KR100969440B1 - 열 임프린트용 수지 - Google Patents

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안우팜 미트라
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에스씨아이브이에이엑스 가부시키가이샤
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Abstract

사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2 로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1)을 만족시킴과 함께 [M] > 10인 열 임프린트용 수지. 이로써 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등) 이 우수하고 또한 생산성 (스루풋 등) 의 개선에 기여한다.
[화학식 1]
Figure 112010011819263-pct00024
[화학식 2]
Figure 112010011819263-pct00025
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
사출 성형체, 수지, 열가소성, 임프린트(imprint)

Description

열 임프린트용 수지 {RESIN FOR THERMAL IMPRINT}
본 발명은 열 임프린트용 수지에 관한 것이다. 상세하게는 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR에 특정한 상관 관계를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지로서 사출 성형체 제조에 제공할 수 있는 수지에 관한 것이다.
광 통신, 광 디스크, 디스플레이, 광 센서 등의 광학 분야의 두드러진 발전에 수반하여 광학 수지 재료에는 성능과 비용의 양립이 요구되고 있다. 또 바이오 칩, 마이크로 리엑터 등의 분야에서도 유리 대신에 다양한 가공이 용이한 투명성 수지 재료에 대한 기대가 커지고 있다. 어느 분야에서나 기재 표면의 가공, 특히 미세 가공이 요구되게 되고 그 미세 가공 기술은 최근 집적화가 현저한 반도체 분야에서도 중요한 기술로 되어 있다. 종래, 투명성 재료의 표면에 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 표면을 기계적으로 절삭하거나 혹은 레지스트나 열, 자외선 또는 전자선 경화형 수지 등을 사용하여 패턴을 인쇄하는 방법이 채용되고 있다.
그러나 기계적 절삭에서는 매우 고도로 복잡한 가공 기술을 필요로 한다는 문제가 있다. 또 레지스트 등을 사용한 패턴 인쇄에서는 공정이 복잡한데다가 인쇄된 패턴이 박리되는 등 내구성에 문제가 있다. 나아가서는 패턴의 미세화에 수반하여 프로세스 전체를 높은 정밀도로 제어하는 기구(機構)가 요구되는 등 비용 문제를 무시할 수 없게 되어 있다.
이에 대하여 미세한 패턴을 저비용으로 형성하는 방법으로서 열 임프린트 방법이 제안되어 있다. 즉 수지 기판에 수지의 유리 전이 온도 이상으로 가열한 미세 패턴을 갖는 형(型)을 가압하여 용융된 수지 표면에 형의 미세 패턴을 전사하는 방법이다.
종래 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등) 의 향상, 생산성 (스루풋, throughput 등) 의 개선을 도모하기 위하여 단열재를 만들어 승온과 냉각의 사이클을 단축하는 방법 (예를 들어 특허 문헌 1) 이나 초음파 발생 기구를 만들어 초음파를 통해서 수지의 용융 점도를 저하시키는 방법 (특허 문헌 2) 등이 개시되어 있다. 그러나 열 임프린트에 사용되는 재료에 대하여 언급한 문헌은 거의 확인할 수 없어 임프린트용 재료의 개발이 요망되고 있다.
열 임프린트(thermal imprint)에 사용되는 재료로는 일반적으로 수지 재료나 유리, 금속 등이 있다. 이 중, 수지 재료는 금속이나 유리에 임프린트하는 것과 비교했을 때 저온에서 성형할 수 있어 제조 비용상 유리하다.
수지로는 폴리메틸메타크릴산 (PMMA)으로 대표되는 (메트)아크릴 수지 혹은 폴리카보네이트 수지 등이 있으나 내열성이 낮은 점이나 흡수에 의하여 치수 변화를 일으키는 점 등의 문제가 있었다. 또 유동성과 고화의 밸런스를 제어하기가 곤란하기 때문에 고전사된 패턴을 유지, 사용하기가 곤란하였다 (예를 들어 특허 문헌 3).
한편 내열성과 저흡수율에 의한 치수 안정성을 겸비한 수지로서 환상 올레핀계 열가소성 수지가 있다. 환상 올레핀계 열가소성 수지는 일반적으로 투명성, 화학적 내성, 저흡습성이 우수하고 환상 올레핀의 구조 또는 환상 올레핀 수지 중의 함유량에 의하여 더욱 용이하게 내열성을 제어할 수 있다. 또한 저점도이고 짧은 완화 시간 (형의 패턴 내에 수지가 충전되는 데 소요되는 시간), 금형에 대한 부착이 적은 수지로서 미세 패턴의 전사 정밀도가 우수하고 생산성도 우수한 열 임프린트 재료로서의 응용이 기대되는 수지이다 (예를 들어 비특허 문헌 1).
