KR100817269B1 - 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 - Google Patents

리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 리소그래피 투영장치는, 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템; 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체; 기판을 유지하고, 기판홀더에 대하여 상기 기판을 가압하는 유지력(holding force)을 제공하는 수단이 마련되어 있는 기판홀더; 상기 유지력에 대하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 배출시키는 해제력을 가하는 해제수단; 및 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함한다. 본 발명에 따르면, 리소그래피 투영장치는 마지막 해제에 앞서 감소되는 해제력으로 상기 홀더로부터 상기 기판을 해제하는 해제수단을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.

Description

리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 {Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method, and Device Manufactured Thereby}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치;
도 2는 웨이퍼홀더로부터 웨이퍼 해제의 초기 스테이지를 나타내는 도면;
도 3은 웨이퍼홀더로부터 웨이퍼 해제의 마지막 스테이지를 나타내는 도면;
도 4는 해제의 마지막 스테이지에서 웨이퍼 및 웨이퍼홀더를 상세히 나타내는 도면;
도 5는 웨이퍼홀더로부터 웨이퍼의 배출에 대한 종래의 힘-다이어그램을 나타내는 도면;
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 배출제어를 나타내는 수정된 힘-다이어그램;
도 7은 해제의 마지막 스테이지 동안에 웨이퍼홀더에 의하여 흡수된 에너지를 나타낸다.
본 발명은,
방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템; 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체; 기판을 유지하고, 기판홀더에 대하여 상기 기판을 가압하는 유지력(holding force)을 제공하는 수단이 마련되어 있는 기판홀더; 상기 유지력에 대하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 해제력을 가하는 해제수단; 및 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 지지구조체는 마스크테이블이 되고, 상기 마스크테 이블은 입사되는 투영빔내의 어떤 위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그래밍 가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어)반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배열을 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 국부화된 적절한 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축선에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호 로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식의 기계로 구분될 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치 를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper) 또는 스텝-앤드-리핏장치(step-and-repeat apparatus)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 소정의 기준방향("스캐닝방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝방향과 평행으로 또는 반평행(anti-parallel)으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참조자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 얻을 수 있다.
리소그래피투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 각각의 층을 마무리하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적 회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다; 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 성분을 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 성분들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈" 라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되는 듀얼 스테이지 리소그래피장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용에 대한 특정 참조가 이루어졌지만, 당업자들은 이러한 장치가 여타의 가능한 적용례들을 가지고 있음을 명확히 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔 뿐만 아니라, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선(UV) 및 (예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)극자외선(EUV)을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
종래의 리소그래피 투영장치에서, 포토리소그래피 공정시에, 웨이퍼는 진공압착력(vacuum pressure force), 정전기력, 분자간 결합력(intermolecular binding force) 또는 단지 중력에 이를 수 있는(range from) 유지력에 의하여 웨이퍼홀더상에 단단하게 클램핑된다. 웨이퍼홀더는 일반적으로 웨이퍼가 클램핑되는 균일한 평탄면을 형성하는 복수의 돌출부들의 형태로 실질적인 평탄면을 형성한다. 이상적인 평탄면의 방위로부터 웨이퍼의 작은 편향이 웨이퍼의 회전 및 그 회전으로 인해 발생하는 오버레이에러를 야기시키므로, 이들 돌출부들의 아주 작은 높이 변화들은 이미지 분해능에 해롭다. 또한, 이러한 웨이퍼홀더의 높이 변화는 그것에 의하여 지지되는 웨이퍼의 높이변화를 유발한다. 포토리소그래 공정 동안에, 이러한 높이 변화는 투영시스템의 제한된 초점거리로 인하여 이미지 분해능에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 이상적인 평탄한 웨이퍼홀더를 갖는 것이 매우 중요하다.
발명자들은 웨이퍼가 웨이퍼홀더로부터 해제될 때 이러한 클램핑력이 문제들 을 야기시킬 수 있다는 점에 주목하게 되었다.
