KR100960546B1 - 포토마스크의 백 결함 수정 방법 - Google Patents

포토마스크의 백 결함 수정 방법 Download PDF

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Abstract

백 (白) 결함을 갖고 있지 않은 참조 패턴의 투과 화상을 취득하고 (단계 S11), 수정 가공 개시 (단계 S12) 후, 결함 수정부의 투과 화상을 취득한다 (단계 S13). 그 후, 투과 화상의 화소마다의 휘도를 연산 처리하고 (단계 S14), 연산 결과로부터 1 개 이상의 판정값을 산출한다 (단계 S15). 이 판정값을 기초로 수정 가공을 종료하는지의 여부를 판단하고 (단계 S16), 수정 가공을 종료한다고 판단할 때까지, 가공 조건의 변경 여부를 판단하고 (단계 S17), 필요에 따라 가공 조건을 변경 (단계 S18) 한 후, 단계 S13 이후의 공정을 반복한다. 단계 S16 에 있어서 수정 가공을 종료한다고 판단한 경우에는, 수정 가공을 종료한다 (단계 S19). 이에 의해, 복잡한 수정 가공 조건에 대해서도 고정밀도로 효율적으로 백 결함을 수정할 수 있는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 제공한다.
백 결함, 참조 패턴, 투과 화상, 수정 가공

Description

포토마스크의 백 결함 수정 방법{METHOD FOR MODIFYING WHITE DEFECT OF PHOTOMASK}
본 발명은 포토마스크의 백 결함 수정 방법에 관한 것으로, 특히 하프톤 마스크의 백 결함 수정 방법에 관한 것이다.
최근, 액정 표시 장치 (Liquid Crystal Display : LCD) 의 연구 개발이 급속히 진행되고 있고, LCD 의 대형화에 수반하여 그 제조 공정에 사용되는 포토마스크도 대형화되고 있다. 또, LCD 의 회로 형성 공정을 삭감할 목적에서, 종래 바이너리 마스크뿐이었던 LCD 용 포토마스크에도 그레이톤 마스크 및 하프톤 마스크와 같은 다계조 마스크가 등장하여, 그 실용화가 진행되고 있다.
포토마스크는 그 제조시에 백 결함 및 흑 결함으로 불리는 결함이 발생한다. 백 결함을 수정하는 경우에는, 예를 들어 레이저 CVD (Chemical Vapor Deposition : 화학적 기상 성장) 법을 이용하여 결함부에 퇴적막을 형성함으로써 결함을 수정한다. 이 백 결함의 수정을 하프톤 마스크에 대해 실시하는 경우에는, 중간조 (中間調) 부분의 결함을 수정하므로, 수정 가공에 의해 퇴적막을 형성한 부분의 투과율을 원하는 값으로 제어할 필요가 있다.
종래, 결함 수정 후의 투과율을 원하는 값으로 하기 위해서는, 수정 가공의 가공 파라미터와 수정부의 투과율의 관계를 미리 정해 두고, 이 관계에 기초하여 수정 가공을 실시하고 있었다. 여기에서 가공 파라미터란, 예를 들어 조사하는 레이저광의 파워, 조사 시간, CVD 원료 가스의 증기압에 관계되는 CVD 원료 용기의 온도 및 CVD 원료 가스의 캐리어 가스 유량 등이다.
그러나, 퇴적막의 형성에는 결함 수정부의 표면 상태, 조사 레이저광의 광 강도 분포 및 결함 수정부에 있어서의 실제의 CVD 원료 가스 농도 등, 복잡한 조건이 관계되어 있으므로, 가공 파라미터와 투과율의 관계를 정해도 실제로 양호한 재현성을 얻는 것은 곤란하였다.