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2002-361500호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2004-288811호
특허 문헌 3 : 일본 공개특허공보 2000-158532호
비특허 문헌 1 : J.Mater. Chem., 2000년, 10권, 2634페이지
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그러나 종래의 환상 올레핀계 열가소성 수지는 유리 전이 온도 Tg(℃)나 유동성 등의 수지 물성을 열 나노 임프린트의 프로세스에 맞추어 개발한 것이 아니며 높은 성형 온도, 큰 성형 압력을 필요로 하기 때문에 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등)이 충분하지 않았다. 또한 긴 성형 시간을 필요로 하여 생산성 (스루풋)이 낮다는 문제도 있었다. 예를 들어 상기 비특허 문헌 1에 기재된 것은 성형 온도를 240℃ 로 고온으로 하기 때문에 형의 패턴을 전사한 후에 냉각하는 데 시간이 걸려 임프린트 제품을 제조하기 위해서는 생산성(스루풋 등)이 저하된다. 이것은 전적으로 수지 물성, 특히 유리 전이 온도와 수지 유동성의 지표가 되는 MFR 과의 상관 관계, 및 수지에 대한 임프린트 조건(성형 온도, 성형 압력, 이형 온도 등)과 임프린트성 (전사성, 이형성 등)과의 상관 관계가 파악되어 있지 않은 것에 기인한다.
따라서 본 발명은 열 임프린트에 사용하는 기판 등의 사출 성형체 제조에 제공할 수가 있고, 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등)이 우수하며 또한 생산성 (스루풋 등)의 개선에 기여하는 환상 올레핀계 열가소성 수지 및 이 수지를 사용한 열 임프린트 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 환상 올레핀계 열가소성 수지는 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 11 또는 하기 화학식 12 로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 의 값 ([M])이 하기 식 (1) 을 만족시킴과 함께 [M] > 10 인 것을 특징으로 한다.
Figure 112008025070455-pct00001
Figure 112008025070455-pct00002
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
(화학식 11, 화학식 12 중의 R1 내지 R29는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1)중의 [M]은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
본 발명의 다른 열 임프린트용 수지는 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 13 또는 하기 화학식 14로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1)을 만족시킴과 함께 [M] > 20 및 Tg > 90℃인 것을 특징으로 한다.
Figure 112008025070455-pct00003
Figure 112008025070455-pct00004
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
(화학식 13, 화학식 14 중의 R1 내지 R29 는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1)중의 [M] 은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
이 경우, 상기 환상 올레핀계 열가소성 수지가 하기 화학식 15로 표시되는 환상 올레핀과 α-올레핀과의 공중합체, 또는 상기 환상 올레핀의 개환 중합 후에 수소화함으로써 제조되는 중합체인 것이 바람직하다.
Figure 112008025070455-pct00005
(화학식 15 중의 R30 내지 R48은 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.)
또한, 상기 열 임프린트용 수지는 1 이상의 첨가물을 함유해도 된다. 이 경우, 상기 첨가물은 산화 방지제 및 활제의 적어도 어느 하나를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 화학식 13에 기재된 구조를 갖는 수지가 하기 화학식 16으로 표시되는 환상 올레핀과 에틸렌의 공중합체인 것이 바람직하다.
Figure 112008025070455-pct00006
(화학식 16 중의 R30 내지 R48은 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.)
또한, 본 발명의 열 임프린트 방법은 상술한 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 당해 열 임프린트용 수지의 유리 전이 온도 (Tg) + 45℃이하로 가열된 형을 가압하여 상기 형의 패턴을 전사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 열 임프린트 방법은 상기 서술한 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 형을 압압한 후, 당해 열 임프린트용 수지의 유리 전이 온도 (Tg) - 25℃ 이상의 온도에서 상기 형과 상기 열 임프린트용 수지를 이형시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 또 다른 열 임프린트 방법은 상술한 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 형을 1.2 MPa 이하에서 압압하여 상기 형의 패턴을 전사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 17 또는 하기 화학식 18로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 의 값 ([M])이 하기 식 (1) 을 만족시킴과 함께 [M] > 10인 환상 올레핀계 열가소성 수지의 열 임프린트 방법에 사용하는 것이다.
Figure 112008025070455-pct00007
Figure 112008025070455-pct00008
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
(화학식 17, 화학식 18 중의 R1 내지 R29는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1) 중의 [M] 은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
또한, 본 발명은 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 19 또는 하기 화학식 20으로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1) 을 만족시킴과 함께 [M] > 20 및 Tg > 90℃인 환상 올레핀계 열가소성 수지의 열 임프린트 방법에 사용하는 것이다.
Figure 112008025070455-pct00009
Figure 112008025070455-pct00010
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
(화학식 19, 화학식 20 중의 R1 내지 R29는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1) 중의 [M] 은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
발명의 효과
유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지를 사용함으로써 저온ㆍ저압에서의 열 임프린트를 가능하게 할 수 있기 때문에 임프린트성 (전사성, 이형성 등)의 향상 및 생산성 (스루풋 등)의 개선을 도모할 수 있다.
