合、側壁のプロフィールが垂直以下の角度を形成し、市販の現像液、例えば、シクロペンタノンやメチルn−アミルケトン(2−ヘプタノン)(”MAK”)を感光処理工程で用いることができる。
本明細書中で用いられるとき、用語”ポリマー”はそのポリマーの合成に付随する開始剤、触媒および他の要素からの残渣(ここで、その残渣はそこには共有結合で取り込まれてはいないと理解される)と同様に、以上に定義したとおりのビニル付加重合されたポリマーを含むことを意味する。その残渣および他の要素は、ポリマーと一緒に残存する傾向のあり、典型的には、容器の間または溶剤または分散媒体の間を移送する際にポリマーと混合され、またはポリマーに混入する。
例えば、R23およびR24は置換基の群から独立に選択される場合の以下の記述は、R23およびR24は独立に選択されると同時に、変異性のR23が分子中に1回以上存在し得るところでは、その存在が独立に選択されることを意味する(例えば、R1とR2が、それぞれ、構造式IIのエポキシ含有基であるとき、R23はR1中のHであり、R2中のメチルであり得る。)。当業者であれば、置換基の大きさと性質が、存在できる置換基の数に影響を及ぼすことがわかる。
”ヒドロカルビル(hydrocarbyl)”は、置換基が水素であるか、または、炭素および水素原子で単に構成されることを意味する。当業者であれば承知しているとおり、ヒドロカルビルは、別に指摘しない限り、用語が単独で用いられるか、または他の用語と組み合わせて用いられるかにかかわらずその定義が適用される以下のことを含む。したがって、”アルキル”の定義は”アラルキル(aralkyl)”、”アルカリール(alkaryl)”等の”アルキル”部分と同様に”アルキル”にも適用される。
H、C1〜C25直鎖、分枝鎖および環状アルキル、アリール、アラルキル、アルカリール、アルケニルおよびアルキニル;または
O、NおよびSiから選択されるヘテロ原子を1つまたはそれ以上含有するC1〜C25直鎖、分枝鎖および環状アルキル、アリール、アラルキル、アルカリール、アルケニルおよびアルキニル;または
式II:
のグリシジルエーテル部分;または
C1〜C25直鎖、分枝鎖および環状アルキレンおよびアルキレンアリールから選択される連結基によって共に連結されるR1、R2、R3、およびR4の二つの全ての組み合わせ
から独立して選択される。ただし、式Iの少なくとも二つ以上の区別される型のモノマーの一つが、少なくとも一つのグリシジルエーテル側基を含むとき、少なくとも二つの区別される型のモノマーの他の一つが、少なくとも一つのアラルキル側基を含む。
本発明のある実施態様において、第一型の区別される反復単位はノルボルネン型モノマーから得られ、ここで、Xは−CH2−であり、mは0であり、基R1、R2、R3およびR4の3つはそれぞれHであり、第4番目は式II[Aはアルキレンであり、そしてR23およびR24はそれぞれHである]のグリシジルエーテル含有基である。例示されるモノマーは、限定はされないが、例えば、グリシジルメチルエーテルノルボルネン、グリシジルエチルエーテルノルボルネン、グリシジルプロピルエーテルノルボルネン、グリシジルイソプロピルエーテルノルボルネン、グリシジルブチルエーテルノルボルネン、グリシジルイソブチルエーテルノルボルネンおよび/またはグリシジルヘキシルエーテルノルボルネン等の、グリシジルアルキルエーテルノルボルネン型モノマーを含む。
で表される。上記連鎖移動剤のなかで、例えば、エチレン、プロピレン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセン、1−デセン、1,7−オクタジエン、および1,6−オクタジエン、またはイソブチレンなどのような、2〜10の炭素原子を有するα−オレフィンが好ましい。
本発明の例示的な実施態様において、溶媒は感光性ポリマー組成物中にその組成物の少なくとも20重量%から95重量%ほどまでの量で存在する。他の実施態様では、感光性ポリマー組成物の少なくとも35重量%からの、さらに別の実施態様では、少なくとも50重量%からの下限が適切である。そのような感光性ポリマー組成物の実施態様中に存在する溶媒の量は、実施態様の特性が基板をコーティング処理するためおよび適切な厚みを有する層を提供するために選ばれた方法にふさわしいように、上述した任意の値の間を変動できる。当該特性の非限定的な例は粘度および溶媒の蒸発速度を含む。
R11は、C1〜C20直鎖または分枝鎖アルキルおよびアルキロールから選ばれる]
で示される化合物から選ばれる1種以上の化合物を含む。
で表される化合物から選ばれる1種またはそれ以上の化合物を含む。
以下の実施例は説明の目的のためのみに提供され、本発明のポリマーについての実施態様は、広い範囲の用途の特定の特性と特質を付与するように調整できる。
ポリマー合成実施例
実施例1
フェネチルノルボルネン、グリシジルメチルエーテルノルボルネンおよびデシルノルボルネンから得られるフェネチル、グリシジルメチルエーテルおよびデシル反復単位を含むポリマーを以下のようにして調製した:110℃で18時間乾燥し、次いで窒素パージしたグローブボックス内に移した反応容器に、エチルアセテート(230g)、シクロヘキサン(230g)、フェネチルノルボルネン(14.17g、0.071mol);グリシジルメチルエーテルノルボルネン(14.0g、0.100mol)およびデシルノルボルネン(39.50g、0.168mol)を加えた。乾燥N2流をこの溶液に30分間通すことによって、この反応媒体から酸素を取り除いた。パージが完了した後、8mlのトルエン中に溶解した1.50g(3.10mmol)のビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケルを反応器中に注入した。反応混合物を周囲温度で18時間撹拌し、次いで過酢酸溶液(ニッケル触媒に基づく50mol当量、150mmol、130mlの脱イオン水で希釈された57mlの氷酢酸を、およそ100mlの脱イオン水で希釈された115mlの30重量%過酸化水素と混ぜ合わせて調製した)で処理し、さらに18時間撹拌した。
