JP5456879B2 - 混合ガス供給装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体製造装置用の混合ガス供給装置の改良に関するものであり、複数のガスを、逆流や逆拡散を生ずることなしに迅速に切換え供給できるようにすることにより、プロセス時間の短縮、ガス損失の減少及び混合ガス製造装置の小型化等を可能にした混合ガス供給装置に関するものである。
近年、半導体製造装置の分野においては、装置の小型化や製造コストの引下げ、製品品質の向上等が強く要請されており、これ等の要請に応えるため、次世代用の半導体製造装置として、例えばウエハに対する酸化膜処理とポリシリコン膜処理を連続的に行うようにした統合型処理装置の開発が進められている。
しかし、このような統合型処理装置では、供給すべきガス種が30種の多種となり、酸化膜処理におけるエッチング用ガス種に加えて、HBrやCl等の腐食性ガス種も加わることになる。そのため、所謂ガス種の切換時の逆流や逆拡散の防止と高速ガス置換によるガス利用率の向上がより一層重要な問題となりつつある。
而して、本件特許出願人は、これ迄に、上記供給ガス種の切換時の逆流や逆拡散の防止に関する技術を多数開発し、これを公開している。
例えば、特許第3442604号はその一例を示すものであり、図18に示す如く、複数のガス種G〜Gを切換弁V〜Vの操作により切換え供給する場合に、イ.最小流量のガス種の供給ラインをガスアウト部Goから一番離れた位置に配置したり、ロ.オリフィスS〜Sを設けて各ラインL〜Lの通路面積と各ラインのガス流量との比が一定になるようにしたり、或いは、ハ.最小流量ラインLnの切換弁Vnに図19の如きオリフィスOLを内蔵した弁を使用して最小流量のガス種の流速を高めることにより、前記切換弁V〜Vの切換えによるガス種の変更時に生じる他のガスの逆流や逆拡散の防止を図っている。例えば、切換弁V3を開から閉、切換弁V1を閉から開に同時操作してガス種をガスG3からガスG1に変更した際に、ガスG1が切換弁V3の上流側へ逆流するのを防止するようにしている。
また、特許第338777号は、前記図18の切換弁V〜Vを全て図19の如き構成のオリフィス内蔵型弁とし、各ガス種G〜Gの各ラインL〜Lの流路断面積と各ラインL〜Lのガス流量比を、各切換弁V〜Vに内蔵したオリフィスの口径を変えることにより一定とすることにより、切換弁V〜Vの切換え操作時に生ずるガスの逆流や逆拡散を防止しようとするものである。
尚、ガスの流量制御装置に於いて、オリフィスを流路に介設したり、オリフィス内蔵型弁を使用したり、或いはオリフィスをガスケット型オリフィスとすること等は公知であるが、複数のガス供給ラインを並列状に連結し、各ガス供給ラインからの混合ガスをマニホールドを通してガス使用箇所へ供給するようにした混合ガス供給装置に於いて、切換弁の操作時に於ける大流量ガスの小流量ガスライン内への逆流や逆拡散を防止する目的でオリフィス或いはオリフィス内蔵弁を使用する構成としたものは、前記特許第3442604号や特許第338777号等のみに限られている。
特許第338777号公報
特許第3442604号公報
特許第4137267号公報
特開2003−86579号公報
特開2007−57474号公報
特開2007−4644号公報
特開2007−7644号公報
前記特許第3442604号や特許第338777号の技術は、例えば切換弁の開閉操作時に、大流量ガスラインのガスが小流量ガスラインの切換弁の一次側(上流側)へ逆流又は逆拡散するのを有効に防止することができ、優れた実用的効用を奏するものである。
しかし、上記特許発明の技術は、何れもガスアウト部Goに対して、小流量ガスラインを大流量ガスラインの上流側(ガスアウト部Goからより離れた箇所)に位置させることを基本としているため、プロセスガスが小流量の場合には、各ガス供給ラインを接合するマニホールド部のガス置換に長時間を必要とし、ガス置換の点から半導体製造におけるプロセス時間の大幅な短縮が図れないという問題がある。
本願発明は、従前の半導体製造装置用の混合ガス供給装置に於ける上述の如き問題、即ち、小流量ガス供給ラインをガスアウト部Goに対して大流量ガス供給ラインの上流側に位置させることなしに、ガス種の逆流や逆拡散を有効に防止でき、しかもマニホールド部を含めてガス供給系のガス置換性を高め、プロセス処理時間の大幅な短縮を可能とした混合ガス供給装置を提供することを、発明の主目的とするものである。
