KR100954419B1 - 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명에 있어서, 상기 반도체기판 상에 패드 질화산화막을 형성하는 단계는, 상기 반도체기판의 전면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막을 질소를 포함하는 가스 분위기 내에서 어닐링하는 단계, 및 소자분리영역이 노출되도록 상기 패드 질화산화막을 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
이때, 상기 산화막을 질소를 포함하는 분위기에서 어닐링하는 단계는 NO와 N2의 혼합가스를 사용하여 진행할 수 있다. 이때, 상기 NO 가스가 전체 가스 부피의 20% 이상 포함된 가스를 사용할 수 있다.
상기 고전압용 게이트 산화막을 형성하는 단계는, 750 ~ 850℃의 온도에서 산화막을 형성하는 단계와, 900 ~ 950℃의 온도에서 질소가스(N2)를 이용하여 어닐링하는 단계로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 코아 영역용 게이트 산화막을 형성하는 단계는, 650 ~ 750℃의 온도에서 산화막을 형성하는 단계와, 800 ~ 900℃의 온도에서 NO와 N2의 혼합 가스 분위기 내에서 어닐링하는 단계로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 혼합 가스의 부피 중 NO 가스를 20% 이하로 혼합하는 것이 바람직하다.
상기 반도체기판 상에 형성된 패드 질화산화막의 두께는 80 ∼ 100Å일 수 있다.
본 발명에 의한 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법에 의하면, 고전압 소자 형성 영역과 코아 영역을 갖는 반도체기판 상에 고전압용 게이트 산화막을 성장시키기 전에, 미리 코아 영역에 패드 질화산화막을 형성함으로써, 고전압용 게이트 산화막 성장 공정 시, 코아 영역은 패드 질화산화막이 산화막 성장을 억제하는 역할을 하여 고전압용 게이트 산화막이 거의 성장되지 않게 되며, 이로 인하여 추후 코아 영역에 형성된 고전압용 게이트 산화막 제거 시 코아 영역 하부의 필드 산화막에 대한 손실을 최소화 할 수 있게 되는 것이다.
Claims (8)
- 고전압 소자 형성 영역과 코아 영역을 갖는 반도체기판 상에, 소자분리영역을 한정하는 패드 질화산화막을 형성하는 단계;상기 패드 질화산화막에 의해 한정된 영역의 반도체기판에 트렌치 소자분리막을 형성하는 단계;상기 고전압 소자 형성 영역의 상기 패드 질화산화막을 제거하는 단계;상기 고전압 소자 형성 영역의 반도체기판 상에 고전압 소자용 게이트 산화막을 형성하는 단계;상기 코아 영역에 형성된 패드 질화산화막을 제거하는 단계; 및상기 코아 영역의 반도체기판 상에, 상기 고전압 소자용 게이트 산화막보다 얇은 코아 영역용 게이트 산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 반도체기판 상에 패드 질화산화막을 형성하는 단계는,상기 반도체기판의 전면에 산화막을 형성하는 단계,상기 산화막을 질소를 포함하는 가스 분위기 내에서 어닐링하는 단계, 및소자분리영역이 노출되도록 상기 패드 질화산화막을 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 산화막을 질소를 포함하는 분위기에서 어닐링하는 단계는,NO와 N2의 혼합가스를 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 고전압용 게이트 산화막을 형성하는 단계는,750 ~ 850℃의 온도에서 산화막을 형성하는 단계와,900 ~ 950℃의 온도에서 질소가스(N2)를 이용하여 어닐링하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 코아 영역용 게이트 산화막을 형성하는 단계는,650 ~ 750℃의 온도에서 산화막을 형성하는 단계와,800 ~ 900℃의 온도에서 NO와 N2의 혼합 가스 분위기 내에서 어닐링하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제5항에 있어서,상기 혼합 가스의 부피 중 NO 가스를 20% 이하로 혼합하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체기판 상에 형성된 패드 질화산화막의 두께는 80 ∼ 100Å인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
- 제3항에 있어서,상기 산화막을 질소를 포함하는 분위기에서 어닐링하는 단계에서,상기 NO 가스가 전체 가스 부피의 20% 이상 포함된 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼 게이트 형성방법.
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