CN1550907A - 光刻装置，器件制造方法，以及由此制造的器件 - Google Patents

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Abstract

一种光刻投影装置，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；用于保持基底的基底保持器，所述基底保持器配有提供夹持力的装置，用于将基底压靠在基底保持器上；用于抵抗所述夹持力以使所述基底从所述保持器上弹出的释放装置；用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。根据本发明，光刻投影装置包括一个控制器，用于控制所述释放装置，从而利用在最后释放之前减小的释放力使所述基底从所述保持器释放。

Description

光刻装置，器件制造方法，以及由此制造的器件
技术领域
本发明涉及一种光刻投影装置，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；用于保持基底的基底保持器，所述基底保持器配有提供夹持力的装置，用于将基底压靠在所述基底保持器上；用于施加抵抗所述夹持力的释放力以使所述基底从所述基底保持器上释放的释放装置；用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
-可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；
-可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般地，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或步进重复装置(step-and-repeat)。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如US6,046,792中获得，该文献这里为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么必须对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微芯片制 造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这种装置可能具有许多其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“中间掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，以及离子束或者电子束。
在常规的光刻投影装置中，在光刻过程中，通过夹持力将晶片牢固地夹紧在晶片保持器上，所述夹持力的范围包括真空压力，静电力，分子间的结合力或者恰好是重力。晶片保持器通常以多个突起的形式来确定一个基本上平的平面，这些突起确定一个均匀平面，晶片夹紧在该平面上。这些突起的高度的微小变化对图像分辨率是有害的，因为晶片离开理想平面定位的小的偏移会导致晶片的旋转以及由该旋转引起的最终的重叠误差。此外，晶片保持器的这种高度变化会导致由其支撑的晶片的高度变化。在光刻过程中，由于投影系统的有限的焦距，这种高度变化会影响图像分辨率。因此，具有一个理想的平坦的晶片保持器是非常重要的。
发明人已经注意到，当晶片从晶片保持器释放时，这种夹紧力可能引起一些问题。
常规的推顶机构(ejection mechanism)在某种程度上布置为将释放力增大到足够高的程度，由此使晶片在最初的偏置配置中偏置，然后等待，直到通过将偏置能量变为释放动作而使晶片从晶片保持器释放。例如，当真空压力用作夹紧力时，最初晶片弯曲，基本上在其中心位置处离开晶片保持器。然后，通过将该弯曲能变为释放动作而使晶片从晶片保持器释放，当晶片从晶片保持器释放时，真空压力基本上下降到环境压力。
通常，为了提供这种释放力，使用三个推顶销(e销)的三角支架(tripod)，它们接合在晶片的三个分开的位置处，并提供使晶片脱离晶片保持器的释放力。在增加释放力的过程中，通过晶片表面从晶片保持器表面的随后的释放，晶片上积累的能量转变为位移。但是，这种积累的能量也可能使晶片和/或晶片保持器损坏。
发明内容
本发明目的在于通过提供一种光刻装置来克服该问题，其中能使该问题得以解决，并且当晶片最终从晶片保持器释放时，剩下的能量不会对晶片和/或晶片保持器有损害。
这一目的通过序言部分的光刻投影装置来实现，其中所述光刻投影装置包括用于施加释放力的控制器，所述释放力在最后释放之前被减小。