또, 수정 가공 중 또는 가공 후에 수정부의 투과율을 측정하고, 이 투과율로부터 수정 가공을 종료하는지의 여부를 판정한다는 결함 수정 방법도 시도되고 있다. 이 수정 방법에 있어서 사용되는 투과율 측정 방법으로는, 예를 들어 수정 가공용 조사 레이저광의 투과 파워를 측정하는 방법 (제 1 투과율 측정 방법) 및 투과율 측정용 프로브광을 가공부에 조사하여 그 투과광의 강도를 측정하는 방법 (제 2 투과율 측정 방법) 을 들 수 있다.
그러나, 이들 투과율 측정 방법을 사용한 백 결함 수정 방법에는 이하와 같은 문제점이 있다. 상기 서술한 제 1 투과율 측정 방법은, 수정 가공용 조사 레이저광을 이용하여 투과율을 측정하는 것인데, 일반적으로 수정 가공용 조사 레이저광의 파장은 포토마스크의 노광 장치에 사용되는 광원의 파장과는 상이한 경우가 많다. 그래서, 측정된 투과율을 포토마스크의 노광 장치의 광원 파장에 있 어서의 투과율로 환산할 필요가 있는데, 수정부의 분광 투과율은 그 막질 및 막두께에 따라 상이하고, 또 가공 조건에 따라서도 영향을 받는다. 그 때문에, 실제로는 투과율의 환산 처리는 곤란하다는 문제점이 있다.
또, 제 2 투과율 측정 방법에서는, 프로브광을 결함 수정부의 크기보다 작아지도록 집광하고, 이것을 결함 수정부에 조사하는 광학계 및 퇴적막을 투과하는 프로브광을 광 검출기에 집광하는 광학계가 필요하게 된다. 이들을 가공용 레이저의 조사 광학계에 장착하면, 부품 점수의 증가 및 레이아웃의 복잡화에 의해 광학계가 대형화되어 중량이 증대된다는 문제점이 있다.
이들 문제점에 추가하여, 일반적으로 하프톤 마스크에 있어서의 결함 수정부의 형상은 복잡한데, 그러한 복잡한 형상의 수정부를 망라하여 투과율을 측정하기 위해서는 조사 프로브광을 주사할 필요가 있다. 이 때문에, 효율적인 투과율 측정 및 백 결함 수정이 곤란하다는 문제점도 있다.
한편, 포토마스크의 결함 수정에 화상 처리 기술을 이용하는 것은, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-162760호에 개시되어 있다. 그러나, 종래 화상 처리는 주로 바이너리 마스크에 있어서 결함의 유무를 판단하기 위해 실시되고 있고, 특히 하프톤 마스크의 중간조의 결함에 대해 예를 들어 투과율을 평가하는 등의 목적에서는 이용되고 있지 않았다.
본 발명의 목적은, 복잡한 수정 가공 조건에 대해서도 고정밀도로 효율적으로 백 결함을 수정할 수 있는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법은, 레이저 CVD 법에 의해 포토마스크의 백 결함을 수정 가공하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법에 있어서, 상기 백 결함과 동일한 위치에서 백 결함을 갖고 있지 않은 참조 패턴의 투과 화상을 취득하는 공정과, 상기 수정 가공이 실시된 결함 수정부의 투과 화상을 상기 참조 패턴의 투과 화상과 동일한 조건에서 취득하는 공정과, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부의 투과 화상을 연산 처리하는 공정과, 상기 연산 처리 결과로부터 산출된 적어도 1 개 이상의 판정값을 기초로 상기 수정 가공을 종료하는지의 여부를 판단하는 공정과, 상기 수정 가공을 종료한다고 판단할 때까지 적어도 상기 결함 수정부의 투과 화상을 취득하는 공정으로부터의 공정을 반복하는 공정과, 이 반복 공정에 있어서 상기 판정값을 기초로 상기 수정 가공 조건을 변경하는지의 여부를 판단하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는, 참조 패턴의 투과 화상과 결함 수정부의 투과 화상을 동일한 조건에서 취득한다. 여기에서, 동일한 조건이란, 예를 들어 화상 상의 패턴의 위치, 조명 조건 (투과 조명광의 파장 및 투과 조명 광량 등), 그리고 촬상 조건 (대물 렌즈의 배율, 대물 렌즈의 종류, 관찰 배율, 카메라의 종류, 카메라 게인, 오프셋 및 노광 시간 등) 등으로부터 투과 화상에 대한 영향을 고려하여 정한 소정 조건이 동일한 것을 말한다. 그리고, 이들 투과 화상을 연산 처리하여 얻어진 연산 결과로부터 적어도 1 개 이상의 판정값을 산출하고, 이 판정값을 기초로 수정 가공의 종료 여부 및 가공 조건의 변경 여부를 판단한다. 이에 의해, 투과율을 직접 측정하지 않고 결함 수정부의 수정 상태를 평가할 수 있다. 또, 예를 들어 투과 화상의 화소마다의 연산 결과에 대해 그 평균값 등을 구함으로써, 하프톤 마스크의 백 결함과 같은 복잡한 형상에 대해서도, 결함 수정부 전체의 평가를 효율적으로 실시할 수 있다.
