KR100827855B1 - 반도체 처리 장치 - Google Patents

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KR100827855B1
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가즈유키 데즈카
리사코 미요시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

반도체 처리 장치(1)는, 공통 반송실(8)에 접속된, 피처리 기판(W)에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실(2)을 포함한다. 각 처리실(2)에 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급 시스템(40)이 부설된다. 가스 공급 시스템(40)은, 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛(23)과 유량 제어 유닛(13)을 가진다. 일차측 접속 유닛(23)은, 대응하는 처리실(20)의 하측에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)으로부터 대응하는 처리실(2)내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은 일차측 접속 유닛(23)의 상측에 적어도 일부가 겹치도록 배치된다.

Description

반도체 처리 장치{SEMICONDUCTOR TREATING DEVICE}
본 발명은, 반도체 처리 장치에 관한 것으로, 특히 복수의 처리실이 공통 반송실에 접속된 클러스터 툴(cluster tool)형(멀티 챔버형이라고도 함)의 처리 장치에 관한 것이다. 여기서, 반도체 처리란, 반도체 웨이퍼나 LCD(Liquid crystal display)나 FPD(Flat Panel Display)용의 글라스 기판 등의 피처리 기판 상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성하는 것에 의해, 해당 피처리 기판 상에 반도체 디바이스나, 반도체 디바이스에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해서 실시되는 여러가지의 처리를 의미한다.
도 14는, 종래의 클러스터 툴형의 반도체 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 이 처리 장치(1)는, 로드 포트(4)에 탑재된 카세트(3)로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 대기압하에서 반송하는 상압(常壓) 반송계(5)를 가진다. 처리 장치(1)는 또한, 상압 반송계(5)의 반송실(6)에 로드록실(11)을 거쳐서 접속되어, 웨이퍼(W)를 소정의 감압하에서 반송하는 진공 반송계(7)를 가진다. 진공 반송계(7)의 공통 반송실(8)의 주위에는, 웨이퍼(W)를 한 장씩 수용하여 소정의 가스 분위기하에서 소정의 처리 예컨대 CVD 처리 등을 실시하는 복수의 진공 처리실(2)이 접속된다.
처리실(2)에 가스를 공급하기 위해서, 가스원에 접속된 가스 박스(50)가, 처리 장치(1)의 일 측부 또는 배면부에 배치된다. 가스 박스(50)내에는, 처리실(2)에 가스를 각각 공급하는 가스 공급관(51)에 접속된 복수의 유량 제어 유닛이, 한데 모아져 배치된다.
이 처리 장치의 경우, 처리실(2)과 가스 박스(50)간의 거리, 즉 가스 공급관(51)의 배관 길이가 길다. 또한, 처리실(2)마다 가스 공급관(51)의 배관 길이가 다른 것에 기인하여 기계적 차이가 발생한다. 이 때문에, 압력 제어의 제어 범위, 응답성, 나아가서는 프로세스 성능에 악영향을 미치게 할 우려가 있다. 또한, 가스 박스가 처리 장치와는 독립하여 바닥면 상에 설치되기 때문에, 풋 프린트(foot print)가 커진다.
한편, 일본 특허 공개 2001-156009호 공보는, 장치 본체의 측면에 가스 박스가 배치된 배치(batch)식의 세로형 열 처리 장치를 개시한다. 이 세로형 열 처리 장치는, 복수의 낱장식 처리실을 구비한 클러스터 툴형의 처리 장치와는 다르다.
본 발명의 목적은, 프로세스 성능의 향상 및 풋 프린트의 축소화를 도모할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 관점은, 반도체 처리 장치에 있어서,
공통 반송실과,
상기 공통 반송실에 접속된, 피처리 기판에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실과,
상기 공통 반송실내에 배치된, 상기 처리실에 대하여 상기 피처리 기판을 반송하기 위한 반송 기구와,
각각이 상기 복수의 처리실에 부설된 소정의 가스를 공급하기 위한 복수의 가스 공급 시스템을 구비하고,
상기 복수의 가스 공급 시스템의 각각은,
상기 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛으로, 대응하는 처리실의 하측에 배치되는 상기 일차측 접속 유닛과,
상기 일차측 접속 유닛으로부터 상기 대응하는 처리실내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된, 상기 소정 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 유닛으로, 상기 일차측 접속 유닛의 상측에 적어도 일부가 겹치도록 배치되는 상기 유량 제어 유닛과,
상기 유량 제어 유닛을 덮는 가스 박스로서, 상기 유량 제어 유닛에 대하여 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 커버를 가지는 상기 가스 박스를 구비하는 반도체 처리 장치.
