JP2006038743A - 半導体集積回路装置及びその試験装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる半導体集積回路装置及びその試験装置を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体集積回路装置は、スキャンパス法によるディレイテストを行なう半導体集積回路装置であって、ディレイテスト用クロックSCK0を生成するパルス発生回路5と、ディレイテスト用クロックSCK0によってテストされるスキャンパステスト回路7と、を備え、パルス発生回路5は、入力されるスキャンクロックSCKに基づいたパルス数のディレイテスト用クロックSCK0を生成するものである。
【選択図】 図1
任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる半導体集積回路装置及びその試験装置を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体集積回路装置は、スキャンパス法によるディレイテストを行なう半導体集積回路装置であって、ディレイテスト用クロックSCK0を生成するパルス発生回路5と、ディレイテスト用クロックSCK0によってテストされるスキャンパステスト回路7と、を備え、パルス発生回路5は、入力されるスキャンクロックSCKに基づいたパルス数のディレイテスト用クロックSCK0を生成するものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体集積回路装置及びその試験装置に関し、特にスキャンパステスト法によるディレイテストを行なう半導体集積回路装置及びその試験装置に関する。
半導体集積回路装置(以下、LSIという)は、一連の製造プロセスにおいて製造された後、製造不良テスト(manufacturing test:以下、テストという)によって良品/不良品の判別が行われる。LSIの大規模化、高密度化に伴い、このようなLSIのテストの効率化を図るために、あらかじめテストが容易になるように回路構成を設計するテスト容易化設計(DFT:Design For Test)が知られている。
DFTを用いて行われるテストとして、スキャンパス法によるディレイテストが知られている。スキャンパス法は、LSI内の複数のフリップフロップ(以下、F/Fという)をシフトレジスタのように鎖状に連結し(これをスキャンチェーンという)、外部端子からテストパターンを入力し、テスト対象である被テスト回路(組み合わせ回路やRandom−Logic)の動作結果をスキャンチェーンを介して読み出すことによって、テスト容易化を図るものである。このスキャンチェーンにより連結されるF/FをスキャンF/Fという。
例えば、スキャンパス法によるディレイテストでは、被テスト回路に対し、製品仕様により規定された通常動作クロックのパルスをLSIテスタから入力し、遅延による誤動作が起きるか否かを確認する。
一方、LSI内部の動作周波数はGHzに達し、LSI外部から直接与えた信号でディレイテストできないほど高速になった。このようなLSIをLSIテスタを用いてディレイテストするためには、高周波のクロックを安定して発生させるため、高性能かつ高速性を持つ非常に高価なテスタが必要になり、テストコストが増大し、LSIの製造原価を押し上げる原因となってしまう。
そこで、被テスト対象であるLSI内部や、テスト時にLSIを搭載するテストボードにおいて、高周波のパルスを発生させる方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
図7は、特許文献1に記載されている従来のLSIの試験装置である。従来のLSIの試験装置は、図に示されるように、テストボード701、テストボード701上に搭載され被テスト回路を含むLSI702、テストボード701上に搭載され所定の周期のテストクロックを生成するクロック発振器703を備えている。LSI702の内部には、テストクロックを所定の周波数に逓倍するPLL(Phase−Locked Loop)704、ディレイテスト用の2パルスを生成するパルス発生回路705、被テスト回路やスキャンチェーンを含むスキャンパステスト回路707を備えている。
パルス発生回路705は、2パルスを生成するタイミングをコントロールパルスで与えるのみで、固定的に2パルスを生成する回路である(特許文献1の図2、図3参照)。
図8は、従来のLSIの試験装置におけるスキャンパステスト回路とそのテスト方法を示している。スキャンパステスト回路707は、図に示されるように、被テスト回路801、被テスト回路801の入力段(前段)や出力段(後段)に接続されるスキャンF/F802を有しており、さらに、複数のスキャンF/F802が連結されてスキャンチェーン803を構成している。スキャンF/F802は、スキャンイネーブル信号SEによって、スキャンシフト動作をする「スキャンモード」と通常の動作をする「通常動作モード」とに切替えられる。
ディレイテストは、スキャンチェーン803を介しデータを転送する「Shift(シフト)動作」、被テスト回路801のテスト動作を開始する「Launch(ラウンチ)動作」、被テスト回路801の動作結果を取得する「Capture(キャプチャー)動作」、によって実施される。
ディレイテストを行なう場合、まず、Shift動作によって各スキャンF/F802に初期値が設定される。このShift動作は、スキャンイネーブル信号SEを「1(ハイレベル)」にすることで、スキャンチェーン803を構成するスキャンF/F802をスキャンモードに切替え、所定のクロック(CLK)を入力することで、スキャンイン端子SINから初期値の転送が行われる。この時に用いるクロックは、図8に示すように製品仕様により規定されたクロックよりも余裕を持ったクロックが用いられる。