エチルアセテート(200g)、シクロヘキサン(200g)、フェネチルノルボルネン(5.06g、0.025mol)、グリシジルメチルエーテルノルボルネン(14.0g、0.077mol)およびデシルノルボルネン(33.6g、0.152mol)を用いたことを除いて、実施例1の手順を繰り返した。パージが完了した後、8mlのトルエン中に1.45g(3.00mmol)のビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケルを溶解し、反応器中に注入した。上記の実施例1と同様に、反応を周囲温度で6時間撹拌し、次いで適切な過酢酸溶液と反応させ、洗浄した。上の実施例1と同様に、ポリマーを沈澱させ、回収した。乾燥後、49.2gの乾燥ポリマー(転化率90%)を得た。ポリマーの分子量はポリスチレン標準を用いてGPCにより測定し、Mw=84,631、Mn=33,762、多分散性インデックス(PDI)=2.51であることを確認した。ポリマーの組成は1H−NMRを用いて測定し、10.2mol%のフェネチルノルボルネン;31.5mol%のグリシジルメチルエーテルノルボルネンおよび58.3mol%のデシルノルボルネン:が結合していることを確認した。
エチルアセテート(200g)、シクロヘキサン(200g)、フェネチルノルボルネン(2.36g、0.012mol)、グリシジルメチルエーテルノルボルネン(12.63g、0.070mol)およびデシルノルボルネン(35.6g、0.152mol)を用いたことを除いて、実施例1の手順を繰り返した。パージが完了した後、7mlのトルエン中に1.33g(2.74mmol)のビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケルを溶解し、反応器中に注入した。上記の実施例1と同様に、反応を周囲温度で6時間撹拌し、次いで適切な過酢酸溶液と反応させ、洗浄した。上記の実施例1と同様に、ポリマーを沈澱させ、回収した。乾燥後、44.8gの乾燥ポリマー(転化率89%)を得た。ポリマーの分子量はポリスチレン標準を用いてGPCにより測定し、Mw=92,452、Mn=37,392、多分散性インデックス(PDI)=2.47であることを確認した。ポリマーの組成は1H−NMRを用いて測定し、6.5mol%のフェネチルノルボルネン;30.1mol%のグリシジルメチルエーテルノルボルネンおよび63.4mol%のデシルノルボルネン:が結合していることがわかった。
エチルアセテート(290g)、シクロヘキサン(290g)、フェネチルノルボルネン(71.85g、0.364mol)およびグリシジルメチルエーテルノルボルネン(28.15g、0.156mol)を用いたことを除いて、実施例1の手順を繰り返した。パージが完了した後、18.0mlのトルエン中に3.15g(6.51mmol)のビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケルを溶解し、反応器中に注入した。反応を周囲温度で18時間撹拌し、次いで過酢酸溶液(ニッケル触媒に基づく50mol当量、150mmol、約200mlの脱イオン水で希釈された100mlの氷酢酸を、約200mlの脱イオン水で希釈された200mlの30重量%過酸化水素と混ぜ合わせて調製した)で処理し、さらに18時間撹拌した。
もう一つの方法において、300ガロンPFA内張ステンレススチール反応容器に、25.4kgのフェネチルノルボルネン、17.0kgのグリシジルメチルエーテルノルボルネン、22.8kgのデシルノルボルネン、261.0kgのシクロヘキサンおよび261.0kgのエチルアセテートを加え、31℃に暖めた。撹拌を開始後、29.48kgの無水トルエン中に溶解した1.228kgのビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケル溶液を加え、発熱を伴う反応で反応容器の温度が45℃まで上昇し、その温度を5時間維持した。反応混合物を、33kgの酢酸、62.3kgの30%過酸化水素および71.8kgの脱イオン水の溶液で撹拌しながら処理し、その後、混合物を放置し水層と溶媒層とに分離させた。水層は取り除き、反応混合物の温度を50℃に維持しながら溶媒相は水とエタノール混合物(129.3kgの水と55.4kgのエタノール)で3回洗浄した。次いで得られたポリマーリッチ溶媒層を未反応のモノマーを除去するためにアルコールの混合物で処理し、4℃まで冷却し、上部のアルコール層を取り除いた。次いで生成物は溶媒交換で2−ヘプタノン(MAK)中の溶液として回収され、真空蒸留によっておよそ50%ポリマーに濃縮した。61.5kgのポリマー(94%理論収量)が得られた。1H−NMR分析法により、ポリマーの組成が、41mol%のフェネチルノルボルネン、29mol%のグリシジルメチルエーテルノルボルネンおよび30mol%のデシルノルボルネンが取り込まれたことが示された。分子量はMn=33,137、Mw=70,697、多分散性インデックス(PDI)=2.13であった