본 발명의 제 2 관점은, 반도체 처리 장치에 있어서,
공통 반송실과,
상기 공통 반송실에 접속된, 피처리 기판에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실과,
상기 공통 반송실내에 배치된, 상기 처리실에 대하여 상기 피처리 기판을 반송하기 위한 반송 기구와,
각각이 상기 복수의 처리실에 부설된 소정의 가스를 공급하기 위한 복수의 가스 공급 시스템을 구비하고,
상기 복수의 가스 공급 시스템의 각각은,
상기 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛으로, 상기 일차측 접속 유닛은 상기 장치가 설치된 방의 분리 가능한 마루패널의 하측에 배치되고, 상기 마루패널은 상기 일차측 접속 유닛에 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 덮개를 가지는, 상기 일차측 접속 유닛과,
상기 일차측 접속 유닛으로부터 상기 대응하는 처리실내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된, 상기 소정 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 유닛으로, 상기 대응하는 처리실의 하측에 적어도 일부가 겹치도록 배치되는 상기 유량 제어 유닛과,
상기 유량 제어 유닛을 덮는 가스 박스로서, 상기 유량 제어 유닛에 대하여 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 커버를 가지는 상기 가스 박스를 구비하는 반도체 처리 장치.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반도체 처리 장치를 개략적으로 도 시하는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 장치의 개략적 평면도이다.
도 3은, 도 1에 도시하는 장치에서 사용되는 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시하는 배관도이다.
도 4는, 도 1에 도시하는 장치에서 사용되는 가스 공급 시스템을 도시하는 측면도이다.
도 5는, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템의 가스 박스를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 6은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템의 일차측 접속 유닛을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 7은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템의 중계 유닛을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 8은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템의 중계 배관의 접속 구조를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 9는, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 반도체 처리 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 10은, 도 9에 도시하는 장치에서 사용되는 유량 제어 유닛을 도시하는 측면도이다.
도 11은, 도 9에 도시하는 장치에서 사용되는 일차측 접속 유닛을 도시하는 평면도이다.
도 12는, 도 11에 도시하는 일차측 접속 유닛의 측면도이다.
도 13은, 제 1 및 제 2 실시형태의 변경예에 따른 장치에 있어서, 가스 라인의 전환 밸브를 원격 조작으로 일괄하여 폐쇄 상태로 하기 위한 기구를 도시하는 배관도이다.
도 14는, 종래의 클러스터 툴형의 반도체 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 가지는 구성 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여하고, 중복 설명은 필요한 경우에만 실행한다.
(제 1 실시형태)
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반도체 처리 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 2는, 도 1에 도시하는 장치의 개략적 평면도이다. 이 처리 장치(1)는, 공통 반송실(8)의 주위에 6개의 처리실(2)을 접속한 클러스터 툴형(멀티 챔버형이라고도 함)을 이룬다. 이들 처리실(2)에 의해서, 피처리 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 일련의 처리를 실행하는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 이 처리 장치(1)는, 로드 포트(4)에 탑재된 카세트(3)로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 대기압하에서 반송하는 상압 반송계(5)를 가진다. 처리 장치(1)는 또한, 상압(常壓) 반송계(5)의 반송실(6)에 로드록실(11)을 거쳐서 접속되 어, 웨이퍼(W)를 소정의 감압하에서 반송하는 진공 반송계(7)를 가진다. 진공 반송계(7)의 공통 반송실(진공 반송실)(8)의 주위에는, 웨이퍼(W)를 한 장씩 수용하여 소정의 가스 분위기하에서 소정의 처리 예컨대 CVD 처리 등을 실시하는 복수의 진공 처리실(2)이 접속된다.
상압 반송계(5)의 반송실(6)내에는, 로드 포트(4)와 로드록실(11)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 실행하기 위한 반송아암 기구(9)가 배치된다. 반송실(6)은 길게 형성되고, 반송아암 기구(9)는 반송실(6)의 길이 방향으로 이동이 가능하도록 배치된다. 반송실(6)의 일측부에, 복수의 로드 포트(4)가 배치되고, 타측부에, 게이트 밸브(G)를 거쳐서 로드록실(11)의 한쪽 끝이 접속된다. 또한, 반송실(6)의 한쪽 끝에, 웨이퍼(W)의 위치 정렬을 실행하는 오리엔터(10)가 배치된다.
