KR100890021B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 액정 표시 장치에서의 색 이동을 보정하여 화질을 향상시키기 위하여, 적, 녹, 청의 화소 영역 각각에 적절한 셀갭을 개별적으로 형성한다. 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는, 제1 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트 절연막이 게이트선을 덮고 있다. 게이트 절연막 위에 게이트선과 교차하여 제1, 제2 및 제3 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터가 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되어 있다. 박막 트랜지스터 및 데이터선을 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 가지는 보호막이 덮고 있고, 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극에 연결되는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 보호막 및 게이트 절연막은 제1 및 제2 화소 영역에 위치하는 개구 패턴을 가지며, 개구 패턴은 화소 전극과 중첩한다.
색 보정, 화질, 개구 패턴, 화소 전극, 셀갭, 투과율

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE DISPLAY}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 2는 도 1에 보인 절단선 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면 구조와 이에 대응하는 색 필터 기판의 단면 구조를 함께 나타낸 도면이고,
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서의 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위한 첫 번째 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 3b는 도 3a에 보인 절단선 Ⅲb-Ⅲb'에 따른 기판의 단면도이고,
도 4a는 도 3a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 4b는 도 4a에 보인 절단선 Ⅳb-Ⅳb'에 따른 기판의 단면도이고,
도 5a는 도 4a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 5b는 도 5a에 보인 절단선 Ⅴb-Ⅴb'에 따른 기판의 단면도이고,
도 6a는 도 5a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 6b는 도 6a에 보인 절단선 Ⅵb-Ⅵb'에 따른 기판의 단면도이고,
도 7은 도 6b의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서의 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전극이 형성되어 있는 상부 및 하부 기판과 그 사이에 주입되어 있는 액정 물질로 구성되어 있다. 이러한 액정 표시 장치는 두 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질에 전극을 이용하여 전계를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 공통 전극과 화소 전극이 각각 형성되어 있고, 화소 전극이 형성되어 있는 기판에 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 형태의 것이다.
그런데 이러한 액정 표시 장치에서는, 저계조에서 빛의 파장이 가장 짧은 파란색의 투과율이 높다가 고계조로 갈수록 파란색에 비하여 빨강과 초록의 투과율이 높아지는 특성이 있다. 그래서, 고계조로 갈수록 빨강과 초록의 합성색인 노란색 성분이 많아져 옐로위시(yellowish) 현상이 일어나는 등의 색 이동이 일어나 화질이 저하된다. 또한, 시야각에 따라서도 각 파장에 따른 투과율 변화가 일치하지 않은데, 이러한 사실도 색 이동에 영향을 주어 화질 저하를 유발한다.
본 발명은 액정 표시 장치에서의 색 이동을 보정하여 화질을 향상시키고자 한다.
본 발명은 이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여, 적, 녹, 청의 화소 영역 각각에 적절한 셀갭을 개별적으로 형성한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트 절연막이 게이트선을 덮고 있다. 게이트 절연막 위에 게이트선과 교차하여 제1, 제2 및 제3 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터가 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되어 있다. 박막 트랜지스터 및 데이터선을 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 가지는 보호막이 덮고 있고, 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극에 연결되는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 보호막 및 게이트 절연막은 제1 및 제2 화소 영역에 위치하는 개구 패턴을 가지며, 개구 패턴은 화소 전극과 중첩한다. 이 때, 게이트 절연막은 반도체 패턴에 중첩하는 부분이 다른 부분에 비하여 두꺼운 것이 바람직하다.
여기서, 제1 절연 기판에 마주하여 대향하고 있는 제2 절연 기판 위에는 블랙 매트릭스가 형성되어 있으며, 블랙 매트릭스 및 제2 절연 기판 위에는 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 각각 대응되는 적, 녹 및 청의 색 필터가 교대로 배열되어 있다. 공통 전극이 적, 녹, 청의 색 필터를 덮고 있다.
여기서, 적, 녹 청의 색 필터 중 하나의 색 필터는 다른 색 필터보다 두꺼운 것이 바람직하다. 또한, 제1, 제2 및 제3 화소 영역에서의 셀갭인 D1, D2, D3 의 크기는, D1 > D2 > D3인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 제조하기 위하여, 우선, 제1 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한 후, 게이트 절연막 위에 반도체 패턴을 형성한다. 다음, 게이트 절연막 위에 게이트선과 교차하여 제1, 제2 및 제3 화소 영역을 정의하는 데이터선, 반도체 패턴에 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 반도체 패턴 및 데이터 배선을 덮는 보호막을 형성한 후, 보호막에 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍 및, 제1 및 제2 화소 영역의 내부에 위치하는 보호막 및 게이트 절연막에 개구 패턴을 형성한다. 이어, 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성한다. 여기서, 반도체 패턴을 마스크로 게이트 절연막의 상부 일부를 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
상술한 바와 같이, 액정 표시 장치에서는 각 파장에 따른 빛의 투과율 변화가 일치하지 않기 때문에 색 이동 현상이 발생한다. 따라서, 각 파장에 따른 빛의 투과율 변화를 독립적으로 조절한다면, 색 보정이 가능하여 색 이동 현상을 저감시킬 수 있다.