또, 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 적합한 임프린트 조건 (성형 온도, 성형 압력, 이형 온도 등)을 사용함으로써 추가로 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등)의 향상 및 생산성 (스루풋 등)의 개선을 도모할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하에, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.
본 발명에 사용되는 환상 올레핀계 열가소성 수지는 환상 올레핀류와 α-올레핀류의 공중합체, 즉 하기 화학식 21로 나타내는 환상 올레핀류에서 유래하는 반복 단위를 함유하는 α-올레핀과의 공중합체, 또는 하기 화학식 22로 나타내는 환상 올레핀류의 개환 중합 후에 수소를 첨가한 중합체이다.
Figure 112008025070455-pct00011
Figure 112008025070455-pct00012
화학식 21, 화학식 22 중의 R1 내지 R29는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15 의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.
상기 수지를 구성하는 환상 올레핀 단량체는 화학식 23으로 나타내는 구조를 가지고 있으며, 예를 들어 비시클로[2,2,1]헵토-2-엔(노르보르넨), 5-메틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 7-메틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-에틸비시클로[2,2,1]헵토2-엔, 5-프로필비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-n-부틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-이소부틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 1,4-디메틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-브로모비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-클로로비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-플루오로비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5,6-디메틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 디시클로펜타디엔, 트리시클로펜타디엔, 테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 5,10-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 2,10-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 11,12-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 2,7,9-트리메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 9-에틸-2,7-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 9-이소부틸-2,7-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 9,11,12-트리메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센,9-에틸-11,12-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 9-이소부틸-11,12-디메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 5,8,9,10-테트라메틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-헥실테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-스테아릴테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-메틸-9-에틸테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-시클로헥실테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-에틸리덴테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-클로로테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-브로모테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-플루오로테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8,9-디클로로테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센,헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센, 12-메틸헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센, 12-에틸헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센,12-이소부틸헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센, 1,6,10-트리메틸-12-이소부틸헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센, 5-메틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-에틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-n-프로필-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-n-부틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5,6-디메틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-메틸-6-에틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5,6,6-트리메틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 1,4,5-트리메틸비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5,6-디에틸-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-브로모-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-클로로-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-플루오로-5-페닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-(tert-부틸페닐)-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔,5-메틸-5-(브로모페닐)-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔,5-메틸-5-(클로로페닐)-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-(플루오로페닐)-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-(α-나프틸)-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-안트라세닐-비시클로[2,2,1]헵토-2-엔, 8-메틸-8-페닐-테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-에틸-8-페닐-테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센,8-n-프로필-8-페닐-테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센, 8-n-부틸-8-페닐-테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센,8-클로로-8-페닐-테트라시클로[4,4,0,12.5,17.10]-3-도데센,11-메틸-11-페닐-헥사시클로[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-헵타데센, 1,4-메타노-4a,9,9-트리메틸-1,4,9a-트리히드로플루오렌 등을 바람직한 단량체로서 예시할 수 있다. 이들 각종 단량체는 기본적으로는 해당되는 디엔류와 올레핀류의 열적인 딜스ㆍ앨더 반응 (Diels-Alder 반응) 에 의하여 제조할 수 있고 나아가서는 적절하게 수소 첨가 등을 실시함으로써 원하는 단량체를 제조할 수 있다.
Figure 112008025070455-pct00013
화학식 23 중의 R30 내지 R48은 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1∼15의 탄화수소기, 할로겐 원자, 또는 산소, 황 등의 헤테로 원자를 함유하는 치환기로서 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.
또, 화학식 21 로 표시되는 공중합체에 바람직하게 사용할 수 있는 α-올레핀으로는 탄소수 2∼20, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 α-올레핀으로서 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 3-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센 등을 들 수 있고 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중, 에틸렌 또는 프로필렌이 바람직하고, 나아가서는 공중합성, 경제성 등 실용적인 관점에서 볼 때 에틸렌이 특히 바람직하다.
화학식 21 로 표시되는 공중합체에 있어서, 바람직한 상기 α-올레핀과 상기 환상 올레핀의 몰비(α-올레핀/상기 환상 올레핀)는 10/90 ∼ 90/10의 범위이며 더욱 바람직하게는 30/70∼70/30의 범위이다. 공중합체 중의 몰비는 13C-NMR (400 MHz, 온도 : 120℃/ 용매 : 1,2,4-트리클로로벤젠/ 1,1,2,2-중수소화 테트라클로로에탄 혼합계) 에 의하여 결정하였다.
또한, 본 발명의 열 임프린트용 수지는 그 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃ 에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1) 을 만족시키도록 조정된 것이다.
Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
여기에서, 화학식 21 혹은 화학식 22로 나타내는 환상 올레핀계 열가소성 수지의 중량 평균 분자량 Mw는 10,000∼1,000,000, 바람직하게는 20,000∼ 500,000, 더욱 바람직하게는 50,000∼200,000 의 범위에 있고 260℃에서의 MFR의 값 [M]으로는 10 이상, 바람직하게는 20 이상, 더욱 바람직하게는 30 이상의 수지이다. 이로써 수지의 유동성이 높아져 형의 패턴에 수지가 충전되기 쉬워지므로 수지 물성을 해치지 않는 범위에서 임프린트성 (전사성, 이형성 등) 을 향상시킬 수 있다.
또한, 열 임프린트에 의하여 미세 패턴이 전사된 수지의 용도를 고려할 경우, 수지의 내열성은 높은 것이 바람직하고 유리 전이 온도로는 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상, 더욱 바람직하게는 실용성을 고려할 때 표준 조건하에서의 물의 비점보다 높은 온도, 즉 100℃를 초과하는 온도가 바람직하다.
상기 수지를 제조하기 위한 중합 방법에 특별히 제한은 없으며 찌글러 나타 촉매 (Ziegler-Natta 촉매) 또는 싱글 사이트 촉매 (single-site 촉매)를 사용한 배위 중합, 나아가서는 필요에 따라서 공중합체를 수소 첨가하는 방법, 메타세시스 중합 촉매를 사용한 개환 중합 후에 수소 첨가하는 방법 등 공지된 방법을 사용할 수 있다. 수소를 첨가하는 방법도 공지된 방법을 사용할 수 있는데 예를 들어 니켈, 팔라듐 등 금속 성분을 함유하는 촉매에 의해 적절하게 실시할 수 있다. 예를 들어 화학식 21로 나타내는 공중합체를 제조하기 위해 사용되는 싱글 사이트 촉매 (single-site 촉매)로서는 여러 가지의 메탈로센 화합물을 사용할 수 있는데, 예를 들어 일본 공개특허공보 2003-82017호에 기재되어 있는 메틸렌(시클로펜타디에닐)(테트라시클로펜타디에닐)지르코늄디클로리드 등을 적절하게 사용할 수 있다. 중합 반응에 사용되는 보조 촉매로서는 특별히 제한되지 않으나 공지된 메틸알루미녹산류를 적절하게 사용할 수 있고 반응에 따라 다른 유기 알루미늄 화합물을 공존시켜 적절하게 중합시켜도 된다. 상기 중합 반응은 실온 (25℃ 전후) ∼ 200℃의 범위에서 적절하게 실시할 수 있으나, 반응성 및 촉매의 안정성을 고려할 때 40 ∼ 150℃의 범위에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한 중합 반응에 사용하는 유기 용제로서는 특별한 제한이 없으며 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠 등의 방향족계 용제, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 메틸시클로헥산, 옥탄 등의 포화 탄화수소계 용제, 혹은 이들 혼합 용제계를 적절하게 사용할 수 있다. 그 수지를 제조한 후, 라디칼 반응에 의하여 산소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 적절히 도입할 수도 있다.
상기 수지에는 필요에 따라 산화 방지제, 내열 안정제, 내후 안정제, 광 안정제, 대전 방지제, 슬립제, 안티블로킹제, 방담제, 활제, 염료, 안료, 천연유, 합성유, 왁스 등의 첨가제를 1 이상 첨가, 배합할 수 있고, 그의 배합 비율은 적절히 설정할 수 있다. 첨가제 (산화 방지제, 활제 등) 에 특별히 제한은 없으며 공지된 화합물을 적절하게 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서 산화방지제의 첨가는 가열시에 수지가 산화하여 수지의 착색이나 수지 분자 사슬의 가교에 의한 겔의 발생, 수지 분자 사슬의 절단에 의한 물성 저하 등을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 활제의 첨가는 임프린트 후의 이형성을 개선하여 임프린트 제품의 생산성 (스루풋)을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 수지의 성형 가공시에 형의 패턴에 수지를 주입하는 것이 양호해지는 등의 효과도 있다.
이 밖에, 임프린트 제품의 사용 분야에서 요구되는 제반 물성을 저해하지 않는 범위에서 수지판의 내구성을 개선하기 위해서 고무 성분을 첨가해도 되며 공지된 화합물을 적절하게 사용할 수 있다.
임프린트 제품의 용도로는 광 도파로, 도광판, 회절 격자 등의 광 디바이스류, 바이오 칩, 마이크로 유로, 마이크로 리엑터 등의 유체 디바이스, 데이터 보존용 미디어, 회선 기판의 용도를 들 수 있다.
