JP4597440B2 - 半導体製造装置用ガス供給集積ユニット - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置のエッチング装置などで使用されるガス供給集積ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置のエッチング装置で使用されるガス供給機器には、反応ガスや不活性ガスなどの数種類のガスを適切な流量に調節し、混合し、供給する機能がある。この点、個々のガスは、毒性や腐食性を有するものがあり、外部への漏洩を防ぐため、厳重に管理される必要があるが、混合されても、パーティクル汚染の原因となるような反応が起こることはないので、流量が調節された後は、一つの出口配管にて合流され、エッチング装置のプロセスチャンバーに供給される。
【０００３】
そのため、これらのガス源からエッチング装置のプロセスチャンバーまでのガスフローは、画一化・共通化されやすく、例えば、図７に示すように、工場内配管１０１、分岐Ｔ、手動弁１１１、前段フィルタ１１２、レギュレータ１１３、圧力計１１４、自動バルブ１１５、パージガス導入分岐Ｓ（パージバルブ１１６）、流量調節器１１７、ストップバルブ１１８、ガス合流点Ｍ、出口配管１０６、最終フィルタ１０４、プロセスチャンバー１０５の順となる。
【０００４】
このうち、図６や図７に示すように、手動弁１１１及び前段フィルタ１１２が一つの手動弁ボックス１０２に収装される一方で、レギュレータ１１３及び、圧力計１１４、自動バルブ１１５、パージバルブ１１６、流量調節器１１７、ストップバルブ１１８、出口配管１０６の一部がガス供給ボックス１０３に収装されるのが通常である。尚、図８は、分岐Ｔ及び、手動弁１１１、前段フィルタ１１２を収装した手動弁ボックス１２２を示す。
【０００５】
さらに、ガス供給ボックス１０３の中は、例えば、図９のガス供給集積ユニット２０９のように、レギュレータ１１３と、圧力計１１４、自動バルブ１１５、パージバルブ１１６、流量調節器１１７、ストップバルブ１１８などがブロック構造で連結されることが多い。
【０００６】
そこで、ここでは、図９のガス供給集積ユニット２０９について説明する。もっとも、図９のガス供給集積ユニット２０９では、手動弁１１１及び前段フィルタ１１２もブロック構造で連結される。すなわち、図９に示すように、ガス供給集積ユニット２０９においては、図示しないシステム本体のガス供給口が、入力ブロック２２１、入力パイプ２２４、レギュレータ入力ブロック２２６、レギュレータ入力パイプ２３０、レギュレータブロック２３３を介して、レギュレータ１１３の入力ポートに接続している。さらに、レギュレータ１１３の出力ポートは、レギュレータブロック２３３、レギュレータ出力パイプ２４０、レギュレータ出力ブロック２３１を介して、流路方向変換ブロック２２９に接続している。
【０００７】
また、流路方向変換ブロック２２９は、圧力計１１４と流路ブロック２３２を介して、手動弁１１１の入力ポートに接続している。さらに、手動弁１１１の出力ポートは、流路ブロック２３２を介して、前段フィルタ１１２の入力ポートに接続している。さらに、前段フィルタ１１２の出力ポートは、自動バルブ１１５の入力ポートに接続している。さらに、自動バルブ１１５の出力ポートは、流路方向変換ブロック２２９を介して、流量調節器１１７の入力ポートに接続している。
【０００８】
一方、図示しないシステム本体のパージガス供給口が、パージ入力ブロック２３６、パージガスパイプ２３５を介して、パージバルブ１１６の入力ポートに接続している。さらに、パージバルブ１１６の出力ポートは、流路方向変換ブロック２２９を介して、流量調節器１１７の入力ポートに接続している。
【０００９】
また、流量調節器１１７の出力ポートは、流路方向変換ブロック２２７、出力ブロック２２５を介して、ストップバルブ１１８の入力ポートに接続している。さらに、ストップバルブ１１８の出力ポートは、出力パイプ２２３、出力ブロック２２２を介して、出力共通流路ブロック２２０に接続している。
【００１０】
そして、図９のガス供給集積ユニット２０９では、レギュレータ１１３、圧力計１１４、自動バルブ１１５、パージバルブ１１６、流量調節器１１７、ストップバルブ１１８などの各部品をブロックでつなぎ、それぞれをボルトとガスケットで連結している。但し、この方法では、シール箇所が多く、それらのすべてのシールに対して厳重な漏洩処置がされていることを現場で確認するための作業に手間がかかり、その結果、漏洩を見落としてしまうおそれがあるが、図９のガス供給集積ユニット２０９では、メンテナンスの単位を個々の部品から、図９に示す各部品を一つのカセット単位ですることで回避している。
