CN1445605A - 一种制造器件的方法，所制造的器件及平版印刷装置 - Google Patents

Abstract

提供一种制造器件的方法，用于进行逐场多次曝光。这样，能够照射基片的每一靶部(或场)而保持高覆盖层精度。可选择地，当每一靶部以相同方式曝光时，在基片上可得到图案尺寸的高再现性。另外，提供用于支撑多个掩膜的掩膜台，在掩膜台上掩膜以基本上垂直扫描方向的方向并排布置。这样布置能够使逐场多次曝光不损失产量。

Description

一种制造器件的方法，所制造 的器件及平版印刷装置

本发明的实施例涉及一种制造器件的方法包括步骤：

提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基片；

利用辐射系统提供辐射的投射光束；

提供由支撑结构支撑的第一和第二图案形成装置；

利用第一和第二图案形成装置其中之一来给出在投射光束的横截面上具有图案的投射光束；

在具有辐射敏感层材料的靶部上投射辐射的图案光束；

这里使用的术语“图案形成装置”应广意地解释为能够用于使入射的辐射光束具有形成图案的横截面的相关装置，所述图案与在基片的靶部上形成的图案一致；术语“光阀”也在上下文中使用。一般地，所述图案与形成在靶部中的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。例如这种图案形成装置包括：

掩膜，掩膜的概念在平版印刷中是公知的。它包括如二进制，可替换的相移，和衰减的相移类型，以及各种混合掩膜类型。在辐射光束中这种掩膜的布置使辐射入射到掩膜上，根据掩膜上的图案，可产生透射(在透射掩膜的情况中)或者反射(在反射掩膜的情况中)。在掩膜的情况下，支撑结构一般是一个掩膜台，它能够保证掩膜被支撑在入射辐射光束的理想位置，并且如果需要它会相对光束移动。

可编程透镜阵列，这种设备的一个例子是一个具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置后面的理论基础是(例如)反射表面的可寻址区域反射入射光作为衍射光，而非可寻址区域反射入射光作为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，在后面只保留衍射光；在这种方式中，光束根据矩阵可寻址表面的可寻址图案产生图案。该所需的矩阵寻址可以用适当的电子装置完成。关于这种透镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和美国专利US5,523,193中获得，它们在这里引入作为参照。在可编程透镜阵列的情况中，所述支撑结构可以由框架或者工作台具体实现，例如，所述结构可以根据需要固定或者移动。

可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它们在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以由框架或者工作台具体实现，例如，所述结构可以根据需要固定或者移动。

为简单的目的，本文的其余部分可以，在确定位置，具体地说明其自身的包括掩膜和掩膜台的实例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应被看作在如上所述程控图案形成装置的较宽范围中。

平版印刷投影装置可以用于例如集成电路(ICs)的制造。在这种情况下，图案形成装置可产生与单层IC一致的电路图案，该图案可以成像在已涂覆辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基片(硅薄膜)的靶部上(例如包括一个或者多个模具(die))。一般地，单一的薄膜将包含相邻靶部的整个网格，该靶部由投影系统逐次辐射一次一个。在目前的装置中，通过掩膜台上的掩膜应用的图案形成方式，可以区分两种不同类型的机器。平版印刷装置的一种类型是，通过一次曝光靶部上的全部掩膜图案辐射每一靶部；这种装置通常称作圆片分档器。另一种装置--通常称作分布扫描装置--通过在投射光束下，以给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩膜图案辐射每一靶部，同时以平行或者非平行该方向同步扫描基片台；因为，通常，投影系统有一个放大系数M(通常M＜1)，因此在所扫描的基片台处的速度V是在此所扫描掩膜台速度的系数M倍数。关于这里描述的平版印刷器件的更多信息。可以从例如美国专利US6,046,729中获得，这里作为参考引入。

在用平版印刷投影装置制造方法中，图案(例如在掩膜中)成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基片上。在这种成像步骤之前，基片可进行各种工艺，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，基片可进行其它的工艺，如后曝光烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。这一系列工艺用作器件单层图案的基础，例如一IC。这种图案层然后可进行任何不同的处理如蚀刻，离子注入(掺杂)，镀金属，氧化，化学-机械抛光等，完成所有预计处理形成一单层。如果需要多层，那么为一新层将重复全部步骤，或者它们的变化。最终，器件阵列在基片(薄膜)上出现。然后这些器件通过切割或锯断技术互相分离，自此单个器件可以安装在载体上，以管脚连接等。关于这些步骤的进一步信息可从例如“微型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide to Semiconductor Processing)”一书第三版中获得，该书作者为Peter van Zant，并由McGraw Hill出版公司于1997年出版，ISBN 0-07-067250-4，这里作为参考引入。