이 경우, 상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴의 화소마다의 휘도로부터 상기 결함 수정부의 화소마다의 휘도를 감산하는 처리를 포함하고 있어도 된다. 이에 의해, 결함 수정부의 투과율을 화소마다의 휘도의 형식으로 하여, 용이하게 참조 패턴에 있어서의 휘도와 비교·평가할 수 있다. 또, 결함 수정부의 휘도가 참조 패턴의 휘도에 근사하도록 수정 가공을 실시함으로써, 수정 가공 조건, 특히 파악하는 것이 곤란하여 투과율의 측정에 영향을 미치는 조건이 변동되어도, 양호한 정밀도로 원하는 투과율에 가깝게 할 수 있다.
또, 상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부의 투과 화상에 대해 화상 상의 위치 어긋남을 보정하는 처리를 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부 의 투과 화상의 휘도에 대해 백 레벨 및 흑 레벨이 각각 동등해지도록, 적어도 일방의 상기 투과 화상의 휘도를 조정하는 처리를 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 수정 가공을, 최초의 상기 결함 수정부의 투과 화상 취득 전에 개시하고, 상기 수정 가공을 종료한다고 판단한 후에 종료하는 것으로 해도 된다. 이에 의해, 백 결함의 수정 가공 계속 중에 실시간으로 결함 수정부의 투과 화상을 취득하여 평가할 수 있다.
나아가, 상기 수정 가공을, 상기 결함 수정부의 투과 화상 취득 전에 일단 정지하고, 상기 수정 가공을 종료하지 않는다고 판단한 후에 재개하는 것으로 해도 된다. 이에 의해, 처리 속도의 제약으로 실시간의 결함 수정부의 평가가 곤란한 경우에도, 투과율에 영향을 미치지 않고 수정 가공을 실시할 수 있다.
본 발명에 의하면, 복잡한 수정 가공 조건에 대해서도 고정밀도로 효율적으로 백 결함을 수정할 수 있는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 먼저, 본 발명의 제 1 실시형태에 대해 설명한다. 도 1 은, 본 제 1 실시형태에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 나타내는 플로우차트도이고, 도 2 는 참조 패턴 및 백 결함의 결함 수정부에 대해 투과 화상의 연산 처리를 설명하기 위한 모식도이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이 백 결함의 수정 작업이 개시되면, 먼저, 단계 S11 에 나타내는 바와 같이 백 결함을 갖지 않는 참조 패턴의 투과 화상을 취득한다. 보다 구체적으로는, 참조 패턴의 투과 화상을 촬상하고 그 화소마다의 휘도 데이터를 취득한다. 이 참조 패턴은, 이하의 단계에서 백 결함의 수정 가공을 실시한 결함 수정부에 대해 취득하는 투과 화상과 연산 처리를 실시할 때의 기준이 되는 것이다. 투과 화상 취득시에 사용되는 광원으로는, 포토마스크의 노광 장치의 광원 파장 또는 그 근방의 파장을 갖는 조명광이 사용된다.