종래의 배출기구(ejection mechanism)는 해제력을 실질적으로 높은 레벨로 끌어올리는(step up) 방식으로 배치되어, 초기의 바이어싱된 구성으로 웨이퍼를 바이어싱한 다음, 이러한 바이어스 에너지를 해제작용(release action)으로 전환함으로써 웨이퍼가 웨이퍼홀더로부터 해제될 때까지 기다린다. 예를 들어, 진공 압력이 클램핑력으로 사용되면, 웨이퍼가 처음에는 웨이퍼의 중앙위치에서 웨이퍼홀더로부터 실질적으로 멀어지는 방향으로 구부러진다. 그런 다음, 웨이퍼는 이러한 굽힘에너지(bending energy)를 해제작용으로 전환함으로써 웨이퍼홀더로부터 해제되는 한편, 웨이퍼가 웨이퍼홀더로부터 해제될 때, 진공압력을 실질적인 주위압력으로 감소시킨다.
일반적으로, 이러한 해제력을 제공하기 위하여, 3개의 배출 핀들(e-핀들)의 삼각가(tripod)가 사용되고, 이는 3개의 이격되어 있는 웨이퍼의 위치들에서 맞물리고, 웨이퍼를 웨이퍼홀더로부터 해방시키기 위한 해제력을 제공한다. 이러한 해제력을 끌어올리는 동안에 웨이퍼에 축적된(built up) 에너지는, 웨이퍼 표면의 연이은 해제에 의하여 웨이퍼홀더 표면으로부터 변위(displacement)로 전환된다. 그러나, 이러한 축적된 에너지는 웨이퍼 및 웨이퍼홀더에 손상을 일으킬 수도 있다.
본 발명의 목적은, 이러한 문제가 해결되고, 웨이퍼가 웨이퍼홀더로부터 마지막으로 해제될 때 남아있는 에너지 량이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼홀더에 해를 미치지 않는 포토리소그래피 기계를 제공함으로써 이러한 문제를 극복하는 것이다.
상기 목적은 서문에 따른 리소그래피 투영장치에 의하여 달성되며, 상기 리소그래피 투영장치는 마지막 해제에 앞서 감소되는 해제력을 가하기 위한 컨트롤러를 포함한다.
이러한 방식으로, 마지막 해제에 앞서, 컨트롤러에 의해 해제력이 낮아지기 때문에, 웨이퍼 및/또는 웨이퍼홀더에 손상을 입힐 수 있는 에너지 량 특히, 평탄한 위치에 웨이퍼를 유지하기 위하여 홀딩영역에 작용하는 에너지 량이 일정한 해제력에 비례하여 감소되고, 웨이퍼가 갑작스런 이동에 따라 웨이퍼홀더로부터 해제되고, 마지막 해제 순간 이전에 해제력을 낮추는 대신에, 해제된 후에 해제력이 과감하게 낮춰진다.
해제시에, 해제력의 감소에 의하여, 웨이퍼에 흡수된 에너지 량이 낮아지고, 따라서 그것의 해제시에, 이러한 에너지가 웨이퍼 및/또는 웨이퍼홀더에 손상을 입히지 않는다.
상기 해제력은 마지막 해제에서의 해제력이 최대 해제력의 70% 미만이 되도록 제어되는 것이 바람직하다. 상기 해제력은 해제수단의 사전설정된 해제높이에 대하여 제어되는 것이 더 바람직하다. 특히, e-핀 근처에서의 실제 웨이퍼높이와 사전설정된 해제높이 사이의 차가 측정된다. 해제시의 이러한 실제 웨이퍼 높이는 특히, 기판이 웨이퍼홀더로부터 마지막으로 해제되는 마지막 해제영역의 부근에서 웨이퍼의 최대 회전각을 결정하고, 마지막 해제시에 웨이퍼에 가해지는 해제력에 따라 달라진다. 회전각을 낮게 유지하면, 웨이퍼홀더에 전달되는 최대 에너지 량 이 낮아지고, 이에 따라 에너지 량이 최대로 흡수될 수 있는 문턱값 아래에서 유지되기 때문에, 웨이퍼 및/또는 웨이퍼홀더를 원래대로 유지할 수 있다.
바람직한 실시예에서, 상기 사전설정된 높이는 최대 2 mrad의 편향각을 발생시키도록 선택된다. 여기서, 200mm 웨이퍼에 대하여 사전설정된 높이는 1.0mm보다 작고, 바람직하게는 0.5mm보다 작다. 웨이퍼홀더로부터 웨이퍼의 마지막 해제시에 여전히 남아있는 과잉 에너지를 흡수하기 위하여, 상기 웨이퍼홀더가 마모 에너지(wear energy)의 흡수를 위한 보호용 림(protective rim)을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 에너지가 평탄도가 그리 중요하지 않은 웨이퍼홀더의 구역에 의하여 흡수된다. 따라서, 포토리소그래피공정에서, 평탄도가 유지될 수 있다.