为了简单的缘故，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广意地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵，整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，平版印刷装置可以具有两个或者多个基片台(和/或两个或者多个掩膜台)。在这种“多级式”器件中，附加台可以并行使用，或者准备步骤可以在一个或者多个台上进行，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级平版印刷装置，这里作为参考引入。

在平版印刷中，将图案形成装置上的图案的较小特征或者线投射到基片上变得越来越重要。一种减小图案尺寸的方法是用比目前在商业使用的平版印刷装置使用的波长具有短波长的辐射。另一减小图案尺寸的方法是利用扩展的技术偶极照射的多次曝光。通过使用偶极照射，只有在具体方向上的图案被投射在基片上，其精度比用传统照射模式如环形或者四极照射的精度相对较高。

由于带有偶极照射的曝光一般只在一个方向制成较小图案，因而图案形成装置的图案必须被分离成两个图案。一般地，这些图案被放在两个图案形成装置上，因此，第一图案形成装置只包括在第一方向上的图案，例如在水平方向，第二图案形成装置包括在基本上与第一方向垂直的第二方向延伸的图案，例如垂直方向。水平和垂直方向都在图安定平面内。通过首先投射的水平图案和随后投射的垂直图案，所有图案尺寸将比用传统照射模式如倾斜或者四极照射整个图案的曝光(包括水平和垂直图案)小。

在第一图案曝光和第二图案曝光之间，第一和第二图案形成装置必须交换，需花费时间和降低产量。为了提高产量，通常优选用第一图案形成装置曝光整批基片(包括两个或多个基片)，然后用第二图案形成装置曝光同一批的基片。这一优点是第一和第二图案形成装置在整批基片中仅需要交换两次。因此，这两次交换由整批基片分享。

另一方法是用第一图案形成装置曝光第一基片，随后在曝光第二基片前用第二图案形成装置曝光相同基片。在这种情况下，图案形成装置对于每个基片都交换两次，当然，产量低于相对在每一整批基片中交换图案形成装置两次的产量。在欧洲专利EP0855 623A2中，提出在一掩膜台上放置两个掩膜，因此掩膜沿扫描方向以线形布置-扫描方向是在基片的曝光期间由投射光束扫描在掩膜上的图案的方向。通过使用这种布置，用第一掩膜上的图案在整个基片上的每一靶部曝光，随后用第二掩膜上的图案在整个基片上的每一靶部曝光。当第一和第二掩膜设置在掩膜台上时，掩膜交换比用仅包括单个掩膜的掩膜台的掩膜交换速度快。因此，降低进行掩膜交换所需时间，提高产量。

对于多次曝光在上述现有方法中，由于至少一个整个基片在用第二图案形成装置曝光处理之前用第一图案形成装置曝光时，因而在第一和第二曝光之间的时间相对要长。因此，基片的温度在第一和第二图案形成装置曝光期间可以是不同的，因为，例如，在基片周围的环境例如周围的空气或者基片台的温度变化。由于不同温度通常引起基片的膨胀或者收缩，因而第二图案形成装置在基片(也称为覆盖层)上投射图案的位置相对第一图案形成装置投射的图案可能偏移。偏移的程度由覆盖层的精度限定；大的偏移导致低的覆盖层精度并且反之亦然。基片的温度变化在第一和第二图案形成装置之间的曝光可导致低的覆盖层精度，当然高的覆盖层精度是理想的。

本发明的目的是提供一种用多次曝光制造器件的方法，随之产生改进的覆盖层精度。

根据开始段落限定的制造器件的方法可实现上述和其它目的，其特征在于所述方法进一步包括如下步骤：

在靶部上投射第一图案形成装置上的第一图案和

随后在同一靶部上投射第二图案形成装置上的第二图案。

在这种方法中，在曝光其它靶部之前用两个图案形成装置曝光靶部。因此，在靶部上投射第一和第二图案之间的时间最短。由于在第一和第二曝光之间的时间最短，基片温度变化的影响也减少。因此，减小在第一和第二曝光期间在所投射图案的位置之间的偏移并且提高覆盖层的精度。