【００１１】
尚、ガス供給集積ユニット２０９の上述した技術は、特開平８−３１２９００号にも詳しく記載されている。また、図９では、一つのガスラインに限り示されているが、実際は、８ラインから１２ライン程度である。
また、ガス供給ボックス１０３は、エッチング装置内に設けられるの通常であるが、エッチング装置の設置面積を減らすため、図６に示すように、エッチング装置（のプロセスチャンバー１０５）と切り離して、グレーチング床１００に単独で設置することもある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９のガス供給集積ユニット２０９では、汚染の原因となる溶接箇所が多く、例えば、図１０に示すように、出力パイプ２２３のエルボの前後には溶接箇所Ｗが２つあり、この点は、入力パイプ２２４のエルボでも同様であり（図９参照）、さらに、図１１に示すように、レギュレータ入力パイプ２３０及びレギュレータ出力パイプ２４０にも溶接箇所Ｗが１つずつあり、性能的に課題となっていた。
【００１３】
そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃したガス供給集積ユニットを提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために成された請求項１に係る発明は、一次側ストップバルブを介して流入させた制御流体を、又は、パージバルブを介して流入させたパージガスを、圧力制御機能及び流量制御機能を用いて、二次側ストップバルブを介して流出させるガス供給集積ユニットであって、前記一次側ストップバルブ及び前記パージバルブを着脱自在に配設させた一次側バルブ機能ブロックと、前記一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に連結されるとともに、前記圧力制御機能及び前記流量制御機能を有した流体制御機能ブロックと、前記流体制御機能ブロックに着脱自在に連結されるとともに、前記二次側ストップバルブを着脱自在に配設させた二次側バルブ機能ブロックと、前記圧力制御機能又は前記流量制御機能をコントロールするための電子回路基板と、前記一次側バルブ機能ブロック及び、前記流体制御機能ブロック、前記二次側バルブ機能ブロック、前記電子回路基板を内蔵したカセットボックスと、を備えたこと、を特徴としている。
【００１５】
また、請求項２にかかる発明は、請求項１に記載するガス供給集積ユニットであって、前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記パージバルブに連通するパージポートを形成するとともに、前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分を一次側マニホールドに着脱自在に連結することにより、前記一次側マニホールドに形成されたパージ流路と前記パージポートとを接続させる一方、前記カセットボックスから突き出た前記二次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記二次側ストップバルブに連通する出力ポートを形成するとともに、前記カセットボックスから突き出た前記二次側バルブ機能ブロックの突出部分を二次側マニホールドに着脱自在に連結することにより、前記二次側マニホールドに形成された出力流路と前記出力ポートとを接続させること、を特徴としている。
【００１６】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載するガス供給集積ユニットであって、前記流量制御機能を、一次側圧力制御バルブとオリフィスで構成すること、を特徴としている。
【００１７】
また、請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載するガス供給集積ユニットであって、圧力計を装備した入力管が突設された入力機能ブロックを備え、前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記一次側ストップバルブに連通する入力ポートを形成するとともに、前記入力機能ブロックが前記一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に連結されることにより、前記入力管と前記入力ポートとを接続させること、を特徴としている。
