KR100823461B1 - 실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물 - Google Patents

실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 균일하게 식각할 수 있는 식각액 조성물, 및 상기 식각액을 이용하여 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 식각액은 불화수소(HF) 0.5 ~ 5중량%, 불화암모늄(NH4F) 20 ~40중량% 및 아졸계 화합물 0.1 ~ 10 중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어지며, 부가적으로 불화수소암모늄(NH4HF2) 0.1 ~ 10중량%을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액은 실리콘산화막 및 실리콘질화막에 대한 식각속도의 차이가 작아 실리콘산화막 및 실리콘질화막으로 이루어지는 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있는 장점이 있다.
식각액, 질화막, 산화막, 불화수소, 불화암모늄, 불화수소암모늄

Description

실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물{Etchant composition for etching SiO2 layer and SiNx layer}
도 1은 종래 식각액 및 본 발명의 식각액에 의한 식각특성을 비교하는 개념도로서, (a)는 종래 식각액을 사용하는 경우이고, (b)는 본발명의 식각액을 사용하는 경우이다.
도 2는 실리콘산화막 및 실리콘질화막이 각각 1층씩 형성된 기판에서 실리콘질화막 건식식각 후의 상태(a), 이를 실시예 1의 식각액으로 습식식각한 상태(b), 이를 비교예 1의 식각액으로 습식식각한 상태(c)를 나타낸 수직 단면 주사전자현미경(vertical SEM) 사진이다.
도 3은 실리콘산화막 및 실리콘질화막이 각각 2층씩 교대로 형성된 기판에서 실리콘질화막 건식식각 후의 상태(a), 이를 실시예 1의 식각액으로 습식식각한 상태(b), 이를 비교예 1의 식각액으로 습식식각한 상태(c)를 나타낸 수직 단면 주사전자현미경(vertical SEM) 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3의 식각액(I-1, I-2, I-3, I-4 및 I-7)의 불화수소(HF)의 함량에 따른 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3의 식각액(I-5, I-6 및 I-7)의 불화암모늄(NH4F)의 함량에 따른 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 균일하게 식각할 수 있는 식각액 조성물, 및 상기 식각액을 이용하여 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
실리콘산화막(SiO2) 및 실리콘질화막(SiNx)은 반도체 제조공정에서 사용되는 대표적인 절연막으로 사용되며, 각각 단독으로 사용되거나 혹은 1층 이상의 실리콘산화막 및 1층 이상의 실리콘질화막이 교대로 적층되어 사용되기도 한다. 또한 상기 실리콘산화막 및 실리콘질화막은 금속 배선과 같은 도전성 패턴을 형성하기 위한 하드마스크(Hard mask)로서도 사용된다.
종래에는 실리콘산화막 및 실리콘질화막이 적층된 절연막을 식각하여 패턴을 형성하는 방법으로 상부의 실리콘질화막을 건식식각 방법으로 먼저 식각한 후, BOE(Buffered Oxide Etchant)와 같은 실리콘산화막 식각용 식각액으로 하부의 실리콘 산화막을 습식식각하여 절연막 패턴을 형성하였다. 종래에 실리콘산화막 식각액으로 널리 사용되는 BOE(Buffered Oxide Etchant)는 불화수소(HF) 및 불화암모늄(NH4F)을 함유하는 식각액으로서 종래의 BOE로는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 을 동등한 수준으로 식각하는 특성을 나타내지 못하였으며 실리콘질화막 보다 실리콘산화막에 대한 식각속도가 매우 높아 도 1(a)에 나타낸 바와 같이 습식 식각후 프로파일에서 실리콘산화막의 측면으로 과다하게 식각되는 언더컷(undercut) 현상이 발생하는 문제점이 발생하였다. 상기와 같이 언더컷 현상이 발생하는 경우 후속 공정에서 증착되는 금속 막의 스텝커버리지(step coverage) 불량을 유발하게 되고 심한 경우에는 증착금속막의 단락(short)를 유발하게 된다.