在每一靶部上以相同顺序曝光第一和第二掩膜是另一优选例。由于辐射敏感层的本征特性，作为不同的曝光顺序可在图案尺寸上引起差别或者覆盖层问题，通过根据相同顺序照射每一靶部可提高每一靶部图案的再现性。

利用能够支持两个图案形成装置的支撑结构是另一优选例。在支撑结构上的两个图案形成装置以基本上与扫描方向垂直的方向并排布置。由于这种布置，可执行的方法包括步骤：

在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构增速；和

在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或增速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向反方向一致的位置上。

使用上述方法，在第一图案曝光后，支撑结构移动以使第二图案在第一次曝光后能够立即曝光。在传统的平版印刷装置中仅用一个图案形成装置，在靶部上曝光所述装置上的图案此时用一恒定的速度扫描。在曝光后，为了在另一靶部上曝光图案，支撑结构减速，停止并且在与扫描方向相反的方向上加速到所述速度。在本发明的方法中，支撑结构进行减速和/或加速的期间在垂直扫描方向的方向上移动，因此在加速步骤后使第二图案能够立即曝光。在这种方式下，当减速和加速必须以任何方式同行时不需要额外时间交换图案形成装置，如上所述，本方法提供一种具有高覆盖层精度和不损失任何产量的进行多曝光的方式。

根据本发明的另一方面提供一种平版印刷投射装置包括：

用于提供辐射投射光束的辐射系统；

用于支撑至少两个图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置根据理想的图案产生图案投射光束；

用于支撑基片的基片台；

用于将图案的光束投射到基片的靶部上的投射系统，其特征在于

在支撑结构上的图案形成装置以基本上与扫描方向垂直的方向并排布置。

根据本发明Ics的制造，尽管本装置的使用在本说明书可进行具体参考，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于集成光学系统的制造，为磁畴存储器，液晶显示板，薄膜磁头等引导和检测图案。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的申请的范围中，在说明书中任何术语“分划板”或者“掩膜”，“薄膜”或者“模具”的使用应认为分别可以由更普通的术语“图案形成装置”，“基片”和“靶部”代替。

在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含电磁辐射的所有类型，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm波长)和EUV(极端紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。

现在仅提供举例的方式，参照附图描述本发明的实施例，其中：

图1表示平版印刷投射装置；

图2表示根据本发明实施例提供两个掩膜的掩膜台；

图3是根据本发明实施例包括步骤A，B，C和D的用于多次曝光的第一方法的示意图，和

图4是是根据本发明实施例包括步骤A，B，C和D的用于多次曝光的第二方法的示意图。

在图中相同的参照标记表示相同的部分。

实施例1

图1是根据本发明具体实施例示意地表示平版印刷投射装置。该装置包括：

一个辐射系统Ex，IL，用于投射辐射光束PB(例如UV辐射)，在这种具体例子中，还包括一辐射源LA；

第一目标台(掩膜台)MT掩膜一个掩膜支撑器用于支持第一和第二掩膜MA1和MA2(例如分划板)，并连接到用于使相对单元PL精确定位的第一定位装置。

第二目标台(基片台)WT提供一个基片支撑器为了支撑基片W(例如涂敷抗蚀剂的硅薄膜)，和与用于将基片相应信息单位PL精确定位的第二定位装置连接。

投射系统(“镜头”)PL(例如衍射或者反折射系统，透镜组或者向偏转器阵列)用于将掩膜MA1或MA2的照射部分成像在基片W的靶部C(例如包括一个或多个模具)上。

如这里指出的，该装置属于透射型(例如具有透射的掩膜)。可是，一般地，它还可以是反射型，例如(例如具有反射掩膜)。另外，该装置可以利用其它种类的图案形成装置，如上面提到的手编程透镜阵列型。