또한, 사출 성형체를 제조하는 방법에 특별히 제한은 없고 공지된 방법을 사용할 수 있다. 두께는 임프린트 제품의 용도에 따라서 임의로 선택할 수 있고 300 ㎛ 이상의 두께이면 성형이 가능하다. 바람직하게는 두께가 500 ㎛ 이상으로 형성되는 사출 성형체에 적합하고 더욱 바람직하게는 1 ㎜ 이상으로 형성되는 사출 성형체에 적합하며 더욱 바람직하게는 2 ㎜ 이상으로 형성되는 사출 성형체에 적합하다. 또한, 본 발명의 열 임프린트용 수지가 사용되는 사출 성형체는 어떠한 형상이라도 되는데 예를 들어 거의 평판상의 기판으로서 형성할 수 있다. 이 경우, 가능한 한 평면도를 높게 형성하는 것이 바람직한데 예를 들어 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 1 ㎚ 이하로 형성되는 것이 좋다.
임프린트를 실시하는 장치로는 여러 가지 제품이 있으며 기종을 적절하게 선정할 수 있다. 본 발명의 열 임프린트용 수지가 사용되는 전사 패턴의 크기로는 100 ㎛이하, 50 ㎛이하, 10 ㎛이하, 1 ㎛이하, 500 ㎚이하 등 여러 가지의 크기가 있다.
다음으로, 본 발명의 수지로 이루어지는 사출 성형체에 임프린트를 실시하는 방법에 대하여 설명한다.
임프린트성 (패턴의 전사성, 이형성 등)이 개선된 프로세스를 실현하기 위해서는 성형 압력을 작게 하고 성형시의 유지 시간을 짧게 하는 것이 바람직하다. 이것은 임프린트시의 성형 압력이 지나치게 높거나 압력의 유지 시간이 지나치게 길면 수지와 금형의 밀착에 의하여 이형시에 패턴이 늘어나거나 결손되거나 하여 패턴의 전사 정밀도를 저하시키기 때문이다. 구체적으로는 본 발명의 수지로 이루어지는 사출 성형체를 사용하여 임프린트시의 성형 압력을 2.3 MPa 이하, 바람직하게는 1.2 MPa 이하로 하는 것이 좋다. 또, 성형시의 유지 시간을 30 s 이하, 바람직하게는 15 s 이하로 하는 것이 좋다.
또한, 생산성 (스루풋 등)이 개선된 프로세스를 실현하기 위해서는 형의 온도를 낮추어 성형시의 유지 시간을 짧게 하는 것이 바람직하다. 이것은 금형 온도가 낮으면 냉각 시간을 단축할 수 있고 형과 사출 성형체를 압압하는 유지 시간이 짧으면 성형 시간을 단축할 수 있기 때문이다.
구체적으로는 본 발명의 수지로 이루어지는 사출 성형체를 사용하여 성형시의 형의 온도가 수지의 유리 전이 온도 Tg + 60℃ 이하, 더욱 바람직하게는 Tg + 45℃ 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다. 또한, 이형시의 형 및 사출 성형체의 온도는 Tg - 40℃ 이상, 더욱 바람직하게는 Tg - 25℃ 이상인 것이 바람직하다.
이하에 실시예에 의거하여 본 발명을 설명하지만 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 사용한 수지의 중량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량(Mn), 및 분자량 분포(Mw/Mn)은 겔 투과형 크로마토그래피법(GPC)에 의하여 Waters제 GPC장치를 사용하고, 칼럼 : Shodex제 K-805L/K-806L, 칼럼 온도: 40℃, 용매 : 클로로포름, 통액량 : 0.8㎖/분의 조건에서 측정하였다. 또한, 사용한 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)는 세이코 전자 공업 주식회사 제의 시차 주사 열량분석계 (형식 EXSTAR6000, DSC6200)를 사용하여 승온시의 흡열 피크로부터 얻었다. 그리고 260℃에서의 MFR의 값[M]은, TECHNOL SEVEN CO., LTD.제의 MELT INDEXER (형식 L248-2531)를 사용하고, 하중 2.16kgf에서 측정한 값을 채용하였다.
임프린트의 평가는 SCIVAX 사의 임프린트 장치 (VX-2000N-US)를 사용하고 30 ㎜ × 30 ㎜의 금형을 사용하여 각각 실시예에 기재된 조건으로 실시하였다. 표 1 에, 수지의 구조나 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 사이의 상관 관계 (식 (1)로 나타낸다)의 유무에 따른 임프린트성을 정리한다. 여기에서 임프린트성은 얻어진 미세한 요철 패턴을 전자현미경으로 관찰하여 금형과 동일한 패턴이 양호하게 전사되어 있는 것을 ○, 패턴에 수지는 충전되지만 수지가 금형에 접착되어 결손이 생기는 것을 △, 패턴 불량 (충전 부족, 늘어남, 결손)이 확인된 것을 × 로 평가하였다.
먼저, 본 실시예 및 비교예에서 사용한 사출 성형체의 제조 방법에 대하여 기재한다. 여기에서, 공시재 1∼6은 상기 서술한 식 (1)을 만족시키는 수지로 이루어지는 사출 성형체이고 공시재 7,8 은 식 (1)을 만족시키지 않는 수지로 이루어지는 사출 성형체이다. 또한, 제조예에서 특별히 언급하지 않는 한, 사출 성형에 제공되는 중합체에는 첨가제로서 산화 방지제 및 활제를 함유하는 것으로 한다.