エチルアセテート(917g)、シクロヘキサン(917g)、デシルノルボルネン(192g、0.82mol)、グリシジルメチルエーテルノルボルネン(62g、0.35mol)を用いたことを除いて、実施例1の手順を繰り返した。パージが完了した後、9.36g(19.5mmol)のビス(トルエン)ビス(ペルフルオロフェニル)ニッケルを15mlのトルエン中に溶解し、反応器中に注入した。実施例1と同様に、反応を周囲温度で5時間撹拌し、次いで適切な過酢酸溶液と反応させ、洗浄した。撹拌を止め、放置し水層と溶媒層とに分離させた。次いで、実施例1と同様に、ポリマーを析出させ、メタノール中に沈澱させて回収した。乾燥後、243gの乾燥ポリマー(転化率96%)を回収した。ポリマーの分子量はポリスチレン標準を用いてGPCにより測定し、Mw=115,366、Mn=47,424、多分散性インデックス(PDI)=2.43であることを確認した。ポリマーの組成は1H−NMRを用いて測定し、70mol%のデシルノルボルネン;および30mol%のグリシジルメチルエーテルノルボルネン:が取り込まれていることを確認した。
実施例A
褐色広口瓶に101.0gの実施例5で調製したポリマー溶液と50gの2−ヘプタノン(MAK)とを加えた。固形ポリマーが完全に溶解するまで溶液を混合し、次いで0.45ミクロンフィルターで濾過し微粒子を取り除いた。その溶液に2.00g(1.97mmol)のRhodorsil(登録商標)2074光開始剤、0.06g(1.97mmol)のSpeedCure(登録商標)CPTX(Lambson Group Ltd.)、0.137g(0.688mmol)フェノチアジン(Aldrich)および2.657gのIrganox1076(5.00mmol)を加えた。その溶液を18時間混合し、光活性化合物を完全に分散させた。
褐色広口瓶に191.25gの実施例1で調製したポリマー溶液と191gの2−ヘプタノン(MAK)とを加えた。固形ポリマーが完全に溶解するまで溶液を混合し、次いで0.45ミクロンフィルターで濾過し微粒子を取り除いた。その溶液に3.825g(3.77mmol)のRhodorsil(登録商標)2074光開始剤、1.148g(3.77mmol)のSpeedcure(登録商標)CTPX(Lambson Group Ltd.)、0.262g(1.32mmol)フェノチアジン(Aldrich)および3.73g(7.03mmol)のIrganox1076(Ciba)を加えた。その溶液を18時間混合し、光活性化合物を完全に分散させる。
褐色広口瓶に37.5gの実施例1で調製したポリマー溶液と37.5gの2−ヘプタノン(MAK)とを加えた。固形ポリマーが完全に溶解するまで溶液を混合し、次いで0.45ミクロンフィルターで濾過し微粒子を取り除いた。その溶液に0.9840g(0.97mmol)のRhodorsil(登録商標)2074光開始剤、0.297g(0.97mmol)のSpeedcure(登録商標)CPTX(Lambson Group Ltd.)、0.070g(0.35mmol)のフェノチアジン(Aldrich)、0.73g(1.38mmol)のIrganox1076(Ciba Fine Chemicals)、2.46g(10.4mmol)の3−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン(Aldrich)および1.25g(6.36mmol)の1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えた。その溶液を18時間混合し、光活性化合物を完全に分散させる。
褐色広口瓶に33.2gの実施例4で調製したポリマー物質と47.6gの2−ヘプタノン(MAK)とを加えた。固形ポリマーが完全に溶解するまで溶液を混合し、次いで0.45ミクロンフィルターで濾過し微粒子を取り除いた。その溶液に0.664g(0.65mmol)のRhodorsil(登録商標)2074光開始剤、0.203g(0.668mmol)のSpeedcure(登録商標)CPTX(Lambson Group Ltd.)、0.051g(0.256mmol)フェノチアジン(Aldrich)、0.499gのIrganox1076(0.939mmol)、1.667g(7.2mmol)の3−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン(Aldrich)および0.831g(4.23mmol)の1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えた。その溶液を18時間混合し、光活性化合物を完全に分散させる。
5インチの被覆されたオキシ窒化ケイ素ウェファー4個を、4.0gの実施例1,4,5および比較例で調製したポリマーを含むポリマー組成物でそれぞれスピンコーティングした。各ウエハーのコーティングは、像様の露光のパターンを幅100ミクロンのラインとスペースとして、実施例Dと同様に処理した。
H、C1〜C25直鎖、分枝鎖および環状アルキル、アリール、アラルキル、アルカリール、アルケニルおよびアルキニル;またはO、NおよびSiから選択されるヘテロ原子を1以上含有するC1〜C25直鎖、分枝鎖および環状アルキル、アリール、アラルキル、アルケニルおよびアルキニル;または式II:
により表されるグリシジルエーテル含有基
から独立に選択される]
により表されるモノマーから独立に選択され;ただし式Iで表される少なくとも2の区別される型のモノマーのうちの一つが少なくとも一つのグリシジルエーテル側基を有し、少なくとも二つの区別される型のモノマーの他方が少なくとの1のアラルキル側基を有する。
ビニル付加ポリマーの反復単位が形成されるモノマーの総mol%を基準として、第一型のモノマーの量が25〜35mol%であり、第二型のモノマーの量が65〜75mol%である、前記ポリマー。