진공 반송계(7)의 반송실(8)내에는, 로드록실(11)과 처리실(2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 실행하기 위한 반송아암 기구(12)가 배치된다. 반송실(8)은 길게 형성되고, 반송아암 기구(12)는 반송실(8)의 길이 방향으로 이동이 가능하도록 배치된다. 반송실(8)의 한쪽 끝에, 로드록실(11)의 다른 쪽 끝이 게이트 밸브(G)를 거쳐서 접속된다. 로드록실(11), 반송실(8) 및 처리실(2)에는, 내부를 소정의 압력으로 제어 가능한 진공 배기계가 접속된다. 로드록실(11)은 도시예의 경우 2개가 나란히 설치되지만, 하나이어도 좋다.
도 3은, 도 1에 도시하는 장치에서 사용되는 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시하는 배관도이다. 도 4는, 도 1에 도시하는 장치에서 사용되는 가스 공급 시스템을 도시하는 측면도이다. 도 5는, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템의 가스 박스를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
각 처리실(2)에 가스를 공급하기 위해서, 각 처리실(2)의 하방에 가스 공급 시스템(40)이 배치된다. 가스 공급 시스템(40)은, 유량 제어 유닛(13) 및 일차측 접속 유닛(23)을 덮는 가스 박스(14)를 가진다. 일차측 접속 유닛(23)은, 복수의 가스원과 접속된다. 유량 제어 유닛(13)은, 가스 박스(14)내에서, 일차측 접속 유닛(23)으로부터 대응하는 처리실(2)내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된다.
각 유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)을 거쳐서 복수 종류 가스의 가스원(GS1, GS2,…)에 각각 접속된 복수의 배관(16)을 가진다. 각 배관(16)에는, FCS(플로우 컨트롤 시스템(후지킨(Fujikin)사제))나 MFC(매스플로우 컨트롤러), 로 이루어지는 유량 제어기(17)가 배치된다. FCS는 가스라인내의 압력을 모니터하여 가스 유량을 제어하는 압력식 유량 제어기이다. 이것은, 압력 변동에 강하고, 2차측 압력이 낮아지면 제어 범위가 넓어지기 때문에 배관 길이가 짧은 경우에 적합하며, 또한 코스트적으로도 유리하다.
각 배관(16)에는, 유량 제어기(17)의 전후로 밸브(V1, V2)가 배치된다. 상류의 밸브(V1)와 유량 제어기(17)의 사이에는, 퍼지용의 불활성 가스 예컨대 N2 가스를 공급하기 위한 배관(18)이 밸브(V3)를 거쳐서 접속된다. 도 3에서는 생략하지만, 상류의 밸브(V1)의 상류측에는, 압력 표시계(19)나 레귤레이터(regulator)(20)(FCS의 경우는 불필요)가 배치된다. 밸브(V1~V3)는, 예컨대 공 기 압력으로 조작되는 타입의 밸브(에어·오퍼레이션·밸브)로 이루어진다. 각 배관(16)의 유량 제어기(17), 밸브(V1~V3), 압력 표시계(19), 및 레귤레이터(20)는, 메인터넌스(maintenance)성을 고려하여 유량 제어 유닛(13)의 상면에 집적된다.
각 배관(16)의 하류측은 공통의 출구관(21)에 접속된다. 출구관(21)은, 대응하는 처리실(2)에 접속된 가스 공급관(15)에 장착 및 분리가 가능하도록 접속된다. 즉, 복수의 가스에 각각 대응하여 배치된 복수의 유량 제어기(17)는, 공통의 관(21, 15)을 거쳐서, 대응하는 처리실(2)에 접속된다. 가스 공급관(15)에는, 필터(22) 및 밸브(V4)가 배치된다.