次いで、Launch・Capture動作によって、被テスト回路801のテストが行われる。このLaunch・Capture動作は、スキャンイネーブル信号SEを「0(ローレベル)」にすることで、スキャンF/F802を通常動作モードに切替え、所定のクロックを入力することでテストが行われる。この時に用いるクロックは、図8に示すように製品仕様により規定されたクロック(例えば、500MHz等)の周波数に相当するクロック間隔(図8のAt−Speed)を有する2つのクロックパルス(2クロック)である。2つのクロックパルスのうち、1つ目のクロックパルスで入力段のスキャンF/F802から被テスト回路801へ初期値を出力し、2つ目のパルスで出力段のスキャンF/F802に被テスト回路801の動作結果をラッチする。
その後さらに、Shift動作が行われることによって動作結果が取り出される。このShift動作は、スキャンイネーブル信号SEを「1」にすることでスキャンF/F802をスキャンモードに切替え、所定のクロックを入力することで、動作結果をスキャンアウト端子SOUTへ出力する。スキャンアウト端子SOUTから取り出した動作結果を期待値と照合して、被テスト回路801の遅延(ディレイ)による誤動作が発生したかどうかを確認する。
他方、ディレイテストに用いられるスキャンF/Fは、エッジトリガ型であり、クロックパルスのエッジを検出して、ラッチやシフトを行なう。例えば、スキャンF/Fでは、クロックパルスのエッジを検出した時に、入力されている信号を記憶(ラッチ)し、出力信号として出力する。F/Fの検出するエッジの種別によってF/Fは分類され、クロックパルスの立ち上がりエッジを検出するF/Fを、positive edge F/F(立ち上がりエッジ型F/F。以下、POS−F/Fという)といい、クロックパルスの立ち下がりエッジを検出するF/Fを、negative edge F/F(立ち下がりエッジ型F/F。以下、NEG−F/Fという。)という。また、クロックパルスには、信号の極性によって、「0」を基準とするRZ(Return To Zero)と、「1」を基準とするRO(Return To One)が知られている。
ディレイテストでは、被テスト回路の入力段に設けられるスキャンF/Fと、被テスト回路の出力段に設けられるスキャンF/Fの組み合わせによって、テストに用いられるクロックパターンが異なる。図9は、被テスト回路の入力段と出力段のスキャンF/Fの種別と、テストに用いられるクロックパターンの関係を示している。図9において、上段の(a)〜(d)はクロックがRZの場合を示し、下段の(e)〜(h)はクロックがROの場合を示している。
入力段と出力段が共にPOS−F/Fの場合、図9(a)(e)に示すように、2クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、1クロック目の立ち上がりでLaunch動作し、2クロック目の立ち上がりでCapture動作する。
入力段と出力段が共にNEG−F/Fの場合、図9(b)(f)に示すように、2クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、1クロック目の立ち下がりでLaunch動作し、2クロック目の立ち下がりでCapture動作する。
入力段がPOS−F/F、出力段がNEG−F/Fの場合は、クロックがRZとROとでクロックパターンが異なる。図9(c)に示すように、クロックがRZでは、1クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、クロックの立ち上がりでLaunch動作し、同じクロックの立ち下がりでCapture動作する。図9(g)に示すように、クロックがROでは、2クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、1クロック目の立ち上がりでLaunch動作し、2クロック目の立ち下がりでCapture動作する。
入力段がNEG−F/F、出力段がPOS−F/Fの場合は、クロックがRZとROとでクロックパターンが異なる。図9(d)に示すように、クロックがRZでは、2クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、1クロック目の立ち下がりでLaunch動作し、2クロック目の立ち上がりでCapture動作する。図9(h)に示すように、クロックがROでは、1クロックのクロックパターンによってテストが行なわれ、クロックの立ち下がりでLaunch動作し、同じクロックの立ち上がりでCapture動作する。
特開2003−43109号公報
しかしながら、上述した従来のLSIの試験装置では、2パルスを生成するタイミングをコントロールパルスで与えるのみで、固定的に2パルスを生成している。したがって、LSIに設けられたパルス発生回路によって2パルスのクロックしか生成することができないため、図9(c)や(h)のように、1パルスのクロックを用いたテストを行なうことができないという問題点がある。よって、このような部分の不良を検出することができず、故障検出率が低下することから、市場で不良が頻発する可能性がある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる半導体集積回路装置及びその試験装置を提供することを目的とする。