본 발명은,
부분적 또는 전체적으로 방사선-감응재 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;
상기 기판을 기판홀더에 대하여 가압하는 유지력을 제공하는 단계;
방사선시스템을 이용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
패터닝수단을 이용하여 상기 투영빔이 단면에 패턴을 부여하는 단계;
상기 방사선-감응재 층의 타겟부상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계; 및
해제력을 가하여, 상기 유지력에 대항하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 관한 것이기도 하다. 본 발명에 따르면, 상기 방법은 마지막 해제에 앞서 감소되는 해제력을 가하도록 상기 해제수 단을 제어하는 단계를 포함한다.
상기 해제력 및/또는 상기 해제 높이는 반복적인 방법으로 공정중에 결정되는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 높은 스루풋을 갖는 포토리소그래피공정에서, 웨이퍼홀더에 불필요한 손상을 일으키지 않으면서, 웨이퍼에 가해질 해제력의 양을 용이하고 신속하게 알 수 있다.
상기 해제력 및/또는 상기 해제높이는 최근에 공정중에 가해진 해제력 및/또는 해제높이들을 토대로 결정되는 것이 더 바람직하다. 예를 들어, 마지막 10개의 결과들의 통계적 평균과 같은 이러한 최근의 결과들은 웨이퍼에 대한 최소한의 손상을 유지하면서, 최적의 경험값들(heuristic values)을 제공할 것이다.
또 다른 형태에서, 본 발명은 서문에 따른 리소그래피장치에 관한 것이며, 상기 기판홀더는 마모에너지의 흡수를 위한 보호용 림을 포함한다. 이러한 보호용 림은, 기판홀더 자체를 원래대로 유지하면서, 기판홀더로부터 기판의 해제후에 남아있는 여하한의 과잉 해제에너지를 흡수한다.
또 다른 형태에서, 본 발명은,
부분적 또는 전체적으로 방사선-감응재 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;
상기 기판을 기판홀더에 대하여 가압하는 유지력을 제공하는 단계;
방사선시스템을 이용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
패터닝수단을 이용하여 상기 투영빔이 단면에 패턴을 부여하는 단계;
상기 방사선-감응재 층의 타겟부상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계;
해제력을 가하여, 상기 유지력에 대항하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 단계; 및
반복적인 방법으로 공정중에 상기 해제력 및/또는 해제높이를 결정하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
이제, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들이 단지 예시의 방법으로 설명되고, 도면에서 대응하는 참조부호는 대응하는 부분들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, 딥(deep) 자외선영역내의 광)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사선소스(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 포지셔닝하는 제1포지셔닝수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 포지셔닝하는 제2포지셔닝수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한)투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한)반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
상기 소스(LA)(엑시머 레이저소스)가 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔익스팬더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 s-외측 및 s-내측이라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 거친다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2포지셔닝수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이 블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1포지셔닝수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략적인 포지셔닝) 및 짧은 행정모듈(미세 포지셔닝)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정액츄에어터에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크정렬마크(M1, M2) 및 기판정렬마크(P1, P2)를 이용하여 조정될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이 동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 웨이퍼(1)가 웨이퍼홀더(2)로부터 해제되는 초기 스테이지를 나타낸다. 웨이퍼홀더(2)는 대략 100㎛의 높이를 갖는 지지 핀들(예를 들어, 원통형 마디(cylindrical burl), 도시되지 않음)을 포함한다. 마디들은 대략 3mm의 거리로 서로 이격되어 있다. 마디들은 대략 0.5mm의 직경을 가진다. 각각의 돌출부들은 기판홀더의 표면으로부터 떨어져 있는 선단(extremity)을 가지고, 따라서 상기 선단들이 모두 하나의 실질적인 평탄면내에 놓여지도록 실시된다(크기를 가진다). 웨이퍼홀더(2)는 평탄한 지지체(3)상에 지지될 수 있다.