【００１８】
また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載するガス供給集積ユニットであって、半導体製造装置で使用されること、を特徴としている。
【００１９】
すなわち、本発明のガス供給集積ユニットでは、一次側バルブ機能ブロック及び、流体制御機能ブロック、二次側バルブ機能ブロック、電子回路基板を内蔵したカセットボックスの中において、一次側ストップバルブ及びパージバルブが一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に配設されるとともに、二次側ストップバルブが二次側バルブ機能ブロックに着脱自在に配設され、さらに、一次側バルブ機能ブロック及び二次側バルブ機能ブロックが流体制御機能ブロックに着脱自在に連結されることにより、ガスフロー（一次側ストップバルブ又はパージバルブ、圧力制御機能及び流量制御機能、二次側ストップバルブ）を形成しているので、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃することができる。
【００２０】
また、本発明のガス供給集積ユニットにおいて、パージバルブを介して流入させたパージガスを、圧力制御機能及び流量制御機能を用いて、二次側ストップバルブを介して流出させるために、カセットボックスから突き出た一次側バルブ機能ブロックの突出部を一次側マニホールドに着脱自在に連結させるとともに、カセットボックスから突き出た二次側バルブ機能ブロックの突出部分を二次側マニホールドに着脱自在に連結させれば、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃しつつも、ガスフロー（一次側ストップバルブ又はパージバルブ、圧力制御機能及び流量制御機能、二次側ストップバルブ）を形成しているカセットボックスを増減・交換させることができるので、便宜である。
【００２１】
特に、半導体製造装置では、毒性や腐食性を有する反応ガスを扱うことから、本発明のガス供給集積ユニットを半導体製造装置で使用すれば、上述した効果は大きく発揮される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照にして説明する。先ず、本実施の形態のガス供給集積ユニットが使用されている半導体製造装置のガスフローについて説明する。本実施の形態のガス供給集積ユニットが使用されている半導体製造装置のガスフローは、例えば、図４や図５に示すように、工場内配管１０１、分岐Ｔ、手動弁１１、インラインフィルタ４１、圧力計１２、一次側ストップバルブ１３、パージガス導入分岐Ｓ（パージバルブ１４）、圧力調整バルブ１５（「一次側圧力制御バルブ」に相当するもの）、圧力トランスデューサ１６、オリフィス１７、二次側ストップバルブ１８、ガス合流点Ｍ、出口配管１０６、最終フィルタ１０４、半導体製造装置のエッチング装置のプロセスチャンバー１０５の順となる。
【００２３】
このうち、図４や図５に示すように、、手動弁１１及びインラインフィルタ４１は、一つの手動弁ボックス９に収装される一方で、圧力計１２及び、一次側ストップバルブ１３、パージバルブ１４、圧力調整バルブ１５、圧力トランスデューサ１６、オリフィス１７、二次側ストップバルブ１８、ガス合流点Ｍ、出口配管１０６の一部は、一つのガス供給ボックス１０に収装される。
【００２４】
そして、ガス供給ボックス１０の中は、図１に示すように、本実施の形態のガス供給集積ユニット１として、一次側ストップバルブ１３及び、パージバルブ１４、圧力調整バルブ１５、圧力トランスデューサ１６、オリフィス１７、二次側ストップバルブ１８などが、ブロック構造で連結されており、さらに、カセットボックス１９の内部に収蔵されている。
【００２５】
すなわち、本実施の形態のガス供給集積ユニット１は、入力機能ブロック４２と、一次側バルブ機能ブロック２１、流体制御機能ブロック２８、二次側バルブ機能ブロック２２などを有している。この点、入力機能ブロック４２には、圧力計１２を装備した入口管２０が設けられている。また、一次側バルブ機能ブロック２１には、一次側ストップバルブ１３がボルトＢ４で固定されるとともに、パージバルブ１４がボルトＢ５で固定されている。また、流体制御機能ブロック２８には、圧力調整バルブ１５がボルトＢ６で固定されるとともに、圧力トランスデューサ１６が設けられている。また、二次側バルブ機能ブロック２２には、二次側ストップバルブ１８がボルトＢ３で固定されている。