도 6은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템(40)의 일차측 접속 유닛(23)을 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 7은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템(40)의 중계 유닛(28)을 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 8은, 도 4에 도시하는 가스 공급 시스템(40)의 중계 배관의 접속 구조를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
일차측 접속 유닛(템플릿(template)이라고도 함)(23)은, 처리 장치(1)가 설치된 클린 룸의 마루 위에서, 대응하는 처리실(2)의 바로 아래에 위치하도록 배치된다. 일차측 접속 유닛(23)은, 처리 장치(1)가 클린 룸내에 설치되기 전에, 배관 공사에 의해 미리 마루 위에 설치된다. 또한, 클린 룸의 마루는 여러장의 마루패널(그레이팅(grating)패널이라고도 함)(24)을 끼워맞추어 구성된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 일차측 접속 유닛(23)은, 가스원과 접속되는 복수의 배관(25)과, 이들 배관(25)을 수용하는 케이스(26)를 가진다. 각 배관(25)에 는 필터(27) 및 밸브(V5)가 배치된다. 밸브(V5)는 예컨대 공기 압력으로 조작되는 타입의 밸브(공기·오퍼레이션·밸브)로 이루어진다. 일차측 접속 유닛(23)은, 중계 배관을 한데 모은 중계 유닛(커넥션 유닛이라고도 함)(28)을 거쳐서, 유량 제어 유닛(13)에 접속된다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 중계 유닛(28)은, 전후로 접속부(30, 31)를 가지는 복수의 배관(32)과, 이들 배관(32)을 수용하는 케이스(33)를 가진다. 중계 유닛(28)은, 일차측 접속 유닛(23)의 전방 또한 유량 제어 유닛(13)의 하방에 배치된다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 배관(32)의 한쪽의 접속부(30)는, 일차측 접속 유닛(23)측의 배관 접속부(34)에 접속된다. 배관(32)의 다른 쪽의 접속부(31)는, 유량 제어 유닛(13)측의 배관 접속부(35)에 보조 배관(36)을 거쳐서 접속된다. 보조 배관(36)은 양쪽 끝에 접속부(37, 38)를 가진다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 가스 박스(14)는, 케이스(26, 33)에 장착 및 분리가 가능하도록 장착되어, 이들과 공동으로 하여, 일차측 접속 유닛(23), 유량 제어 유닛(13), 및 중계 유닛(28)의 내측 부품류를 기밀히 포위한다. 이에 의해, 가스 박스(14)밖으로의 가스 누설이 방지된다. 가스 박스(14)는, 처리실(2)의 평면 윤곽에 후부측이 겹친 상태로 설치된다. 처리실(2)의 하측에는, 전원 유닛(도시하지 않음) 등을 수용하는 하우징(41)이 배치된다. 하우징(41)내에, 가스 박스(14)의 후부측의 대략 절반이 예컨대 140mm 정도 들어간다. 이 구성에 의해, 처리 장치(1)의 풋 프린트를 작게 할 수 있다.
유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)의 상측에 적어도 일부가 겹치 도록 배치된다. 즉, 유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)의 상측에 위치하는 내측 부분(도 4의 밸브(V2)의 위치)으로부터, 일차측 접속 유닛(23)의 전방에 위치하는 외측 부분(도 4의 레귤레이터(20)의 위치)을 향하여 하방으로 경사하도록 배치된다. 유량 제어 유닛(13)의 외측 부분은, 대응하는 처리실(2)의 평면 윤곽으로부터 밖으로 돌출된다.
이에 대하여, 가스 박스(14)의 전면 및 상면은 장착 및 분리가 가능한 커버(42)로 이루어진다. 가스 박스(14)의 내측 부분은 하우징(41)에 가려져 보이지 않게 되지만, 커버(42)를 떼어내는 것에 의해, 오퍼레이터는, 유량 제어 유닛 상면의 밸브(V1~V3) 등의 부품에 쉽게 액세스할 수 있다. 이 구성에 의해, 유량 제어 유닛(13)의 메인터넌스성을 향상시킬 수 있다.
또한, 6개의 처리실(2) 중, 동일한 처리를 실행하는 것은 실질적으로 동일한 사양(仕樣)으로 구성된다. 또한, 동일한 사양의 처리실(2)에 대하여 설치된 각각의 가스 공급 시스템(40)도 실질적으로 동일한 사양으로 구성된다. 그리고, 유량 제어 유닛(13)으로부터 대응하는 처리실(2)까지의 거리는, 동일한 사양의 복수의 가스 공급 시스템(40) 사이에서 동일해지도록 설정된다.
본 실시형태에 따른 클러스터 툴형의 반도체 처리 장치(1)에 의하면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. 즉, 각 처리실(2)의 하방에, 처리실(2)마다 가스 공급 시스템(40)의 가스 박스(14)가 배치되기 때문에, 처리실(2)과 가스 박스(14)간의 거리(배관 길이)(L)를 짧게 할 수 있다. 배관 길이(L)의 단축에 의해, 압력 손실이 저감하기 때문에, 공급하는 가스의 압력을 작게 할 수 있다. 또한, 각 배관 길 이(L)를 동일하게 하는 것에 의해, 동일한 처리를 실행하는 처리실(2)간의 기계적 차이를 없앨 수 있다.
실험에 의하면, 배관 직경 1/2인치, 가스 총 유량 1200 SCCM의 조건하에서, 배관 길이(L)가 약 7000mm일 때에는, 배관내가 평균 압력에 도달하는데 요하는 시간은 약 1.0초였다. 이에 대하여, 배관 길이(L)를 약 4000mm으로 하면, 동 도달 시간은 약 0.6초로, 응답성의 향상을 확인할 수 있었다.
