KR100868745B1 - 항균성 클리닝성이 우수한 오염물 제거용 환편지 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 오염물 제거용 환편지(Wiping cloth)의 제조방법에 관한 것으로서 아래 공정들을 포함하는 것을 특징으로 한다.

- 아 래 -

(ⅰ) 폴리아미드 성분(A)과 폴리에스테르 성분(B)으로 구성되며, 상기 구성성분들 중 어느 한 성분에 은 및 아연중에서 선택된 1종 이상의 금속이온을 포함하는 항균제가 함유되어 있는 분할형 복합섬유를 사용하여 환편지를 제편하는 공정,

(ⅱ) 상기 환편지를 알칼리 감량 약제로 감량처리하는 공정 및

(ⅲ) 감량처리된 환편지를 벤질알콜 또는 110~130℃의 열수로 처리하여 수축시키는 공정.

본 발명의 오염물 제거용 원단은 항균 소취기능 및 오염물 제거능력(클리닝성)이 우수하고 분진의 발생이 적어 산업용 클린룸등의 와이퍼(wiper)로 유용하다.

와이퍼, 분할형, 복합사, 환편지, 항균제, 수축, 분할.

Description

항균성 클리닝성이 우수한 오염물 제거용 환편지 제조방법{Method of manufacturing for wiping knit fabric with excellent antibiosis and clearing property}

도 1은 본 발명에서 사용하는 분할형 복합사의 단면도.

* 도면중 주요 부분에 대한 부호 설명

A : 폴리아미드 성분 B : 폴리에스테르 성분

본 발명은 오염물 제거용(클리닝용)으로 사용되는 환편지(이하 "와이핑용 환편지"이라고 한다)의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 항균성 및 클리닝성이 뛰어난 와이핑용 환편지의 제조방법에 관한 것이다.

항균성을 갖는 원사들은 널리 알려져 있다.

구체적으로, 대한민국 공개특허 2004-32527호에는 항균 소취성을 갖는 분할 형 복합섬유가 게재되어 있고, 대한민국 공개특허 제2004-78803호에는 항균성을 갖는 해도형 복합섬유가 게재되어 있고, 일본 특개평 5-125618호에는 도전성과 항균소취성을 동시에 갖는 복합섬유가 게재되어 있다.

그러나, 상기의 항균성 복합섬유들을 사용하여 초극세사로 이루어진 와이핑용 환편지를 제조하는 방법에 대해서는 전혀 알려진 것이 없었다.

초극세사로 이루어진 종래의 와이핑용 원단들은 항균성이 없거나, 염색등이 후공정에서 항균성이 부여된 것이기 때문에 항균성이 오랫동안 지속되지 못하며 항균제의 탈락으로 인해 오염물의 제거 대상체를 2차로 오염시키는 등의 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 이와같은 종래의 문제점들을 해결할 수 있도록, 항균성 및 클리닝성이 우수하며, 항균성이 오랫동안 지속되고, 분진 발생이 없어 일반 클린룸은 물론 전자 및 생명공학용 클린룸에서도 유용한 와이핑용 환편지를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 금속이온의 항균제를 함유하고 있는 복합섬유를 사용하여 와이핑용 환편지를 제조하므로서 와이핑용 환편지에 항균성을 부여함과 동시에 항균성이 오랫동안 지속되도록 한다.

또한, 본 발명은 와이핑용 환편지를 초극세사로 구성하고 이를 수축처리하여 초극세사의 밀도를 더욱 높게함으로서, 와이핑용 환편지에 우수한 클리닝성을 부여 한다.

이와같은 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 오염물 제거용 환편지(와이핑용 환편지)의 제조방법은 아래공정들을 포함하는 것을 특징으로 한다.

- 아 래 -

(ⅰ) 폴리아미드 성분(A)과 폴리에스테르 성분(B)으로 구성되며, 상기 구성성분들 중 어느 한 성분에 은 및 아연중에서 선택된 1종 이상의 금속이온을 포함하는 항균제가 함유되어 있는 분할형 복합섬유를 사용하여 환편지를 제편하는 공정,

(ⅱ) 상기 환편지를 알칼리 감량 약제로 감량처리하는 공정 및

(ⅲ) 감량처리된 환편지를 벤질알콜 또는 110~130℃의 열수로 처리하여 수축시키는 공정.

이하, 첨부한 도면등을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다.

먼저, 본 발명에서는 도 1과 같이 폴리아미드 성분(A)과 폴리에스테르 성분(B)으로 구성되며, 상기 구성성분들중 어느 한 성분에, 보다 바람직하기로는 폴리아미드 성분(A)에 항균제가 함유되어 있는 분할형 복합섬유를 사용하여 환편지 제편한다.

