CN1538243A - 投影系统及利用该投影系统的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种投影系统，包括至少一个投射装置(10)，该投影装置设置为接收来自第一物体(MA)的投射光束(PB)，并将该投射光束投射到第二物体(W)上。投影系统(PL)进一步包括传感器(11)，该传感器用于测量至少一个投射装置(10)的空间定向。投影系统(PL)包括处理单元(40)，该处理单元设置为与至少一个传感器(11)相连。处理单元(40)进一步设置为与定位装置(PW，PM)连接，定位装置设置为根据测得的至少一个投射装置(10)的空间定向来调整第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置。

Description

投影系统及利用该投影系统的方法
技术领域
本发明涉及一种投影系统，包括至少一个投射装置，该投射装置设置为接收来自第一物体的投射光束并将该投射光束投射到第二物体上。投影系统进一步包括至少一个传感器，用于测量至少一个投射装置的空间定向。
本发明进一步涉及一种利用这种投影系统的方法。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被投影(在投影掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用远紫外光的情况下，基于本领域的技术人员公知的原因，只能使用反射掩模。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；以及
■可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般地，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投射装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或步进重复装置(step-and-repeat)。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投射装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC(集成电路)的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A PracticalGuide to Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、成形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
上述投影系统通常包括一个或多个例如六个投射装置，如透镜和/或反射镜。投射装置使投射光束穿过投影系统，并将其引导至目标部分。如果投射光束是EUV辐射，那么为了投射该投射光束应该使用反射镜来代替透镜，因为透镜对于EUV辐射不是透明的。
当使用远紫外投射光束来投射相对较小的图案时，对投影系统精度的要求相当高。例如，假定光学光路为1m，那么以倾斜误差为1nrad设置的反射镜会导致晶片上大约4nm的投影误差。
用于投射远紫外投射光束的投影系统包括例如6个反射镜。通常反射镜之一具有固定的空间定向，而其他五个安装为带活动支座。活动支座上的致动装置可以是洛伦兹电动机(Lorentz motor)，压电，气动执行机构或其他类型。这些支座优选可以为每个反射镜使用6个自由度的洛伦兹发动机从而在六个自由度(6-Dof-支座)上调整反射镜的定向。投影系统进一步包括例如通过测量投射装置相对于投影系统的位置而测量投射装置空间定向的位置传感器。
利用悬浮频率在10和100Hz之间的中间软性安装设备将投影系统安装到固定区域(world)，例如测量框架(metro frame)，通常使用30Hz的安装设备。这样做使投射光束稳定，并使其与来自测量框架环境的振动和扰动以及来自邻近系统的扰动隔离。由于这种安装，几乎完全滤除30Hz以上的不需要的高频扰动。但是，频率大约为30Hz的扰动不会被安装装置阻挡，甚至会被放大。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种投影系统，该系统对振动和扰动不太敏感。根据本发明上述和其他目的在一投影系统中实现，其特征在于，投影系统包括至少一个处理单元，其设置为与至少一个传感器连接，至少一个处理单元进一步设置为与定位装置连接，定位装置设置为根据测得的至少一个投射装置的空间定向来调整第一和第二物体中至少一个的位置。这种投影系统设置为补偿在投射装置的定位中的误差。优选测量相对于光学参考系如投影系统的空间定向。并且优选测量第一和第二物体相对于该投影系统的位置。这样，可以通过使来自投射装置的信号应用于伺服电动机来补偿不需要的扰动如振动，该伺服电动机控制第一和/或第二物体的位置。
根据本发明的另一个实施方案，处理单元进一步设置为与另一个定位装置连接，该定位装置设置为根据测得的至少一个投射装置的空间定向来调整至少一个投射装置的空间定向。这确保用于补偿测量误差的甚至更精确和更完备的系统。
根据本发明的另一个实施方案，投影系统设置为根据调整至少一个投射装置的空间定向之后的残差来调整第一和第二物体中至少一个的位置。这样一种装置甚至可以更有效地补偿误差。
根据本发明的另一个实施方案，处理单元设置为根据在第一频率范围内测得的至少一个投射装置的空间定向来调整第一和第二物体中至少一个的位置，并且设置为根据在第二频率范围内测得的至少一个投射装置的空间定向来调整至少一个投射装置的空间定向。这对于投射装置的致动装置以及第一和第二物体具有不同的工作频率范围的情况特别有用。
根据本发明的另一个实施方案，至少一个投射装置包括至少一个反射镜和透镜。一般使用这种投射装置。尤其在使用远紫外辐射的情况下，利用反射镜投射光束。