本願発明者等は、半導体製造装置用の混合ガス供給装置に於いて、ガスの供給ライン数の増加やシャワープレートの大型化に対応して、そのガス置換の高速化やガス逆拡散の防止を図るため、先ず、オリフィスの介設位置とガスの逆流や逆拡散の防止作用の関係を実験により確認し、次に、混合ガス供給装置に於けるガス供給ラインの配列やマニホールドの内径、シャワープレートの特性等と、チャンバ内のガス置換時間との関係を実験により確認した。本願発明は、本願発明者等の上記各試験の結果に基づいて創案されたものであり、ガス置換の高速化と逆流や逆拡散の防止を可能とした半導体製造装置用の混合ガス供給装置を提供するものである。
先ず、本願発明者等は、混合ガス供給装置のガス置換に関連するガスの逆流及び逆拡散を下記イ〜ハのように定義し、これに基づいて逆流や逆拡散の抑制策を検討した。
イ 弁の同時開閉時のガスの逆流・・・同時に複数ラインのバルブを開閉したときに、バルブを開にしたラインのガスが、閉にしたラインのバルブの上流側に流れ込み、閉じ込められる現象。
ロ 弁の開時の逆流・・・定常状態で流れているガスに、別のガスを追加するためにそのバルブを開にしたときに、別のガスが先に流れているラインの上流に流れ込む現象(一度は逆流するが、徐々に押し出される)。
ハ ガスの逆拡散・・・同時に複数のガスを流しているときに、大流量ラインのガスが小流量ラインに拡散して入り込む現象。
上記イの弁の同時開閉時に生じるガスの逆流は、基本的には弁の同時開閉時に、双方の弁が同時に開放されている時間が存在するために生ずる現象であるから、弁の開閉動作特性に関係するものである。逆流防止のためには、両弁の開閉に時間差(デイレイタイム)を設ける必要があり、例えば、弁を空気圧作動型の金属ダイヤフラム弁(株式会社フジキン製型)とした場合、操作用空気圧供給系の構成によっても差異があるものの、空気圧チューブの長さ1000mm、外径3mmφ、供給圧0.4〜0.6MPaの場合には、約40msecのデイレイタイムを設けることにより、上記イの逆流を完全に防止できることが確認されている。
図1は、上記ロの逆流及びハの逆拡散の検討に用いたガス拡散試験装置を示すものであり、当該試験装置を用いて、Arと小流量Heとを同時供給した場合の逆拡散現象を、小流量ラインHeの流量、マニホールド部の圧力、Ar/Heの同時供給時間、大流量ラインArの流量、ArとHeの供給ラインの間の位置(距離)、オリフィスの介設位置等をパラメータにして検討をした。
尚、図1に於いて、GS〜GSはガス供給口、RGは圧力調整器、PGは圧力計、Fはフィルタ、VS〜VSは入口側弁、FCSは圧力式流量制御装置、VO〜VOは出口側切換弁、1はマニホールド(内径4.4mmφ)、2は混合ガス出口、3は混合ガス供給管(1/4”×0.6m)、4は調整弁、5はプロセスチャンバ(39.5l)、6は真空ポンプ、7は調整弁、8は四重極質量分析計(Qmass・取込圧力3.0×10−4Pa)、9は圧力調整器、CMは圧力計(キャパシタンスマノメータ・100Torr、1Torr)、10は2連3方弁、11はPC、12は電磁弁、13は制御装置(PLC)、14はエアチューブ(内径2.5mm×1m)である。
前記ガス供給口GSへの供給圧は250KPaGであり、入口側弁VS及び出口側切換弁VOには金属ダイヤフラム弁が使用されている。
試験の結果、a 同時に流す大流量ラインが小流量ラインの上流に位置するとき、逆拡散が生じ易いこと、b 小流量ラインの流量が7sccm以下のとき、逆拡散が大となること、c マニホールド部の圧力が高くなると、逆拡散が生じ易くなること等が判明した。
また、逆拡散を抑制するためには、a.小流量ガスラインを、同時に流す大流量ガスの上流側になるべく離して設けること、b.小流量ガス流量を10sccm以上とすること、c.マニホールド部の圧力を低くすること、d.オリフィスが大きな逆拡散防止効果を有すること等が判明した。
上記各試験結果の殆どは、従前の公知技術から予測されたことであるが、実験の過程を通して、オリフィスが特に大きな逆拡散防止効果を有するものであることが判明したため、本願発明者等は引き続きオリフィスの設置箇所と逆拡散防止作用との関係について検討をした。
