KR100869357B1 - 공극 발생을 최소화할 수 있는 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 플러그 물질 증착시 우수한 단차피복성을 확보하여 공극에 의한 심 발생을 억제하기에 적합한 반도체소자 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 이웃하는 다수의 게이트전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 게이트전극 사이의 상기 기판 상부를 오픈시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부에 캡핑층을 형성하는 단계; 상기 캡핑층이 형성된 프로파일을 따라 스페이서용 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 저면의 기판 표면을 오픈시킴과 동시에 갭-필 향상을 위한 전체 구조의 프로파일을 개선시키기 위해 상기 스페이서용 절연막을 전면식각하는 단계; 및 상기 오픈된 기판 표면에 콘택된 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법을 제공한다.
SAC, 플러그, 심(Seam), 공극(Void), 콘택홀, 비트라인, 스토리지노드.
Description
도 1은 플러그 형성을 위한 SAC 공정이 완료된 반도체소자를 도시한 평면도.
도 2a 내지 도 2c는 도 1을 각각 A-A' 및 B-B' 방향으로 절단한 공정단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 제조 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
SUB : 기판 10 : 소자분리막
11 : 게이트전극 11a : 게이트절연막
11b : 게이트전극용 전도막 11c : 하드마스크
11d : 스페이서 13 : 절연막
14 : 캡핑층 15 : 플러그
17 : 스페이서용 절연막
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 폴리실리콘 등의 플러그를 형성하기 위한 증착 공정에서 취약한 토폴로지(Topology)에 의해 단차피복성(Stepcoverage)의 악화에 기인한 심(Seam) 또는 공극(Void) 등의 발생을 방지하기에 적합한 반도체소자 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세 패턴의 제조가 매우 중요하게 되었다. 특히, 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 공정 자체의 마진과 오버래이의 정확도(Overlay accuracy)를 안정적으로 확보하기 위해 도입된 SAC(Self Align Contact) 공정은 패턴 형성을 함에 있어서 별도의 마스크를 사용하지 않고 이미 증착된 물질을 이용하여 식각을 하는 방식으로 비용 감소에 큰 역할을 하는 것으로, SAC 공정 자체는 여러가지 방법을 사용하고 있으나 대표적인 방법으로는 질화막을 식각방지막으로 사용한다. 예컨대, 반도체 소자를 구성하는 일련의 하지 구조 상에 게이트전극 형성을 포함한 일련의 공정을 진행한 다음에, 층간절연막을 증착하고 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 층간절연막을 식각하여 게이트전극 사이의 기판내의 활성층을 오픈시킬 때, 산화막 계열의 층간절연막과 게이트전극 상부의 식각방지막인 질화막과의 식각선택비 차에 의해 경사를 갖는 콘택홀을 형성하는 것이다.
이렇게 콘택홀을 형성하는 과정에서, 고집적화를 위한 수직적 소자 배열에 의해 식각타겟의 증가로 인하여 과도한 식각공정에서의 게이트전극 및 하드마스크 의 손실을 방지하기 위해 스페이서와 캡핑층 등을 추가적으로 형성하고 있다.
도 1은 플러그 형성을 위한 SAC 공정이 완료된 반도체소자를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 활성층을 포함하는 기판(SUB)에 소자분리막(10)이 국부적으로 배치되어 있으며, 소자분리막(10)과 교차되는 방향으로 게이트전극(11)이 다수 배치되어 있다.
여기서, 도면부호'12'는 플러그 형성을 위해 오픈되는 영역 즉, 콘택홀을 나타낸다.
도 2a는 도 1을 각각 A-A' 및 B-B' 방향으로 절단한 공정단면도인 바, 이하 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 종래기술에 따른 반도체소자 제조 공정을 살펴본다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(SUB) 상에 소자분리막(10)을 형성한 다음, 산화막계열의 게이트절연막(11a)과 폴리실리콘, 텅스텐 또는 텅스텐 실리사이드 등을 단독 또는 혼합하여 게이트전극용 전도막(11b)과 실리콘질화막 또는 실리콘산화질화막 등을 이용하여 적당한 두께로 하드마스크(11c)를 차례로 증착한 후, 게이트전극 마스크를 이용한 사진식각 공정을 실시하여 게이트전극(11)을 형성한다.
이어서, 게이트전극(11) 측벽에 실리콘질화막 또는 실리콘산화질화막을 이용하여 스페이서(11d)를 형성한다,
계속해서, 게이트전극(11) 사이의 스페이스를 충분히 채울 수 있을 정도로 절연막(13)을 형성하는 바, 이 때 고온산화막(HTO), APL(Advanced Planalization Layer) 산화막, SOD(Spin On Dielectric), SOG(Spin On Glass), TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate), BPSG(Boro Phospho Silicate Glass), PSG(Phospho Silicate Glass) 또는 BSG(Boro Silicate Glass) 등의 막 평탄화 특성이 우수한 물질을 사용하여 예컨대, 2000Å ∼ 10000Å의 두께로 형성한다.
