JP2008010886A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
リソグラフィ投影装置で処理中は、ウエハを真空等の保持力によってウエハホルダ上にクランプするが、処理終了後このウエハをウエハホルダから解放するとき排出ピンによってウエハに解放力を加える。この解放力による歪みでウエハに蓄積したエネルギーが解放の最後の段階でウエハおよび/またはウエハホルダを損傷することがあるので、そのような有害なエネルギーを残さないリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】
ウエハホルダに保持したウエハに排出ピンによる解放力を加えて解放する。最終解放の直前に制御装置によってその解放力を弱めるので、ウエハが吸収するエネルギーの量が低下し、それで解放中このエネルギーがウエハおよび/またはウエハホルダを損傷することがない。また、ウエハホルダの保持面を形成する突起の外周に保護リムを設けて余剰エネルギーを吸収してもよい。
【選択図】
図2
Description
− マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、それには、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型がある。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する放射線の選択透過(透過性マスクの場合)または選択反射(反射性マスクの場合)を生ずる。マスクの場合、この支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する;
− プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスアドレス可能面である。そのような装置の背後の基本原理は、(例えば)この反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない領域が入射光を未回折光として反射するということである。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反射ビームから濾過して取除き、回折光だけを後に残すことができ;この様にして、このビームがマトリックスアドレス可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化されるようになる。プログラム可能ミラーアレイの代替実施例は、極小ミラーのマトリックス配置を使用し、適当な局部電界を印加することにより、または圧電作動手段を使うことにより、それらの各々を軸線周りに個々に傾斜することができる。やはり、これらのミラーは、マトリックスアドレス可能で、アドレス指定したミラーが入射放射線ビームをアドレス指定されないミラーと異なる方向に反射し;この様にして、反射ビームをこれらのマトリックスアドレス可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン化する。必要なアドレス指定は、適当な電子手段を使って行える。上に説明した両方の場合に、パターニング手段は、一つ以上のプログラム可能ミラーアレイを含むことができる。ここで言及したようなミラーアレイについての更なる情報は、例えば、米国特許第5,296,891号および同第5,523,193号明細書、並びに国際特許公開第WO98/38597号および同第WO98/33096号から集めることができ、それらを参考までにここに援用する。プログラム可能ミラーアレイの場合、上記支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい;そして
− プログラム可能LCDアレイ。そのような構成の例は、米国特許第5,229,872号明細書で与えられ、それを参考までにここに援用する。上記同様、この場合の支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
次にこの発明の実施例を、例としてだけ、添付の概略図を参照して説明し、それらの図面で対応する参照記号は対応する部品を指す。
− 放射線(例えば、遠紫外領域の光)の投影ビームPBを供給するための、この特別な場合放射線源LAも含む、放射線システムEx、IL;
− マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスクホルダを備え、且つこのマスクを部材PLに関して正確に位置決めするために第1位置決め手段PMに結合された第1物体テーブル(マスクテーブル)MT;
− 基板W(例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ)を保持するための基板ホルダを備え、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために第2位置決め手段PWに結合された第2物体テーブル(基板テーブル)WT;および
− マスクMAの被照射部分を基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(“レンズ”)PLを含む。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを本質的に固定して保持し、全マスク像を目標部分C上に一度に(即ち、単一“フラッシュ”で)投影する。次に基板テーブルWTをxおよび/またはy方向に移動して異なる目標部分CをビームPBで照射できるようにする;および
2.走査モードでは、与えられた目標部分Cを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルMTが与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、y方向)に速度vで動き得て、それで投影ビームPBがマスク像の上を走査させられ;同時に、基板テーブルWTがそれと共に同じまたは反対方向に速度V=Mvで動かされ、このMはレンズPLの倍率(典型的には、M=1/4または1/5)である。この様にして、比較的大きい目標部分Cを、解像度について妥協する必要なく、露出することができる。