図2は、上記検討の対象とした混合ガス供給装置のオリフィスの設置箇所を示すものであり、ガス供給口GSへパージ用Heガス、大流量ラインのガス供給口GSへArガス140sccm、小流量ラインのガス供給口GSへHeガス1〜10sccmを供給し、入口側弁VS〜VSを閉、VS〜VSを開、出口側弁VO〜VOを閉、VO〜VOを開にして、マニホールド1の圧力を100Torrとした条件下で1分間HeとArを同時供給し、その後、VO、VOを閉とし、VS及びVOを開にして合流部をHeで十分パージしたのちに、VOを閉、VOを開にして図1のQmass8へ小流量ラインのHeを引き込み、Heガス内のArイオン濃度を測定した。
尚、オリフィスの介設位置は、出口側弁VOの下流側Aと、出口側弁VOの上流側Bと、流量制御装置FCSの上流側Cの3箇所に替え、夫々の場合に付いてArイオン濃度を測定した。
図3は、前記Arの逆拡散試験の結果を示すものであり、曲線aは図2の位置Aにオリフィスを介設した場合、曲線bは位置Bにオリフィスを介設した場合、曲線Cは位置Cにオリフィスを介設した場合を示すものであり、オリフィスを出口側弁VOの下流側に設けるのが逆拡散防止や逆流防止に最も効果的であることが判明した。
尚、図2の試験装置において、大流量ガスラインの流量制御装置として圧力式流量制御装置FCSを使用しているのは、オリフィスCとしてFCSの出口側に設けられているガスケット型オリフィスを流用するためであり、小流量ガスラインと同様に熱式流量制御装置MFCを用いて、その下流側(出口側)にオリフィスCを介設するようにしてもよいことは勿論である。
また、図2に於いては、大流量ガスラインの直近の下流側(約40mm間隔)に小流量ガスラインを配置するようにしているが、このようなガス供給ラインの配置関係であっても、出口側弁VOの下流側にオリフィスを配置することにより、大流量ガスの小流量ライン内への逆拡散を有効に防止できることが判明した。
次に、本願発明者等は、混合ガス供給装置におけるガス置換に関する基礎データを得るため、図4に示す如き混合ガス供給装置を用いた試験装置を準備し、当該試験装置を用いて後述する各種のガス供給条件下に於けるチャンバ内ガス置換特性を検討した。
尚、図4では前記図1の場合と同一の部材には、これと同じ参照番号が付されており、混合ガス供給管3が3/8”×1.2mとなっている点、及び混合ガス供給管3内に擬似シャワープレートSPを介設している点のみが、主に異なる点である。即ち、この擬似シャワープレートSPは、プロセスチャンバ5内に設置されているシャワープレートの機能を代替えするものであって、内容量137.8cc、圧力3,50,100Torrに調整可能なものが使用されている。
先ず、ガス供給口GS1からプロセスガスAr及びガス供給口GS4からキャリアガスNを、夫々図5に示す如きガス供給シーケンスで供給し、チャンバ5(内容積39.5l)に設置した四重極質量分析計8により、チャンバ5内のガス置換を測定した。
測定は、擬似シャワープレートSPの内圧(3Torr、5Torr、100Torr)、マニホールド1の内径(4.4mmφ、10mmφ)及びプロセスガスArの流量(3sccm、5sccm、10sccm)をパラメータとして夫々行い、図6(マニホールド1の内径4.4mmφ)及び図8(マニホールド1の内径10mmφ)の如き結果を得た。
図6及び図8のガス置換特性の試験結果からも明らかなように、a.擬似シャワープレートSPの圧力が高くなると、シャワープレート及びマニホールド1を含む上流配管を満たすために時間を要し、その結果チャンバ5内のガス置換に要する時間が長くなること、b.小流量ガスラインがキャリアガスラインの上流にある場合には、小流量プロセスラインの流量によってガス置換時間が変ること等が判明した。
次に、図4に示すように、小流量ガスラインArをガス供給口VO4、キャリアガスNをガス供給口VO1から供給した場合についても同様の試験を行った。図7(マニホールド1の内径4.4mmφ)及び図9(マニホールド1の内径10mmφ)はその結果を示すものであり、擬似シャワープレートSPの圧力が高くなるとチャンバ5内のガス置換に要する時間が長くなり、また、チャンバ内ガス置換に必要な時間は、小流量ラインが大流量ラインの下流にあるときには小流量ガスラインの流量に依存しないことが判明した。