제조예 1 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 135℃, MFR = 41.4@260℃)를 사출 성형하여 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 1) 를 제조하였다 (금형 사이즈: 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도: 260℃, 금형 온도: 120℃).
제조예 2 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 109℃, MFR = 39.9@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 2)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 230℃, 금형 온도 : 95℃).
제조예 3 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 106℃, MFR = 72.8@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 3)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 230℃, 금형 온도 : 90℃).
제조예 4 (두께 2 ㎜ 의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 138℃, MFR = 60.1@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 4)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 5 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/테트라시클로도데센 공중합체 (Tg = 135℃, MFR = 37.5@260℃)를 사출 성형하여 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 5)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 6 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
환상 올레핀계 개환 중합체의 수첨체 (Tg = 100℃, MFR = 45.8@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 6)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 220℃, 금형 온도 : 85℃).
제조예 7 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 135℃, MFR = 9.6@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 7)를 제조하였다 (금형 사이즈」 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 8 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
환상 올레핀계 개환 중합체의 수첨체 (Tg = 138℃, MFR = 7.7@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 8)를 제조하였다 (금형 사이즈 : (10 ㎝ × 10 ㎝ × 2 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 9 (두께 1 ㎜ 의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 132℃, MFR = 51.2@260℃)를 사출 성형하여, 두께 1 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 9) 를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 1 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 10 (두께 1 ㎜의 사출 성형체의 제조)
에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 130℃, MFR = 12.0@260℃)를 사출 성형하여, 두께 1 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 10)를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 1 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 11 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
첨가제를 첨가하지 않은 에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 135℃, MFR = 41.4@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 11) 를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 1 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
제조예 12 (두께 2 ㎜의 사출 성형체의 제조)
첨가제로서 산화 방지제만을 첨가한 에틸렌/노르보르넨 공중합체 (Tg = 135℃, MFR = 41.4@260℃)를 사출 성형하여, 두께 2 ㎜의 투명한 사출 성형체 (공시재 12) 를 제조하였다 (금형 사이즈 : 10 ㎝ × 10 ㎝ × 1 ㎜, 실린더 온도 : 260℃, 금형 온도 : 120℃).
실시예 1 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : 라인/스페이스 (L/S) = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 1000 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 2 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃) 로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 상기 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 3 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 및 표 3 에 정리한다.
실시예 4 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1에 정리한다.
실시예 5 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃) 로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 6 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 7 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (1l7℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 8 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 9 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 10 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 1 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃(170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 11 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 2 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (91℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (144℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (91℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1에 정리한다.
실시예 12 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 2 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (91℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (144℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (91℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 13 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 2를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (91℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (144℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 500 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (91℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 14 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 2를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (91℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (144℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (91℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 15 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 3을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (88℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (131℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (88℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 16 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 4를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (173℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 17 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 4 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (173℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 18 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 5 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 19 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 5 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 500N에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 20 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 5 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200N에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃(117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 21 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 5를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 22 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 5를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 23 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 6을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (82℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (135℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (82℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 24 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 6 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (82℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (135℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (82℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 25 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 6 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (82℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (135℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (82℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 26 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 6 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (82℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (135℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (82℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 27 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 4를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 32℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 유로 폭 5 0 ㎛/유로 깊이 50 ㎛) 를 1 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 500 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 60초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 1 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
실시예 28 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 9를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (114℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃(167℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (114℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
실시예 29 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 9 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (114℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃(167℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (114℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
실시예 30 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 9 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (114℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (167℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (114℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 양호한 패턴이 전사되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
비교예 1 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 1000 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 2 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 3 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정시키고 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 및 표 3 에 정리한다.
비교예 4 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 5 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃(117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 6 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 7 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (180℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 8 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (160℃) 로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 9 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 7 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 10 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (163℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃(120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 11 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (173℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 12 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (183℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 13 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (163℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 14 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (173℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 15 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 45℃ (183℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여, 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고, 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 16 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 25℃ (163℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 750 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 17 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (173℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 200 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 18 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 8 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (120℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 32℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : 유로 폭 50 ㎛/유로 깊이 50 ㎛)를 1 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 500 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 60초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (120℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 1 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 1 에 정리한다.
비교예 19 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 10 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (112℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (165℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛) 을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (112℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
비교예 20 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 10을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (112℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (165℃)로 가열한 금형 (패턴 : 홀 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (112℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
비교예 21 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 10 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (112℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (165℃)로 가열한 금형 (패턴 : 필러 직경 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (112℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴에 수지가 충전되지 않아 패턴이 불량하게 되어 있었다. 관찰 결과를 표 2 에 정리한다.