本発明にかかる半導体集積回路装置は、スキャンパス法によるディレイテストを行なう半導体集積回路装置であって、ディレイテスト用クロックパルスを生成するパルス発生回路と、前記ディレイテスト用クロックパルスによってテストされるスキャンパステスト回路と、を備え、前記パルス発生回路は、入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数の前記ディレイテスト用クロックパルスを生成するものである。これにより、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる。
上述の半導体集積回路装置において、前記パルス発生回路によって生成されるディレイテスト用クロックパルスのパルス数は、1もしくは2であってもよい。これにより、1パルスもしくは2パルスのクロックを用いたテストを行なうことができる。
上述の半導体集積回路装置において、前記スキャンパステスト回路にスキャンシフト用クロックパルスを入力するクロックパルス入力端子を備え、前記パルス数制御信号は、前記クロックパルス入力端子から入力されるものであってもよい。これにより、効率よく任意のパルス数のクロックを生成することができる。
上述の半導体集積回路装置において、前記パルス発生回路は、前記パルス数制御信号のパルス数をカウントし、当該カウント値を前記ディレイテスト用クロックパルスのパルス数とするカウンタ回路を有するものであってもよい。これにより、より効率よく任意のパルス数のクロックを生成することができる。
上述の半導体集積回路装置において、ディレイテストの動作モードを切替えるためのスキャンイネーブル信号を入力するスキャンモード制御端子を備え、前記カウンタ回路のカウンタ動作を制御する制御信号を、前記スキャンモード制御端子から入力するものであってもよい。これにより、さらに効率よく任意のパルス数のクロックを生成することができる。
上述の半導体集積回路装置において、前記パルス発生回路は、入力される入力クロックパルスの中から、前記パルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスを選択し、前記ディレイテスト用クロックパルスを生成するパルス選択回路を有するものであってもよい。これにより、効果的に任意のパルス数のクロックを生成することができる。
上述の半導体集積回路装置において、入力信号の周波数を逓倍するPLL回路を備え、前記入力クロックパルスは、前記PLL回路の出力信号であってもよい。これにより、外部から入力されるクロックの周波数が低い場合でも所望のクロックを生成することができる。
本発明にかかる半導体集積回路装置の試験装置は、上述の半導体集積回路装置を搭載するテストボードと、前記テストボードに搭載され、前記パルス発生回路に入力するクロックパルスを生成するクロック発振器と、を備えるものである。これにより、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる。
本発明にかかる半導体集積回路装置の試験装置は、上述の半導体集積回路装置を搭載するテストボードと、前記テストボードに搭載され、前記PLL回路に入力するクロックパルスを生成するクロック発振器と、を備えるものである。これにより、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる。
本発明にかかる半導体集積回路装置は、内蔵するフリップフロップをスキャンシフトできるように接続したスキャンパステスト回路を用いて、スキャンシフトモードと通常動作モードとを切替えながらテストを行う半導体集積回路装置であって、入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスによって通常モード時の前記フリップフロップを動作させるものである。これにより、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる。
上述の半導体集積回路装置は、前記入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスを生成するパルス発生回路を有するものであってもよい。これにより、効率よく任意のパルス数のクロックを生成することができる。
本発明によれば、任意のパルス数のクロックを用いたディレイテストを行なうことができる半導体集積回路装置及びその試験装置を提供することができる。
まず、図1のブロック図を用いて、本発明の実施の形態にかかるLSIの試験装置の構成について説明する。このLSIの試験装置は、スキャンパス法によるディレイテストを行なう装置であり、テスタが低い周波数のクロックしか生成できない場合であっても、LSI内部で高い周波数のクロックを生成し、所望のディレイテストを行なうことができる装置である。
LSIの試験装置は、図1に示されるように、テストボード1、テストボード1上に着脱可能に搭載されるLSI2、テストボード1上に搭載されるクロック発振器3を備えている。LSI2の内部には、PLL4、パルス発生回路5、マルチプレクサ6、スキャンパステスト回路7を備えている。
また、LSI2は、スキャンクロックSCKやクロック発振器3のテストクロックを入力するための端子の他、図示を省略しているが、テストパターンを入力するスキャンイン端子SIN、テストの動作結果を出力するスキャンアウト端子SOUT、テストのモードを切替えるスキャンイネーブル信号SEを入力するスキャンモードコントロール端子SMC等の端子を備えている。
例えば、テストボード1上にディレイテストを行ないたいLSI2を搭載し、テスタによって、LSI2にスキャンクロックSCKやテストパターンを入力し、さらに動作結果を取り出して、ディレイテストを行なう。入力されるテストパターンは、あらかじめATPG(Automatic Test Pattern Generator)ツール等によって生成されたパターンである。