本願発明者等は、上記各試験等の結果から、半導体製造装置用の混合ガス供給装置に於いて、小流量ガス供給ラインを混合ガス出口の直近に配置すると共に、小流量ガス供給ラインの出口側切換弁Voのガス流出口端部に適宜の口径の逆拡散防止用オリフィスを介設するか、或いはオリフィスに代えて流量制御装置の出口側ガス通路の一部の通路断面積を絞ってガスの逆流や逆拡散を防止し、高速ガス置換とガス逆拡散防止を可能とすることによりガス供給ラインの増加やシャワープレートの大型化、複雑化にも対応可能なことを着想し、当該着想に基づいて本願発明に係る混合ガス供給装置を創案した。
即ち、請求項1の発明は、流量制御装置と出口側切換弁VOとから成る複数のガス供給ラインを並列状に配設し、各出口側切換弁VOのガス出口をマニホールド1へ連絡すると共に、マニホールド1の混合ガス出口に近い位置のガス供給ラインを小流量用ガスの供給用にした混合ガス供給装置に於いて、流量制御装置の出口側と出口側切換弁VOの入口側とを前記流量制御装置の出口側連結金具22及びガス通路19aを有する取付台19を介して気密に連結し、前記出口側切換弁VOとマニホールド1の混合ガス流通孔20とを連通する流路25に小孔部26を設け、出口側切換弁VOの上流側又は流量制御装置の上流側への他のガスの逆拡散の防止とマニホールド1の混合ガス出口2に連結したプロセスチャンバの高速ガス置換を可能にしたことを発明の基本構成としたものである。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、流量制御装置を流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、前記出口側連結金具22の流路28を大径の水平方向通路29aと小径の水平方向通路29bとこれ等を連通する小径の垂直方向通路28aとから形成し、小径の垂直方向通路28aの一部に前記小孔部26を設けるようにしたものである。
請求項3の発明は、請求項1の発明において、流量制御装置を流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、前記出口側連結金具22の流路28を大径の水平方向通路29aと小径の水平方向通路29bとこれ等を連通する大径の垂直方向通路28bとから形成し、小径の水平方向通路29bの一部に前記小孔26を設けるようにしたものである。
請求項4の発明は、請求項1、請求項2又は請求項3の発明に於いて、混合ガス出口2に連結したプロセスチャンバ5をシャワープレートSP付きのプロセスチャンバ5とするようにしたものである。
請求項5の発明は、請求項1、請求項2又は請求項3の発明において、出口側切換弁VOを金属ダイヤフラム製弁体を弁座に接・離させる空気圧作動型弁としたものである。
請求項6の発明は、流量制御装置と出口側切換弁VOとから成る複数のガス供給ラインを並列状に配設し、各出口側切換弁VOのガス出口をマニホールド1へ連絡すると共に、マニホールド1の混合ガス出口に近い位置のガス供給ラインを小流量用ガスの供給用にした混合ガス供給装置に於いて、小流量ガス供給ラインの流量制御装置の出口側と出口側切換弁VOの入口側とを前記流量制御装置の出口側連結金具22及びガス通路19aを有する取付台19を介して気密に連結すると共に、前記出口側切換弁VOのガス出口側通路27とマニホールド1を、当該出口側切換弁VOのガス出口側通路27の出口側端部とマニホールド1の混合ガス流通路20に連通するガス流路25の入口側との間に逆拡散防止用オリフィス30を設けて気密に連結し、出口側切換弁VOの上流側への他のガスの逆拡散の防止とマニホールド1の混合ガス出口2に連結したプロセスチャンバ6の高速ガス置換を可能にしたことを発明の基本構成としたものである。
請求項7の発明は、請求項6の発明において、流量制御装置を大流量用オリフィスOLと小流量用オリフィスOLを備えた流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、流量制御装置の流量制御範囲を3SCCM〜2000SCCM及びオリフィス30の内径を0.6mmφとするようにしたものである。
請求項8の発明は、請求項6の発明において、オリフィス30をガスケット型オリフィスとしたものである。