そのポリマーが、少なくとも275℃のガラス転移温度を有する、前記ポリマー。
そのポリマーが、0.1GPa〜3GPaのモデュラスを有する、前記ポリマー。
この発明の実施態様は、複数の反復単位を含むビニル付加ポリマーを対象とするとも言え、該複数は第一、第二および第三型の反復単位を含み、第一型の反復単位はグリシジルメチルエーテルノルボルネンから得られ、第二型の反復単位はフェネチルノルボルネンから得られ、そして第三型の反復単位はn−デシルノルボルネンから得られる。
光学的に触媒を生成する物質がフォトアシッドジェネレーターである、前記感光性ポリマー組成物。
フォトアシッドジェネレーターは、4,4’−ジtert−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート;4,4’,4’’−トリス(tert−ブチルフェニル)スルホニウムトリフレート;ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)スルホニウムボレート;トリアリールスルホニウム−テトラキス(ペンタフルオロフェニル)−ボレート;トリフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)スルホニウムボレート;4,4’−ジtert−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;トリス(tert−ブチルフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;4−メチルフェニル−4−(1−メチルエチル)フェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートおよびその混合物からなる群より選択される、前記感光性ポリマー組成物。
一以上の増感剤成分、一以上の溶媒、一以上の触媒スカベンジャー、一以上の接着促進剤、一以上の酸化防止剤、一以上の難燃剤、一以上の安定剤、一以上の反応性希釈剤および一以上の可塑剤からなる群より選択される一以上の成分をさらに含む、前記感光性ポリマー組成物。
アッシドスカベンジャー成分が一以上の二級アミンおよび/または三級アミンから選択される、前記感光性ポリマー組成物。
デバイスが、半導体デバイスまたは半導体デバイスパッケージである、前記電気または電子デバイス。
境界層として用いられる上述した感光性ポリマー組成物から形成される層を有する、前記電気または電子デバイス。
前記発明の実施態様は、基板の表面に感光性組成物の層を形成する方法をさらに含み、当該方法は:基板を用意し;そして基板の少なくとも一面の一部分を光学的に触媒を形成する物質および上述したビニル付加ポリマーを含む組成物でコーティング処理し;その被覆層を化学線に露光処理し;そして化学線に露光させた層を硬化処理することを含む。
硬化層中のパターンの画定が硬化層から複数の構造を形成することを含む、前記方法。
化学線が、200nm〜700nmの波長の紫外線または可視光線である、前記方法。
その露光が像様の露光である、前記方法。
その硬化が、30〜1800分の時間に150℃〜290℃の温度で加熱処理することを含む、前記方法。
硬化の前に露光層の現像をさらに含む、前記方法。
現像で2−ヘプタノン、メシチレンまたはトルエンから選択される一以上の現像溶媒を使用する、前記方法。
基板のプラズマ処理が、基板を酸素:アルゴンプラズマ(1:1ガス容積比)に300mTorrの圧力で30秒間露光処理すること含む、前記方法。
像様の露光処理が、365nmの波長に50mJ/cm2〜3,000mJ/cm2のエネルギーを有する化学線に当該層の選択された部分を露光することを含む、前記方法。
化学線で露光した層をシクペンタノン、MAKまたは他の現像溶媒で1〜10分の間の時間撹拌した浴槽式浸漬により現像し、次いでイソプロピルアルコール、PGMEAまたは他の溶媒中で浴槽式浸漬によりすすぎ洗いすることを含む、前記方法。
Claims (6)
- 式I:
第一型のモノマーについて、存在するR1、R2、R3、およびR4の少なくとも一つが、式II:
で表されるグリシジルエーテル含有基であり;
第二型のモノマーについて、存在するR1、R2、R3、およびR4の少なくとも一つが、アラルキル側基であり;そして
R1、R2、R3、およびR4の残りは、H、C1〜C25直鎖、分枝鎖、および環状アルキル、アリール、アラルキル、アルケニルおよびアルキニルから選択される側基であり、ここで、いずれの側基も、O、NおよびSiから選ばれる1以上のヘテロ原子を含んでよい]
により表される第一型のモノマーおよび第二型のモノマーからそれぞれ得られる第一型の反復単位および第二型の反復単位を含む主鎖を含むビニル付加ポリマー。 - 式中、R1、R2、R3、およびR4の少なくとも一つはn−デシル基であり、そしてR1、R2、R3、およびR4の残りはHである式Iにより表される第三型のモノマーより得られる第三型の反復単位をさらに含む、請求項1に記載のポリマー。
- 複数の反復単位を含むビニル付加ポリマーであって、該複数は第一、第二および第三型の反復単位を含み、第一型の反復単位はグリシジルメチルエーテルノルボルネンから得られ、第二型の反復単位はフェネチルノルボルネンから得られ、そして第三型の反復単位はn−デシルノルボルネンから得られる前記ポリマー;および
触媒を光学的に形成する物質;
を含む感光性組成物。 - 基板上に感光性層を形成する方法であって、基板を用意し、そして基板の少なくとも一面の一部分を請求項3に記載の組成物でコーティングすることを含む前記方法。