웨이퍼(1)는 보통, 3개(단지 2개만 도시됨)의 배출 핀들(4)에 의하여 홀더(2)로부터 해제되며, 이들은 배출 핀들(4)의 변위를 제어하는 컨트롤러(5)에 의하여 제어된다. 이러한 컨트롤러(5)는 배출 핀들(4)을 구동시키는 예를 들어, 전기모터(6)의 기능을 제어하는 소프트웨어 루틴일 수 있다. 또한, 컨트롤러(5)는 예를 들어, 배출 시스템(8)의 어떤 검출입력값(7)에 응답하는 사전구성된 디지털 및/또는 아날로그 하드웨어요소들을 이용하는 예를 들어, 디자인의 하드웨어 요소들로 구현될 수 있다. 도 2의 웨이퍼(1)의 형상은 벨 형상(bell shape)으로 특징화될 수 있다, 즉, 본 스테이지에서, 웨이퍼는 배출 핀들 근처의 중앙지역에서만 해제된다. 배출 핀들은 웨이퍼상에 해제력을 제공하여, 웨이퍼를 구부려서(in bending the wafer) 에너지가 저장되도록 웨이퍼(1)를 바이어싱시킨다. 웨이퍼(1)는 중앙지역에서 기판홀더로부터 해제되는 한편, 웨이퍼(1)의 외측 지역은 진공 흡 인력에 의하여 여전히 기판에 클램핑되어 있는 상태다.
도 3은 해제의 마지막 스테이지에서의 기판(1)의 개략적인 도면을 나타낸다. 본 스테이지에서, 웨이퍼는 "보울(bowl)"형상을 가진다. 즉, 웨이퍼(1)의 거의 모든 부분이 해제되고, 웨이퍼의 외측 지역과 웨이퍼홀더 사이에서만 접촉이 제공된다. 본 스테이지에서, 웨이퍼의 형상은 실질적으로 볼록형이므로, 도 4를 참조하여 후술되는 바와 같이, 웨이퍼표면이 웨이퍼홀더에 대하여 약간 회전된다. 이러한 회전은 잠재적으로 손상을 일으키는 기계적 마찰을 유도할 수 있다. 도 3의 예시에서 외측 지역은 단지 몇몇 동심 돌출부들의 링들 또는 진공을 생성하는 밀봉 림(sealing rim)으로 이루어진다. 마지막 해제는 웨이퍼가 이러한 웨이퍼홀더의 최외주 지역(outmost perimeter region)으로부터 멀어지는 방향으로 회전될 때 발생한다.
도 4는 해제시에, 웨이퍼홀더(2)의 최외주 지역 근처의 웨이퍼(1)에 대한 상세한 도면이다. 본 예시에서, 웨이퍼홀더(2)는 일련의 동심 마디 링들을 포함하며, 끝에서 두번째 마디 링(9)과 마지막 마디 링(10)이 도시된다. 또한, 웨이퍼홀더(2)는 밀봉 림(11)을 포함한다. 림(11)은 "누설" 밀봉을 제공하는 치수를 가진다. 즉, 림(11)과 마디들(9 및 10)의 약간의 높이 차로 인하여, 공기가 마디들 사이에 형성된 공간으로 들어갈 수 있다. 이러한 방식으로, 웨이퍼의 중심으로부터 멀어져서 밀봉 림까지 연장하는 유지력이 발생되어, 기판(1)이 기판홀더(2)에 대하여 실질적으로 평탄하게 가압된다. 끝에서 두번째 마디 링(9)이 웨이퍼(1)와 더이상 접촉할 수 없을 때 웨이퍼(1)가 회전되면, 웨이퍼(1)가 접촉점(12)에 걸쳐 긁힐 것이다(scrape). 이러한 스크래핑(scraping)은 웨이퍼상의 중심라인이 회전하고, 이것이 화살표(P)로 표시되는 웨이퍼홀더(2)의 중심방향으로 이동하도록 바닥면에 힘을 가하기 때문에 발생된다. 스크래핑 거리는 웨이퍼의 회전 곱하기 웨이퍼 두께의 절반에 해당한다. 스크래핑 효과와 관련된 에너지는 힘과 변위의 곱(product)으로 계산될 수 있다. 힘은 웨이퍼(1)와 웨이퍼홀더(2) 사이에 발생된 수직력에 비례하는 마찰력이고, 웨이퍼의 회전이 최대일 때 즉, 웨이퍼홀더의 경계 근처에서 최대가 될 것이다. 웨이퍼홀더(2)의 디자인에 따라, 마지막 접촉점은 해제작용과 관련된 스크래핑 에너지를 흡수하는데 사용될 수 있는 마지막 마디 링(10), 외측 림(11) 또는 심지어 또 다른 림 요소(13)에 있을 수 있다.