クロック発振器3は、所定の周期のテストクロックを生成し、テストクロックをLSI2へ出力する回路である。クロック発振器3が生成するテストクロックは、高い周波数である必要がなく、例えば、50MHz〜100MHz等である。また、クロック発振器3は、この例では、LSI2の外部に設けられているが、LSI2の内部に設けられていてもよく、LSI2の内部であれば、通常動作用のクロック発振器を併用してもよい。尚、図1の例では、テストボード1上に設けられたクロック発振器3によって、テストクロックを生成しているが、LSIテスタ等の他の装置によって、テストクロックを生成してもよい。
PLL4は、クロック発振器3によって生成されたテストクロックを所定の周波数に逓倍したり、テストクロックの波形を整形し、PLLクロック(PLL_CLK)を出力する回路である。PLL4は、例えば、50MHzのテストクロックの周波数を10倍し500MHzのPLLクロックを出力する。また、PLL4は、テストクロックの周波数を逓倍する必要がない場合や、波形の整形が必要ない場合は、設けなくてもよい。その場合は、クロック発振器3のテストクロックがそのままパルス発生回路5に入力される。さらに、PLL4は、この例では、LSI2の外部に設けられているが、LSI2の内部に設けられていてもよく、LSI2の内部であれば、通常動作用のPLLを併用してもよい。
パルス発生回路5は、ディレイテスト用クロックSCK0を生成する回路である。本実施形態では、パルス発生回路5において、任意のパルス数を選択し所望のクロックを生成することができる。パルス発生回路5は、パルス数制御信号としてスキャンクロックSCKを用い、スキャンクロックSCKのパルス数に基づいて、PLL4のPLLクロックやテストクロックから所望の数のパルスを抽出する。抽出するパルスの数を、スキャンクロックSCKによって指定するが、その他の方法によって指定してもよい。例えば、スキャンクロックSCKのようなシリアル入力の他、複数ビットを一度にパラレル入力するようにしてもよい。また、パルス発生回路5は、後述するように、パルス数制御回路8とパルス選択回路9を備えている。
マルチプレクサ6は、選択回路であり、スキャンクロックSCKと、パルス発生回路5によって生成されたディレイテスト用クロックSCK0とのいずれかを選択し、スキャンパステスト回路7へ出力する。マルチプレクサ6は、外部から入力される制御信号によって選択する信号を切替える。例えば、スキャンイネーブル信号SEによって切替えることができ、ディレイテストにおけるShift動作時は、スキャンクロックSCKを選択し、Launch・Capture動作時は、ディレイテスト用クロックSCK0を選択する。
スキャンパステスト回路7は、スキャンパス法によってディレイテストが実施される回路であり、被テスト回路やスキャンチェーンを含む回路である。ここで、図2の回路図を用いて、スキャンパステスト回路7の構成について説明する。
スキャンパステスト回路7は、図に示されるように、被テスト回路210、被テスト回路210の入力段(前段)や出力段(後段)に接続されるスキャンF/F200を有しており、さらに、複数のスキャンF/F200が連結されてスキャンチェーン211を構成している。
スキャンF/F200は、スキャンモード時は、テストパターン等をスキャンシフトし、通常動作モード時は、通常の内部回路として動作する。スキャンF/F200は、マルチプレクサ201とF/F202とを有している。マルチプレクサ201は、通常動作モード時には、通常入力端子IN等から通常動作用の信号が入力され、スキャンモード時には、スキャンイン端子SIN等からスキャンシフトする信号が入力される。マルチプレクサ201は、スキャンイネーブル信号SEによって、通常動作用の信号かスキャンシフトする信号のいずれかを選択し、F/F202へ出力する。
F/F202は、入力されるクロックに従って、マルチプレクサ201から入力される信号をラッチし、ラッチした信号を次段の回路へ転送する。F/F202に入力されるクロックは、マルチプレクサ6から出力されるクロックであり、スキャンクロックSCKかディレイテスト用クロックSCK0のいずれかである。
ディレイテストにおけるShift動作時には、スキャンイン端子SINからのテストパターンや被テスト回路210の動作結果がスキャンF/F200に入力され、スキャンクロックSCKに従って、スキャンシフトされる。
Launch動作時には、スキャンF/F200の入力信号がディレイテスト用クロックSCK0に従って、被テスト回路210へ出力され、Capture動作時には、被テスト回路210の動作結果がディレイテスト用クロックSCK0に従って、スキャンF/F200のラッチされる。
尚、図2のスキャンF/F200は、スキャンシフト用のクロックと通常動作用のクロックとを兼用するマルチプレクサタイプのスキャンF/Fの例であるが、これに限らず、その他のタイプのスキャンF/Fでも同様にディレイテストを実施することができる。例えば、スキャンシフト用のクロックと通常動作用のクロックとが個別に与えられるLSSD(Level Sensitive Scan Design)タイプのスキャンF/F等でもよい。
次に、図3の回路図を用いて、本実施形態にかかるパルス発生回路の構成について説明する。このパルス発生回路5は、図に示されるように、パルス数制御回路8とパルス選択回路9を備えている。
パルス数制御回路8は、パルス発生回路が出力すべきクロックパルス数を記憶する回路である。パルス数制御回路8には、外部からの制御信号であるControl信号とスキャンクロックSCKが入力される。パルス数制御回路8は、スキャンクロックSCKのパルス数をカウントするカウンタ回路であり、Control信号によってこのカウント動作が制御される。