- 請求項4に記載の方法により基板上に感光性層を形成し;
当該層を一次加熱し;
当該層を化学線に像様に露光させ、当該像様露光により、当該層の露光した部分と当該層の露光しない部分を形成し;
化学線に露光した層を二次加熱し;
化学線に露光した層を現像溶液により処理し、当該処理により該露光していない部分は取り除かれ、該露光した部分は取り除かれず;および
該露光した部分を硬化すること
を含む誘電体構造を基板上に形成する方法。 - 請求項5に記載の方法で形成された誘電体構造を含む電気または電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US58582904P | 2004-07-07 | 2004-07-07 | |
US11/105,494 US20060020068A1 (en) | 2004-07-07 | 2005-04-14 | Photosensitive compositions based on polycyclic polymers for low stress, high temperature films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3721190B1 JP3721190B1 (ja) | 2005-11-30 |
JP2006022310A true JP2006022310A (ja) | 2006-01-26 |
Family
ID=35169841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005136207A Active JP3721190B1 (ja) | 2004-07-07 | 2005-05-09 | 低応力、高温フィルム用多環式ポリマーに基づく感光性組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060020068A1 (ja) |
EP (1) | EP1771491B1 (ja) |
JP (1) | JP3721190B1 (ja) |
KR (3) | KR100966763B1 (ja) |
CN (1) | CN101044185B (ja) |
DE (1) | DE602005017786D1 (ja) |
TW (1) | TWI408495B (ja) |
WO (1) | WO2006016925A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098950A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物および半導体装置 |
JP2008286877A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2009040985A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | National Taiwan Univ Of Science & Technology | エポキシ基を有するノルボルネン単量体およびその重合体 |
JP2009111356A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-05-21 | Promerus Llc | チップを積層するために、そしてチップ及びウェハを接合させるために有用な方法及び材料 |
JP2009530864A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | プロメラス, エルエルシー | チップ積層並びにチップ・ウェハ接合に有用な方法及び材料 |
JP2010065206A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体、これを用いた絶縁材、印刷回路基板、機能性素子 |
US8816485B2 (en) | 2006-03-21 | 2014-08-26 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding |
WO2015141525A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および電子装置 |
WO2016152623A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Rimtec株式会社 | 樹脂成形体及びその製造方法 |
JP2018511819A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-04-26 | プロメラス, エルエルシー | 光塩基発生剤を含有する光イメージ化可能な組成物 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006017035A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Promerus Llc | Photosensitive dielectric resin compositions and their uses |
KR101222947B1 (ko) | 2005-06-30 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인쇄용 용제, 및 그를 이용한 인쇄용 패턴 조성물 및 패턴 형성방법 |