这样，由于在最后释放之前通过控制器使释放力减小，因此与恒定的释放力相比，可能损坏晶片和/或晶片保持器的能量，特别是施加于平坦位置处保持晶片的保持区域的能量会减小，其中随着突然的运动使晶片从晶片保持器释放，并且在释放之后，释放力急剧减小，而不是在最后释放时刻之前才减小。
通过在释放过程中减小释放力，降低了由晶片吸收的能量，从而在其释放过程中，该能量不会损坏晶片和/或晶片保持器。
优选地，对所述释放力进行控制，使最后释放时的释放力小于最大释放力的70％。更优选地，相对释放装置的预置释放高度来控制所述释放力。特别地，测量推顶销附近的实际晶片高度和预置释放高度之差。在释放过程中，晶片的实际高度决定晶片的最大旋转角度，特别是在基底从晶片保持器最终释放的最后释放区域附近，晶片的实际高度取决于最后释放过程中施加于晶片的释放力。通过保持较小的旋转角，传递到晶片保持器的最大能量也较低，由于能量大小保持在最大可吸收的阈值以下，因此可使晶片和/或晶片保持器无损伤。
在优选实施方式中，选择所述预置高度，以产生2mrad的最大偏转角。这里200mm晶片的预置高度小于1.0mm，优选小于0.5mm。为了吸收在晶片从晶片保持器最后释放过程中还存在的过剩能量，优选地，所述晶片保持器包括用于吸收损耗能量的保护性边缘。这样，能量被晶片保持器的一个区域吸收，在该区域中平面度不起决定性作用。因此，在光刻过程中，可以保持平面度。
本发明进一步涉及一种器件制造方法，包括以下步骤：提供至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料的基底；提供用于将所述基底压靠在基底保持器上的夹持力；利用辐射系统提供辐射的投影光束；利用构图装置赋予投影光束带图案的横截面；将带图案的辐射光束投影到辐射敏感材料层的目标部分上；施加释放力，从而抵抗所述夹持力使所述基底从所述基底保持器释放。根据本发明，该方法包括以下步骤：控制所述释放装置，从而施加一个释放力，该释放力在最后释放之前被减小。
优选地，以重复的方式在过程中确定所述释放力和/或所述释放高度。以这种方式，在高生产量的光刻过程中，可以很容易地和快速地得到施加于晶片的释放力的量，而不会对晶片保持器产生不必要的损坏。
更优选地，根据最近在过程中施加的释放力和/或释放高度，确定所述释放力和/或所述释放高度。这种最近的结果，例如最近十个结果的统计平均值，将提供最佳的推断值，同时保持对晶片的损坏最小。
在另一方面，本发明涉及根据序言部分的一种光刻装置，其中所述基底保持器包括用于吸收损耗能量的保护性边缘。这种保护性边缘吸收在基底从基底保持器释放之后留下的任何过剩的释放能量，同时保持基底保持器自身无损坏。
在又一方面，本发明涉及一种器件制造方法，包括以下步骤：提供至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料的基底；提供用于将所述基底压靠在基底保持器上的夹持力；利用辐射系统提供辐射的投影光束；利用构图装置赋予投影光束带图案的横截面；将带图案的辐射光束投影到辐射敏感材料层的目标部分上；施加释放力，从而抵抗所述夹持力使所述基底从所述基底保持器释放，以重复的方式在过程中确定所述释放力和/或释放高度。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，在图中相应的参考标记表示相应的部件，其中：
图1表示根据本发明一实施方案的光刻投影装置；
图2表示晶片从晶片保持器释放的初始阶段；
图3表示晶片从晶片保持器释放的最后阶段；
图4表示在释放的最后阶段，晶片和晶片保持器的详细的图解说明；
图5表示常规的晶片从晶片保持器弹出的示力图；
图6表示根据本发明晶片的弹出控制的改进的示力图；
图7表示在释放的最后阶段中，由晶片保持器吸收的能量的图解。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置。该装置包括：
-辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投影光束PB(例如深紫外区的光)。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA；
-第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如中间掩模版)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
-第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；