パルス数制御回路8は、図に示されるように、インバータ301とF/F302,303,304を備えている。F/F302,303,304は、シフトレジスタを構成しており、スキャンクロックSCKにしたがってControl信号の値をシフトすることで、スキャンクロックSCKの数をカウントしこの値を保持する。
F/F302,303,304にラッチされる値によって、1、2又は3のパルス数を表すことができる。F/F302は1パルス目の有無を示し、F/F302の出力信号を「PULSE_ON」と記している。F/F303は2パルス目の有無を示し、F/F303の出力信号を「2PULSE」と記している。F/F304は3パルス目の有無を示し、F/F304の出力信号を「3PULSE」と記している。
例えば、パルス数が1の場合、PULSE_ONは「1」、2PULSEは「0」、3PULSEは「0」であり、パルス数が2の場合、PULSE_ONは「1」、2PULSEは「1」、3PULSEは「0」であり、パルス数が3の場合、PULSE_ONは「1」、F/F303は「1」、F/F304は「1」である。
Control信号は、インバータ301に入力され、インバータの出力信号はF/F302の入力端子(D端子等)に入力される。F/F302の出力端子(Q端子等)から出力される信号は、F/F303の入力端子に入力される。F/F303の出力端子から出力される信号は、F/F304の入力端子に入力される。スキャンクロックSCKは、F/F302,303,304のクロック端子に入力される。また、F/F302,303,304のそれぞれの出力信号はパルス選択回路9へ出力される。例えば、Control信号が「1」から「0」に変化すると、インバータ301から「1」が出力される。そして、この「1」がスキャンクロックSCKのパルス数に従ってF/F302,303,304の順にシフトされる。
パルス選択回路9は、PLL4によって逓倍されたPLLクロック(PLL_CLK)から、ディレイテスト用クロックSCK0を抽出する回路である。パルス選択回路9は、外部から入力される制御信号であるSTART_PULSEに応じて、ディレイテスト用クロックSCK0の出力を開始し、パルス数制御回路8にラッチされている数のクロックを選択し出力する。例えば、START_PULSEが0から1に変化した後、パルス数制御回路8に設定済みのパルス数分、ディレイテスト用クロックSCK0を出力する。
パルス選択回路9は、図に示されるように、タイミング調整回路310、出力期間検出回路320、クロック出力回路330を備えている。タイミング調整回路310は、START_PULSEとPLL_CLKとのタイミングを調整する回路である。START_PULSEとPLL_CLKとのタイミングが保障されていれば設けなくてもよい。
タイミング調整回路310は、複数のF/F311から構成され、この例では、F/F311a〜311eの5つを備えている。F/F311a〜311eはシフトレジスタを構成しており、PLL_CLKにしたがってSTART_PULSEの信号をシフトする。F/F311の数に対応するクロック分、遅延したSTART_PULSEを出力期間検出回路320へ出力する。例えば、START_PULSEが、「0」から「1」へ変化すると、この「1」がPLL_CLKにしたがってF/F311a〜311eの順にシフトされ、5クロック後に、出力期間検出回路320へ出力される。
START_PULSEは、F/F311aの入力端子に入力され、F/F311aの出力端子から出力される信号は、次段のF/F311bに入力される。F/F311b,311c,311eの出力信号も同様に次段のF/F311に入力され、F/F311eの出力信号が出力期間検出回路320へ出力される。PLL_CLKは、F/F311a〜311eのクロック端子に入力される。
出力期間検出回路320は、パルス数制御回路8にラッチされている数に応じて、クロックを出力すべき期間を検出する。出力期間検出回路320は、F/F321〜324、AND回路325,326,327、OR回路328、AND回路329を備えている。
F/F321〜324は、シフトレジスタを構成しており、PLL_CLKにしたがって、タイミング調整回路310によって遅延したSTART_PULEの信号をシフトする。
F/F321は、パルスの出力開始のタイミングを制御する回路であり、F/F321の出力信号を「PSTART」と記している。F/F322は、1つ目のパルスの終了のタイミングを制御する回路であり、F/F322の出力信号を「P1END」と記している。同様に、F/F323は、2つ目のパルスの終了のタイミングを制御する回路であり、F/F323の出力信号を「P2END」と記している。F/F324は、3つ目のパルスの終了のタイミングを制御する回路であり、F/F324の出力信号を「P3END」と記している。
タイミング調整回路310の出力信号は、F/F321の入力端子に入力され、F/F321の出力端子から出力される信号は、次段のF/F322に入力される。F/F322,323の出力信号も同様に次段のF/Fに入力される。PLL_CLKは、F/F321〜324のクロック端子に入力される。F/F321〜324の出力信号は、それぞれ、AND回路329,325,326,327へ出力される。