도 1은 본 발명에서 사용하는 분할형 복합섬유의 단면도이다.

상기의 분할형 복합섬유는 분할전 단사섬도가 1~2데니어인 것이 바람직하다.

상기의 항균제는 은 및 아연중에서 선택된 1종 이상의 금속이온을 포함하는 항균제이다.

와이핑용 환편지는 클리닝성을 최대화 하기 위해서는 적절한 원단 설계와 가공이 필수적이다.

통상의 와이핑용 환편지는 28게이지 내외의 밀도를 사용하여 편직이 되지만 이 경우에는 고도의 와이핑용 원단을 제조하기는 어렵다고 할 수 있다. 따라서 본 발명에서는 32게이지 이상의 환편밀도, 보다 바람직하게는 40게이지 정도의 환편밀도 환편지를 제편하는 것이 바람직하다. 환편밀도가 32게이지 미만일 경우 일반적인 와이핑용으로 사용에는 큰 문제가 없으나 최근 고도화 되고 정밀화되는 광학소재, 반도체 재료등의 표면에 직접 사용하는데는 적합하지 못하게 된다. 다음으로는, 제편된 환편지를 알칼리 감량 약제로 감량처리하여 환편지를 구성하는 분할형 복합섬유를 분할시킨다.

분할형 복합섬유가 충분히 분할되지 않으면 클리닝 성능을 최대화할 수 없고, 표면에 불균일한 줄이 나타나 외관이 불량하게 보이게 되며, 미세한 표면의 클리닝시 문제를 발생시킬 수 있다.

상기의 알칼리 감량 약제로는 1~5%의 NaOH 수용액이 바람직하며, 감량처리 온도는 90~98℃가 좋다. 상기 NaOH 수용액의 농도가 1% 미만인 경우에는 분할형 복합섬유를 구성하는 각성분들이 완전하게 분할되기 어렵고, 5%를 초과하는 경우에는 용출로 인해서 최종 와이핑용 환편지의 물성등이 저하될 수 있다.

상기의 감량처리는 90내지 98℃ 사이의 상온에서 실시하면 되나 고압의 설비를 사용하여 처리 할 수도 있다.

다음으로, 본 발명에서는 감량처리된 환편지를 벤질알콜 또는 110~130℃의 열수로 처리하여 수축시켜 환편지의 밀도를 더욱 치밀하게 한다.

상기의 수축처리는 폴리아미드 성분(A)의 축소를 촉진하는 벤질알콜을 사용하여 실시할 수 있다. 벤질알콜의 농도는 1~5%가 바람직하다. 벤질알콜의 농도가 1%미만에서는 충분한 축소 효율을 얻기 힘들며, 5%를 초과하는 경우는 처리액의 폐수 처리의 문제가 심각해질 수 있다.

또한, 상기 수축처리는 고압레피어 염색기등에서 110~130℃ 열수를 사용하여 실시할 수도 있다. 열수의 온도가 110℃ 미만인 경우에는 충분한 축소효율을 얻을 수 없으며, 130℃를 초과하는 경우는 설비상의 문제등으로 실시가 어렵게 된다.

상기의 수축처리를 벤질알콜을 사용하는 방법과 열수를 사용하는 방법중 어느 한가지 방법을 채택할 수도 있고, 두가지 방법 모두를 병행하여 실시할 수 있다. 고도의 클리닝성이 확보되는 와이핑용 환편지 제조를 위해서는 벤질알콜을 일방 처리하는 것이 보다 바람직하다.

다음으로, 수축처리된 환편지를 통상의 방법과 같이 열고정하여 최종제품인 화이핑용 환편지를 제조한다.

본 발명에서는 제편된 환편지를 알칼리 감량 약제가 포함되어 있는 110~130℃의 열수로 처리하여 앞에서 설명한 감량공정과 수축공정을 동시에 실시하는 방법을 포함한다.

이상에서 설명한 방법으로 제조한 본 발명의 와이핑용 환편지는 분진의 발생이 없고, 뛰어난 클리닝성과 항균성을 동시에 갖는다.

이하, 실시예 및 비교실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 살펴본다. 그러나 본 발명이 하기 실시예에만 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

도 1과 같이 폴리에스테르 성분(B)과 폴리아미드 성분(A)으로 구성되며 폴리아미드 성분(A)에 은 입자가 3중량% 함유되어 있는 75데니어 36필라멘트의 분할형 복합섬유를 사용하여 40게이지 인터록 환편지를 제조한다.