액정 표시 장치에서 투과율은
Figure 112002001162916-pat00001
(여기서,
Figure 112002001162916-pat00002
은 액정의 복굴절율을 나타내고, d는 셀갭을 나타냄) 및 빛의 파장( lambda )에 따라 변화하는 특성을 가지고 있다. 즉,
Figure 112002001162916-pat00003
에 따라 빛 투과율의 변화가 다르며, 이 변화 또한 빛의 파장별로 서로 다르다.
액정 표시 장치에서의 적색, 녹색 및 청색의 화소 영역에서는 동일한 액정을 이용하므로,
Figure 112002001162916-pat00004
은 동일한 값을 가지므로, 동일한 액정 표시 장치에서 빛 투과율을 조절할 수 있는 것은 셀갭이다. 따라서, 각 화소 영역에서의 셀갭을 개별적으로 설정하여 빛의 투과율을 독립적으로 조절할 경우, 각 화소 영역에서의 빛 투과율 변화의 불균일로 발생하는 색 이동을 보정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도를 나타낸 것이고, 도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면 구조와 이에 대응하고 있는 색 필터 기판의 단면 구조를 함께 나타낸 것이다.
우선, 박막 트랜지스터 기판에 대하여 설명하면 다음과 같다.
절연 기판(10) 위에 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 크롬 또는 크롬 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 질화 크롬 또는 질화 몰리브덴 따위의 도전 물질로 이루어진 1000∼3500Å 두께의 게이트 배선(22, 24)이 형성되어 있다.
게이트 배선(22, 26)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22) 및 게이트선(22)으로부터 돌출되는 박막 트랜지스터(TFT)의 하나의 전극인 게이트 전극(26)을 포함한다.
이 때, 게이트 배선(22, 26)은 이중층 이상의 구조로 형성할 수 있는데, 이 경우, 적어도 한 층은 저저항 특성을 가지는 금속 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
절연 기판(10) 위에는 질화 규소 또는 산화 규소와 같은 절연 물질로 이루어진 3500∼4500Å 두께의 게이트 절연막(30)이 게이트 배선(22, 26)을 덮고 있다.
이 때, 게이트 절연막(30)에는 게이트선(22)과 후술하는 데이터선(62)이 교차하여 정의하는 다수개의 화소 영역 즉, 후술하는 적의 색 필터(R)에 대응하는 화소 영역(이하, R 화소 영역이라 함), 녹의 색 필터(G)에 대응하는 화소 영역(이하, G 화소 영역이라 함) 및 청의 색 필터(G)에 대응하는 화소 영역(이하, B 화소 영역이라 함) 중에서 R 화소 영역과 G 화소 영역의 내부에 절연 기판(100)을 드러내는 개구 패턴(Pr, Pg)이 각각 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 게이트 전극(26)과 중첩하고, 비정질 규소 등으로 이루어진 800∼1500Å 두께의 반도체 패턴(42)이 형성되어 있다. 반도체 패턴(42) 위에는 도전형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 등으로 이루어진 500∼800Å 두께의 저항성 접촉층(ohmic contact layer)(55, 56)이 형성되어 있다.
저항성 접촉층(55, 56)과 게이트 절연막(30) 위에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 크롬 또는 크롬 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 질화 크롬 또는 질화 몰리브덴 같은 도전 물질로 이루어진 1500∼3500Å 두께의 데이터 배선(62, 65, 66)이 형성되어 있다.
데이터 배선(62, 65, 66)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 게이트선(22)과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(62), 데이터선(62)에서 돌출하여 하나의 저항성 접촉층(55) 위에 까지 연장되어 있는 소스 전극(65) 및 소스 전극(65)의 대향 전극이며 다른 하나의 저항성 접촉층(56) 위로부터 화소 영역 내부의 게이트 절연 막(30) 위에까지 연장되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다.