AND回路325,326,327、OR回路328、AND回路329は、パルス数制御回路8のF/F302〜304の出力に従って、クロック出力の期間を検出する。AND回路325は、F/F302の出力信号(PULSE_ON)とF/F322の出力信号(P1END)に基づき、1パルス目の終了を検出する。AND回路325は、F/F302の出力信号とF/F322の出力信号の反転信号との論理積をとり出力する。すなわち、AND回路325は、PULSE_ONが「1」でかつP1ENDが「0」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
AND回路326は、F/F303の出力信号(2PULSE)とF/F323の出力信号(P2END)に基づき、2パルス目の終了を検出する。AND回路326は、F/F303の出力信号とF/F323の出力信号の反転信号との論理積をとり出力する。すなわち、AND回路326は、2PULSEが「1」でかつP2ENDが「0」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
AND回路327は、F/F304の出力信号(3PULSE)とF/F324の出力信号(P3END)に基づき、3パルス目の終了を検出する。AND回路327は、F/F304の出力信号とF/F324の出力信号の反転信号との論理積をとり出力する。すなわち、AND回路327は、3PULSEが「1」でかつP3ENDが「0」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
OR回路328は、AND回路325〜327の出力に基づき、1〜3パルス目の終了を検出する。OR回路328は、AND回路325〜327の出力信号の論理和をとり出力する。すなわち、OR回路328は、AND回路325〜327の出力信号のいずれかが「1」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
AND回路329は、F/F321の出力信号(PSTART)とOR回路328の出力信号に基づき、パルスの出力開始と1〜3パルス目の終了を検出する。AND回路329は、F/F321の出力信号とOR回路328の出力信号の論理積をとり出力する。すなわち、AND回路329は、PSTARTが「1」でかつOR回路328の出力信号が「1」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
クロック出力回路330は、出力期間検出回路320で検出された期間、PLL_CLKのクロックを出力する。クロック出力回路330は、F/F331とAND回路332を備えている。
F/F331は、出力期間検出回路320から入力される信号をラッチするラッチ回路であり、この入力信号を「LATCH_IN」と記している。F/F331は、PLL_CLKにしたがって出力期間検出回路320の出力信号をラッチする。
出力期間検出回路320の出力信号は、F/F331の入力端子に入力され、F/F331の出力信号は、AND回路332に入力される。PLL_CLKの反転信号がF/F331のクロック端子に入力される。
AND回路332は、F/F331の出力信号とPLL_CLKに基づき、ディレイテスト用クロックSCK0を出力する。AND回路332は、F/F331の出力信号とPLL_CLKとの論理和をとり出力する。すなわち、AND回路332は、F/F331の出力信号が「1」でかつPLL_CLKが「1」ならば「1」を出力し、その他の場合には「0」を出力する。
次に、図4のタイミングチャートを用いて、本実施形態にかかるパルス発生回路の動作について説明する。図4は、パルス発生回路5において、2パルスを発生させる例を示している。
所望のディレイテスト用クロックSCK0を発生させる場合、まず、PLL4の初期化(Initialize)が行われた後、PLL4において、クロック発振器3から入力されたテストクロックを逓倍し、高速なクロックPLL_CLKが生成される。
次いで、パルス発生回路5のControl信号を「1」から「0」に変更しカウントモードに切替える(図4中(a))。次いで、スキャンクロックSCKのパルスを入力し、パルス数制御回路8でシフト動作することにより、入力されたパルス数がカウントされ、パルス数制御回路8に設定される(図4中(b))。すなわち、スキャンクロックSCKの1パルス目に従ってPULSE_ONが「1」となり、スキャンクロックSCKの2パルス目に従って2PULSEが「1」となる。この設定されたパルスの数が、ディレイテスト用クロックSCK0のパルス数となる。
次いで、ディレイテスト用クロックを出力するために、START_PULSEを「0」から「1」に変更する。そして、タイミング調整回路310によって所定のクロック分遅延した後、PSTARTが「1」になる。そして、次のクロックのタイミングでP1ENDが「1」となり、さらに次のクロックのタイミングでP2ENDが「1」になる。
PSTARTが「1」になってからP2ENDが「1」になるまでの間、LATCH_INが「1」になり、このLATCH_INが「1」の期間、PLL_CLKが抽出されて、ディレイテスト用クロックSCK0が2パルス出力される(図4中(c))。
さらに、動作を詳述すると、START_PULSEが「0」のときは、PSTARTがまだ「0」のため、AND回路329がLATHCH_INとして「0」を出力する。START_PULSEが「1」になり、さらにPSTARTが「1」になると、AND回路329は、AND回路325〜327の出力に応じてLATCH_INを出力する。
PSTARTが「1」になったタイミングでは、P1END,P2ENDは「0」であり、PULSE_ON,2PULSEが「1」のため、AND回路325,326から「1」が出力され、LATCH_INが「0」から「1」に変化する。このとき、クロック出力回路330から1パルス目が出力される。
