KR100870037B1 - 테스트가 용이한 반도체 장치, 반도체 장치 테스트 방법,반도체 장치 테스트를 위한 테스트 클럭 생성 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 반도체 장치의 외부로부터 외부 클럭과 제어 신호를 입력받는 단계;상기 제어 신호를 기초로 상기 외부 클럭보다 고주파수를 갖는 내부 클럭을 게이팅하여 게이티드 클럭을 생성하는 단계; 및상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이티드 클럭을 생성하는 단계는상기 내부 클럭에 동기하여 상기 제어 신호로부터 게이트 제어 신호를 생성하는 단계; 및상기 게이트 제어 신호에 따라 상기 내부 클럭을 게이팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트 제어 신호를 생성하는 단계는상기 제어 신호를 상기 내부 클럭에 동기시켜 제1 제어 신호를 생성하는 단계;상기 제1 제어 신호가 활성일 때 상기 내부 클럭을 소정 횟수만큼 카운팅한 후 비활성화되는 제2 제어 신호를 생성하는 단계; 및상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호가 활성일 때 활성화되는 상기 게이트 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 내부 클럭을 게이팅하는 단계는상기 게이트 제어 신호가 활성일 때 상기 내부 클럭을 출력하는 단계; 및상기 게이트 제어 신호가 비활성일 때 상기 내부 클럭을 차단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 내부 클럭은 상기 반도체 장치의 내부 PLL(Phase Lock Loop)의 출력 클럭인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 단계는 상기 제어 신호가 활성일 때 상기 게이티드 클럭을 출력하는 단계; 및상기 제어 신호가 비활성일 때 상기 외부 클럭을 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 반도체 장치의 외부로부터 외부 클럭과 제어 신호를 입력받는 단계;상기 외부 클럭을 기초로 내부 클럭에 동기된 기준 클럭을 생성하는 단계;상기 내부 클럭에 동기하여 동작하는 플립플롭들을 이용하여 상기 기준 클럭을 지연시킨 지연 클럭들을 생성하는 단계;상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들을 기초로 게이티드 클럭을 생성하는 단계; 및상기 제어 신호에 따라 상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제7항에 있어서, 지연 클럭들을 생성하는 단계는 상기 기준 클럭을 내부 클럭의 반주기만큼 지연시킨 제1 지연 클럭을 생성하는 단계;상기 기준 클럭을 내부 클럭의 한주기만큼 지연시킨 제2 지연 클럭을 생성하는 단계; 및상기 기준 클럭을 내부 클럭의 3/2 주기만큼 지연시킨 제2 지연 클럭을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제7항에 있어서, 상기 게이티드 클럭을 생성하는 단계는 상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들을 XOR 연산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장 치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제9항에 있어서, 상기 게이티드 클럭을 생성하는 단계는 상기 XOR 연산 결과와 상기 외부 클럭을 AND 연산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제9항에 있어서, 상기 게이티드 클럭을 생성하는 단계는상기 외부 클럭을 인버팅하는 단계;상기 XOR 연산 결과와 상기 인버팅된 외부 클럭을 AND 연산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제7항에 있어서, 상기 게이티드 클럭을 생성하는 단계는상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들 중 4개 이상의 클럭들을 선택하는 단계; 및상기 선택된 클럭들을 XOR 연산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제7항에 있어서, 상기 기준 클럭을 생성하는 단계는상기 외부 클럭을 반전시키는 단계; 및상기 반전된 외부 클럭을 상기 내부 클럭에 동기시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제7항에 있어서, 상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 단계는 상기 제어 신호가 활성일 때 상기 게이티드 클럭을 출력하는 단계; 및상기 제어 신호가 비활성일 때 상기 외부 클럭을 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성 방법.