請求項9の発明は、請求項6、請求項7又は請求項8の発明に於いて、混合ガス出口2に連結したプロセスチャンバ5をシャワープレートSP付きのプロセスチャンバ5とするようにしたものである。
請求項10の発明は、請求項6、請求項7又は請求項8の発明において、出口側切換弁VOを金属ダイヤフラム製弁体を弁座に接・離させる空気圧作動型弁としたものである。
本発明に於いては、混合ガス供給装置のマニホールドの混合ガス出口2に近い位置に小流量プロセスガスの供給ラインを設けると共に、大流量ガスの供給ラインを混合ガス出口2の上流側、即ち混合ガス出口2から離れた位置に設けるようにしているため、従前の小流量のプロセスガス供給ラインを大流量ガスの供給ラインの上流側、即ち混合ガス出口2からより離れた位置に設けるようにした場合に比較して、マニホールド部分のガス置換がより迅速に行える。その結果、シャワープレートSP部分の圧力が高くなっても、即ち、シャワープレートが大型化してもプロセスチャンバのガス置換時間の短縮が可能となり、半導体の生産性やガス利用効率が著しく向上する。
また、圧力式流量制御装置の出口側連結金具22内の流路24に小孔部26を設け、当該小孔部26により圧力式流量制御装置FCSの本体内へのガスの逆拡散を有効に防止するようにしている。その結果、大幅な圧力損失を生じて圧力式流量制御装置FCSの制御特性を低下させることなしに、ガスの逆拡散を有効に防止することができ、しかも、オリフィスを使用しないため、混合ガス製造装置の構造の簡素化や組立の容易化が可能となる。
更に、出口側切換弁VOのガス出口側通路27の出口側端部とマニホールド1の混合ガス流通路20に連通するガス流路25の入口側部との間にガスケット型オリフィス28を設けて、出口側切換弁VOの上流側へのガスを有効に防止するようにしている。
その結果、マニホールドの混合ガス出口2に近い位置に小流量プロセスガスの供給ラインを設けても、出口側切換弁VOのガス出口側通路27内へのガスの逆拡散が全く無くなり、ガス切換時間の大幅な短縮が図れると共に、混合ガス製造装置の構造の簡素化及び組立の容易化が可能となる。
ガス逆流及び逆拡散に関する基礎実験に使用したガス拡散試験装置の構成系統図である。 オリフィスの介設装置と逆拡散防止効果の試験に於ける混合ガス供給装置のオリフィス介設位置を示す図面である。 図2の試験装置によるArの逆拡散試験結果を示すものである。 ガス置換性の基礎試験に使用した試験装置の構成系統図である。 図4の試験におけるキャリアガスNとプロセスガスArの供給シーケンスを示すものである。 マニホールドの内径が4.4mmφの場合のガス置換特性を示すものである(小流量Arラインがキャリアガスの上流)。 小流量ガスラインをマニホールドの下流側とした場合のガス置換特性を示すものである。 マニホールドの内径が10mmφの場合のガス置換特性を示すものである(小流量Arラインがキャリアガスの上流)。 小流量ガスラインをマニホールドの下流側とした場合のガス置換特性を示すものである。 本発明の第1実施例に係る混合ガス供給装置の系統図である。 図10に示した混合ガス供給装置の正面概要図である。 本発明の第1実施例及び第2実施例に係る混合ガス供給装置で使用する流量レンジ可変型圧力式流量制御装置の構造図である。 流量レンジ可変型圧力式流量制御装置に用いる出口側連結金具の断面概要図である。 流量レンジ可変型圧力式流量制御装置に用いる出口側連結金具の他の例を示す断面概要図である。 本発明の第2実施例に係る混合ガス供給の正面概要図である。 オリフィス径をパラメータとする小流量Heガス流量とHeガス内へのArガスの逆拡散の関係を示す線図である。 図15の混合ガス供給装置で使用する流量可変型圧力式流量制御装置の説明図である。 従前の混合ガス供給装置の構成系統図である。 従前の混合ガス供給装置で使用する出口側切換弁の一例を示す断面図である。
図10は、本発明の第1実施例に係る混合ガス供給装置の系統図であり、図11はその正面概要図である。
図10及び図11に於いて、GS〜GSはガス供給口、RGは圧力調整器、PGは圧力計、Fはフィルタ、VS〜VSは入口側弁、FCSは圧力式流量制御装置、VO〜VOnは出口側切換弁、1はマニホールドである。尚、本実施例に於いては、流量制御装置として圧力式流量制御装置を用いているが、圧力式流量制御装置に替えて熱式流量制御装置MFCを使用するようにしても良いことは勿論である。