유량 제어기(17)로서 FCS(압력식 유량 제어기)를 사용한 경우, 다음과 같은 이점을 얻을 수 있다. 즉, 압력식 유량 제어기는, 내장의 오리피스(orifice)의 상류측 압력(P1)과 하류측 압력(P2)이 P1 ≥ 2P2의 관계를 충족시킬 때, 유량은 P1에 비례한다고 하는 원리를 이용한다. 이 때문에, P2를 작게 설정할 수록, P1의 설정 압력 범위는 넓어지고, 따라서, 유량 제어 범위는 넓어진다. 본 실시형태와 같이, 배관 길이(L)를 짧게 하면, 하류측의 배관 내압(P2)은 작게 할 수 있기 때문에, 유량 제어기(17)로서 FCS(압력식 유량 제어기)를 선택한 경우에, 상류측 압력(P1)의 허용 압력 범위(제어 범위)를 넓게 설정할 수 있다. 이에 대하여 MFC에서는 이와 같이 유량 제어 범위를 넓히는 것은 할 수 없다. 또한, 일반적인 MFC에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 경사지게 배치한 경우, 측정 오차가 발생할 가능성이 있지만, 압력식 유량 제어기에서는 이러한 문제는 발생하지 않는다. 또한, MFC에서는 상류측 압력을 일정하게 하기 위해서, 레귤레이터(20)를 설치하는 것이 필수가 되지만, 압력식 유량 제어기에서는 레귤레이터가 불필요해 진다.
처리실(2) 하방의 바닥면 상에 가스원과 접속되는 일차측 접속 유닛(23)이 설치되고, 일차측 접속 유닛(23)의 상부에 적어도 일부가 겹치도록 유량 제어 유닛(13)이 배치된다. 유량 제어 유닛(13)과 상기 일차측 접속 유닛(23)은, 중계 배관을 한데 모은 유닛(28)을 거쳐서 접속된다. 또한, 이들 유닛(13, 23, 28)을 덮는 가스 박스(14)는, 처리실(2)의 평면 윤곽에 후부측이 겹친 상태로 설치된다. 이 때문에, 가스 공급 시스템(40)을 콤팩트하게 구성할 수 있어, 풋 프린트의 축소화를 도모할 수 있다.
가스 박스(14)내에서, 유량 제어 유닛(13)은, 처리실(2)과 일차측 접속 유닛(23)의 사이에서 경사하도록 배치된다. 이에 대응하여, 가스 박스(14)의 전면 및 상면이 장착 및 분리가 가능한 커버(42)로 구성된다. 이 때문에, 가스 박스(14)내의 유량 제어 유닛(13)의 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 9는, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 반도체 처리 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 10은, 도 9에 도시하는 장치에서 사용되는 유량 제어 유닛을 도시하는 측면도이다.
제 1 실시형태에서는, 각 처리실(2) 하방의 바닥면 상에 일차측 접속 유닛(23)이 설치되고, 일차측 접속 유닛(23) 상에 겹치도록 유량 제어 유닛(13)이 배치된다. 이에 대하여 제 2 실시형태에서는, 일차측 접속 유닛(23)은, 처리 장치(1)가 설치된 클린 룸의 분리 가능한 마루패널(24a)의 하측에 배치된다. 마루패널(24a)에는, 일차측 접속 유닛(23)에 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 덮개(46)가 배치된다.
각 처리실(2)에 가스를 공급하기 위해서, 각 처리실(2)의 하방에 가스 공급 시스템(40)의 유량 제어 유닛(13)이 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은, 제 1 실시형태와 동일한 구조를 가지고 또한 동일한 형태로 가스 박스(14)에 의해서 기밀히 덮힌된다. 그러나, 제 1 실시형태와 달리, 유량 제어 유닛(13)은, 클린 룸의 마루 밑으로 연장하는 중계 배관(32)을 거쳐서 가스 공급 시스템(40)의 일차측 접속 유닛(23)에 접속된다. 일차측 접속 유닛(23)이 부착된 마루패널(24a)은, 액세스성을 고려하여, 대응하는 처리실(2)의 바로 아래가 아닌, 그곳에서 약간 떨어진 위치에 배치된다.
도 11은, 도 9에 도시하는 장치에서 사용되는 일차측 접속 유닛(23)을 도시하는 평면도이다. 도 12는, 도 11에 도시하는 일차측 접속 유닛(23)의 측면도이다.
클린 룸의 마루패널(24, 24a)은 종횡으로 간격없이 배치되고, 각각이, 예컨대 하나의 변이 600mm 정도의 치수를 가진다. 마루패널(24)은, 네 모퉁이에 배치한 지지 부재(43)를 거쳐서 마루 기초부(44) 상으로부터 소정의 높이의 위치에 지지된다. 일차측 접속 유닛(23)은, 소정의 마루패널(24a)의 하방에 조립된다. 일차측 접속 유닛(23)을 내장한 마루패널(24a)은, 통상의 마루패널(24) 대신에 소정 장소에 끼워진다.