【００２６】
そして、入力機能ブロック４２は、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分に対して、ボルトＢ２で固定されている。また、一次側バルブ機能ブロック２１は、流体制御機能ブロック２８に対して、ボルトＢ８で固定されている。また、二次側バルブ機能ブロック２２は、流体制御機能ブロック２８に対して、ボルトＢ９で固定されている。
【００２７】
さらに、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分は、ガス供給ボックス１０の内部に設けられた一次側マニホールド２４に対して、ボルトＢ１で固定されている。また、カセットボックス１９から突き出た二次側バルブ機能ブロック２２の突出部分は、ガス供給ボックス１０の内部に設けられた二次側マニホールド３２に対して、ボルトＢ３で固定されている。
【００２８】
この点、図３に示すように、一次側マニホールド２４の上面には、一対の取付穴２５が多数設けられており、一対のボルト穴３５にそれぞれ挿通させた一対のボルトＢ１をねじ込むことにより、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分が一次側マニホールド２４に固定される。また、二次側マニホールド３２の上面には、一対の取付穴３３が多数設けられており、一対のボルト穴４３にそれぞれ挿通させた一対のボルトＢ３をねじ込むことにより、カセットボックス１９から突き出た二次側バルブ機能ブロック２２の突出部分が二次側マニホールド３２に固定される。
【００２９】
尚、図３に示すように、一次側マニホールド２４の一対のボルト穴３５の間には、一次側マニホールド２４の内部に設けられたパージ流路４５（図２参照）と連通するポート２６が設けられている。また、二次側マニホールド３２の一対のボルト穴３３の間には、二次側マニホールド３２の内部に設けられた出口流路４６（図２参照）と連通するポート３４が設けられている。さらに、入力機能ブロック４２の入力管２０に対しては、工場内配管１０１の一つの配管２７（インラインフィルタ４１が内装されたもの）が螺合される。
尚、二次側マニホールド３２の内部に設けられた出口流路４６（図２参照）は、一つの出口配管１０６（図４、図５参照）に接続されている。
【００３０】
そして、入力機能ブロック４２と、一次側バルブ機能ブロック２１、流体制御機能ブロック２８、二次側バルブ機能ブロック２２、一次側マニホールド２４、二次側マニホールド３２、さらに、一次側ストップバルブ１３と、パージバルブ１４、圧力調整バルブ１５、二次側ストップバルブ１８が、ボルトＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７，Ｂ８，Ｂ９でそれぞれ固定されると、図２に示すように、入力機能ブロック４２の入力管２０又は一次側マニホールド２４のパージ流路４５から二次側マニホールド３２の出口流路４６までの流路が形成される。
【００３１】
この点、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分の下面には、パージバルブ１４に連通するパージポートＰ１が形成されており、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分の下面を一次側マニホールド２４の上面にボルトＢ１（図１参照）で固定することにより、一次側マニホールド２４に形成されたパージ流路４５とパージポートＰ１とが接続される。また、カセットボックス１９から突き出た二次側バルブ機能ブロック２２の突出部分の下面には、二次側ストップバルブ１８に連通する出力ポートＰ２が形成されており、カセットボックス１９から突き出た二次側バルブ機能ブロック２２の突出部分の下面を二次側マニホールド３２の上面にボルトＢ３（図１参照）で固定することにより、二次側マニホールド３２に形成された出力流路４６と出力ポートＰ２とが接続される。さらに、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部分の側面には、一次側ストップバルブ１３に連通する入力ポートＰ３が形成されており、入力機能ブロック４２の側面が一次側バルブ機能ブロック２１の側面にボルトＢ２（図１参照）で固定されることにより、入力管２０と入力ポートＰ３とを接続させる。
【００３２】