다음으로, 취득된 투과 화상에 대해, 필요에 따라 적당한 평활화 처리를 실시하여 노이즈 성분을 제거하고, 투과 조명 광량의 단시간 변동에 따른 흑백 레벨의 변동을 화소마다 보정한다. 여기에서, 흑백 레벨의 변동 보정은, 예를 들어 10bit 계조의 모노크롬 디지털 카메라로 화상을 취득하는 경우, 포토마스크가 형성되어 있지 않은 유리 기판 상의 휘도를 1024 (백 레벨) 로 변환하고, 유리 기판 상에 형성된 차광막 상의 휘도를 제로 (흑 레벨) 로 변환한다. 그 중간 레벨의 휘도는 하기의 수학식 1 에 의해 구해진다. 또한, 처리 시간의 단축을 위해, 보정을 실시하는 화소는 미리 정한 결함 수정부에 한정한다. 또, 참조 패턴 및 결함 수정부의 화상 상의 위치는 투과 조명광의 조도 불균일이나 광학계에서 기인되는 고스트 등의 영향을 없애기 위해 정확하게 일치하도록 위치를 결정할 필요가 있다. 이 때문에, 본 단계에 있어서, 백 레벨 또는 흑 레벨의 비결함 패턴에 대해 패턴 에지의 위치 또는 패턴의 중심 (重心) 위치를 취득해 둔다.
Figure 112008050081376-pat00001
다음으로, 단계 S12 에 나타내는 바와 같이 수정 가공을 개시한다. 수정 가공은, 미리 정해진 가공 파라미터에 기초하여, 레이저 CVD 법에 의해 백 결함부에 퇴적막을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서는, 단계 S12 에서 개시된 수정 가공은, 후술하는 단계 S16 에서 가공 종료라고 판단되어 단계 S19 에서 종료될 때까지 계속된다.
다음으로, 단계 S13 에 나타내는 바와 같이 결함 수정부의 투과 화상을 취득한다. 본 단계에 있어서는, 결함 수정부의 투과 화상을 단계 S11 에 있어서의 참조 패턴의 투과 화상 취득시와 동일한 조건에서 취득한다. 여기에서, 동일한 조건이란, 예를 들어 화상 상의 패턴의 위치, 조명 조건 (투과 조명광의 파장 및 투과 조명 광량 등), 그리고 촬상 조건 (대물 렌즈의 배율, 대물 렌즈의 종류, 관찰 배율, 카메라의 종류, 카메라 게인, 오프셋 및 노광 시간 등) 등으로부터 투과 화상에 대한 영향을 고려하여 정한 소정 조건이 동일한 것을 말한다. 취득된 투과 화상에 대해서는, 상기 서술한 단계 S11 과 동일하게, 필요에 따라 평활화 처리 및 흑백 레벨의 변동 보정을 실시한다.
다음으로, 단계 S14 에 나타내는 바와 같이 취득한 화상의 연산 처리를 실시한다. 본 단계의 화상 연산 처리에 대해 도 2 에 나타내는 모식도에 의해 설명한다. 도 2 에 있어서는, 편의상 참조 패턴 투과 화상 (1), 결함 수정 투과 화 상 (2) 및 연산 처리 후 화상 (3) 은 도면으로 나타내고 있지만, 실제로는 기억 장치 내에 기록된 화상의 휘도 데이터 (2 차원 배열 데이터) 에 대해 연산 처리를 실시한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴 투과 화상 (1) 은 참조 패턴 (11) 과 차광막 패턴 (12 및 13) 을 갖고 있다. 참조 패턴 (11) 은 중간 투과율 패턴 (이하, 하프톤 패턴이라고 한다) 이고, 차광막 패턴 (12, 13) 은 각각 흑 레벨의 패턴이다. 참조 패턴 (11), 그리고 차광막 패턴 (12 및 13) 이외에는, 포토마스크가 형성되어 있지 않은 백 레벨의 영역이다. 참조 패턴 투과 화상 (1) 은, 상기 서술한 바와 같이 평활화 처리 및 흑백 레벨의 변동 보정이 실시되어 있다. 또, 차광막 (13) 의 화상 상의 패턴 에지 위치 (x1, y1) 가 화소 단위로 취득되고 있다.