도 5는 웨이퍼홀더로부터 웨이퍼의 배출의 종래의 힘-다이어그램을 나타낸다. 다이어그램에는, 동시에 발생하는 3가지 현상들이 도시된다 : 상부 라인(14)은 배출 핀들에 의하여 기판상에 가해지는 힘을 나타낸다; 중간 라인(15)은 상기 해제력의 적용에 응답하는 사전설정된 웨이퍼높이의 제어곡선을 예시한다; 중간 라인(15) 바로 밑의 단속 라인(intermittent line)은 상기 해제력의 적용에 응답하는 웨이퍼(1)의 실제 높이를 예시한다. 하부 라인(16)은 진공압력의 강하(즉, 주위 압력에 대한 압력차)를 나타내고, 이는 웨이퍼의 완전한 해제 직후에 제로로 떨어진다. 도 5의 다이어그램에서, 웨이퍼가 완전히 해제된 후에, 해제력은 웨이퍼(1)를 지지하기에 충분한 레벨로 떨어지는 것을 알 수 있다. 도 4를 참조하여 스크래핑 에너지로 전환된 에너지에 관한 논의를 고려하면, 도 5에서는 해제순간(17)까지의 힘 라인(14) 아래의 면적이 해제작용으로 전환된 에너지와 동등하다는 것을 알 수 있다; 해제순간(17) 후의 힘 라인(14) 아래의 면적은 웨이퍼(1) 및/또는 웨이퍼홀더(2)에 손상을 줄 수 있는 웨이퍼홀더(2)의 경계 근처의 에너지 흡수 및 스크래핑 작용과 비례한다. 여기서, 해제순간(17)은 웨이퍼의 외측 지역 특히, 끝에서 두번째 마디 링(9)이 웨이퍼홀더(2)로부터 해제되기 시작하는 순간으로 특정화될 수 있다. 이러한 해제순간(17)으로부터, 웨이퍼에지는 웨이퍼홀더(2)의 둘레 즉, 특정 림(11) 주위를 회전한다. 이러한 해제순간(17) 후에, 힘 라인의 면적이 가능한 한 많이 최소화되어, 마지막 해제에 앞서 감소되는 해제력으로 홀더(2)로부터 기판(1)을 해제시킬 수 있어야 한다는 것이 본 발명의 식견(insight)이다.
도 6은 본 발명에 따른 힘 라인(14')을 나타내는 예시적인 다이어그램을 나타낸다. 힘 라인은 해제에 앞서 낮아지고, 이에 따라 해제 후에 발생된 유해한(destructive) 에너지를 최소로 유지한다. 감소가 최고로 가파른 하강(18)으로 제어되고 이에 따라, 웨이퍼를 해제하는 동안 최대 파워가 가해져서, 웨이퍼의 해제시간을 짧게 하는 것이 바람직하다. 이것은 블록 형상에 따른 실질적으로 이상적인 힘-특성을 가져온다 : 초기에는, 힘이 클립핑 에지(19)까지 높게 끌어 올려져서, 최대의 추력(thrust)을 제공하여, 웨이퍼를 가능한 한 빨리 해제시킨다. 웨이퍼 높이는 사전설정된 세트-포인트(15)로 미리 정해지고, 이는 세트-포인트 높이가 도달될 때 웨이퍼가 해제될 수 있도록 정해진다. 배출 핀들의 근처에서 실제 웨이퍼 높이는, 세트-포인트 높이와 실제 높이 사이의 차이해석(difference analysis)를 토대로, 상기 배출 핀들의 사전설정된 해제 높이에 대하여 가해질 해제력을 결정하는 컨트롤러(5)에 입력된다(entered). 이러한 차이해석은 이러한 실 제 차이의 시간-적분 및 시간-미분된 항들에 추가하여, 세트-포인트와 실제 높이 사이의 차에 비례하는 항을 포함할 수 있다.