비교예 22 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 11 을 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴이 금형에 접착되어 결손이 발생한 경우가 있는 것이 확인되었다. 관찰 결과를 표 3 에 정리한다.
비교예 23 (사출 성형체의 임프린트 평가)
공시재 12 를 유리 전이 온도 Tg - 18℃ (117℃)로 가열한 플레이트 상에 고정하고, 미리 성형 설정 온도 Tg + 35℃ (170℃)로 가열한 금형 (패턴 : L/S = 1 ㎛/1 ㎛)을 100 ㎛/초의 속도로 해당 수지 평판 표면에 가압하여 금형 상부에 장착된 하중 센서가 350 N 에 도달했을 때, 그의 하중에서 10초간 유지하였다. 그 후, 금형의 변위를 유지하면서 Tg - 18℃ (117℃)까지 냉각시키고 냉각을 완료한 후에 금형을 10 ㎛/초의 속도로 평판으로부터 이형시켰다. 전자현미경으로 관찰한 결과, 패턴이 금형에 접착되어 결손이 발생한 경우가 있는 것이 확인되었다. 관찰 결과를 표 3 에 정리한다.
패턴 하중＼재료
(형의온도)		 공시재1
(Tg=135℃)		 공시재2
(Tg=109℃)		 공시재3
(Tg=106℃)		 공시재4
(Tg=138℃)		 공시재5
(Tg=135℃)		 공시재6
(Tg=100℃)		 공시재7
(Tg=135℃)		 공시재8
(Tg=138℃)
L/S 1000N
(Tg+25℃)		 ○(실시예1) - - - - - ×(비교예1) -
750N
(Tg+25℃)		 ○(실시예2) - ○(실시예15) - - - ×(비교예2) ×(비교예10)
350N
(Tg+35℃)		 ○(실시예3) - - ○(실시예16) - - ×(비교예3) ×(비교예11)
200N
(Tg+45℃)		 ○(실시예4) - - - - - ×(비교예4) ×(비교예12)
홀 750N
(Tg+25℃)		 ○(실시예5) - - - - - ×(비교예5) ×(비교예13)
350N
(Tg+35℃)		 ○(실시예6) - - ○(실시예17) ○(실시예21) - ×(비교예6) ×(비교예14)
200N
(Tg+45℃)		 ○(실시예7) - - - ○(실시예20) - ×(비교예7) ×(비교예15)
필러 1000N
(Tg+25℃)		 ○(실시예8) - - - - - - -
750N
(Tg+25℃)		 ○(실시예9) - - - - - ×(비교예8) ×(비교예16)
200N
(Tg+35℃)		 ○(실시예10) - - - - - ×(비교예9) ×(비교예17)
L/S 750N
(Tg+35℃)		 - ○(실시예11) - - - ○(실시예23) - -
500N
(Tg+35℃)		 - - - - ○(실시예19) - - -
350N
(Tg+45℃)		 - - - - ○(실시예18) - - -
홀 750N
(Tg+35℃)		 - ○(실시예12) - - - ○(실시예24) - -
500N
(Tg+35℃)		 - ○(실시예13) - - - - - -
350N
(Tg+35℃)		 - - - - - ○(실시예25) - -
필러 750N
(Tg+35℃)		 - ○(실시예14) - - - ○(실시예26) - -
350N
(Tg+35℃)		 - - - - ○(실시예22) - - -
유로 500N
(Tg+32℃)		 - - - ○(실시예27) - - - ×(비교예18)
패턴 하중 ＼ 재료
(형의 온도)		 공시재 9
(Tg=132℃)		 공시재 10
(Tg=130℃)
L/S 350N
(Tg+35℃)		 ○
(실시예 28)		 ×
(비교예 19)
홀 350N
(Tg+35℃)		 ○
(실시예 29)		 ×
(비교예 20)
필러 350N
(Tg+35℃)		 ○
(실시예 30)		 ×
(비교예 21)
패턴 하중 ＼ 재료
(형의 온도) (첨가제)		 공시재 1
(활제,산화방지제 있음)		 공시재 11
(첨가제 없음)		 공시재 12
(산화방지제만)		 공시재 7
(활제,산화방지제 있음)
L/S 350N
(Tg+35℃)		 ○
(실시예 3)		 △
(비교예 22)		 △
(비교예 23)		 ×
(비교예 3)
L/S (라인/스페이스) : 1 ㎛/1 ㎛
홀 : 직경 1 ㎛/깊이 1 ㎛
필러 : 0.5 ㎛/깊이 1 ㎛
유로(流路): 유로 폭 50 ㎛/유로 깊이 50 ㎛
성형시의 공시재의 온도 : Tg - 18℃
이형 온도 : Tg - 18℃
표 1 및 표 2 로부터, 유리 전이 온도 Tg(℃) 와 260℃에서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계 (식 (1)로 나타낸다) 를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지는 저온ㆍ저압에서의 열 임프린트성이 우수한 것이 명확해졌다.