결함 수정부 투과 화상 (2) 은 결함 수정부 (21) 와 차광막 패턴 (22 및 23) 을 갖고 있다. 결함 수정부 (21) 는 하프톤 패턴이고, 이 부분에 백 결함이 발생되어 있기 때문에 수정 가공에 의해 퇴적막이 형성되어 있다. 결함 수정부 투과 화상 (2) 에 대해서도 동일하게 평활화 처리 및 흑백 레벨의 변동 보정이 실시되어 있다. 또, 차광막 (23) 의 화상 상의 패턴 에지 위치 (x2, y2) 가 화소 단위로 취득되고 있다.
다음으로, 참조 패턴 (11) 및 결함 수정부 (21) 의 패턴 에지에 잔존하는 위치 어긋남의 영향을 없애기 위해, 각각의 패턴 에지로부터 내측의 일정한 화소의 휘도를 흑 레벨로 고정시킨다. 다음으로, 참조 패턴 투과 화상 (1) 및 결함 수정부 투과 화상 (2) 의 화상 연산 처리를, 화상간의 위치 어긋남을 보정하여, 하기 수학식 2 에 의해 실시한다.
Figure 112008050081376-pat00002
수학식 2 에 있어서, I1(x,y), I2(x,y) 및 I3(x,y) 는 각각 참조 패턴, 결함 수정부 및 연산 처리 후의 화상에 대해, 화소의 위치 (x,y) 에 있어서의 휘도를 나타내고 있다. 수학식 2 에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴 투과 화상 (1) 의 화소의 휘도로부터 결함 수정부 투과 화상 (2) 의 화소의 휘도를 감산함으로써 연산 처리 후 화상 (3) 이 얻어진다.
다음으로, 도 1 의 단계 S15 에 나타내는 바와 같이 수학식 2 에 의해 연산 처리한 휘도 I3(x,y) 로부터, 후술하는 단계에 있어서 가공 종료의 여부 및 가공 조건 변경의 여부를 판단할 때 사용하는 값을 산출한다. 이하, 본 단계 S15 에 있어서 산출되는 값을 총칭하여 「판정값」 으로 한다. 여기에서는, 판정값으로서 연산 처리 후의 화상의 휘도 I3(x,y) 에 대해 평균값, 최대값, 최소값 및 최대값과 최소값의 차이를 산출한다. 또한, 평균값을 산출함으로써, 그 부호로부터 휘도, 즉 투과율의 초과와 부족의 파악이 용이하고, 그 절대값이 작을수록, 결함 수정부 (21) 의 휘도는 참조 패턴 (11) 의 휘도에 근사할 가능성이 크다. 단, 최대값과 최소값의 차이가 커도 휘도의 초과와 부족이 거의 균형을 이루고 있을 때 에는, 외관의 평균값이 참조 패턴 투과 화상 (1) 에 가까운 값이 되는 경우가 있다. 이 때문에, 최대값과 최소값의 차이도 판정값으로서 산출할 필요가 있다.
다음으로, 단계 S16 에 나타내는 바와 같이, 단계 S15 에 의해 산출된 판정값을 기초로 수정 가공을 종료하는지의 여부를 판단한다. 여기에서는, 산출된 판정값이, 목표로 하는 투과율과 그 허용 범위에 기초하여 미리 설정된 합격 기준 범위 내에 있는지의 여부를 판정한다. 판정은, 평균값 및 최대값과 최소값의 차이가 모두 합격 기준 범위 내일 때를 정상 종료로 하고, 평균값은 합격 기준 범위 내이지만 최대값과 최소값의 차이가 합격 기준 범위 외일 때를 이상 종료로 한다. 정상 종료 또는 이상 종료의 경우에는, 모두 단계 S19 로 진행되어 수정 가공을 종료하고, 그대로 수정 작업은 종료된다. 판정 결과, 정상 종료 및 이상 종료 중 어느 것에도 해당되지 않는 경우에는, 단계 S17 의 처리로 진행된다.