次にP1ENDが「1」になったタイミングでは、P1ENDは「1」、P2ENDは「0」であり、PULSE_ON,2PULSEが「1」のため、AND回路325から「0」、AND回路326から「1」が出力され、LATCH_INが「1」のままになる。このとき、クロック出力回路330から2パルス目が出力される。
さらに次にP2ENDが「1」になったタイミングでは、P1END,P2ENDは「1」であり、PULSE_ON,2PULSEが「1」のため、AND回路325,326から「0」が出力され、LATCH_INが「1」から「0」に変化する。そして、クロック出力回路330からの出力が終了する。
尚、ここでは、2パルスの例について動作を説明したが、1パルスや3パルスでも同様の動作となり、所望のパルス数のクロックが出力される。例えば、図4(b)のスキャンクロックSCKを1パルスにすると、1パルスのディレイテスト用クロックSCK0が出力され、図4(b)のスキャンクロックSCKを3パルスにすると、3パルスのディレイテスト用クロックSCK0が出力される。
次に、図5及び図6を用いて、本実施形態にかかるディレイテストの方法について説明する。図5はパルス発生回路5からディレイテスト用クロックSCK0として2パルス生成した場合を示し、図6はパルス発生回路5からディレイテスト用クロックSCK0として1パルス生成した場合を示している。
図5に示すように、被テスト回路210の入力段と出力段のスキャンF/FがPOS−F/Fの場合、2パルスのクロックを用いてディレイテストが行われる。ディレイテストを行なう場合、まず、スキャンイネーブル信号SEによって、スキャンチェーンを構成するスキャンF/F200をスキャンモードに切替え、スキャンクロックSCKを入力することで、初期値の転送を行なう。この例では、スキャンF/F200bに転送された初期値は、スキャンクロックSCKが「0」の時に保持されると共にF/Fから出力される。
次いで、スキャンイネーブル信号SEによって、スキャンF/F200を通常動作モードに切替えた後、図4のように、Control信号、スキャンクロックSCK、START_PULSEによって、パルス発生回路5から2パルスのクロックを発生させる。
図5では、2パルスの1クロック目を「clockA」、2クロック目を「clockB」としている(図5中(b)(e))。スキャンF/F200bは、1クロック目が立ち上がる前にA点の信号をラッチし(図5中(a))、1クロック目が立ち上がったタイミングで、ラッチしているA点の信号をB点へ出力する(図5中(c))。尚、ディレイテストにおいて、初期値によってF/F200bから出力されるB点の信号値は、テストされるA点からB点に伝搬される信号値と異なる値が選ばれている。被テスト回路210は、B点の信号を入力として動作し、遅延時間Delayの後、動作結果をC点へ出力する(図5中(d))。スキャンF/F200cは、2クロック目が立ち上がったタイミングで、C点の信号をラッチ出力する(図5中(f))。
次いで、スキャンイネーブル信号SEによって、スキャンF/F200をスキャンモードに切替え、スキャンクロックSCKを入力することで、ラッチした信号をスキャンアウト端子SOUTへ転送する。スキャンアウト端子SOUTから取り出した動作結果を所定の期待値と照合し、被テスト回路210の遅延によって誤動作が発生するかどうかを確認する。
もし、図のSpec期間内に被テスト回路210の遅延時間Delayが収まっていれば、F/F200cからの動作結果は期待値に一致する。収まっていなければ期待値に一致せず、誤動作が発生することを意味している。
図6に示すように、被テスト回路210の入力段のスキャンF/FがPOS−F/F、出力段のスキャンF/FがNEG−F/Fの場合、1パルスのクロックを用いてディレイテストが行われる。ディレイテストを行なう場合、図5と同様にして初期値の設定を行い、Control信号、スキャンクロックSCK、START_PULSEによって、パルス発生回路5から1パルスのクロックを発生させる。
図6では、1パルスのクロックを「clock」としている(図6中(d))。スキャンF/F200bは、クロックが立ち上がる前にA点の信号をラッチし(図6中(a))、立ち上がったタイミングで、ラッチしているA点の信号をB点へ出力する(図6中(b))。被テスト回路210は、B点の信号を入力として動作し、遅延時間Delayの後、動作結果をC点へ出力する(図6中(c))。スキャンF/F200cは、クロックが立ち下がったタイミングで、C点の信号をラッチ出力する(図6中(e))。次いで、図5と同様にして、ラッチした信号をSOUT端子へ転送し、期待値と照合する。
このように、LSI外部からディレイテスト用クロックのパルス数を指定し、パルス発生器を用いて、PLLなどで発生した逓倍発振クロックからクロック信号のパルスを切り出してテストに用いるようにしたことにより、LSI内部で任意のパルス数のクロックを生成することができる。よって、POS−F/FとNEG−F/F混在回路に対して経路を問わず、PLLで発生した逓倍クロックを用いたディレイテストが可能となる。すなわち、図9の全てのパターンのテストを所望の周波数のクロックで行なうことができる。従って、本発明により、高性能なテスタを必要としないため、安価にテストを行なうことが可能である。そして、テストコストを下げられるのでデバイスの製造原価を下げることができる。
また、図1の回路構成では、パルス発生回路へのパルス数を設定する”パルス数設定用クロックライン”と、スキャンテストに使用するスキャンクロック(通常動作クロック)を、同じラインにし、且つ、パルス発生回路の出力側に選択回路を含む、回路構成としている。