また、15〜19は取付台、21は圧力式流量制御装置の入口側連結金具、22は出口側連結金具であり、ガス供給口GSから流入したガスは入口側連結金具21の流路23を通して流量制御装置の本体内へ流入し、所定の流量に制御されたガスが出口側連結金具22の流路24、取付台19の流路19aを通して出口側切換弁VO内へ流入する。また、出口側切換弁VOから流出したガスはマニホールド1の流路25を通して混合ガス通路20内へ流入し、混合ガス出口2よりプロセスチャンバへ供給されて行く。尚、図10に於いて5はプロセスチャンバ、SPはプロセスチャンバ5内に設けたシャワープレート、6は真空ポンプである。
本実施例にあっては、出口側切換弁VOのマニホールド1に形成した流路25の少なくとも1〜5mmの長さ部分の内径を約0.4mm〜1.2mmφの小孔部26とし、この小孔部26に従前の逆拡散防止用のオリフィスの機能を代替させるようにするものである。尚、前記小孔26の長さは1〜5mm位が最適であり、5mmを越えるとガス流量が多い場合に圧力損失が増大し、圧力式流量制御装置の二次側圧力が上昇して流量制御範囲が減少することになる。このことは小孔部26の内径についても同様であり、当該小孔部26の内径及び長さ寸法は、圧力式流量制御装置の制御特性に悪影響を与えない値に選定しなければならない。
尚、前記各取付台15〜19と各機器RG、F、VS、FCS、VO等とは公知の通り着脱自在に気密に連結されており、同様に圧力式流量制御装置FCSの本体と各連結金具21、22間も着脱自在に気密に取付け固定されている。
また、圧力式流量制御装置FCSやその他機器類は全て公知のものであるため、その詳細な説明は省略する。
当該第1実施例においては、小流量ガスラインをキャリアガスラインの下流に配置した場合においてでも、前記マニホールド1の流路25に設けた小孔部26により、ガスが出口側切換弁VO側へ逆流若しくは逆拡散をせず、特別に長いガス置換時間を必要とすることなしに、迅速なチャンバ内ガス置換、即ち理論計算値にほぼ等しい時定数Z=PV/f(Zは時定数、Pはチャンバ内圧力、Vはチャンバ内容積、fはトータル流量)でもって、ガス置換が行える。
また、図11に於いては、マニホールド1の流路25に小孔部26を設けているが、当該小孔部26を出口側連結金具22の流路24の一部に設けるようにしてもよい。この場合には、圧力式流量制御装置FCSの本体内へのガスの逆拡散を有効に防止することが出来る。同様に、小孔部26を取付台19の流路19aの一部に設けることも可能である。
図12は、本発明の第1実施例及び後述する第2実施例に係る混合ガス供給装置で使用する流量レンジ可変型圧力式流量制御装置の構造図であり、図13及び図14は、その出口側連結金具の断面図である。
この流量レンジ可変型圧力式流量制御装置は、特許文献6及び特許文献7により公知のものであり、本体内に大流量用オリフィスOLと小流量用オリフィスOLが設けられていて、電磁弁EVを操作して弁Vを開閉することにより、大流量用(OL及びOLの両方をガスが流通する)又は小流量用(OLのみをガスが流通する)として、切換え利用するものである。
当該流量レンジ可変型圧力式流量制御装置の各オリフィスOL及びOLの出口側は、連結金具22に設けたガス通路に連結されている。即ち、連結金具22のガス通路は、図13及び図14に示す如く垂直方向通路28a又は28bと、その上端に連通する大流量の水平方向通路29aと、垂直方向通路28a又は28bの下方部に連通する小流量用水平方向通路29bとから形成されており、垂直方向通路28a、28bの下端部がガス出口となっている。
図13の連結金具22にあっては、垂直方向通路28aの下端部、即ち小流量用水平方向29bの連通部より下方が内径が0.4〜1.2mmの小口径(小孔部2b)となっており、この部分が前記図11の小孔26部分と同様にガスの逆拡散防止作用を行うことになり、圧力式流量制御装置本体内へのガスの逆拡散が防止されることになる。
また、図14の連結金具22に於いては、小流量用水平方向通路29bの部分の内径が0.4〜1.2mmφの小口径(小孔部26)に形成されており、この部分が前記図11の小孔26部分と同様にガスの逆拡散防止作用を行うことになる。