US8053515B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-11-08 | Promerus Llc | Directly photodefinable polymer compositions and methods thereof |
DE102007037858B4 (de) | 2007-08-10 | 2012-04-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit verbessertem dynamischen Verhalten |
US8215496B2 (en) | 2008-01-28 | 2012-07-10 | Promerus Llc | Polynorbornene pervaporation membrane films, preparation and use thereof |
CN102695741B (zh) * | 2009-12-11 | 2015-07-08 | 普罗米鲁斯有限责任公司 | 具有季铵官能团的降冰片烯类聚合物 |
US8765894B2 (en) * | 2009-12-11 | 2014-07-01 | Promerus, Llc | Norbornene-type polymers having quaternary ammonium functionality |
JP5932793B2 (ja) | 2010-09-02 | 2016-06-08 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 電気デバイスのための中間層 |
RU2013114414A (ru) | 2010-09-02 | 2014-10-10 | Мерк Патент Гмбх | Диэлектрический слой затвора для электронных устройств |
US8070045B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable amine flux composition and method of soldering |
US8070046B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Amine flux composition and method of soldering |
US8829087B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-09-09 | Promerus, Llc | Transparent layer forming polymer |
CN104221176B (zh) * | 2012-01-16 | 2017-03-01 | 住友电木株式会社 | 用于微电子和光电子器件及其组件的热氧化稳定的、侧链聚醚官能化的聚降冰片烯 |
WO2013120581A1 (en) | 2012-02-15 | 2013-08-22 | Merck Patent Gmbh | Planarization layer for organic electronic devices |
KR102082019B1 (ko) * | 2012-04-25 | 2020-04-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전자 소자용 뱅크 구조체 |
US9468890B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-10-18 | Promerus, Llc | Cycloalkylnorbornene monomers, polymers derived therefrom and their use in pervaporation |
CN104685649B (zh) * | 2012-09-21 | 2018-06-15 | 默克专利股份有限公司 | 有机半导体配制剂 |
US9691985B2 (en) | 2012-10-04 | 2017-06-27 | Merck Patent Gmbh | Passivation layers for organic electronic devices including polycycloolefinic polymers allowing for a flexible material design |
KR20150082557A (ko) | 2012-11-08 | 2015-07-15 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 뱅크 구조물을 갖는 유기 전자 디바이스의 제조 방법, 이에 의해 제조된 뱅크 구조물 및 전자 디바이스 |
CN106103511A (zh) * | 2014-03-20 | 2016-11-09 | 住友电木株式会社 | 聚合物、感光性树脂组合物和电子装置 |
US9709710B2 (en) | 2015-03-06 | 2017-07-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Device including light blocking layer and method of patterning the light blocking layer |
CN108886096B (zh) | 2016-03-22 | 2022-10-28 | 普罗米鲁斯有限责任公司 | 含有双吖丙啶的有机电子组合物和其器件 |