この表から、上記ホルダから上記基板をこの基板ホルダに、更に具体的にはウエハを平坦位置で保持するための保持領域に作用する、最終解放直前に弱めた解放力で解放するためには多数の計画工程を考慮することができることが明らかである。実際の生産プロセスでは、上記解放力および/または上記解放高さを処理中に反復法で決めてもよい。この様にして、高スループットのフォトリソグラフィプロセスで、ウエハに加えるべき解放力の大きさを、ウエハホルダに不必要な損傷を生ずることなく、容易且つ迅速に見付けることができる。更に、上記解放力および/または上記解放高さを最近処理中に加えた解放力および/または解放高さに基づいて決めてもよい。例えば、ウエハのバッチを後のフォトリソグラフィプロセスでウエハホルダから排出するバッチ処理では、この方法が最新の結果の平均解放力に基づいてウエハを排出する排出ルーチンを含んでもよい。そのような最近の結果、例えば、最後の10の結果の統計的平均化は、ウエハへの損傷を最小に維持しながら、発見的値を提供するだろう。この様にして、例外的にだけ、例えば、粘着またはその他の非平均的状況のためにウエハホルダに平均を超えるクランプ力でクランプしたウエハを解放するために、平均を超える解放力、例えば事前設定最大解放力を後の反復工程で加えなければならないだろう。
11 保護リム
C 目標部分
Ex ビーム拡大器
IL 照明システム
LA 線源
MA パターニング手段
MT 支持構造体
PB 投影ビーム
PL 投影システム
W 基板
Claims (14)
- 放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するのに役立つパターニング手段を支持するための支持構造体、
基板を保持するための基板ホルダで、この基板を押え込むための保持力を与えるための手段を備えるホルダ、
前記基板を前記保持力に抗して上記基板ホルダから解放するために解放力を加えるための解放手段、および
このパターン化したビームをこの基板の目標部分上に投影するための投影システム、を含むリソグラフィ装置に於いて、
最終解放の直前に弱めた解放力を加えるための制御装置を含むことを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記解放力をそれが最終解放で最大解放力の70%未満であるように制御する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記解放力を前記解放手段の事前設定解放高さに比例して制御する請求項2に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記解放力を最大撓み角2mradになるように選択する請求項1から請求項3までの何れか一項に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 200mm基板に対する所定の解放高さが1.0mm未満、好ましくは0.5mm未満である請求項3または請求項4に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記基板ホルダが摩耗エネルギーを吸収するための保護リムを含む請求項1から請求項5までの何れか一項に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記基板ホルダが複数の突起を含み、それらの先端が実質的に平坦な基板を支持するための実質的に平坦な支持平面を形成する請求項1から請求項6までの何れか一項に記載されたリソグラフィ投影装置。
- リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するのに役立つパターニング手段を支持するための支持構造体、
基板を保持するための基板ホルダで、この基板を押え込むための保持力を与えるための手段を備えるホルダ、
上記基板を上記保持力に抗して上記基板ホルダから解放するために解放力を加えるための解放手段、および
このパターン化したビームをこの基板の目標部分上に投影するための投影システムを含むリソグラフィ装置に於いて、
前記基板ホルダが摩耗エネルギーを吸収するための保護リムを含むことを特徴とする投影装置。 - 少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を用意する工程、
上記基板を基板ホルダに押え込むための保持力を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
この投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程、
この放射線のパターン化したビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程、
前記基板を上記保持力に抗して上記基板ホルダから解放するように解放力を加える工程、および
最終解放の直前に弱めた解放力を加えるように上記解放手段を制御する工程を含むデバイス製造方法。 - 上記解放力を上記解放手段の事前設定解放高さに比例して制御する工程を含む請求項9に記載された方法。
- 上記解放力および/または上記解放高さを処理中に反復する方法で決める請求項10に記載された方法。
- 前記解放力および/または前記解放高さを最近処理中に加えた解放力および/または解放高さに基づいて決める請求項10または請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を用意する工程、
上記基板を基板ホルダに押え込むための保持力を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
該投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程、
この放射線のパターン化したビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程、
前記基板を上記保持力に抗して上記基板ホルダから解放するように解放力を加える工程、および
前記解放力および/または解放高さを処理中に反復する方法で決める工程、を含むデバイス製造方法。 - 上記解放力および/または前記解放高さを最近処理中に加えた解放力および/または解放高さに基づいて決める請求項10または請求項11に記載のデバイス製造方法。
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