다음으로, 환편지를 액류감량기를 이용하여 98℃온도에서 60분간 NaOH 5%용액에서 감량작업을 실시한다.

다음으로, 환편지를 고압래피드 염색기에서 120℃의 열수로 30분간 축소작업을 실시한다.

다음으로 탈수후 텐터식 열고정기에서 160℃로 열을 가하여 열처리한다.

다음으로 카렌더로 표면을 가열압착하여 오염물 제거용 환편지(와이핑용 환편지)을 제조하였다.

제조한 와이핑용 환편지의 클리닝성과 항균성을 평가한 결과는 표 1과 같다.

실시예 2

도 1과 같이 폴리에스테르 성분(B)과 폴리아미드 성분(A)으로 구성되며 폴리아미드 성분(A)에 은 입자가 3중량% 함유되어 있는 75데니어 36필라멘트의 분할형 복합섬유를 사용하여 40게이지 인터록 환편지를 제조한다.

다음으로, 환편지를 액류감량기를 이용하여 98℃온도에서 60분간 NaOH 5%용액에서 감량작업을 실시한다.

다음으로, 환편지를 3% 농도의 벤질알콜로 30분간 축소작업을 실시한다.

다음으로 탈수후 텐터식 열고정기에서 160℃로 열을 가하여 열처리한다.

다음으로 카렌더로 표면을 가열압착하여 오염물 제거용 환편지(와이핑용 환편지)을 제조하였다.

제조한 와이핑용 환편지의 클리닝성과 항균성을 평가한 결과는 표 1과 같다.

비교실시예 1

폴리아미드 성분(A)에 은 입자가 함유되지 않은 75데니어 36필라멘트의 분할형 복합섬유를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정으로 오염물 제거용 환편지(와이핑 환편지)를 제조하였다.

제조한 와이핑용 환편지의 클리닝성과 항균성을 평가한 결과는 표 1과 같다.

비교실시예 2

복합형 복합섬유 대신에 통상의 75데니어 36필라멘트의 폴리에스테르 원사(은 입자가 포함안된 원사)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정으로 오염물 제거용 환편지(와이핑용 환편지)를 제조하였다.

제조한 와이핑용 환편지의 클리닝성과 항균성을 평가한 결과는 표 1과 같다.

물성평가 결과

구분	클리닝성	항균성
실시예 1	매우양호	양호
실시예 2	매우양호	양호
비교실시예 1	매우양호	불량
비교실시예 2	불량	불량

상기 표 1에서, 클리닝성(오염물 제거성능)은 미개봉상태의 CD롬에 개봉하여 통상의 실내공간에 1일간 방치후 와이핑용 환편지로 1회 손으로 닦았을때의 먼지제거 성능을 5회정도 실시하여 육안판정한 결과이며, 항균성은 한국공업규격 KS K 0693-2001의 항균도 측정법에 의하여 측정한 것으로 항균성능이 95% 이상이면 매우양호, 90%이상이면 양호, 90%를 미달하면 불량으로 각각 판정하였다.

본 발명은 항균성과 클리닝성이 우수하며, 항균성이 오랫동안 지속되고, 항균제 탈락으로 인한 분진발생이 없다.

그로인해, 본 발명은 고도의 청정도가 요구되는 반도체용 클린룸 및 생명공학용 클린룸등에 특히 유용하다.

Claims (5)

1. 아래 공정들을 포함하는 것을 특징으로 하는 항균성과 클리닝성이 우수한 오염물 제거용 환편지의 제조방법.

   - 아 래 -

   (ⅰ) 폴리아미드 성분(A)과 폴리에스테르 성분(B)으로 구성되며, 상기 구성성분들 중 어느 한 성분에 은 및 아연중에서 선택된 1종 이상의 금속이온을 포함하는 항균제가 함유되어 있는 분할형 복합섬유를 사용하여 환편지를 제편하는 공정,

   (ⅱ) 상기 환편지를 알칼리 감량 약제로 감량처리하는 공정 및

   (ⅲ) 감량처리된 환편지를 알칼리 감량 약제가 포함된 110~130℃의 열수로 처리하여 수축시키는 공정.
2. 1항에 있어서, 환편지를 32게이지 이상으로 제편하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거용 원단의 제조방법.
3. 1항에 있어서, 환편지를 온도가 90~98℃인 1~5%의 NaOH 수용액으로 감량처리하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거용 원단의 제조방법.
4. 삭제
5. 1항에 있어서, 환편지를 알칼리 감량 약제가 포함되어 있는 110~130℃의 열수로 처리하여 감량과 동시에 수축시키는 것을 특징으로 하는 오염물 제거용 원단의 제조방법.

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