일차측 접속 유닛(23)은, 상방이 개구된 케이스(26)를 가지고, 이 케이스(26)가 마루패널(24a)의 하면에 부착된다. 마루패널(24a)에는, 일차측 접속 유닛(23)에 임하는 개구부(45)가 형성된다. 개구부(45)에는 이것을 막는 덮개(46)가 개폐가 가능하도록 배치되어, 덮개(46)에 의해 케이스(26)내가 밀폐된다.
케이스(26)내에는, 복수의 가스원에 각각 접속된 배관(25)이 수용된다. 배관(25)은 입구측과 출구측이 동일한 방향이 되도록 배열된다. 배관(25)에 배치된 밸브(V5)는, 덮개(46)를 여는 것에 의해 조작할 수 있기 때문에 수동식 밸브로 할 수 있다. 배관(25)은, 통상의 마루패널(24)밑으로 통과시킨 중계 배관(32)을 한데 모은 유닛(28)을 거쳐서, 가스 박스(14)내의 유량 제어 유닛(13)에 접속된다(도 9참조).
제 2 실시형태의 처리 장치(1)에 의하면, 각 처리실(2) 밑에서 클린 룸의 마루 위에 유량 제어 유닛(13)을 수납하는 가스 박스(14)가 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은, 가스 박스(14)로부터 떨어진 장소의 마루패널(24a)의 밑에 배치된 일차측 접속 유닛(23)에, 중계 유닛(28)을 거쳐서 장착 및 분리가 가능하도록 접속된다. 마루패널(24a)에는, 일차측 접속 유닛(23)에 임하는 개구부(45)와, 개구부(45)를 막는 개폐 가능한 덮개(46)가 배치된다. 중계 유닛(28)은, 복수 라인의 중계 배관(32)을 수납하는 케이스가, 마루패널(24)의 하면에 부착되는 것에 의해 배치된다.
이 구성에 의하면, 일차측 접속 유닛(23)에 쉽게 액세스할 수 있어, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 마루패널(24) 위가 배관이나 밸브 등에 의해 번잡해지는 일이 없기 때문에, 안전하게 작업할 수 있다.
(제 1 및 제 2 실시형태에 공통의 사항)
도 13은, 제 1 및 제 2 실시형태의 변경예에 따른 장치에 있어서, 가스 라인 의 전환 밸브를 원격 조작으로 일괄해서 폐쇄 상태로 하기 위한 기구를 도시하는 배관도이다. 또한, 도면의 간이화를 위해, 도 13에는 유량 제어 유닛(13) 등은 표시되어 있지 않다.
처리 장치(1)에 대하여 메인터넌스를 실시하는 경우, 안전성의 관점에서, 모든 처리실(2)에 접속된 일차측 접속 유닛(23)의 밸브(전환 밸브)(V5)를 폐쇄 상태로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 제 1 실시형태에 있어서는, 도 4에 도시하는 바와 같이 밸브(V5)가 유량 제어 유닛(13)의 밑에 숨어있기 때문에, 조작하기 어렵다. 또한, 제 2 실시형태에 있어서는, 도 12에 도시하는 바와 같이 밸브(V5)가 마루 밑에 있기 때문에, 마루패널(24a)의 덮개(46)를 열고 나서 조작해야할 필요가 있다.
이에 대하여, 본 변경예에서는, 밸브(V5)의 모두를, 공기 압력으로 조작되고 또한 공기 압력이 가해져 있지 않을 때에 폐쇄 상태가 되는 밸브(소위, 통상 폐쇄(normal close)의 에어·오퍼레이션·밸브)로 구성한다. 또한, 이들 밸브(V5)에 에어를 공급하는 공통 상류 라인(48)에, 전기적으로 조작되고 또한 무부하에서 폐쇄 상태(통상 폐쇄)가 되는 3방향 밸브로 이루어지는 로크아웃(lock-out) 밸브(49)를 배치한다.
이에 의해, 메인터넌스시에 로크아웃 밸브(49)를 폐쇄하여 에어의 공급을 끊는 것에 의해, 밸브(전환 밸브)(V5)의 전부를 원격 조작으로 일괄하여 폐쇄 상태로 할 수 있다. 따라서, 제 1 실시형태에 이 변경예를 적용한 경우는, 밸브(V5)가 유량 제어 유닛(13)의 밑에 숨어 조작하기 어려워진다고 하는 문제를 해소할 수 있 다. 또한, 제 2 실시형태에 이 변경예를 적용한 경우는, 밸브(V5)를 조작하는 데 마루패널(24a)의 덮개(46)를 열 필요가 없어진다.