한편, 대한민국 공개특허 제2004-0077043호에서는 기판의 베벨부위에 존재하는 질화막을 제거하는 용도를 가지며 10 ~ 35중량%의 불화수소(HF), 10 ~ 35중량%의 불화암모늄(NH4F) 및 탈이온수로 이루어진 세정액을 개시하고 있다. 그러나 상기 세정액의 조성에서는 실리콘산화막의 식각속도가 너무 높아 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도를 동등한 수준으로 조절하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있는 식각액을 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 실리콘산화막 및 실리콘질화막이 각각 1층 이상 적층된 절연막의 패턴을 형성함에 있어서, 언더컷(undercut) 현상을 유발하지 않고 우수한 프로파일을 갖는 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은 상기 기술적과제를 해결하기 위하여 실리콘산화막의 식각속도를 낮추고 실리콘질화막의 식각속도를 높여 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있는 식각액을 개발하기 위해 노력한 결과, 종래 불화수소(HF), 불화암모늄(NH4F) 및 탈이온수로 이루어진 세정액에서 불화수소의 함량이 높을수록 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이가 증가함을 발견하여 불화수소의 함량을 낮게 조절하는 것이 필요하다는 것을 발견하였으며, 식각속도 차이를 보다 개선하기 위해 노력한 결과 아졸계 화합물을 첨가한 결과 놀랍게도 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이를 더욱 감소시키는 효과를 나타내는 것을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물, 및 상기 식각액을 이용하여 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 도 1에 나타낸 바와 같이 도 1의 (a)에서는 종래 식각액으로 식각한 경우 실리콘산화막의 식각속도가 상대적으로 높아서 언더컷 현상이 발생하는 것을 보여준다. 반면에 도 1의 (b)에서는 본 발명에 따른 식각액으로 식각한 경우로서 실리콘산화막과 실리콘질화막에 대한 식각속도의 차이가 작아 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있으므로 도 1의 (a)에서와 같은 언더컷 현상이 발생하지 않는다. 본 발명에서 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있다는 의미는 상기와 같은 언더컷 현상이 발생하 지 않을 정도로 식각속도의 차이가 작은 것을 의미하며 수치적으로는 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도의 비율, 즉 선택비가 1.5 이하 것을 의미한다.
본 발명에 따른 식각액은 불화수소(HF) 0.5 ~ 5중량%, 불화암모늄(NH4F) 20 ~40중량%, 아졸계 화합물 0.1 ~ 10 중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어지는 식각액 조성물을 제공한다. 또한, 본발명은 상기 조성에 불화수소암모늄(NH4HF2) 0.1 ~ 10중량%를 더 포함할 수 있는데 상기 함량의 불화수소암모늄을 포함하느 경우 적절 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도를 동시에 향상시키는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법은 하기의 단계를 포함하여 이루어진다.
기판 상에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 순차로 적층하여 절연막을 형성하는 단계;
포토리소그라피 공정으로 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
실리콘질화막을 건식식각하는 단계; 및
본 발명에 따른 식각액 조성물로 실리콘산화막을 식각하는 단계.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가진다.
또한, 종래와 동일한 기술적 구성 및 작용에 대한 반복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 식각액은 불화수소(HF) 0.5 ~ 5중량%, 불화암모늄(NH4F) 20 ~40중량%, 아졸계 화합물 0.1 ~ 10 중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어진다.
상술한 바와 같이 본 발명의 식각액은 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도의 차이를 감소시키기 위해 불화수소의 함량을 낮게 유지하고, 특히 아졸계 화합물을 첨가함으로써 식각속도 차이를 보다 감소시킬 수 있었다.
상기 불화수소의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 ~ 5중량%, 보다 바람직하게는 1 ~ 1.5중량%로 조절하는 것이 바람직한데, 이는 상기 함량이 0.5중량% 미만인 경우에는 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도가 너무 낮아 바람직하지 못하고, 상기 함량이 5중량%를 초과하는 경우에는 실리콘산화막의 식각속도가 너무 높아져서 실리콘질화막과의 식각속도 차이가 커지므로 바람직하지 못하다.