도 7은 190 GPa의 Young's 계수를 갖는 0.7mm두께의 200mm 웨이퍼에 대한, 웨이퍼의 해제작용의 마지막 스테이지에 발생되는 에너지의 개략적인 추정값(estimate)을 나타낸다. 이러한 추정값에서, 가해진 진공 압력은 가해진 E-핀 힘이 12N일 때, 0.5 bar이다. 이러한 조건에서, 압력이 7 mbar로 유지되면, 웨이퍼가 여전히 마지막 마디 링(10)에 의하여 지지된 채로, 끝에서 두번째 마디 링(9)으로부터 즉시 해제되어, 안정한 상태를 형성하는 것으로 알려져 있다. 7 내지 3.5 mbar 사이에서, 웨이퍼는 외측 지지점을 중심으로 회전한다. 3.5 mbar에서, 진공압력이 낮아져서 웨이퍼가 마지막 마디상으로 떠밀린 채로 유지될 것이다. 그런 다음, 웨이퍼가 테이블로부터 해제되고, E-핀 힘이 웨이퍼 무게와 동일해질 것이다. 마모 에너지에 대한 정량의 측정치(quantitative measure)를 찾기 위하여, 표준 접촉력; 마찰계수 및 표준 접촉력으로부터의 슬립 힘(slip force); 및 웨이퍼회전으로부터의 슬립 거리와 같은 정보가 필요하다.
12N의 가해진 e-핀 힘에 대하여, 마지막 마디 링에 대한 웨이퍼에지의 접촉력은 보울형상부분의 공정의 개시시에도 12N인 것으로 알려져 있다. 보울형상의 종료시에 웨이퍼 회전은 5 mrad으로 알려져 있다. 여기서, 마찰계수는 0.2로 가정한다. 도 7은 접촉력과 웨이퍼회전간의 관계를 나타낸다 : 웨이퍼가 5 mrad까지 회전하는 동안, 접촉력은 12N 에서 0으로 떨어진다. 마지막 마디 링의 1mm 외측에서, 웨이퍼는 5 mrad의 회전에 대하여 5㎛에 걸쳐 편향될 것이다. 마디의 3㎛ 이 하에 진공 밀봉을 구비하면, 진공 밀봉은 회전공정의 60%에서 접촉점이 될 것이다. 외측 림의 높이 변화는 외측 마디 링(10) 또는 밀봉 림(11) 중의 어느 하나에 전달되는 에너지 량에 영향을 미칠 것이다. 따라서, 밀봉 림(11)이 외측 마디 링(10)의 3㎛ 이하에 있는 예시에서는, 마찰 에너지의 60%가 외측 마디 링(10)에 의하여 소비되고, 40%는 밀봉 림(11)에 의하여 소비된다.
6N e-핀의 경우에 대한 마찰 에너지를 계산하는 루틴에서, 외측 림(11)에서 소비된 에너지 량은 0인 한편, 외측 마디 링(10)에 의하여 흡수된 에너지는 12N에 의하여 발생된 에너지의 단지 25%이며, 실제로 에너지는 가해진 힘에 대하여 2차관계(quadratic)에 있다. 일련의 적용례들(adaptations)이 계산될 수 있으며, 여기서 적용례들 간에는, 외측 림의 높이, 보호용 림 요소(13)의 존재 및 가해진 힘과 같은 파라미터들이 변화한다.
결과값들은 다음의 표에 요약된다:
Figure 112004019263997-pat00001
이러한 표에서, 마지막 해제에 앞서 감소되는, 기판홀더에 특히, 평탄한 위 치에 웨이퍼를 유지하기 위한 홀딩지역상에 작용하는 해제력으로, 상기 홀더로부터 상기 기판을 해제시키기 위하여, 다수의 디자인 단계가 취해질 수 있음을 이해할 것이다. 실제 생산공정에서, 상기 해제력 및/또는 상기 해제 높이는 반복적인 방식으로 공정중에 결정될 수 있다. 이러한 방식으로, 높은 스루풋의 포토리소그래피 공정에서, 웨이퍼홀더에 불필요한 손상을 주지 않으면서, 웨이퍼에 가해질 해제력의 양을 용이하고 신속하게 알 수 있다. 또한, 상기 해제력 및/또는 상기 해제 높이는 최근에 공정중에 가해진 해제력 및/또는 해제 높이들을 토대로 결정될 수 있다. 예를 들어, 배치(batch) 공정시에, 1회분의 웨이퍼들이 연이은 포토리소그래피 공정에서 웨이퍼홀더로부터 배출되고, 상기 방법은 최근 결과치의 평균 해제력을 토대로 웨이퍼를 배출시키는 배출루틴(ejection routine)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마지막 10개의 결과치들의 통계적 평균과 같은, 이러한 최근 결과값들은 웨이퍼에 대한 최소한의 손상을 유지하면서, 최적의 경험값들을 제공할 것이다. 이러한 방식으로, 예를 들어, 스티킹 또는 여타의 비평균 환경으로 인하여, 보다 큰 평균 클램핑력으로 웨이퍼홀더에 클램핑되는 웨이퍼를 해제시키기 위하여 예를 들어, 사전설정된 최대 해제력과 같은 예외적으로, 보다 큰 평균 해제력만 연이은 반복적인 단계에 가해져야 할 것이다.