상기 단계 S16 에 있어서, 정상 종료 및 이상 종료 중 어느 것에도 해당되지 않는다고 판정한 경우에는, 단계 S17 에 나타내는 바와 같이 판정값을 기초로 가공 조건을 변경하는지의 여부를 판단한다. 여기에서는, 먼저, 가공 개시시부터 판정값을 축차 기록한다. 다음으로, 일례로서, 판정값의 추이로부터 단계 S16 에 있어서의 다음 회의 판정시에 휘도 I3(x,y) 의 평균값이 합격 기준 범위 내의 소정의 설정값 이하가 되는지의 여부를 추정한다. 평균값이 설정값 이하가 된다고 추정되는 경우에는, 가공 조건을 변경한다고 판단하고, 단계 S18 의 처리로 진행된다. 평균값이 설정값 이하가 되지 않는다고 추정되는 경우에는, 가공 조건을 변경하지 않는다고 판단하고, 단계 S13 의 처리로 돌아온다.
상기 단계 S17 에 있어서, 가공 조건을 변경한다고 판단한 경우에는, 단계 S18 에 나타내는 바와 같이 가공 조건의 변경 처리를 실시한다. 여기에서는, 단계 S17 에 있어서의 추정 결과에 기초하여 수정 가공의 가공 파라미터를 변경한다. 상기 서술한 단계 S17 의 예에 있어서는, 예를 들어 결함 수정부에 형성되는 퇴적막의 퇴적 속도를 낮추도록 가공 파라미터를 변경한다. 이것 이후에는, 변경된 가공 파라미터에 기초하여 백 결함부에 대한 수정 가공이 계속된다. 단계 S18 의 처리를 종료한 후, 단계 S13 의 처리로 돌아온다.
다음으로, 본 실시 형태의 효과에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 수정 가공 계속 중에 참조 패턴 및 결함 수정부의 투과 화상을 취득하고, 이들을 감산 처리함으로써 휘도 I3(x,y) 를 얻는다. 이 휘도 I3(x,y) 로부터 산출되는 판정값과 소정의 합격 기준 범위 또는 설정값에 기초하여, 가공 종료의 여부 또는 가공 조건 변경의 여부를 판단한다.
본 실시 형태에 있어서는, 동일 조건하에서 취득한 참조 패턴 및 결함 수정부 패턴의 화상에 대해 휘도 데이터를 감산하여 평가함으로써, 참조 패턴과 결함 수정부의 투과율을 휘도의 형식으로 용이하게 비교할 수 있다. 또, 예를 들어 결함 수정부의 표면 상태 및 CVD 원료 가스 농도 등의 파악이 곤란한 조건에 변동이 생긴 경우에도, 양호한 정밀도로 결함 수정부의 투과율을 평가할 수 있다. 또한, 연산 처리 후의 화소마다의 휘도로부터 평균값 등을 산출함으로써, 용이하게 결함 수정부 전체를 망라한 평가를 할 수 있다. 이 때문에, 종래와 같이 프로브광을 주사시킬 필요가 없어, 효율적인 평가가 가능하게 된다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 투과 화상을 촬상하기 위한 광원 및 촬상 장치 등은 필요하지만, 투과율 측정용 프로브광을 조사·집광하기 위한 광학계 등을 추가할 필요가 없고, 투과율을 파악하기 위해 프로브광을 주사시킬 필요도 없다. 이 때문에, 포토마스크의 백 결함 수정 장치의 중량 및 부품 점수 등을 증가시키지 않고, 결함 수정부 전체의 투과율을 효율적으로 평가할 수 있다. 이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 백 결함 수정 방법은, 결함 수정부의 형상이 복잡한 하프톤 패턴의 백 결함의 수정에 대해 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 단계 S11 에 나타내는 참조 패턴 투과 화상 취득을 단계 S12 의 수정 가공 개시 전에 1 회 실시하고 있는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 단계 S11 의 처리를 단계 S13 의 처리 전 (단계 S17 및 S18 의 처리 후) 또는 후에 실시하는 것으로 해도 된다. 