US11118082B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-09-14 | Industrial Technology Research Institute | Composition, insulating material, and method for preparing an insulating material |
WO2020002277A1 (en) | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Merck Patent Gmbh | Method for producing an electronic device |
WO2020165270A1 (en) | 2019-02-12 | 2020-08-20 | The University Of Southampton | Device comprising piezoelectrically active layer and method for producing such device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1454336A (en) * | 1973-10-04 | 1976-11-03 | Showa Denko Kk | Polymer compositions |
US4883851A (en) * | 1988-07-25 | 1989-11-28 | California Institute Of Technology | Ring opening metathesis polymerization of strained cyclic ethers |
DE4124176A1 (de) * | 1991-07-20 | 1993-01-21 | Hoechst Ag | Polymere optische fasern auf der basis von fluor- und fluoralkylsubstituierten poly(norbornen)- und poly(norbornadien) -derivaten und verfahren zu deren herstellung |
US5198511A (en) * | 1991-12-20 | 1993-03-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polymerizable compositions containing olefin metathesis catalysts and cocatalysts, and methods of use therefor |
US5284929A (en) * | 1993-03-10 | 1994-02-08 | Shell Oil Company | Epoxy resins with cyclohexenenorbornene moieties |
GB2288404B (en) * | 1994-03-14 | 1998-09-02 | Nippon Zeon Co | Composition of epoxy group-containing cycloolefin resin |
US6294616B1 (en) * | 1995-05-25 | 2001-09-25 | B. F. Goodrich Company | Blends and alloys of polycyclic polymers |
WO1998020394A1 (en) * | 1996-11-04 | 1998-05-14 | The B.F. Goodrich Company | Photodefinable dielectric compositions |
US6946523B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-09-20 | Henkel Corporation | Heterobifunctional monomers and uses therefor |
US7022790B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-04-04 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Photosensitive compositions based on polycyclic polymers |
US20040084774A1 (en) * | 2002-11-02 | 2004-05-06 | Bo Li | Gas layer formation materials |
-
2005
- 2005-04-14 US US11/105,494 patent/US20060020068A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-09 JP JP2005136207A patent/JP3721190B1/ja active Active
- 2005-05-10 DE DE602005017786T patent/DE602005017786D1/de active Active