이 때, 절연막(13)은 하드마스크(11c) 상부에서 0Å ∼ 1000Å의 두께가 되도록 증착 또는 증착/평탄화 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 비트라인 또는 스토리지노드 등의 콘택을 위한 콘택홀(12)을 형성하는 바, 콘택 형성을 위한 포토레지스트 패턴(도시하지 않음)을 형성한 다음, 통상적인 SAC 공정을 통해 게이트전극(11) 사이의 기판(SUB) 상부 예컨대, 불순물확산영역 상부를 오픈시킨다.
구체적으로, BPSG 등의 절연막(13) 식각시 하부의 질화막 계열의 물질 즉, 하드마스크(11c)와 스페이서(11d), 과의 고선택비를 갖도록 제1식각가스로 C3F8, C4F8, C5F8, C4F6 또는 C2F
4 등의 다량의 폴리머를 유발하는 과탄소 함유가스를 사용한다.
또한, 전술한 고선택비에 식각 공정 윈도우(Window)를 증가시켜 재현성 있는 식각 공정을 확보하기 위한 제2식각가스로 CHF3, C2HF5, CH2F
2, CH3F, CH2, CH4, C2H4 또는 H2 등을 사용할 수 있다.
또한, 플라즈마 안정 및 스퍼터링 효과를 증가시켜 식각 멈춤 등을 개선시키기 위한 제3식각가스로 He, Ne, Ar, Kr 도는 Xe 등의 불활성가스를 사용할 수 있 다.
한편, 전술한 제1 내지 제3 식각가스를 각각 혼합하여 사용할 수 있으며, 제1식각가스에 윈도우가 넓은 식각 공정을 확보하기 위해 CxHyFz(x,y,z ≥2)를 혼함하여 사용할 수 있다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, USG 등의 단차피복성이 비교적 떨어지는절연물질을 증착하여 게이트전극(11) 상부에 오버-행(Over-hang) 구조의 캡핑층(14)을 형성한다.
여기서, 캡핑층(14)은 후속 기판(SUB) 표면 노출을 위한 스페이서(11d) 제거 공정시 하드마스크(11c)의 손실을 방지하기 위한 것이다.
다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 전면식각을 통해 게이트전극(11) 사이의 기판(SUB) 표면을 오픈시킨 다음, 비트라인 또는 스토리지노드 등과의 콘택을 위해 폴리실리콘 등을 증착하여 오픈된 기판(SUB) 표면과 콘택된 플러그(15)를 형성한다.
한편, 전술한 바와 같은 패턴 사이즈의 감소와 수직 단차의 증가에 따른 캡핑층과 스페이서 등의 도입 및 잦은 습식 공정 등의 적용에 따라 플러그 물질 증착하기 전 단계까지 완료된 프로파일이 활처럼 휜 형상(Bowing profile)을 나타낸다.
따라서, 비교적 단차피복성이 우수한 폴리실리콘의 증착 과정에서도 도면부호 '16'과 같은 공극에 의한 심이 발생하게 되어 후속 공정 예컨대, 화학적기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP라 함) 또는 전면식각 등의 평탄화 공정 진행시 기판 등의 어택(Attack)과 잔류물(Residue)에 의한 파티클(Particle) 등으로 인해 반도체소자의 결함(Fail)을 유발하게 되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 플러그 물질 증착시 우수한 단차피복성을 확보하여 공극에 의한 심 발생을 억제하기에 적합한 반도체소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 이웃하는 다수의 게이트전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 게이트전극 사이의 상기 기판 상부를 오픈시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부에 캡핑층을 형성하는 단계; 상기 캡핑층이 형성된 프로파일을 따라 스페이서용 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 저면의 기판 표면을 오픈시킴과 동시에 갭-필 향상을 위한 전체 구조의 프로파일을 개선시키기 위해 상기 스페이서용 절연막을 전면식각하는 단계; 및 상기 오픈된 기판 표면에 콘택된 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법을 제공한다.
본 발명은 반도체소자 제조공정 중 게이트전극 측벽의 스페이서를 두번에 걸쳐서 나누어 증착하는 바, 첫번째 스페이서의 경우 통상적인 방법인 게이트전극 형성 후 증착하며, 플러그 형성을 위한 콘택식각 및 캡핑층 형성 후 두번째의 스페이 서를 증착하고 전면식각을 통해 플러그 증착 전에 그 프로파일을 개선함으로써, 플러그 형성에 따른 공극의 발생을 방지하는 것을 기술적 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하는 바, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 제조 공정을 도시한 단면도이다.