상기 불화암모늄의 함량은 20 ~ 40중량%, 보다 바람직하게는 30 ~ 40중량%인 것이 바람직한데, 이는 상기 함량이 20중량% 미만인 경우에는 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이가 커서 바람직하지 않고, 상기 함량이 40중량%를 초과하 는 경우에는 실리콘산화막의 식각속도가 너무 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에서 아졸계 화합물은 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도의 차이를 줄여주는 특이한 효과를 나타낼 뿐만아니라 식각되는 기판에 금속 성분을 포함하는 경우 부식방지 효과도 가지게 된다. 상기 아졸계 화합물의 함량은 0.1 ~ 10 중량%, 보다 좋게는 1 ~ 5중량%인 것이 바람직한데, 이는 함량이 0.1중량% 미만인 경우 상술한 바와 같은 효과가 미미하고, 상기 함량이 10 중량%를 초과하는 경우에는 실리콘산화막의 식각 속도가 너무 줄어들 수 있기 때문이다.
본 발명에 따른 식각액에 함유되는 아졸계 화합물로는 트리아졸화합물(triazole compound), 벤조트리아졸화합물(benzotriazole compound), 이미다졸화합물(imidazole compound), 테트라졸화합물(tetrazole compound), 티아졸화합물(thiazole compound), 옥사졸화합물(oxazole compound), 피라졸(pyrazole compound) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 보다 바람직한 아졸화합물의 예로서는 트리아졸화합물, 벤조트리아졸화합물, 이미다졸화합물을 들 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 식각액 조성물에 사용 가능한 트리아졸 화합물의 예로서는 트리아졸(triazole), 1H-1,2,3-트리아졸(1H-1,2,3-triazole), 1,2,3-트리아졸-4,5-디카르복실산(1,2,3-triazole-4,5-dicarboxylic acid), 1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole),1-H-1,2,4-트리아졸-3-티올(1H-1,2,4-triazole-3- thiol), 3-아미노-트리아졸(3-amino-triazole) 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 사용 가능한 벤조트리아졸 화합물의 예로서는 벤조트리아졸(benzotriazole), 1-아미노-벤조트리아졸(1-amino-benzotriazole), 1-하이드록시-벤조트리아졸(1-hydroxybenzotriazole),5-메틸-1H-벤조트리아졸(5-methyl-1H-benzotriazole), 벤조트리아졸-5-카르복실산(benzotriazole-5- carboxylic acid) 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 사용 가능한 이미다졸 화합물의 예로서는 이미다졸(imidazole), 1-메틸이미다졸(1-methyl imidazole), 벤지미다졸(benzimidazole), 1-메틸-벤지미다졸(1-methyl-benzimidazole), 2-메틸-벤지미다졸(2-methyl-benzimidazole), 5-메틸-벤지미다졸(5-methyl-benzimidazole) 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도를 향상시키기 위하여 불화수소암모늄(NH4HF2)을 0.1 ~ 10중량%, 보다 바람직하게는 0.1 ~ 3중량%의 함량으로 더 포함할 수 있다. 상기 불화수소암모늄의 함량이 증가될수록 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도가 증가하나, 상기 함량이 10중량%를 초과하는 경우에는 실리콘산화막의 식각속도가 상대적으로 더욱 높아져서 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이가 커지게 되어 바람직하지 않고, 상기 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 첨가에 따른 효과가 미미하다.
본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 절연막의 패턴 형성 방법을 제공 하며, 구체적으로 본 발명에 따른 절연막의 패턴 형성 방법은 하기의 단계를 포함한다.
기판 상에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 순차로 적층하여 절연막을 형성하는 단계;
포토리소그라피 공정으로 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
실리콘질화막을 건식식각하는 단계; 및
본 발명에 따른 식각액 조성물로 실리콘산화막을 식각하는 단계.
상기 절연막은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 각각 1층 이상 포함하는 것으로 패턴의 형상은 라인(Line)모양일 수도 있고 홀(hole) 모양일 수도 있다.