また、図２に示すように、入力機能ブロック４２と一次側バルブ機能ブロック２１の連結部分及び、一次側バルブ機能ブロック２１と一次側マニホールド２４の連結部分、一次側バルブ機能ブロック２１と一次側ストップバルブ１３の連結部分、一次側バルブ機能ブロック２１とパージバルブ１４の連結部分、一次側バルブ機能ブロック２１と流体制御機能ブロック２８の連結部分、流体制御機能ブロック２８と圧力調整バルブ１５の連結部分、二次側バルブ機能ブロック２２と二次側ストップバルブ１８の連結部分、二次側バルブ機能ブロック２２と二次側マニホールド３２の連結部分には、ガスケットがそれぞれ装着されている。
【００３３】
さらに、流体制御機能ブロック２８と二次側バルブ機能ブロック２２の連結部分にはオリフィス１７が装着されている。従って、一次側ストップバルブ１３及び二次側ストップバルブ１８を開け且つパージバルブ１４を閉じた状態において、圧力調整バルブ１５及び圧力トランスデューサ１６により、流体制御機能ブロック２８の流路の圧力を調節すれば、入力機能ブロック４２の入力管２０から流入するものであってオリフィス１７を通過する反応ガスの流量を制御することができる。
【００３４】
このとき、オリフィス１７を通過した反応ガスは、二次側マニホールド３２の出口流路４６を介して、出口配管１０６に流入するので、オリフィス１７を通過する反応ガスの流量を制御することにより、プロセスチャンバー１０５（図４、図５参照）に供給する反応ガスの流量を制御することができる。さらに、このとき、一次側マニホールド２４と二次側マニホールド３２の間に、複数のカセットボックス９が固設されていれば、各々のカセットボックス９で流量が制御された反応ガスが、二次側マニホールド３２の出口流路４６を介して、出口配管１０６に合流するので、プロセスチャンバー１０５（図４、図５参照）に供給する反応ガスの流量を混合させながら制御することもできる。
【００３５】
一方、一次側ストップバルブ１３及び二次側ストップバルブ１８を閉じ且つパージバルブ１４を開けた状態において、圧力調整バルブ１５及び圧力トランスデューサ１６により、流体制御機能ブロック２８の流路の圧力を調節すれば、一次側マニホールド２４のパージ流路４５から流入するものであってオリフィス１７を通過するパージガスの流量を制御することができる。このとき、オリフィス１７を通過したパージガスは、二次側マニホールド３２の出口流路４６を介して、出口配管１０６に流入するので、オリフィス１７を通過するパージガスの流量を制御することにより、プロセスチャンバー１０５（図４、図５参照）に供給するパージガスの流量を制御することができる。
【００３６】
尚、一次側ストップバルブ１３及び、二次側ストップバルブ１８、パージバルブ１４は、外部からの空気圧入力によりＯＮ・ＯＦＦさせられる。さらに、流体制御機能ブロック２８の流路の圧力を調節して、オリフィス１７を通過する反応ガスの流量を制御するため、すなわち、圧力トランスデューサ１６を介して圧力調整バルブ１５の開度を制御するため、接続端子２３を設けた電子回路基板３０がカセットボックス１９に内設されている。そして、圧力調整バルブ１５の開度を空気圧でＰＷＭ制御するための比例弁３１がカセットボックス１９に内設されている。従って、流体制御機能ブロック２８には、圧力調整バルブ１５とオリフィス１７などで構成される流量制御機能、及び、圧力調整バルブ１５と圧力トランスデューサ１６などで構成される圧力制御機能が備わっている。
【００３７】
以上詳細に説明したように、本実施の形態のガス供給集積ユニット１では、図１に示すように、一次側バルブ機能ブロック２１及び、流体制御機能ブロック２８、二次側バルブ機能ブロック２２、電子回路基板３０を内蔵したカセットボックス１９の中において、一次側ストップバルブ１３及びパージバルブ１４が一次側バルブ機能ブロック２１にボルトＢ４，Ｂ５でそれぞれ着脱自在に配設されるとともに、二次側ストップバルブ１８が二次側バルブ機能ブロック２２にボルトＢ７で着脱自在に配設され、さらに、一次側バルブ機能ブロック２１及び二次側バルブ機能ブロック２２が流体制御機能ブロック２８にボルトＢ８，Ｂ９でそれぞれ着脱自在に連結されることにより、ガスフロー（一次側ストップバルブ１３又はパージバルブ１４、圧力調整バルブ１５、圧力トランスデューサ１６、オリフィス１７、二次側ストップバルブ１８）を形成しているので、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃することができる。
【００３８】