여기서, 데이터 배선(62, 65, 66)은 이중층 이상의 구조로 형성할 수 있는데, 이 경우, 적어도 한 층은 저저항 특성을 가지는 금속 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 데이터 배선(62, 65, 66) 및 반도체 패턴(42)을 질화 규소 또는 산화 규소와 같은 절연 물질로 이루어진 1500∼2500Å 두께의 보호막(70)이 덮고 있다. 이 때, 보호막(70)에도, 게이트 절연막(30)의 개구 패턴(Pr, Pg)을 통하여 드러난 절연 기판(10) 부분을 드러내는 개구 패턴(Pr, Pg)이 형성되어 있다(편의상, 게이트 절연막(30)에 형성된 개구 패턴(Pr, Pg)과 동일한 도면 부호를 사용함).
보호막(70)에는 드레인 전극(66)을 드러내는 접촉 구멍(72)이 형성되어 있다. 그리고, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(66)에 연결되는 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 여기서, 화소 전극(82)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질로 형성되어 있다.
이와 같이 하여, R 화소 영역 및 G 화소 영역의 화소 전극(82)은 절연 기판(10) 위에 형성되고, B 화소 영역의 화소 전극(82)은 게이트 절연막(30) 및 보호막(70)의 적층 구조 위에 형성된다. 따라서, R 화소 영역과 G 화소 영역의 화소 전극(82)과 B 화소 영역의 화소 전극(82)은 보호막(70) 및 게이트 절연막(30)의 적층 두께 즉, 0.5∼0.7㎛ 만큼의 단차가 생긴다.
이러한 구조에 의해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는 B 화소 영역과 R 및 G 화소 영역 사이에 0.5∼0.7㎛의 단차가 발생한다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에 대응하는 색 필터 기판에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제2 절연 기판(100) 위에 박막 트랜지스터 기판의 게이트선(22), 데이터선 (62) 및 박막 트랜지스터(TFT)의 일부를 덮는 블랙 매트릭스(110)가 형성되어 있다.
제2 절연 기판 (100) 및 블랙 매트릭스(110)의 일부 위에는 적의 색 필터 (R), 녹의 색 필터(G) 및 청의 색 필터(B)가 교대로 번갈아 형성되어 있다. 이 때, 적, 녹, 청의 색 필터(R, G, B) 중에 하나의 색 필터, 예를 들어, 녹의 색 필터(G)는 다른 두 색 필터(R, B)보다 0.1∼0.2㎛ 정도 두껍게 형성할 수 있다. 이와 같이 하여, 녹의 색 필터(G)와 적 및 청의 색 필터(R, B) 사이에는 0.1∼0.2㎛ 의 단차가 생긴다.
그리고, 이러한 적, 녹, 청의 색 필터(R, G, B)를 포함하는 기판 전면을 ITO 또는 IZO로 이루어진 공통 전극(120)이 덮고 있다.
이러한 색 필터 기판과 상술한 박막 트랜지스터 기판을 소정의 기판 간격을 두고 결합할 경우, 각각의 화소 영역에서는 서로 다른 크기의 셀갭을 가지게 된다.
여기서, 색 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판을 결합할 경우, 두 기판 사이에 존재하는 액정층(도시하지 않음)을 향하여, B 화소 영역은 R 및 G 화소 영역보다 0.5∼0.7㎛정도 돌출되고, G 화소 영역에 대응하는 녹의 색 필터(G)는 R 및 B 화소 영역에 대응하는 적 및 청의 색 필터(R, G)보다 0.1∼0.2㎛정도 돌출된다.
그래서, 각 화소 영역에서의 셀갭의 크기는,
"B 화소 영역의 셀갭〈 G 화소 영역의 셀갭〈 R 화소 영역의 셀갭"
이 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 화소 영역 각각에 따른 셀갭을 개별적으로 형성함으로써, 액정 표시 장치에 멀티(multi) 셀갭을 설정한다. 이와 같이, 각 화소 영역에서의 셀갭을 독립적으로 설정할 경우, 화소 영역 각각에 따라 빛의 투과율을 조절하여 색 보정을 실현할 수 있다.
본 발명에서는, 적, 녹, 청의 색 필터(R, G, B)를 균일한 두께로 형성하여 박막 트랜지스터 기판만으로도 셀갭을 조절할 수 있다.
본 발명에서는, 결합되는 박막 트랜지스터 기판과 색 필터 기판의 간격을 균일하게 유지하기 위하여, 두 기판 사이에 스페이서 특히, 기둥형 스페이서를 형성하는 것이 바람직하다. 스페이서는 블랙 매트릭스(110)에 의하여 가려지는 부분에 위치하는 것이 바람직하다.