또한, 제 1 및 제 2 실시형태에서는 진공 처리 장치를 예시했지만, 본 발명은, 대기압하에서 처리를 실행하는 상압 처리 장치에 대해서도 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은, 반도체 웨이퍼 이외의 피처리 기판, 예컨대 플랫 패널용의 글래스 기판 등에도 적용 가능하다.
본 발명에 관한 반도체 처리 장치에 의하면, 프로세스 성능의 향상 및 풋 프린트의 축소화를 도모할 수 있다.

Claims (20)

  1. 반도체 처리 장치에 있어서,
    공통 반송실과,
    상기 공통 반송실에 접속된, 피처리 기판에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실과,
    상기 공통 반송실내에 배치된, 상기 처리실에 대하여 상기 피처리 기판을 반송하기 위한 반송 기구와,
    각각이 상기 복수의 처리실에 부설된 소정의 가스를 공급하기 위한 복수의 가스 공급 시스템을 구비하고,
    상기 복수의 가스 공급 시스템의 각각은,
    상기 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛으로, 대응하는 처리실의 하측에 배치되는 상기 일차측 접속 유닛과,
    상기 일차측 접속 유닛으로부터 상기 대응하는 처리실내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된, 상기 소정 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 유닛으로, 상기 일차측 접속 유닛의 상측에 겹치도록 배치되는 상기 유량 제어 유닛과,
    상기 유량 제어 유닛을 덮는 가스 박스로서, 상기 유량 제어 유닛에 대하여 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 커버를 가지는 상기 가스 박스를 구비하되,
    상기 일차측 접속 유닛과 상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 라인의 일부를 구성하는 중계 배관에 의해서 장착 및 분리가 가능하도록 접속되는 반도체 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 일차측 접속 유닛은, 상기 장치가 설치된 방의 마루 위에 배치되는 반도체 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 일차측 접속 유닛 및 상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 박스에 의해서 기밀(氣密)하게 덮히는 반도체 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛은, 상기 일차측 접속 유닛의 상측에 위치하는 내측 부분으로부터, 상기 일차측 접속 유닛의 전방에 위치하는 외측 부분을 향하여 하방으 로 경사하도록 배치되는 반도체 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛의 상기 외측 부분은, 상기 대응하는 처리실의 평면 윤곽 밖에 위치하고, 상기 커버는 상기 가스 박스의 전면(前面) 및 상면을 형성하는 반도체 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 라인내의 압력을 모니터하여 상기 소정 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기를 구비하는 반도체 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 처리실은 동일한 사양으로 구성되고, 상기 복수의 가스 공급 시스템은 동일한 사양으로 구성되며, 상기 유량 제어 유닛에서 상기 대응하는 처리실까지의 거리는, 상기 복수의 가스 공급 시스템 사이에서 동일하게 되도록 설정되는 반도체 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 공급 시스템은, 상기 가스 라인을 개폐하기 위한 전환 밸브를 각각 구비하고, 상기 장치는, 상기 전환 밸브를 한 번의 원격 조작으로 모두 폐쇄 상태로 하는 원격 조작 기구를 가지는 반도체 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전환 밸브의 각각은, 공기 압력으로 조작되고 또한 공기 압력이 가해지고 있지 않을 때에 폐쇄 상태가 되는 밸브이며, 상기 원격 조작 기구는, 상기 전환 밸브에 공기를 공급하는 라인의 공통 상류 라인에 배치된 로크아웃 밸브를 구비하는 반도체 처리 장치.