이 경우에는, 수정 작업 중에 있어서의 참조 패턴의 투과 화상의 취득 횟수는 증가하지만, 예를 들어 CVD 원료 가스 농도 등의 조건의 단시간 변동에 대해, 참조 패턴 및 결함 수정부의 투과 화상을 보다 가까운 조건에서 취득할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 있어서는, 다음 회의 단계 S16 의 판단시에 휘도 I3(x,y) 의 평균값이 합격 기준 범위 내의 소정의 설정값 이하가 되는지의 여부를 추정하여 단계 S17 의 가공 조건 변경을 판단하는 것으로 하고 있는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 최대값과 최소값의 차이가 커지는 경향이 있는지의 여부를 추정하는 것으로 해도 된다. 또, 예를 들어 평균값에 대하여, 합격 기준 범위 외의 임의의 값을 설정값으로 하고 평균값을 합격 기준 범 위에 서서히 가까워지도록 해도 된다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 도 3 은, 본 제 2 실시형태에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 나타내는 플로우차트도이다. 또한, 도 3 에 있어서, 도 1 에 나타내는 플로우차트와 동일한 단계에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
먼저, 도 3 의 단계 S11 에 나타내는 참조 패턴의 투과 화상 취득에 대해서는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 동일하다. 다음으로, 단계 S22 에 나타내는 바와 같이 백 결함부에 대한 수정 가공을 실시한다. 여기에서는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 동일하게, 미리 정해진 가공 파라미터에 기초하여, 레이저 CVD 법에 의해 결함부에 퇴적막을 형성하여 백 결함을 수정한다. 본 실시 형태에 있어서는, 수정 가공은 본 단계에서 일단 정지하고, 그 후 단계 S13 의 처리로 진행되는 점에서 상기 서술한 제 1 실시형태와 상이하다. 다음으로, 단계 S13 내지 15 에 나타내는 결함 수정부의 투과 화상 취득, 화상의 연산 및 판정값의 산출의 각 단계에 대해서는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 동일하다.
다음으로, 단계 S26 에 나타내는 바와 같이 단계 S15 에 의해 산출된 판정값을 기초로 수정 작업을 종료하는지의 여부를 판단한다. 여기에서는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 동일하게, 산출된 판정값이 목표로 하는 투과율과 그 허용 범위에 기초하여 미리 설정된 합격 기준 범위 내에 있는지의 여부를 판정한다. 판정은, 평균값 및 최대값과 최소값의 차이의 양방이 합격 기준 범위 내일 때를 정상 종료로 하고, 평균값은 합격 기준 범위 내이지만 최대값과 최소값의 차이가 합 격 기준 범위 외일 때를 이상 종료로 한다. 정상 종료 또는 이상 종료의 경우에는, 그대로 수정 작업은 종료된다. 판정 결과, 정상 종료 및 이상 종료 중 어느 것에도 해당되지 않는 경우에는, 단계 S17 의 처리로 진행된다.
상기 단계 S26 에 있어서, 정상 종료 및 이상 종료 중 어느 것에도 해당되지 않는다고 판단한 경우에는, 단계 S17 에 나타내는 바와 같이 판정값을 기초로 가공 조건을 변경하는지의 여부를 판단한다. 또, 단계 S17 에 있어서, 가공 조건을 변경한다고 판단한 경우에는, 단계 S18 에 나타내는 바와 같이 가공 조건의 변경 처리를 실시한다. 단계 S17 및 S18 의 각각에 있어서의 처리 내용은, 상기 서술한 제 1 실시형태와 동일하다. 단계 S17 에 있어서 가공 조건을 변경하지 않는다고 판단한 경우 또는 단계 S18 의 처리 종료 후, 단계 S22 의 처리로 돌아온다.