尚、前記小口径部26の内径及びその長さ寸法は、前記図11の第1実施例の場合と同様であり、圧力式流量制御装置の制御性能に悪影響を及ぼさない範囲の小孔とすべきであることは勿論であり、ガス制御流量が2000sccm程度の圧力式流量制御装置の場合には、内径0.4〜1.2mmφ、長さ2〜3mm程度に選定されている。
図15は、本発明の第2実施例に係る混合ガス供給装置の正面図であり、(a)圧力式流量制御装置の出口側連結金具22の流路24に小径24に小径部を設けていない点、(b)マニホールド1の流路25に小孔部を設けていない点及び(c)出口側切換弁VOのガス出口側通路27の出口側端部とマニホールド1のガス通路25の入口側端部との間にガスケット型オリフィス30を介設している点のみが、前記図11の第1実施例に係る混合ガス供給装置と異なっており、その他の点は図11の場合と全く同じである。
即ち、出口側切換弁VOのガス出口側通路27の出口側端部とマニホールド1のガス通路25の入口側端部との間隙にガスケット型オリフィス30を挿着し、出口側切換弁VOの本体とマニホールド1間を挟圧固定することにより、ガスケット型オリフィス30が気密に介設されている。なお、図15の第2実施例ではガスケット型オリフィス30を使用しているが、オリフィスそのものは如何なる形態のものであってもよいことは勿論である。
図16は、図2の試験装置を用い、オリフィスサイズ30をパラメーターとして測定した小流量Heガス流量(SCCM)とArガスのHe内への逆拡散の関係を示す線図であり、小流量ヘリウムガス流量が約3SCCM以上の場合には、オリフィス30の口径を0.6mmφ以下とすることにより、小流量ヘリウムガス内への逆拡散が防止されることが判る。
表1は、図15の混合ガス供給装置に於いて、圧力式流量制御装置として図17に示した流量可変圧力式流量制御装置を用いた場合の、オリフィスOL1の上流側圧力P1と下流側圧力P2と逆拡散防止用オリフィス28の口径との実測値を示すもので
Figure 0005456879
表1からも明らかなように、圧力式流量制御装置の流量が増加すると、例えば、図17の流量可変型圧力式流量制御装置において、大口径オリフィスOL1を流通するガス流量が2000(SCCM)になると、オリフィスOL1の上流側圧力P1=2250Torrに対して、逆拡散防止用オリフィス30の口径が0.4mmφの場合には、圧力降下が大となってオリフィスOL1の下流側圧力P2=1263.8Torrとなり、オリフィスOL1に於けるガスの臨界膨張条件(P2/P1=0.5以下)が確保できなくなる。従って、この場合にはオリフィス30の口径を0.4mmφ以上(例えば0.6mmφ)とする必要がある。
尚、オリフィス30の口径を0.6mmφとした場合には、図16からも明らかなように、小流量Heガス流量が3SCCM以上であれば、逆拡散を示すArイオン強度が10−12(A)のレベルになり、逆拡散が生じないこと即ちArの逆拡散を防止できることが判る。
上記図16の測定結果及び表1の測定結果から、基準ガスN2の場合、流量2000SCCM〜3SCCMの流量範囲に於いては、出口側切換弁VOのガス出口流路端部に設ける逆拡散防止用オリフィス30の口径を0.6mmφ以上とするのが望ましいことが判る。
本発明に於いては、小流量のガスの供給を混合ガス出口の近辺に配置しても、ガスの逆拡散が有効に防止できると共に、出口側切換弁の開閉速度を高め、両バルブが同時に開放状態となる時間を可能な限り短縮してデイレイタイムを少なくすることにより、シャワープレート容量が大きい場合でも、チャンバ内やマニホールド内のガス置換をより高速で行うことが可能となる。
本発明に係る混合ガス供給装置は、あらゆる種類の半導体製造装置のガス供給装置に適用出来るものである。