- 2005-05-10 KR KR1020097007326A patent/KR100966763B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-10 KR KR1020077003031A patent/KR100929604B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-10 KR KR1020087006139A patent/KR100993890B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-10 CN CN2005800230888A patent/CN101044185B/zh active Active
- 2005-05-10 WO PCT/US2005/016187 patent/WO2006016925A1/en active Application Filing
- 2005-05-10 EP EP05784033A patent/EP1771491B1/en not_active Not-in-force
- 2005-05-18 TW TW094116077A patent/TWI408495B/zh active
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098950A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物および半導体装置 |
JP2009530864A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | プロメラス, エルエルシー | チップ積層並びにチップ・ウェハ接合に有用な方法及び材料 |
US8816485B2 (en) | 2006-03-21 | 2014-08-26 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding |
US9263416B2 (en) | 2006-03-21 | 2016-02-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding |
JP2008286877A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2009040985A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | National Taiwan Univ Of Science & Technology | エポキシ基を有するノルボルネン単量体およびその重合体 |
JP2009111356A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-05-21 | Promerus Llc | チップを積層するために、そしてチップ及びウェハを接合させるために有用な方法及び材料 |
JP2010065206A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体、これを用いた絶縁材、印刷回路基板、機能性素子 |
WO2015141525A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および電子装置 |
JPWO2015141525A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-04-06 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および電子装置 |
JP2018511819A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-04-26 | プロメラス, エルエルシー | 光塩基発生剤を含有する光イメージ化可能な組成物 |
WO2016152623A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Rimtec株式会社 | 樹脂成形体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1771491A1 (en) | 2007-04-11 |
TWI408495B (zh) | 2013-09-11 |
KR20070041740A (ko) | 2007-04-19 |
CN101044185A (zh) | 2007-09-26 |
CN101044185B (zh) | 2012-07-04 |
KR20090040483A (ko) | 2009-04-24 |
KR100966763B1 (ko) | 2010-06-29 |
KR20080037084A (ko) | 2008-04-29 |
JP3721190B1 (ja) | 2005-11-30 |
KR100993890B1 (ko) | 2010-11-11 |
DE602005017786D1 (de) | 2009-12-31 |
TW200613902A (en) | 2006-05-01 |
US20060020068A1 (en) | 2006-01-26 |
EP1771491B1 (en) | 2009-11-18 |
KR100929604B1 (ko) | 2009-12-03 |
WO2006016925A1 (en) | 2006-02-16 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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