また、本実施の形態のガス供給集積ユニット１において、パージバルブ１４を介して流入させたパージガスを、流体制御機能ブロック２８の圧力制御機能及び流量制御機能を用いて、二次側ストップバルブ１８を介して流出させるために、カセットボックス１９から突き出た一次側バルブ機能ブロック２１の突出部を一次側マニホールド２４にボルトＢ１で着脱自在に連結させるとともに、カセットボックス１９から突き出た二次側バルブ機能ブロック２２の突出部分を二次側マニホールド３２にボルトＢ３で着脱自在に連結させており、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃しつつも、ガスフロー（一次側ストップバルブ１３又はパージバルブ１４、圧力調整バルブ１５、圧力トランスデューサ１６、オリフィス１７、二次側ストップバルブ１８）を形成しているカセットボックス１９を増減・交換させることができるので、便宜である。
【００３９】
特に、半導体製造装置のエッチング装置（のプロセスチャンバー１０５）では、毒性や腐食性を有する反応ガスを扱うことから、図４や図５に示すようにして、本実施の形態のガス供給集積ユニット１が収装されたガス供給ボックス１０を半導体製造装置のエッチング装置（のプロセスチャンバー１０５）に使用することは、上述した効果を大きく発揮させることになる。
【００４０】
また、本実施の形態のガス供給集積ユニット１が収装されたガス供給ボックス１０は、エッチング装置の設置面積をより減らすため、今後、作業性の悪い場所に設置される可能性が高くなっている。そこで、本実施の形態では、図５に示すように、ガス供給ボックス１０を手動弁ボックス９と合体させて、クリーンルームのグレーチング床１００の下に設置している。これにより、ガス供給ボックス１０のアクセスは、クリーンルーム階下の天井付近となるが、本実施の形態のガス供給集積ユニット１では、カセットボックス１９の単位の交換でメンテナンスが行えるため、ガス供給ボックス１０へのアクセスの不便さを補うことが可能であり。
【００４１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、本実施の形態のガス供給集積ユニット１では、圧力調整バルブ１５とオリフィス１７などで、流体制御機能ブロック２８の流量制御機能を構成していたが、この点、ＭＦＣなどの熱式流量計で、流体制御機能ブロック２８の流量制御機能を構成してもよい。
【００４２】
【発明の効果】
本発明のガス供給集積ユニットでは、一次側バルブ機能ブロック及び、流体制御機能ブロック、二次側バルブ機能ブロック、電子回路基板を内蔵したカセットボックスの中において、一次側ストップバルブ及びパージバルブが一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に配設されるとともに、二次側ストップバルブが二次側バルブ機能ブロックに着脱自在に配設され、さらに、一次側バルブ機能ブロック及び二次側バルブ機能ブロックが流体制御機能ブロックに着脱自在に連結されることにより、ガスフロー（一次側ストップバルブ又はパージバルブ、圧力制御機能及び流量制御機能、二次側ストップバルブ）を形成しているので、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃することができる。
【００４３】
また、本発明のガス供給集積ユニットにおいて、パージバルブを介して流入させたパージガスを、圧力制御機能及び流量制御機能を用いて、二次側ストップバルブを介して流出させるために、カセットボックスから突き出た一次側バルブ機能ブロックの突出部を一次側マニホールドに着脱自在に連結させるとともに、カセットボックスから突き出た二次側バルブ機能ブロックの突出部分を二次側マニホールドに着脱自在に連結させれば、ガスの汚染のおそれがある溶接箇所を廃しつつも、ガスフロー（一次側ストップバルブ又はパージバルブ、圧力制御機能及び流量制御機能、二次側ストップバルブ）を形成しているカセットボックスを増減・交換させることができるので、便宜である。
【００４４】
特に、半導体製造装置では、毒性や腐食性を有する反応ガスを扱うことから、本発明のガス供給集積ユニットを半導体製造装置で使用すれば、上述した効果は大きく発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス供給集積ユニットが収装されているガス供給ボックスの断面図であって、本発明のガス供給集積ユニットの連結構造を示した図である。
【図２】本発明のガス供給集積ユニットが収装されているガス供給ボックスの断面図であって、本発明のガス供給集積ユニットの流路を示した図である。
【図３】本発明のガス供給集積ユニットの斜視図である。