GS〜GSはガス供給口、RGは圧力調整器、PGは圧力計、Fはフィルタ、VS〜VSは入口側弁、FCSは圧力式流量制御装置、VO〜VOは出口側切換弁、1はマニホールド、2は混合ガス出口、3は混合ガス供給管、4は調整弁、5はプロセスチャンバ、6は真空ポンプ、7は調整弁、8は四重極質量分析計(Qmass)、9は圧力調整器、10は二連三方弁、11はPC、12は電磁弁、13は制御装置(PLC)、14は空気チューブ、15〜19は取付台、15a〜19aはガス流路、20はマニホールド1の混合ガス流通孔、21は圧力式流量制御装置の入口側連結金具、22は圧力式流量制御装置の出口側連結金具、23は流路、24は流路、25は流路、26は小孔部、27は出口側切換弁の出口側ガス通路、28aは小径の垂直方向通路、28bは大径の垂直方向通路、29aは大径の水平方向通路、29bは小径の水平方向通路、30は逆拡散防止用オリフィス、MFCは熱式流量制御装置、EVは電磁弁、OLは大流量用オリフィス、OLは小流量用オリフィス、Fはフィルタ、CMは圧力計(キャパシタンスマノメータ)、SPは擬似シャワープレート。

Claims (10)

  1. 流量制御装置と出口側切換弁とから成る複数のガス供給ラインを並列状に配設し、各出口側切換弁のガス出口をマニホールドへ連絡すると共に、マニホールドの混合ガス出口に近い位置のガス供給ラインを小流量用ガスの供給用にした混合ガス供給装置に於いて、流量制御装置の出口側と出口側切換弁の入口側とを前記流量制御装置の出口側連結金具及びガス通路を有する取付台を介して気密に連結し、前記出口側切換弁とマニホールドの混合ガス流通孔とを連通する流路に小孔部を設け、出口側切換弁の上流側又は流量制御装置の上流側への他のガスの逆拡散の防止とマニホールドの混合ガス出口に連結したプロセスチャンバの高速ガス置換を可能にしたことを特徴とする混合ガス供給装置。
  2. 流量制御装置を流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、前記出口側連結金具の流路を大径の水平方向通路と小径の水平方向通路とこれ等を連通する小径の垂直方向通路とから形成し、小径の垂直方向通路の一部に小孔部を設けるようにした請求項1に記載の混合ガス供給装置。
  3. 流量制御装置を流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、前記出口側連結金具の流路を大径の水平方向通路と小径の水平方向通路とこれ等を連通する大径の垂直方向通路とから形成し、小径の水平方向通路の一部に小孔部を設けるようにした請求項2に記載の混合ガス供給装置。
  4. 混合ガス出口に連結したプロセスチャンバをシャワープレート付きのプロセスチャンバとするようにした請求項1、請求項2又は請求項3に記載の混合ガス供給装置。
  5. 出口側切換弁を金属ダイヤフラム製弁体を弁座に接・離させる空気圧作動型弁とした請求項1、請求項2又は請求項3に記載の混合ガス供給装置。
  6. 流量制御装置と出口側切換弁VOとから成る複数のガス供給ラインを並列状に配設し、各出口側切換弁VOのガス出口をマニホールドへ連絡すると共に、マニホールドの混合ガス出口に近い位置のガス供給ラインを小流量用ガスの供給用にした混合ガス供給装置に於いて、小流量ガス供給ラインの流量制御装置の出口側と出口側切換弁VOの入口側を前記流量制御装置の出口側連結金具及びガス通路を有する取付台を介して気密に連結すると共に、前記出口側切換弁VOのガス出口側通路とマニホールドを、当該出口側切換弁VOのガス出口側通路の出口側端部とマニホールドの混合ガス流通路に連通するガス通路の入口側端部との間に逆拡散防止用オリフィスを設けて気密に連結し、出口側切換弁VOの上流側への他のガスの逆拡散の防止とマニホールドの混合ガス出口に連結したプロセスチャンバの高速ガス置換を可能にしたことを特徴とする混合ガス供給装置。
  7. 流量制御装置を大流量用オリフィスOLと小流量用オリフィスOLを備えた流量レンジ可変型圧力式流量制御装置とすると共に、流量制御装置の流量制御範囲を3SCCM〜2000SCCMに、オリフィスの内径を0.6mmφとするようにした請求項6に記載の混合ガス供給装置。
  8. オリフィスをガスケット型オリフィスとした請求項6又は請求項7に記載の混合ガス供給装置。
  9. 混合ガス出口に連結したプロセスチャンバをシャワープレートSP付きのプロセスチャンバとするようにした請求項6、請求項7又は請求項8に記載の混合ガス供給装置。
  10. 出口側切換弁VOを金属ダイヤフラム製弁体を弁座に接・離させる空気圧作動型弁とした請求項6、請求項7、請求項8又は請求項9に記載の混合ガス供給装置。
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