- 반도체 장치의 외부로부터 입력된 제어 신호를 기초로 상기 반도체 장치의 외부로부터 입력된 외부 클럭보다 높은 주파수를 갖는 내부 클럭을 게이팅하여 게이티드 클럭을 제공하는 게이티드 클럭 생성기; 및상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 클럭 선택기를 포함하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제15항에 있어서, 상기 게이티드 클럭 생성기는상기 내부 클럭에 동기하여 상기 제어 신호로부터 게이트 제어 신호를 생성하는 게이트 제어 신호 생성기; 및상기 게이트 제어 신호에 따라 상기 내부 클럭을 게이팅하는 클럭 게이팅 회 로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제16항에 있어서, 상기 게이트 제어 신호 생성기는상기 제어 신호를 상기 내부 클럭에 동기시켜 제1 제어 신호를 생성하는 플립플롭;상기 제1 제어 신호가 활성일 때 상기 내부 클럭을 카운팅하여 제2 제어 신호를 생성하는 카운터 회로; 및상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호가 활성일 때 활성화되는 상기 게이트 제어 신호를 생성하는 논리 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제16항에 있어서, 상기 클럭 게이팅 회로는 상기 게이트 제어 신호가 활성일 때 상기 내부 클럭을 출력하고, 상기 게이트 제어 신호가 비활성일 때 상기 내부 클럭을 차단하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제15항에 있어서, 상기 내부 클럭은 상기 반도체 장치의 내부 PLL(Phase Lock Loop)에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제15항에 있어서, 상기 클럭 선택기는 상기 제어 신호가 활성일 때 상기 게이티드 클럭을 출력하고, 상기 제어 신호가 비활성일 때 상기 외부 클럭을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 반도체 장치의 외부로부터 입력된 외부 클럭을 기초로 상기 외부 클럭보다 높은 주파수를 갖는 내부 클럭에 동기된 기준 클럭을 생성하는 기준 클럭 생성 회로;복수의 플립플롭들을 포함하고, 상기 내부 클럭에 동기하여 상기 기준 클럭을 지연시켜서 지연 클럭들을 생성하는 지연 클럭 생성 회로;상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들을 기초로 게이티드 클럭을 생성하는 게이티드 클럭 생성 회로; 및상기 제어 신호에 따라 상기 외부 클럭과 상기 게이티드 클럭을 선택적으로 출력하는 클럭 선택기를 포함하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 제21항에 있어서, 지연 클럭 생성 회로는 상기 기준 클럭을 내부 클럭의 반주기만큼 지연시킨 제1 지연 클럭을 생성하는 제1 플립플롭;상기 기준 클럭을 내부 클럭의 한주기만큼 지연시킨 제2 지연 클럭을 생성하는 제2 플립플롭; 및상기 기준 클럭을 내부 클럭의 3/2 주기만큼 지연시킨 제2 지연 클럭을 생성하는 제3 플립플롭을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 제21항에 있어서, 상기 게이티드 클럭 생성 회로는 상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들을 XOR 연산하는 XOR 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제23항에 있어서, 상기 게이티드 클럭 생성 회로는 상기 XOR 연산 결과와 상기 외부 클럭을 AND 연산하는 AND 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제23항에 있어서, 상기 게이티드 클럭 생성 회로는상기 외부 클럭을 인버팅하는 인버터; 및상기 XOR 연산 결과와 상기 인버팅된 외부 클럭을 AND 연산하는 AND 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 제21항에 있어서, 상기 게이티드 클럭 생성 회로는상기 기준 클럭 및 상기 지연 클럭들 중 4개 이상의 클럭들을 선택하는 선택 회로; 및상기 선택된 클럭들을 XOR 연산하는 XOR 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 제21항에 있어서, 상기 기준 클럭 생성 회로는상기 외부 클럭을 반전시키는 인버터; 및상기 내부 클럭에 동기해서 상기 반전된 외부 클럭을 출력하는 플립플롭을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
- 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제21항에 있어서, 상기 클럭 선택기는 상기 제어 신호가 활성일 때 상기 게이티드 클럭을 출력하고, 상기 제어 신호가 비활성일 때 상기 외부 클럭을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 주회로에 대한 스캔 테스트를 하기 위한 테스트 클럭 생성기.
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