源LA(例如汞灯，准分子激光器，在储存环或者同步加速器中设置在电子束的路径周围的波纹机或者摆动器，等离子源产生的激光，放电源或者电子来源或离子束源)产生辐射光束。该光束入射到照射系统(照射器)IL，或者直接或在横向调节装置后，如扩束器Ex，再照射到照射系统上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的靶外和/或靶内辐射量(通常分别称为σ靶环外和σ靶内)。另外，一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。在本方式中，照射到掩膜MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。

应该注意关于图1中的源LA可以置于平版印刷投射装置的壳体中(例如当源LA是汞灯时经常是这种情况)，但源LA也可以远离平版印刷投射装置，由其产生的辐射光束被引导向该装置(例如，借助于适当引导透镜)；当源LA是准分子滤光器时通常是后面的方案。本发明和权利要求包含这两种方案。

然后光束PB与支撑在掩膜台MT上的掩膜MA1(或MA2)相交。具有横向的掩膜MA1，光束PB通过透镜PL，将光束PB聚焦在基片W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基片台WT可以精确地移动，例如将不同的靶部C定位于光束PB的光路中。类似地，第一定位装置可以用于相对光束PB的光路精确定位掩膜MA1，例如从掩膜库中机械修正掩膜MA1后或在扫描期间。一般地，目标台MT，WT的移动，借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精确定位)实现，它们没有明确表示在图1中。

所表示的装置能以两种不同方式使用：

1.同步方式，掩膜台MT基本保持不动，整个掩膜图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。基片台WT然后以x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。

2.扫描方式，基本保持使用相同方式，除了所给的靶部C不以单“闪”来曝光。由在给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动掩膜台MT来代替，以使投射光束PB扫描整个掩膜图像；同时，基片台WT在相同或者相反的方向以速度V＝Mv同步移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相对较大的靶部C，而没有牵连分辨率。

图2表示用于支持第一和第二掩膜MA1，MA2的掩膜台MT。如上所述。为多次曝光的目的能够利用这种掩膜台。如果使用设定的偶极照射，那么只有在特定方向上的图案，例如水平或垂直方向能够被成像具有小的图案尺寸，即较小的临界尺寸。一般地，所投射图案的水平和垂直图案在两个不同掩膜MA1，MA2上分离。

水平和垂直图案必须以两个曝光步骤曝光。在多次曝光的方法中，重要的是在不同掩膜上图案的覆盖层和在基片上这些图案的临界尺寸的再现性。为此目的，两个掩膜MA1，MA2在曝光下一靶部前且在其中-1掩膜图案投射叫靶部之后必须立即投射另一个掩膜图案；本方法还可以称作逐场双曝光。

在连续扫描装置中，为了适应具有相对高覆盖层精度的逐场双曝光方法，在双曝光期间所采取的步骤必须仔细挑选。一个方法是图3所示的示意图。在步骤A中，掩膜MA1(它是静止的)首先被加速到理想的速度。当达到所需要的恒定速度时，将掩膜MA1曝光并且投射到基片上的第一靶部。掩膜台MT的移动方向称为扫描方向。在曝光掩膜MA1后，掩膜台MT继续以相同速度移动，并通过掩膜MA2，然后台MT减速并完全停止。该步骤在步骤B中用箭头表示。在步骤C中台MT首先被加速到理想的速度，接着，在该速度下，以与扫描方向相反的方向照射掩膜MA2。在掩膜MA2上的图案被投射到如上述在步骤A照射的相同的靶部上。在掩膜MA2的曝光之后，掩膜台MT继续以恒定速度移动并且通过掩膜MA1与步骤B相似。在通过掩膜MA1后，掩膜台减速并停止。现在可以在第二靶部上重复步骤A到D。

同时，当步骤B在掩膜平面继续前进时，基片台WT(图1所示)刚减速并停止。此后，在基片上的第一靶部与步骤C一致且同步地被反向照射。在步骤D期间，基片台WT根据步骤的上述循环从照射第二靶部的位置移动到理想位置后，其减速并停止。

当覆盖层的精度还依赖掩膜或者基片的位置精度时，掩膜和基片的移动可能引起位置误差。当在掩膜平面上的位置误差通过投射镜头的放大在基片平面上被逐步减小时，在基片平面上的位置误差一般相对较大。其中投射镜头的放大率通常是1/4或者1/5。换句话说，基片台WT的移动必须进行4或5次才比在掩膜平面的移动更精确。因此，优选为在基片平面移动的次数和范围达到最小。上述方法能够使基片的移动最小，因此只引起相对小的覆盖层误差。