또, 표 3으로부터 (1) 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계(식 (1) 로 나타낸다)를 갖지 않는 환상 올레핀계 열가소성 수지 (공시재 7)의 경우에는 패턴에 수지가 충분히 충전되지 않다는 점, (2) 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에 있어서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계 (식 (1) 로 나타낸다)를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지로서 활제를 첨가하지 않은 것 (공시재 11, 12)은 수지가 패턴에 충전되지만 패턴이 금형에 접착되어 결손이 발생하는 경우가 있다는 점, (3) 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR 사이에 특정한 상관 관계 (식 (1) 로 나타낸다)를 갖는 환상 올레핀계 열가소성 수지로서 활제를 첨가한 것(공시재 1)은, 저온ㆍ저압에서의 열 임프린트성이 우수하다는 점이 명확해졌다. 따라서 활제는 임프린트 후의 이형성을 개선시켜 임프린트 제품의 생산성 (스루풋)을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1) 을 만족시킴과 함께 [M] > 20 및 Tg > 90℃인 것을 특징으로 하는 열 임프린트용 수지.
    [화학식 3]
    Figure 112010011819263-pct00016
    [화학식 4]
    Figure 112010011819263-pct00017
    Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
    (화학식 3, 화학식 4 중의 R1 내지 R29 는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 또는 탄소수 1∼15의 탄화수소기이며, 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1) 중의 [M] 은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 환상 올레핀계 열가소성 수지가 하기 화학식 5로 표시되는 환상 올레핀과 α-올레핀의 공중합체, 또는 상기 환상 올레핀의 개환 중합 후에 수소화함으로써 제조되는 중합체인 것을 특징으로 하는 열 임프린트용 수지.
    [화학식 5]
    Figure 112010011819263-pct00018
    (화학식 5 중의 R30 내지 R48 은 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 또는 탄소수 1∼15의 탄화수소기이며, 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.)
  4. 제 2 항에 있어서,
    1 이상의 첨가물을 함유하는 것을 특징으로 하는 열 임프린트용 수지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 첨가물은, 산화 방지제 및 활제의 적어도 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 열 임프린트용 수지.
  6. 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학식 3 에 표시된 골격을 함유하는 수지가 하기 화학식 6으로 표시되는 환상 올레핀과 에틸렌의 공중합체인 것을 특징으로 하는 열 임프린트용 수지.
    [화학식 6]
    Figure 112010011819263-pct00019
    (화학식 6 중의 R30 내지 R48은 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 또는 탄소수 1∼15의 탄화수소기이며, 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다.)
  7. 제 2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 상기 열 임프린트용 수지의 유리 전이 온도 (Tg) + 45℃ 이하로 가열된 형을 압압하여 상기 형의 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 열 임프린트 방법.
  8. 제 2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 형을 압압한 후, 상기 열 임프린트용 수지의 유리 전이 온도 (Tg) - 25℃이상의 온도에서 상기 형과 상기 열 임프린트용 수지를 이형시키는 것을 특징으로 하는 열 임프린트 방법.
  9. 제 2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열 임프린트용 수지로 이루어지는 사출 성형체에 형을 1.2 MPa이하에서 압압하여 상기 형의 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 열 임프린트 방법.
  10. 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 7 또는 하기 화학식 8 로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지를 열 임프린트용 사출 성형체로서 사용하는 열 임프린트 방법에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1)을 만족시킴과 함께, [M] > 10인 환상 올레핀계 열가소성 수지를 열 임프린트용 사출 성형체로서 사용하는 것을 특징으로 하는 열 임프린트 방법.
    [화학식 7]
    Figure 112010011819263-pct00020
    [화학식 8]
    Figure 112010011819263-pct00021
    Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
    (화학식 7, 화학식 8 중의 R1 내지 R29 는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 또는 탄소수 1∼15의 탄화수소기이며, 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1) 중의 [M] 은 260℃에서의 MFR의 값을 나타낸다.)
  11. 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 9 또는 하기 화학식 10으로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지를 열 임프린트용 사출 성형체로서 사용하는 열 임프린트 방법에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1)을 만족시킴과 함께, [M] > 20 및 Tg > 90℃인 환상 올레핀계 열가소성 수지를 열 임프린트용 사출 성형체로서 사용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
    [화학식 9]
    Figure 112010011819263-pct00022
    [화학식 10]
    Figure 112010011819263-pct00023
    Tg(℃) < 219 × log[M] - 104 … 식 (1)
    (화학식 9, 화학식 10 중의 R1 내지 R29 는 상이해도 되고 동일해도 되며 각각 수소 원자, 중수소 원자, 또는 탄소수 1∼15의 탄화수소기이며, 서로 단환, 다환 구조를 형성하고 있어도 된다. m 및 n 은 0 이상의 정수이다. 식 (1) 중의 [M] 은 260℃ 에 있어서의 MFR 의 값을 나타낸다.)
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