  11. 반도체 처리 장치에 있어서,
    공통 반송실과,
    상기 공통 반송실에 접속된, 피처리 기판에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실과,
    상기 공통 반송실내에 배치된, 상기 처리실에 대하여 상기 피처리 기판을 반송하기 위한 반송 기구와,
    각각이 상기 복수의 처리실에 부설된 소정의 가스를 공급하기 위한 복수의 가스 공급 시스템을 구비하고,
    상기 복수의 가스 공급 시스템의 각각은,
    상기 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛으로, 상기 일차측 접속 유닛은 상기 장치가 설치된 방의 분리 가능한 마루패널의 하측에 배치되고, 상기 마루패널은 상기 일차측 접속 유닛에 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 덮개를 가지는, 상기 일차측 접속 유닛과,
    상기 일차측 접속 유닛으로부터 대응하는 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된, 상기 소정 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 유닛으로, 상기 대응하는 처리실의 하측에 겹치도록 배치되는 상기 유량 제어 유닛과,
    상기 유량 제어 유닛을 덮는 가스 박스로서, 상기 유량 제어 유닛에 대하여 액세스하기 위해서 장착 및 분리가 가능한 커버를 가지는 상기 가스 박스를 구비하되,
    상기 일차측 접속 유닛과 상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 라인의 일부를 구성하는 중계 배관에 의해서 장착 및 분리가 가능하도록 접속되고,
    상기 중계 배관은, 상기 장치가 설치된 방의 마루패널의 하측에 배치되는
    반도체 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 박스에 의해서 기밀(氣密)하게 덮히는 반도체 처리 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛은, 상기 대응하는 처리실의 하측에 위치하는 내측 부분으로부터 외측 부분을 향하여 하방으로 경사하도록 배치되는 반도체 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛의 상기 외측 부분은, 상기 대응하는 처리실의 평면 윤곽외에 위치하고, 상기 커버는 상기 가스 박스의 전면(前面) 및 상면을 형성하는 반도체 처리 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 유량 제어 유닛은, 상기 가스 라인내의 압력을 모니터하여 상기 소정 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기를 구비하는 반도체 처리 장치.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 처리실은 동일한 사양으로 구성되고, 상기 복수의 가스 공급 시스템은 동일한 사양으로 구성되며, 상기 유량 제어 유닛에서 상기 대응하는 처리실까지의 거리는, 상기 복수의 가스 공급 시스템 사이에서 동일하게 되도록 설정되는 반도체 처리 장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 공급 시스템은, 상기 가스 라인을 개폐하기 위한 전환 밸브를 각각 구비하고, 상기 장치는, 상기 전환 밸브를 한 번의 원격 조작으로 모두 폐쇄 상태로 하는 원격 조작 기구를 가지는 반도체 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 전환 밸브의 각각은, 공기 압력으로 조작되고 또한 공기 압력이 가해지고 있지 않을 때에 폐쇄 상태가 되는 밸브이며, 상기 원격 조작 기구는, 상기 전환 밸브에 공기를 공급하는 라인인 공통 상류 라인에 배치된 로크아웃 밸브를 구비하는 반도체 처리 장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
CN100394574C (zh) * 2005-12-08 2008-06-11 北京圆合电子技术有限责任公司 具有流量控制的平台真空气路系统及其控制方法
KR100850275B1 (ko) * 2006-12-20 2008-08-04 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 가스 박스 모듈
US20080206020A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Flat-panel display processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US8950998B2 (en) * 2007-02-27 2015-02-10 Brooks Automation, Inc. Batch substrate handling
JP4967027B2 (ja) * 2007-10-18 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 クリーンルームのダミーグレーチング及びクリーンルームの上層作業空間域の底部を構成する部材
JP5438439B2 (ja) * 2009-09-04 2014-03-12 東洋炭素株式会社 気体供給システム
US8707754B2 (en) * 2010-04-30 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems
JP6546867B2 (ja) * 2016-03-10 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 処理プロセスを調整する方法
JP2018147911A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 東レエンジニアリング株式会社 ボンディングヘッド冷却システムおよびこれを備えた実装装置ならびに実装方法
JP7105751B2 (ja) * 2019-01-10 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
CN114981942A (zh) * 2020-12-23 2022-08-30 应用材料公司 具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置
CN114875384A (zh) * 2022-04-26 2022-08-09 江苏微导纳米科技股份有限公司 半导体加工设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08312900A (ja) * 1995-05-19 1996-11-26 Ckd Corp ガス供給集積ユニット
KR20020033513A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 포만 제프리 엘 가스 격리 박스 및 가스 스틱

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
US5441076A (en) * 1992-12-11 1995-08-15 Tokyo Electron Limited Processing apparatus using gas
US5758680A (en) * 1996-03-29 1998-06-02 Lam Research Corporation Method and apparatus for pressure control in vacuum processors
JPH1097962A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理システム
JPH10110849A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Kokusai Electric Co Ltd ガスユニット
US5812403A (en) * 1996-11-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system
US6083321A (en) * 1997-07-11 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Fluid delivery system and method
JP2000269149A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Rohm Co Ltd 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置
US6700089B1 (en) * 1999-03-30 2004-03-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing device, its maintenance method, and its installation method
JP4209539B2 (ja) * 1999-04-21 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2001023872A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08312900A (ja) * 1995-05-19 1996-11-26 Ckd Corp ガス供給集積ユニット
KR20020033513A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 포만 제프리 엘 가스 격리 박스 및 가스 스틱

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Publication number Publication date
JP4818589B2 (ja) 2011-11-16
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