그러면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
우선, 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 3a 내지 도 6b 및 앞서의 도 1 및 도 2를 함께 참조하여 설명한다.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 게이트 배선용 금속층을 증착한 후, 이 금속층을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트 배선(22, 26)을 형성한다. 게이트 배선(22, 26)은 게이트선(22) 및 게이트 전극(26)을 포함한다.
다음, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 질화 규소와 같은 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(30)을 증착하여 게이트 배선(22, 26)을 덮는다.
이어, 게이트 절연막(30) 위에 비정질 규소층 및 도전형 불순물이 도핑된 비정질 규소층을 순차적으로 형성한 후, 이 두 규소층을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 반도체 패턴(42)과 저항성 접촉층 패턴(52)을 형성한다.
다음, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 기판의 노출된 전면 위로 데이터 배선용 금속층을 증착한 후, 이 금속층을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터 배선(62, 65, 66)을 형성한다. 데이터 배선(62, 65, 66)은 데이터선(62), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함한다. 여기서, 데이터선(62)은 게이트선(22)과 교차하여 다수개의 화소 영역 예를 들어, R 화소 영역, G 화소 영역 및 B 화소 영역을 정의한다.
이어, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)을 마스크로 하여 저항성 접촉층 패턴(52)을 식각하여 소스 전극(65)과 접촉하는 저항성 접촉층(55) 및 드레인 전극(66)과 접촉하는 저항성 접촉층(56)으로 분리한다.
다음, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 데이터 배선(62, 65, 66) 및 반도체 패턴(42)을 포함하는 기판 전면에 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 보호막(70)을 형성한다.
이어, 보호막(70) 및 게이트 절연막(30)을 사진 식각 공정으로 패터닝하여, 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍(72) 및 R 화소 영역, G 화소 영역의 내부의 절 연 기판(10) 부분을 드러내는 개구 패턴(Pr, Pg)을 각각 형성한다. 이 때, 접촉 구멍(72)은 보호막(70)에 형성하고, 개구 패턴(Pr, Pg)은 보호막(70) 및 게이트 절연막(30)에 형성한다,.
다음, 도 1 및 도 2(하부 기판)에 도시한 바와 같이, 기판의 노출된 전면에 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명 도전층을 증착한 후, 이 투명 도전층을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(66)에 연결되는 화소 전극(82)을 각 화소 영역에 형성한다.
한 편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서, 색 필터 기판은 통상의 제조 공정을 통하여 제조하되, 색 필터를 제조하는 과정에서 녹의 색 필터(G)의 두께를 다른 색 필터(R, B)의 두께보다 두껍게 형성한다.
즉, 도 2(상부 기판)에 도시한 바와 같이, 제2 절연 기판(100) 위에 블랙 매트릭스(110)를 형성한 후, 적, 녹, 청의 색 필터(R, G, B)를 순차적으로 형성한다. 이러한 색 필터는 적, 녹, 청의 색 수지를 도포한 후, 선택적으로 노광 및 현상하는 작업을 순차적으로 진행하여 각각 형성할 수 있다. 여기서, 녹의 색 필터(G)를 다른 색 필터(R, B)보다 두껍게 형성하기 위하여, 녹의 색 수지를 두껍게 도포하는 것이 바람직하다. 이어, 기판 전면을 덮는 공통 전극(120)을 형성한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서의 박막 트랜지스터 기판의 단면도을 나타낸 것이다.
상술한 본 발명의 제1 실시예에서는 게이트 절연막(30)과 보호막(70)이 B 화소 영역에 잔류되어 있고, R 화소 영역 및 G 화소 영역에는 제거되어 있다. 반면 에, 제2 실시예에서는, B 화소 영역에 위치하는 게이트 절연막(30)의 상부 일부가 제거되어 게이트 절연막(30)의 하부 일부와 보호막(70)이 B 화소 영역에 잔류하고, R 화소 영역과 G 화소 영역에서는 제1 실시예와 마찬가지로 게이트 절연막(30)과 보호막(70)이 모두 제거되어 있다. 이 때, B 화소 영역에 게이트 절연막(30) 전부가 제거되어 보호막(70)만이 잔류할 수 있다.
따라서, 이 실시예에서는 B 화소 영역의 화소 전극(82)이 낮아지므로, R 화소 영역과 G 화소 영역의 화소 전극(82)과의 단차가 작아짐을 알 수 있다. 이 실시예에서 B 화소 영역의 화소 전극(82)과 R 및 G 화소 영역의 화소 전극(82) 사이의 단차는 최대 수치로서 보호막(70) 및 게이트 절연막(30)의 적층 두께, 즉, 5000∼7000Å이 되고, 최소 수치로서 보호막(70)의 두께 즉, 1500∼2500Å이 된다.