用上述的方法，显然，从掩膜MA1到MA2(反之亦然)的交换花费时间，如在步骤B和D中掩膜台的移动比传统仅用一掩膜重复曝光需要附加时间。这不可避免地导致产量的损失。在另一实施例中提出一方法，其中每一靶部用两个掩膜照射没有任何产量的损失。

本发明的第二实施例，除了下面所述其余与第一实施例相同的部分，示于图4中。在这种情况下，掩膜台MT上支持的掩膜MA1，MA2以基本上垂直于扫描方向的方向并排布置。在该方式中，进行不同于第一实施例的步骤B是可能的。当掩膜MA1曝光后掩膜台直接减速，掩膜台MT同时移动到掩膜MA2(图4中向下移动)。为了达到掩膜MA2能够被照射和投射到靶部上的理想位置继续移动掩膜MA2。(以与扫描方向相加速掩膜台到曝光反的方向)，必须到达理想位置(在掩膜MA2曝光之前)。上述移动在图4步骤B中用箭头示意性地表示。类似地，执行步骤D能够进行掩膜台的定位，以允许掩膜台一加速到所需的恒定速度，第一掩膜就立即曝光。

在扫描方向在减速或者加速期间，掩膜台在基本上垂直扫描方向的方向上的移动可以在任何阶段进行。该移动可以开始和完成在减速期间或者其可以开始和完成在加速期间。最优选是移动在掩膜台减速期间开始并且在掩膜台加速期间截止，因为，在本方式中在移动期间由于快速的加速或者快速的减速，施加于掩膜台上无益的和不良的冲击或者振动减至最小。

当移动到用于掩膜MA2曝光的正确位置同时减速或者加速台MT时，与传统的仅用一掩膜图案重复曝光相比不需要附加用于交换掩膜的时间。因此，可以保持高产量。

尽管上述描述了仅包括两个掩膜的掩膜台，但是可以预期包括多个掩膜的掩膜台或者包括相对大的至少包括两个图案的掩膜的掩膜台，所述图案在尺寸上与第一和第二掩膜之一的图案相似。如上所述已经描述本发明的具体实施例，可以理解本发明除上述之外，可以在其它方面进行实践，本说明不作为本发明的限定。

Claims (30)

1.一种制造器件的方法包括步骤：

提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基片；

利用辐射系统提供辐射的投射光束；

提供由支撑结构支撑的第一和第二图案形成装置；

利用第一和第二图案形成装置其中之一使在投射光束在其横截面上形成图案；以及

在具有辐射敏感材料层的靶部上投射辐射的图案光束；

其特征在于步骤：

在靶部上投射第一图案形成装置上的第一图案；和

在另一靶部上投射第一和第二图案之前随后在同一靶部上投射第二图案形成装置上的第二图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于当以扫描方向扫描所述第一图案时，投射第一图案，随后当以所述扫描方向的反方向扫描所述第二图案时投射第二图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于以基本上垂直扫描方向的方向在支撑结构上并排布置第一和第二图案形成装置。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于以基本上垂直扫描方向的方向在投射的第一图案和投射第二图案之间移动支撑结构。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括

在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构加速；和

在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或加速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向相反的方向一致的位置上。

6.根据上述任意一个权利要求所述的方法，其特征在于辐射系统提供偶极照射。

7.根据上述任意一个权利要求所述方法制造的器件。

8.一种制造器件的方法包括：

提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基片；

利用辐射系统提供辐射的投射光束；

提供一个图案形成装置，所述装置支持在支撑结构上，具有第一图案和第二图案；

利用图案形成装置使投射光束在其横截面上形成图案；

在具有辐射敏感材料层的靶部上投射辐射的图案光束；

其特征在于步骤：

在靶部上投射图案形成装置上的第一图案；和

在另一靶部上投射第一和第二图案其中一前随后在同一靶部上投射图案形成装置上的第二图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于当以扫描方向扫描所述第一图案时，投射第一图案，随后当以所述扫描方向的反方向扫描所述第二图案时投射第二图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于以基本上垂直扫描方向的方向在支撑结构上并排布置第一和第二图案形成装置。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于以基本上垂直扫描方向的方向在投射第一图案和投射第二图案之间移动支撑结构。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括