이러한 방식으로, 웨이퍼의 해제시에 평균 과잉 마찰에너지가 배치공정을 위하여 낮아질 수 있으므로, 기판홀더상의 마모가 현저히 감소한다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 본 발명이 상술된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 설명은 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼가 웨이퍼홀더로부터 마지막으로 해제될 때 상승되는 에너지 량이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼홀더에 해를 미치지 않는 포토리소그래피장치를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
    - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 유지하는 기판홀더로서, 상기 기판홀더에 대하여 상기 기판을 가압하는 유지력(holding force)을 제공하는 수단이 마련되어 있는 기판홀더;
    - 상기 유지력에 대하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 해제력을 가하는 해제수단;
    - 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템; 및
    - 마지막 해제에 앞서 감소되는 해제력을 가하기 위한 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 마지막 해제에서의 해제력이 최대 해제력의 70%미만이 되도록 상기 해제력을 제어하도록 구성된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 해제수단의 사전설정된 해제높이에 대하여 상기 해제력을 제어하도록 구성된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 해제력은 최대 2 mrad의 각도편향(angle of deflection)을 발생시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제3항에 있어서,
    200mm기판에 대하여 상기 사전설정된 해제높이는 1.0mm미만인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판홀더는 마모에너지의 흡수를 위하여 보호용 림(protective rim)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판홀더는 복수의 돌출부를 포함하고, 그 선단들은 실질적으로 평탄한 기판을 지지하기 위한 실질적으로 평탄한 지지면을 형성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 삭제
  9. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 부분적 또는 전체적으로 방사선-감응재 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;
    - 상기 기판을 기판홀더에 대하여 가압하는 유지력을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 이용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 이용하여 상기 투영빔이 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 상기 방사선-감응재 층의 타겟부상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계;
    - 해제력을 가하여, 상기 유지력에 대항하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 단계; 및
    - 상기 해제력이 마지막 해제에 앞서 감소되도록 상기 해제력을 가하는 것을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 해제력을 가하는데 사용되는 해제수단의 사전설정된 해제높이에 대하여 상기 해제력을 가하는 것을 제어하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 해제력 및/또는 상기 해제높이는 반복적인 방식으로 공정중에 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 해제력 및/또는 상기 해제높이는 최근에 공정중에 가해진 해제력 및/또는 해제높이를 토대로 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  13. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 부분적 또는 전체적으로 방사선-감응재 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단 계;
    - 상기 기판을 기판홀더에 대하여 가압하는 유지력을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 이용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 이용하여 상기 투영빔이 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 상기 방사선-감응재 층의 타겟부상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계;
    - 해제력을 가하여, 상기 유지력에 대항하여 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 해제시키는 단계; 및
    - 반복적인 방식으로 공정중에 상기 해제력 및/또는 해제높이를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 해제력 및/또는 상기 해제높이는 최근에 공정중에 가해진 해제력 및/또는 해제높이를 토대로 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    배치(batch) 공정시에, 1회분의 기판들이 연이은 리소그래피 공정에서 기판홀더로부터 배출되고, 상기 방법은 최근 결과치의 평균 해제력을 토대로 기판들을 배출시키는 배출루틴(ejection routine)을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    사전결정된 개수의 마지막 해제력들의 통계적 평균을 사용하여 연이은 해제력을 결정하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    평균 해제력보다 큰 해제력이 연이은 반복적인 단계에 가해지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 평균 해제력보다 큰 힘은 사전설정된 최대 해제력인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  19. 삭제
  20. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 기판홀더의 보호용 림을 사용하여 마모 에너지를 흡수하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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