먼저, 본 발명의 반도체소자 제조 공정은 전술한 종래기술에서 제시한 바와 동일한 부분을 포함하고 있는 바, 도 1과 도 2a 및 도 2b의 공정까지는 동일하게 진행한다. 따라서, 도 2b 까지의 공정은 설명의 간략화를 위해 생략하며, 이후의 공정을 도시한 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 상세히 후술한다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 도 2b와 같이 콘택홀(12)이 형성된 전체 구조 즉, 캡핑층(14)이 형성된 프로파일을 따라 스페이서 즉, 구체적으로 스페이서용 절연막(17)을 증착한다.
여기서, 스페이서용 절연막(17)은 질화막 또는 산화막을 포함하는 절연막을 이용하는 바, 산화막의 경우 USG, BPSG, TEOS, HDP 산화막, HTO, 열산화막 등을 그 일예로 들 수 있으며, 질화막의 예로서는 실리콘질화막과 실리콘산화질화막 등이 있다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 콘택홀(12) 저면의 기판(SUB) 표면 예컨 대, 활성층을 오픈시킴과 동시에 게이트전극(11) 등의 상부 영역에서의 프로파일을 변화시켜 후속 플러그 물질 증착시 단차피복성을 향상시키기 위해 전면식각 공정을 실시하여 콘택홀(12) 저면의 스페이서(11d)와 스페이서용 절연막(17)을 제거하며, 이 때 전체 프로파일의 상부에 해당하는 캡핑층(14) 등의 식각에 따른 손실(Loss)을 유발시킨다. 이 때, 식각되는 물질들간의 선택성을 확보하기 위해 CHF3, C2HF5
, CH2F2, CH3F, CH2, CH4, C2H4, H2 또는 O2 등을 단독 또는 적절히 혼합한 가스를 이용한다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 비트라인 또는 스토리지노드 등과의 콘택을 위해 폴리실리콘 등의 플러그물질을 증착하여 오픈된 기판(SUB) 표면과 콘택된 플러그(15)를 형성한다.
계속해서, 도면에 도시되지는 않았지만 하드마스크(11c) 상부가 오픈될 때까지 CMP 또는 전면식각을 실시함으로써, 플러그간 격리(Isolation) 까지의 공정이 완료된다.
전술한 바와 같이 본 발명은, 고집적화에 따라 필연적으로 문제시되는 플러그 형성시의 갭-필 문제를 해결하기 위해 종래의 스페이서용 절연막의 형성을 2단계로 나누되 그 전체 두께는 거의 동일하게 하여 콘택영역을 감소시키지 않으며, 이 때 두번째로 증착하는 스페이서용 절연막을 전면식각시 일종의 마스크층으로 이용하면서 상부의 프로파일을 변화시켜 갭-필 특성을 향상시킬 수 있어, 공극의 발 생을 억제할 수 있고 이로 인해 플러그 내의 심 발생을 억제하여 반도체소자의 결함 발생을 감소시킬 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 플러그 형성시 공극의 발생을 억제함으로써, 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.
Claims (4)
- 이웃하는 다수의 게이트전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 게이트전극 사이의 상기 기판 상부를 오픈시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 게이트전극 상부에 오버-행(Over-hang) 구조의 캡핑층을 형성하는 단계;상기 캡핑층이 형성된 프로파일을 따라 스페이서용 절연막을 형성하는 단계;상기 콘택홀 저면의 기판 표면을 오픈시킴과 동시에 갭-필 향상을 위한 전체 구조의 프로파일을 개선시키기 위해 상기 스페이서용 절연막을 전면식각하는 단계; 및상기 오픈된 기판 표면에 콘택된 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전면식각하는 단계에서 CHF3, C2HF5, CH2F2, CH3F, CH2, CH4, C2H4, H2 및 O2 를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스페이서용 절연막은 질화막 또는 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 캡핑층은 USG를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020020027312A KR100869357B1 (ko) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 공극 발생을 최소화할 수 있는 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10112461A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体製造方法 |
| KR20000002141A (ko) * | 1998-06-17 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 자기정렬 콘택 형성 방법 |
| US6271119B1 (en) * | 1998-03-11 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Method for making semiconductor device |
| KR20020002018A (ko) * | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 박종섭 | 반도체소자의 제조방법 |
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-
2002
- 2002-05-17 KR KR1020020027312A patent/KR100869357B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
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