본 발명에 따른 식각액으로 식각하는 단계의 식각 온도 및 시간은 적층된 막의 두께에 따라 다를 수 있으나, 식각액의 온도를 20 내지 40℃로 유지한 상태에서 30초 ~ 10분동안 진행하는 것이 바람직하다. 상기 온도가 20℃보다 낮은 경우에는 실리콘질화막에 대한 식각속도가 저하되어 바람직하지 않고 상기 온도가 40℃를 초과하는 경우에는 흄(fume) 발생되어 바람직하지 않다.
상기 기판은 도전층을 더 포함한 것일 수 있는데, 상기 도전층으로는 금속, 금속실리사이드(metalsilicide), 폴리실리콘(Poly-Si) 또는 비정형실리콘(α-Si)으로부터 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어진 것일 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 식각할 수 있는 특성을 가지고 있어 우수한 절연막 패턴을 형성할 수 있을 뿐만아니 라 실리콘산화막 및 실리콘질화막으로 이루어진 절연막 하부에 위치한 도전층의 부식을 유발하지 않는 장점이 있다.
아래에 실시예를 통하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명의 예시에 불과한 것으로서 본 발명의 특허 청구 범위가 이에 따라 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
불화수소 1.5 중량%, 불화암모늄 35중량% 및 이미다졸 2중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어진 식각액을 제조하였다.
테스트 시료로서 α-Si이 표면에 형성된 기판에 실리콘산화막 2500Å 및 실리콘질화막 6000Å을 순차적으로 적층한 후 포토리소그라피 공정으로 패턴을 형성하고 건식 식각하여 실리콘질화막을 식각하여 도 2a에 나타낸 V-SEM 사진과 같은 테스트 시료를 준비하였다.
상온에서 본 실시예의 식각액에 상기 테스트 시료를 침지하여 3분간 식각을 진행하였고, 그 결과를 도 2b에 나타내었다. 도 2b를 참조하면 언더컷 현상이 발생하지 않았을 뿐만아니라 하부 및 실리콘 기판에 대한 식각을 유발하지 않아 우수한 프로파일을 나타내었다.
[비교예 1]
종래 식각액으로 불화수소 0.7 중량%, 불화암모늄 17 중량% 및 나머지는 탈이온수인 BOE (Buffered Oxide Etchant)을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 식각을 진행하여 그 결과를 도 2c에 나타내었다. 도 2c를 참조하면 실리콘산화막의 언더컷이 심하게 발생하였을 뿐만아니라 실리콘 기판의 상부에 과도한 식각이 일어났음을 알 수 있다.
[실시예 2]
식각속도를 향상시키기 위하여 실시예 1의 조성물에 불화수소암모늄(NH4HF2)을 식각액 총 중량의 1중량%가 되도록 첨가하여 식각액을 제조하였다.
테스트 시료로서 α-Si이 표면에 형성된 기판에 실리콘산화막 2000Å/실리콘질화막 1500Å/실리콘산화막 6000Å/실리콘질화막 4000Å을 순차적으로 적층한 후 포토리소그라피 공정 및 건식식각에 의해 실리콘질화막 1500Å/실리콘산화막 6000Å/실리콘산화막 4000Å을 건식식각하여 도 3a의 V-SEM 사진으로 나타낸 바와 같은 테스트 시료를 준비하였다.
본 실시예2의 식각액을 상온으로 유지하고 상기 테스트 시료를 2분간 침지하여 식각을 진행하였으며, 그 결과를 도 3b에 나타내었다. 제일 하부에 존재하는 실리콘산화막이 완전히 제거되었을 뿐만아니라 측면의 실리콘산화막 및 질화막의 프로파일에서 언더컷 현상이 발생하지 않고 균일한 식각 특성을 보여 주었다.
[비교예 2]
비교예 1의 종래 식각액 불화수소 0.7 중량%, 불화암모늄 17 중량% 및 나머지는 탈이온수인 BOE (Buffered Oxide Etchant)을 사용하여 실시예 2와 동일한 방법으로 식각을 진행하여 그 결과를 도 3c에 나타내었다. 도 3c를 참조하면 실리콘산화막과 질화막에 대한 식각 속도의 차이로 인해 실리콘산화막이 과도하게 식각되는 언더컷이 심하게 발생하였음을 알 수 있다.