이러한 구조에 따라, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 B 화소 영역과 R 및 G 화소 영역 사이에 0.15∼0.7㎛ 범위의 단차를 발생시킬 수 있다. 이러한 단차 범위는 본 발명의 제1 실시예를 통하여 형성할 수 있는 단차 범위인 0.5∼0.7㎛보다 더 크다. 따라서, 이 실시예에서는 본 발명의 제1 실시예보다 각 화소 영역에서의 셀갭의 변화 범위를 더욱 크게 할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 게이트 절연막(30)의 일부 제거는 반도체 패턴(42)을 형성하는 과정에서 이루어진다.
상술된 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 과정 중 도 4b에 보인 바와 같이, 반도체 패턴(42) 및 저항성 접촉층 패턴(52)을 형성하기 위하여, 비정질 규소층 및 불순물이 도핑된 비정질 규소층을 식각하는 과정에서, 식각 시간을 늘려 그 하부에 위치하는 게이트 절연막(30)의 상부 일부 혹은, 전부를 과도식각한다. 이후의 공정은 동일하게 진행한다.
또한, 본 발명에서는 제2 실시예에서와 동일한 원리로 보호막(70)의 두께를 조절하여 화소 영역 간의 셀갭의 변화 범위를 더욱 크게 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 각각의 화소 영역에 게이트 절연막 혹은 보호막을 선택적으로 제거하여 화소 영역마다의 셀갭을 개별적으로 형성한다.
본 발명에서는 액정 표시 장치에서의 화소 영역 각각에 적절한 셀갭을 개별적으로 형성함으로써, 각각의 화소 영역을 투과하는 빛의 투과율을 개별적으로 조절하여 색 보정을 실현할 수 있다.

Claims (9)

  1. 제1 절연 기판,
    상기 제1 절연 기판 위에 형성되며 게이트 전극을 가지는 게이트선,
    상기 게이트선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트선과 교차하여 제1, 제2 및 제3 화소 영역을 정의하는 데이터선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 데이터선을 덮고 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 가지는 보호막,
    상기 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극,
    상기 제1 절연 기판에 마주하여 대향하고 있는 제2 절연 기판,
    상기 제2 절연 기판 위에 형성되는 블랙 매트릭스,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 각각 대응되며 상기 제2 절연 기판 위에 형성되는 적, 녹 및 청의 색 필터,
    상기 적, 녹, 청의 색 필터를 덮는 공통 전극을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 화소 영역에 위치하는 상기 보호막 및 상기 게이트 절연막이 제거되어 상기 제1 및 제2 화소 영역의 상기 화소 전극은 상기 제1 절연 기판과 접촉하고 있으며, 상기 녹의 색필터는 상기 적의 색필터 및 청의 색필터보다 두께가 두꺼운 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제3 화소 영역과 대응하는 화소 전극 아래의 게이트 절연막은 두께가 0.1~0.3㎛인 액정 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에서,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에서의 셀갭인 D1, D2, D3의 크기는,
    D1 > D2 > D3
    인 액정 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 적, 녹 청의 색 필터는 두께가 동일하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에서의 셀갭인 D1, D2, D3의 크기는,
    D1= D2 > D3
    인 액정 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2 절연 기판을 지지하는 기둥 스페이서를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  8. 제1 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,
    상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 반도체 패턴을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트선과 교차하여 제1, 제2 및 제3 화소 영역을 정의하는 데이터선, 상기 반도체 패턴에 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 제1 내지 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제2 기판 위에 적색, 녹색, 청색의 색필터를 형성하는 단계,
    상기 반도체 패턴 및 상기 데이터 배선을 덮는 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 감광막 패턴을 형성한 후 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 보호막을 식각하여 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍과 상기 제1 및 제2 화소 영역의 내부에 위치하는 상기 보호막 및 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 제1 및 제2 화소 영역의 제1 절연 기판을 드러내는 개구 패턴을 형성하는 단계,
    상기 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 화소 영역의 상기 화소 전극은 상기 개구 패턴을 통해서 상기 제1 절연 기판과 접촉하도록 형성하고,
    상기 녹색의 색필터 두께는 상기 적색 및 청색 색필터의 두께보다 두껍게 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 반도체 패턴을 마스크로하여 상기 제3 화소 영역의 게이트 절연막을 식각하여 상기 제3 화소 영역의 게이트 절연막 두께를 줄이는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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