【図４】本発明のガス供給集積ユニットが使用されている半導体製造装置のガスフローを示した図ある。
【図５】本発明のガス供給集積ユニットが使用されている半導体製造装置のガスラインを示した斜視図ある。
【図６】半導体製造装置のエッチング装置のプロセスチャンバーまでのガスラインを示した従来技術の斜視図ある。
【図７】半導体製造装置のエッチング装置のプロセスチャンバーまでのガスフローを示した従来技術の図ある。
【図８】従来技術の手動弁ボックスの一例を示した斜視図である。
【図９】従来技術のガス供給集積ユニットの側面図である。
【図１０】従来技術のガス供給集積ユニットの溶接箇所を示した図である。
【図１１】従来技術のガス供給集積ユニットの溶接箇所を示した図である。
【符号の説明】
１ ガス供給集積ユニット
１２ 圧力計
１３ 一次側ストップバルブ
１４ パージバルブ
１５ 圧力調整バルブ
１７ オリフィス
１８ 二次側ストップバルブ
１９ カセットボックス
２０ 入力管
２１ 一次側バルブ機能ブロック
２２ 二次側バルブ機能ブロック
２４ 一次側マニホールド
２８ 流体制御機能ブロック
３０ 電子回路基板
３２ 二次側マニホールド
４２ 入力機能ブロック
４５ パージ流路
４６ 出力流路
１０５ エッチング装置
Ｐ１ パージポート
Ｐ２ 出力ポート
Ｐ３ 入力ポート

Claims (4)

1. 一次側ストップバルブを介して流入させた制御流体を、又は、パージバルブを介して流入させたパージガスを、圧力制御手段及び流量制御手段を用いて、二次側ストップバルブを介して流出させる半導体製造装置用ガス供給集積ユニットであって、
   前記一次側ストップバルブ及び前記パージバルブを着脱自在に配設させた一次側バルブ機能ブロックと、
   前記一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に連結されるとともに、前記圧力制御手段及び前記流量制御手段を有した流体制御機能ブロックと、
   前記流体制御機能ブロックに着脱自在に連結されるとともに、前記二次側ストップバルブを着脱自在に配設させた二次側バルブ機能ブロックと、
   前記圧力制御手段又は前記流量制御手段をコントロールするための電子回路基板と、
   前記一次側バルブ機能ブロック及び、前記流体制御機能ブロック、前記二次側バルブ機能ブロック、前記電子回路基板を内蔵したカセットボックスと、を備えたこと、を特徴とする半導体製造装置用ガス供給集積ユニット。
2. 請求項１に記載する半導体製造装置用ガス供給集積ユニットであって、
   前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記パージバルブに連通するパージポートを形成するとともに、前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分を一次側マニホールドに着脱自在に連結することにより、前記一次側マニホールドに形成されたパージ流路と前記パージポートとを接続させる一方、前記カセットボックスから突き出た前記二次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記二次側ストップバルブに連通する出力ポートを形成するとともに、前記カセットボックスから突き出た前記二次側バルブ機能ブロックの突出部分を二次側マニホールドに着脱自在に連結することにより、前記二次側マニホールドに形成された出力流路と前記出力ポートとを接続させること、を特徴とする半導体製造装置用ガス供給集積ユニット。
3. 請求項１又は請求項２に記載する半導体製造装置用ガス供給集積ユニットであって、
   前記流量制御手段を、一次側圧力制御バルブとオリフィスで構成すること、を特徴とする半導体製造装置用ガス供給集積ユニット。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載する半導体製造装置用ガス供給集積ユニットであって、
   圧力計を装備した入力管が突設された入力機能ブロックを備え、
   前記カセットボックスから突き出た前記一次側バルブ機能ブロックの突出部分に、前記一次側ストップバルブに連通する入力ポートを形成するとともに、前記入力機能ブロックが前記一次側バルブ機能ブロックに着脱自在に連結されることにより、前記入力管と前記入力ポートとを接続させること、を特徴とする半導体製造装置用ガス供給集積ユニット。

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