[실시예 3] 성분별 함량에 따른 식각속도
Glass 기판에 실리콘산화막 3000Å/실리콘질화막 5000Å을 화학기상증착법(CVD)으로 형성된 기판을 준비하였다.
하기 표 1에 나타낸 바와 같이 구성 성분의 함량을 조절하면서 실리콘산화막 및 실리콘질화막에 대한 식각 속도를 평가하였다.
[표 1]
Figure 112007034982670-pat00001
불화수소의 함량을 변화시키고, 불화암모늄 35중량%, 불화수소암모늄(NH4HF2) 0.5중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어진 식각액(I-1, I-2, I-3, I-4 및 I-7)을 제조하여 각각의 식각액에 대하여 상온에서 5분간 처리한 후 그 결과를 도 4에 나타내었다.
도 4의 결과를 참조하면, 상기 식각액(I-1, I-2, I-3, I-4 및 I-7)에서 HF의 함량이 증가할수록 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도가 증가하나, 상기 HF의 함량이 3중량%를 초과하는 경우에는 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이가 너무 커서 바람직하지 않으며, 1 내지 1.5 중량% 정도가 보다 바람직함을 알 수 있다.
또한, 상기 이미다졸이 첨가된 식각액(I-8, I-9 및 I-10)에서 이미다졸의 첨가량에 따라 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도 차이가 감소하는 것을 상기 표 1로부터 알 수 있으며, 이미다졸을 식각액에 첨가하기 전(I-2)에 비하여 이미다졸을 첨가한 후(I-8, I-9 및 I-10)에 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각속도의 차이가 획기적으로 줄어들었음을 알 수 있다.
불화암모늄의 함량을 변화시키고 불화수소 0.7 중량%, 불화수소암모늄(NH4HF2) 0.5중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어진 식각액(I-5, I-6 및 I-7)을 제조하여 각각의 식각액에 대하여 상온에서 5분간 처리한 후 그 결과를 도 5에 나 타내었다.
도 5의 결과를 참고하면 불화암모늄의 함량이 20중량%를 초과하는 경우 실리콘산화막의 식각속도가 급격히 감소하는 것을 알 수 있다. 그리고 다른 성분들의 영향으로 인해 10중량% 이하인 경우에는 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 식각속도 차이가 300Å/min으로 나타나 바람직하지 않았다.
본 발명에 따른 식각액은 실리콘산화막 및 실리콘질화막에 대한 식각속도의 차이가 작아 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 균일하게 식각할 수 있으며, 실리콘산화막 및 실리콘질화막으로 이루어지는 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 불화수소(HF) 0.5 ~ 5중량%, 불화암모늄(NH4F) 20 ~ 40중량%, 아졸계 화합물 0.1 ~ 10 중량% 및 나머지는 탈이온수로 이루어지는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 ~ 10중량%의 불화수소암모늄(NH4HF2)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 아졸계 화합물은 트리아졸화합물, 벤조트리아졸화합물, 이미다졸화합물, 테트라졸화합물, 티아졸화합물, 옥사졸화합물 및 피라졸화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 불화수소(HF) 1 ~ 1.5중량%; 불화암모늄(NH4F) 30 ~ 40중량%; 불화수소암모늄(NH4HF2) 0.1 ~ 3중량%; 트리아졸화합물, 벤조트리아졸화합물 및 이미다졸화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 아졸계 화합물 1 ~ 5중량%; 및 나머지는 탈이온수로 이루어진 실리콘산화막 및 실리콘질화막 식각용 식각액 조성물.
  5. 기판 상에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 순차로 적층하여 절연막을 형성하는 단계;
    포토리소그라피 공정으로 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    실리콘질화막을 건식식각하는 단계; 및
    실리콘산화막을 제 1항 내지 제 3항에서 선택되는 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계;
    를 포함하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘산화막 하부에 금속, 금속실리사이드(metalsilicide), 폴리실리콘(Poly-Si) 또는 비정형실리콘(α-Si)으로부터 선택되는 하나 이상의 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 절연막의 패턴 형성 방법.
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