-投影系统(“镜头”)PL，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯(die))上。
如这里指出的，该装置属于透射型(即具有透射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的可编程反射镜阵列型。
辐射源LA(例如准分子激光器源)产生辐射光束。该光束直接或在横穿过如扩束器Ex等调节装置后，馈送到照明系统(照明器)IL上。照明器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为s-外和s-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定装置PM将掩模MA相光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。掩模MA与基底W可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投影(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；
2.在扫模式中，基本为相同的情况，但是给定的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，以使投影光束PB在掩模图像上扫描；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
在图2中，显示晶片1从晶片保持器2释放的初始阶段。晶片保持器2包括高度约为100μm的支承销(例如圆柱形凸起(cylindrical burl)，未示出)。该凸起以大约3mm的距离彼此隔开。凸起的直径约为0.5mm。每个突起都具有远离基底保持器表面的末端，从而使其实现为(尺寸确定为)所述末端全部位于一个单独的基本上平的平面中。晶片保持器2可以支撑在平的支架3上。
通过推顶销(ejection pin)4使晶片1从保持器2释放，销的数量通常是三个(仅示出了其中的两个)，通过控制器5对销进行控制，该控制器控制推顶销4的位移。这种控制器5可以是一种控制例如电机6运行的软件程序，该电机驱动推顶销4。此外，控制器5可以通过硬件元件来实现，例如按照使用预先配置的数字和/或模拟硬件元件的一种设计，该硬件元件对推顶系统(ejection system)8的某些探测输入7起反应。图2中晶片1的形状的特点为钟形，即，在该阶段，仅仅释放在推顶销附近的晶片的中心区。推顶销在晶片上施加释放力，导致晶片1的偏置，从而在使晶片弯曲中存储能量。晶片1在中心区从基底保持器上释放，而由于真空吸力，晶片1的外部区仍然夹紧在基底上。
图3示出在释放的最后阶段基底1的示意图。在该阶段，晶片具有“碗”形，即，晶片1的几乎所有部分都被释放，仅仅在晶片外部区和晶片保持器之间有接触。在该阶段，晶片的形状基本上是凸面的，因此，如参考图4进一步说明的，晶片表面相对于晶片保持器轻微旋转。这种旋转会引入可能导致损坏的机械摩擦。图3实施例中的外部区仅仅由一些同心突起的环组成，或者由形成真空的密封边缘组成。当使晶片旋转离开晶片保持器最外面的周边区域时发生最后的释放。
图4示出在释放过程中，在晶片保持器2最外面周边区域附近的晶片1的详细视图。在该实施例中，晶片保持器2包括一系列同心的凸起环(burl ring)，示出其中倒数第二个凸起环9和最后一个凸起环10。此外，晶片保持器2包括密封边缘11。该边缘11的尺寸为提供形成“泄漏”密封，即，由于边缘11以及凸起9和10存在较小的高度差，因此空气能够进入两个凸起之间形成的空间。以这种方式，产生一夹持力，该力离开晶片中心一直延伸到密封边缘，从而使基底1基本上平地压靠在基底保持器2上。当晶片1旋转时，此时倒数第二个凸起环9不再与晶片1接触，晶片1刮过接触点12。这种刮擦是通过晶片上中心线旋转而引起的，其迫使底面朝晶片保持器2的中心方向移动，由箭头P表示。刮擦的距离等于晶片厚度的一半乘晶片的旋转。与刮擦作用相联系的能量可以计算为力与位移的乘积。力是与晶片1和晶片保持器2之间产生的垂直力成比例的摩擦力，并且该力在晶片转动最大的位置处，因此是在晶片保持器的边界附近达到最大值。根据晶片保持器2的这种设计，最后一个接触点可以是最后一个凸起环10，外边缘11乃至可用于吸收与释放动作相联系的刮擦能量的另一个边缘元件13。