본 실시 형태의 수정 방법에 있어서는, 단계 S22 에 의해 실시되는 수정 가공이 일단 정지된 후, 결함 수정부의 투과 화상을 취득한다. 그 후, 화상의 감산 처리를 거쳐 가공 조건 변경 여부의 판단 및 필요에 따라 가공 조건 변경 처리가 이루어진 후에 단계 S22 로 돌아와, 수정 가공을 재개한다. 이 때문에, 제 1 실시형태에 비해 수정 작업에 필요로 하는 시간은 길어지지만, 각 단계의 처리 속도가 늦은 경우에도 결함 수정부의 투과율에 영향을 미치지 않는다는 이점을 갖고 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 단계 S11 에 나타내는 참조 패턴의 투과 화상 취득을 단계 S22 의 수정 가공 실시 전에 1 회 실시하고 있는데, 본 발명은 이 것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 단계 S11 의 처리를 단계 S13 의 처리 전 또는 후에 실시하는 것으로 해도 된다. 이 경우에는, 수정 가공을 일단 정지한 후에 그 때마다 참조 패턴의 투과 화상을 취득할 필요가 있지만, 예를 들어 CVD 원료 가스 농도 등의 조건의 단시간 변동에 대해, 참조 패턴과 결함 수정부의 투과 화상을 보다 가까운 조건에서 취득할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 액정 표시 장치의 제조에 사용되는 포토마스크의 백 결함 수정에 바람직하게 이용할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 나타내는 플로우차트도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시형태에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법에 있어서의 투과 화상의 감산 처리를 설명하기 위한 모식도.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시형태에 관련되는 포토마스크의 백 결함 수정 방법을 나타내는 플로우차트도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 참조 패턴 투과 화상
2: 결함 수정 투과 화상
3: 연산 처리 후 화상
11: 참조 패턴
21: 결함 수정부
22, 23: 차광막 패턴

Claims (6)

  1. 레이저 CVD 법에 의해 포토마스크의 백 결함을 수정 가공하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법에 있어서, 상기 백 결함과 동일한 위치에서 백 결함을 갖고 있지 않은 참조 패턴의 투과 화상을 취득하는 공정과, 상기 수정 가공이 실시된 결함 수정부의 투과 화상을 상기 참조 패턴의 투과 화상과 동일한 조건에서 취득하는 공정과, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부의 투과 화상을 연산 처리하는 공정과, 상기 연산 처리 결과로부터 산출된 적어도 1 개 이상의 판정값을 기초로 상기 수정 가공을 종료하는지의 여부를 판단하는 공정과, 상기 수정 가공을 종료한다고 판단할 때까지 적어도 상기 결함 수정부의 투과 화상을 취득하는 공정으로부터의 공정을 반복하는 공정과, 이 반복 공정에 있어서 상기 판정값을 기초로 상기 수정 가공 조건을 변경하는지의 여부를 판단하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴의 화소마다의 휘도로부터 상기 결함 수정부의 화소마다의 휘도를 감산하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부의 투과 화상에 대해 화상 상의 위치 어긋남을 보정하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투과 화상의 연산 처리가, 상기 참조 패턴 및 상기 결함 수정부의 투과 화상의 휘도에 대해 백 레벨 및 흑 레벨이 각각 동등해지도록, 적어도 일방의 상기 투과 화상의 휘도를 조정하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 수정 가공을, 최초의 상기 결함 수정부의 투과 화상 취득 전에 개시하고, 상기 수정 가공을 종료한다고 판단한 후에 종료하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 수정 가공을, 상기 결함 수정부의 투과 화상 취득 전에 일단 정지하고, 상기 수정 가공을 종료하지 않는다고 판단한 후에 재개하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 백 결함 수정 방법.
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