在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构加速；和

在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或增速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向相反的方向一致的位置上。

13.根据上述权利要求8-12中任意一个权利要求所述的方法，其特征在于辐射系统提供偶极照射。

14.根据上述权利要求8-13任意一个权利要求所述方法制造的器件。

15.一种平版印刷投射装置包括：

用于提供辐射投射光束的辐射系统；

用于支撑至少两个图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置根据理想的图案产生图案投射光束；

用于支撑基片的基片台；

用于将图案的光束投射到基片的靶部上的投射系统，其特征在于

装置被构成并布置成在靶部上投射在第一图案形成装置上的第一图案；和

装置被构成并布置成随后在另一靶部上投射第一和第二图案之一之前，在相同的靶部上投射在第二图案形成装置上的第二图案。

16.根据权利要求15的装置，其特征在于装置被构成并布置成当以扫描方向扫描所述第一图案时，投射第一图案，随后当以所述扫描方向的反方向扫描所述第二图案时投射第二图案。

17.根据权利要求16的装置，其特征在于在支撑结构上的第一和第二图案形成装置以基本上垂直扫描方向的方向并排布置。

18.根据权利要求17的装置，其特征在于装置被构成并布置成以基本上垂直扫描方向的方向在第一图案的投射和第二图案的投射之间移动支撑结构。

19.根据权利要求17的装置，还包括

定位装置构成并布置成在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

定位装置构成并布置成在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构加速；和

其中装置被构成并布置成在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或加速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向相反的方向一致的位置上。

20.根据上述权利要求15-20中任意一个权利要求所述的装置，其特征在于辐射系统提供偶极照射。

21.一种平版印刷投射装置包括：

用于提供辐射投射光束的辐射系统；

用于支撑具有第一图案和第二图案的图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置根据理想的图案产生图案投射光束；

用于支撑基片的基片台；

用于将图案的光束投射到基片的靶部上的投射系统，其特征在于

装置被构成并布置成在靶部上投射在第一图案形成装置上的第一图案；和

装置被构成并布置成随后在另一靶部上投射第一和第二图案之一之前，在相同的靶部上投射在图案形成装置上的第二图案。

22.根据权利要求21的装置，其特征在于装置被构成并布置成当以扫描方向扫描所述第一图案时，投射第一图案，随后当以所述扫描方向的反方向扫描所述第二图案时投射第二图案。

23.根据权利要求22的装置，其特征在于在支撑结构上的第一和第二图案以基本上垂直扫描方向的方向并排布置。

24.根据权利要求23的装置，其特征在于装置被构成并布置成以基本上垂直扫描方向的方向在第一图案的投射和第二图案的投射之间移动支撑结构。

25.根据权利要求23的装置，还包括

定位装置构成并布置成在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

定位装置构成并布置成在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构加速；和

其中装置被构成并布置成在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或加速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向相反的方向一致的位置上。

26.根据上述权利要求21-25中任意一个权利要求所述的装置，其特征在于辐射系统提供偶极照射。

27.一种平版印刷投射装置包括：

用于提供辐射投射光束的辐射系统；

用于支撑至少两个图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置根据理想的图案产生图案投射光束；

用于支撑基片的基片台；

用于将图案的光束投射到基片的靶部上的投射系统，其特征在于

在支撑结构上的图案形成装置以基本上与扫描方向垂直的方向并排布置。

28.根据权利要求27的装置，其特征在于装置被构成并布置成当以扫描方向扫描所述第一图案时，投射第一图案，随后当以所述扫描方向的反方向扫描所述第二图案时投射第二图案。

29.根据权利要求27的装置，其特征在于装置被构成并布置成以基本上垂直扫描方向的方向在第一图案的投射和第二图案的投射之间移动支撑结构。

30.根据权利要求27的装置，还包括

定位装置构成并布置成在第一图案的投射后在扫描方向使支撑结构减速；

定位装置构成并布置成在第二图案的投射之前在扫描方向的反方向使支撑结构加速；和

其中装置被构成并布置成在基本上垂直扫描方向的方向上在减速和/或加速支撑结构期间移动支撑结构，以使第二图案置于与扫描方向相反的方向一致的位置上。

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