图5示出常规的晶片从晶片保持器弹出的示力图。在该图中，示出三个同时发生的事件：上面的线14说明由推顶销施加于基底的力；中间线15说明对施加所述释放力响应的晶片高度的预置控制曲线；正好在中间线15下面的间断线说明对施加所述释放力响应的晶片1的实际高度。下面的线16示出真空压力的下降(即，相对于环境压力的压力差)，该压力刚好在晶片完全释放之后降到零。在图5的线图中，很明显在晶片完全释放之后释放力下降到足够支撑晶片1的程度。鉴于参考图4对转变为刮擦能的能量的讨论，在图5中，很明显直到释放时刻17，力线14下面的区域才等同于转变为释放动作的能量；在释放时刻17之后，力线14下面的区域与晶片保持器2边界附近的刮擦动作(scraping action)以及能量吸收成比例；这会损害晶片1和/或晶片保持器2。这里，释放时刻17的特征为晶片的外部区(特别是倒数第二个凸起环9)从晶片保持器2开始释放的时刻。从该释放时刻17开始，晶片边缘绕晶片保持器2的周边转动，特别是绕边缘11转动。本发明的理解是，在该释放时刻17之后，力线的区域应该尽可能地减为最小，由此利用在最后释放之前被减小的释放力使基底1从保持器2上释放。
图6示出根据本发明的力线14’的原理图。力线在释放之前下降，因此使释放之后产生的破坏能量保持最小。优选地，这种下降在最大的陡降坡18处进行控制，由此在释放晶片时施加最大的能量，这样缩短了晶片的释放时间。这产生基本上依照块形(block shape)的理想的力的特性曲线：起初，增加力达到限幅边缘(clipping edge)19，以提供最大推力，因此尽可能快地释放晶片。将晶片高度预置为预先确定的设定点15，即确定为当达到设定点高度时释放晶片。推顶销附近的实际晶片高度输入到控制器5，其根据设定点高度和实际高度之间的差值分析来确定相对于推顶销的所述预置释放高度而施加的释放力。该差值分析可包括与设定点和实际高度之差成比例的项，加上该实际差值的时间积分和时间微分(time-differentiated)项。
图7示出对于杨氏模量为190GPa，厚度为0.7mm的200mm晶片，在晶片释放动作的最后阶段产生的能量的示意性估算。在该估算中，施加的真空压力为0.5巴，此处施加的推顶销力为12牛顿。在这种情况下，发现当压力保持在7毫巴时，晶片刚好从倒数第二个凸起环9释放，但仍然由最后一个凸起环10支撑，由此形成稳定的状态。在7和3.5毫巴之间，晶片绕外部支撑点旋转。在3.5毫巴，真空压力变得很低，以保持晶片推到最后一个凸起上。然后晶片从台上释放，推顶销力变为等于晶片重量。为了得到对损耗能量的数量测定，需要下面的信息：正交接触力(normal contact force)；滑移力，根据摩擦系数和正交接触力；以及滑移距离，根据晶片旋转。
对于施加的12牛顿的推顶销力，发现在该过程的碗形部分的开始处，最后一个凸起环上的晶片边缘接触力也是12牛顿。并且发现在碗形末端的晶片旋转为5mrad。这里假定摩擦系数是0.2。图7示出接触力和晶片旋转之间的关系：当晶片旋转到5mrad时，接触力从12牛顿降到零。在最后一个凸起环外1mm处，对于5mrad的旋转，晶片偏斜超过5μm。当真空密封在凸起下面3μm处时，真空密封将成为旋转过程的60％中的接触点。可以知道，改变外边缘的高度将影响传递到凸起10的外环上或者密封边缘11上的能量。因此，在密封边缘11位于凸起10的外环下面3μm处的实施例中，外凸起环10消耗60％的摩擦能量，密封边缘11消耗40％。
在用于计算对应6牛顿情况的摩擦能量的程序中，发现在外边缘11上消耗的能量为零，而凸起10的外环所吸收的能量仅为12牛顿产生的能量的25％，实际上相对于施加的力，能量是二次的(quadratic)。计算一系列匹配(adaptation)，其中尤其是改变一些参数，如外边缘的高度，保护性边缘元件13的存在以及作用力。结果总结在下面表中：
设计描述 估算的损耗能量[2.05uJ部分](对应0.2的摩擦系数)
外凸起环 密封边缘 保护性边缘 总计
12牛顿推顶销力，密封边缘降低5μm， 84％ 16％ - 100％
6牛顿推顶销力，密封边缘降低1μm， 25％ 0％ - 25％
12牛顿推顶销力，密封边缘降低1μm， 35％ 65％ - 100％
保护性边缘，降低1μm，在最后一个凸起外3mm 12％ - 88％ 100％