このような構成により、次のようなメリットがある。まず、テストに使用する端子数を削減することができる。スキャンクロックとパルス発生回路へのパルス設定用クロックラインを同一にすることで、テスト用端子数を削減することができる。実運用上、テストに使用可能な端子数は限定されており、テストに使用する端子数の削減は、常時課題となっている。
また、パルス発生回路へのパルス数設定波形と、パルス発生回路から出力される波形の形状が同じであるため、パルス発生回路の出力側の選択回路(マルチプレクサ)を切替えるように、テストパターンを変更するだけで、テスタから直接ディレイテストを行なうことができる。そうすると、テスタ上で問題が発生した場合の解析が容易になる。テスタによる製品テスト(不良除去)の際に、問題が発生した際には、解析が必要となり、その際、ディレイテスト用クロックSCK0の周波数の変更などが行われる。PLLの出力クロック周波数は、通常、限定された周波数帯でしか変化できないため、LSI内部で周波数を変更することは困難である。テスタでは、クロック波形形状や周波数を柔軟に設定可能であるため、同一のパターンを用いて、解析が実施可能な点で、本手法は、解析が容易となるというメリットを持つ。
尚、上述の例では、パルス発生回路のカウンタ動作を制御するControl信号とスキャンイネーブル信号SEを別の信号として説明したが、どちらも同じスキャンモードコントロール端子SMCから入力される信号としてもよい。この場合、スキャンシフト終了後に印加されたパルス数を、パルス数制御回路へ設定することができる。
また、上述の例では、パルス発生回路によって1、2又は3のパルス数を生成する構成について説明したが、これに限らず任意の数のパルス数を選択し、生成してもよい。これにより、ATPGツールによって生成される様々なテストパターンに適用することが可能となる。
1 テストボード
2 LSI
3 クロック発振器
4 PLL
5 パルス発生回路
6 マルチプレクサ
7 スキャンパステスト回路
8 パルス数制御回路
9 パルス選択回路
2 LSI
3 クロック発振器
4 PLL
5 パルス発生回路
6 マルチプレクサ
7 スキャンパステスト回路
8 パルス数制御回路
9 パルス選択回路
Claims (11)
- スキャンパス法によるディレイテストを行なう半導体集積回路装置であって、
ディレイテスト用クロックパルスを生成するパルス発生回路と、
前記ディレイテスト用クロックパルスによってテストされるスキャンパステスト回路と、を備え、
前記パルス発生回路は、入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数の前記ディレイテスト用クロックパルスを生成する、
半導体集積回路装置。 - 前記パルス発生回路によって生成されるディレイテスト用クロックパルスのパルス数は、1もしくは2である、
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記スキャンパステスト回路にスキャンシフト用クロックパルスを入力するクロックパルス入力端子を備え、
前記パルス数制御信号は、前記クロックパルス入力端子から入力される、
請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記パルス発生回路は、前記パルス数制御信号のパルス数をカウントし、当該カウント値を前記ディレイテスト用クロックパルスのパルス数とするカウンタ回路を有する、
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置。 - ディレイテストの動作モードを切替えるためのスキャンイネーブル信号を入力するスキャンモード制御端子を備え、
前記カウンタ回路のカウンタ動作を制御する制御信号を、前記スキャンモード制御端子から入力する、
請求項4に記載の半導体集積回路装置。 - 前記パルス発生回路は、入力される入力クロックパルスの中から、前記パルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスを選択し、前記ディレイテスト用クロックパルスを生成するパルス選択回路を有する、
請求項1乃至5のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置。 - 入力信号の周波数を逓倍するPLL回路を備え、
前記入力クロックパルスは、前記PLL回路の出力信号である、
請求項6に記載の半導体集積回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置を搭載するテストボードと、
前記テストボードに搭載され、前記パルス発生回路に入力するクロックパルスを生成するクロック発振器と、
を備える半導体集積回路装置の試験装置。 - 請求項7に半導体集積回路装置を搭載するテストボードと、
前記テストボードに搭載され、前記PLL回路に入力するクロックパルスを生成するクロック発振器と、
を備える半導体集積回路装置の試験装置。 - 内蔵するフリップフロップをスキャンシフトできるように接続したスキャンパステスト回路を用いて、スキャンシフトモードと通常動作モードとを切替えながらテストを行う半導体集積回路装置であって、
入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスによって通常モード時の前記フリップフロップを動作させる、
半導体集積回路装置。 - 前記入力されるパルス数制御信号に基づいたパルス数のパルスを生成するパルス発生回路を有する、
請求項10に記載の半導体集積回路装置。
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