根据该表，很明显为了利用施加于基底保持器的释放力，更特别地是施加于在平坦位置处保持晶片的保持区域的释放力，从所述保持器释放所述基底，可以采用许多设计步骤，该释放力在最后释放之前被减小。在实际的生产过程中，所述释放力和/或所述释放高度可以按照重复的方式在过程中确定。以这种方式，在高生产量的光刻过程中，可以很容易地和快速地得到施加于晶片的释放力的量，而不会对晶片保持器产生不必要的损坏。此外，根据最近在过程中施加的释放力和/或释放高度，可以确定所述释放力和/或所述释放高度。例如，在分批生产中，其中在随后的光刻过程中一批晶片从晶片保持器弹出，这种方法可以包括一弹出程序，该程序根据最近的结果的平均释放力弹出晶片。这种最近的结果，例如最近十个结果的统计平均值，将提供最佳的推断值(heuristic value)，同时保持对晶片的损坏最小。这样，仅仅是在特别的情况，为了释放用大于平均的夹紧力夹紧到晶片保持器上的晶片，例如由于粘附或其他非一般的情况，必须在随后的重复步骤中施加大于平均的释放力，例如预置的最大释放力。
以这种方式，在释放晶片的过程中，为分批生产降低施加的平均过剩摩擦能量，这样明显减少了在基底保持器上的损耗。
尽管在上面已经描述了本发明的各个具体实施方式，但是应该明白本发明可以按照不同于所述的方式实施。说明书不意味着限制本发明。

Claims (14)

1.一种光刻投影装置，包括：
-用于提供辐射投影光束的辐射系统；
-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；
-用于保持基底的基底保持器，所述基底保持器配有提供夹持力的装置，用于将基底压靠在所述基底保持器上；
-用于施加抵抗所述夹持力的释放力以使所述基底从所述基底保持器上释放的释放装置；
-用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统；
其特征在于
-所述光刻投影装置包括用于施加释放力的控制器，所述释放力在最后释放之前被减小。
2.根据权利要求1的光刻投影装置，其中对所述释放力进行控制，使最后释放时的释放力小于最大释放力的70％。
3.根据权利要求2的光刻投影装置，其中相对释放装置的预置释放高度来控制所述释放力。
4.根据权利要求1至3中任一项权利要求的光刻投影装置，其中选择所述释放力，以产生2mrad的最大偏转角。
5.根据权利要求3或4的光刻投影装置，其中200mm基底的预定释放高度小于1.0mm，优选小于0.5mm。
6.根据前面任一项权利要求的光刻投影装置，其中所述基底保持器包括用于吸收损耗能量的保护性边缘。
7.根据前面任一项权利要求的光刻投影装置，其中所述基底保持器包括多个突起，其末端确定支架的一个基本上平的平面，用于支撑基本上平的基底。
8.一种光刻投影装置，包括：
-用于提供辐射投影光束的辐射系统；
-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；
-用于保持基底的基底保持器，所述基底保特器配有提供夹持力的装置，用于将基底压靠在所述基底保持器上；
-用于施加抵抗所述夹持力的释放力以使所述基底从所述基底保持器上释放的释放装置；
-用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统；
其特征在于
-所述基底保持器包括用于吸收损耗能量的保护性边缘。
9.一种器件制造方法，包括以下步骤：
-提供至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料的基底；
-提供用于将所述基底压靠在基底保持器上的夹持力；
-利用辐射系统提供辐射的投影光束；
-利用构图装置赋予投影光束带图案的横截面；
-将带图案的辐射光束投影到辐射敏感材料层的目标部分上；
-施加释放力，从而抵抗所述夹持力使所述基底从所述基底保持器释放；
-控制所述释放装置，从而施加一释放力，该释放力在最后释放之前减小。
10.根据权利要求9的方法，其中所述方法包括相对释放装置的预置释放高度控制所述释放装置的步骤。
11.根据权利要求10的方法，其中以重复的方式在过程中确定所述释放力和/或所述释放高度。
12.根据权利要求10或11的方法，其中根据最近在过程中施加的释放力和/或释放高度，确定所述释放力和/或所述释放高度。
13.一种器件制造方法，包括以下步骤：
-提供至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料的基底；
-提供用于将所述基底压靠在基底保持器上的夹持力；
-利用辐射系统提供辐射的投影光束；
-利用构图装置赋予投影光束带图案的横截面；
-将带图案的辐射光束投影到辐射敏感材料层的目标部分上；
-施加释放力，从而抵抗所述夹持力使所述基底从所述基底保持器释放；
-以重复的方式在过程中确定所述释放力和/或释放高度。
14.根据权利要求10或11的方法，其中根据最近在过程中施加的释放力和/或释放高度，确定所述释放力和/或所述释放高度。
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