根据本发明的另一个实施方案，将至少一个投射装置安装在安装设备上，该安装设备设置为在至少一个到六个自由度上激励至少一个投射装置。这提供了具有最佳活动自由的投射装置。
根据本发明另一个实施方案，投射光束是远紫外辐射束。远紫外辐射束特别用于需要投射非常精密的图案的情况中。在这种情况中，对于将图像精确投影的要求也非常高。
根据本发明的另一个实施方案，至少一个处理单元进一步设置为与至少一个其他传感器连通，从而确定第一和第二物体中至少一个的位置，优选确定相对于投影系统的位置。需要这一信息来甚至更精确地定位第一和第二物体。
根据本发明的另一个实施方案，至少一个处理单元包括I/O设备，微处理器和存储设备。这种处理单元可以例如是计算机，其提供对于处理数据和激励定位装置的一种容易而节省成本的方式。
本发明进一步涉及一种利用投影系统的方法，包括至少一个投射装置，该投射装置设置为接收来自第一物体的投射光束并将该投射光束投射到第二物体上，投影系统进一步包括至少一个传感器，该传感器用于测量至少一个投射装置的空间定向，该方法包括
-用至少一个传感器测量至少一个投射装置的空间定向，
-确定至少一个投射装置的空间定向的定向误差，
-根据至少一个投射装置的空间定向的定向误差来计算投射到第二物体上的图像的投影误差，
-为了使所述投影误差最小，调整第一和第二物体中至少一个的位置。
根据另一个实施方案，该方法包括应用传输图像传感器，同时利用投射到第二物体上图像的计算出的投影误差，从而提高第一物体相对第二物体在一至六个自由度上的经校准的对准精度。
这种传输图像传感器(TIS)的使用有利地用于得到第一和第二物体之间的精确对准。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这种装置可能具有许多其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，以及粒子束，如离子束或电子束。
附图说明
现在仅仅通过例子的方式，参考随附的示意图说明本发明的各个具体实施方式，在附图中对应的参考标记表示对应的部件，其中：
图1示出其中可结合本发明投影系统的光刻投射装置；
图2示出根据在先技术的投影系统；
图3a和3b示出根据本发明不同实施方式的投影系统；
图4示出可以用在根据本发明的投影系统中的处理单元。
具体实施方式
图1示意性地表示了根据光刻投射装置一具体实施方案的一光刻投射装置1。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；
投射系统(“镜头”)PL(例如用于EUV辐射的反射镜)或者将掩模MA的受辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯(die))上。
如这里指出的，该装置属于投影型(例如具有投影掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如反射型(具有反射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的可编程反射镜阵列型。
辐射源LA(例如EUV源)产生辐射光束。该光束直接或在横穿过如扩束器Ex等调节装置后，馈送到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和例如干涉位置测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器的情况下(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。掩膜MA与基底W可以使用掩膜对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是给定的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，以使投射光束PB在掩模图像上扫描；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
图2示出如上面已经讨论的已知投影系统PL的一个例子。该投影系统PL包括一个或多个通常是六个投射装置10，这里以反射镜示出。投射装置10之一固定安装于投影系统PL的框架上，其他五个投射装置10利用六自由度致动支座(6-DoF-actuated mount)12安装，这些致动支座优选在六个自由度上调整投射装置10的空间定向。致动支座也可以由不活动的DoF和活动的DoF支座的组合构成。投影系统PL整体安装到固定区域(world)，例如通过中间的软性安装设备21整体安装到测量框架(metro frame)20，软性安装设备21具有10和50Hz之间的悬浮频率，通常用30Hz的安装设备21将投影系统PL与测量框架20连接起来。投影系统PL进一步包括传感器11，用以测量投射装置10相对于投影系统PL的框架的相对位置。优选测量投射装置10相对于投影系统PL的定向。
图3a示出根据本发明的投影系统PL，其中相同的参考数字指的是与图2类似的元件。图3a示出在掩模台MT上的掩模MA。投射光束PB由投射装置30产生，这与参考图1讨论的类似。
投影系统PL进一步包括处理单元40，该处理单元设置为与传感器11及六自由度支座(6-DOF-mount)12连接。传感器11可以测量投射装置例如相对于投影系统PL的空间定向，并将测量值传送到处理单元40。
在某种意义上，处理单元40可以设置为具有一个或多个处理器设备的计算机，这对于本领域的技术人员来说是显而易见的，处理单元的实施例示于图4中。处理器单元40包括微处理器42，该微处理器设置为与存储设备43和I/O设备41通信。I/O设备41设置为接收和发送信号。
如图3a所示，处理设备40接收来自光学元件的传感器11的位置输入信号以及掩模台(MT)和晶片台(WT)的输入信号47和48。位置传感器测量光学元件相对于光学参考系，即投影系统PL的位置，所述相对位置会由于扫描力，地板振动或者其他扰动引起测量框架20的振动而受到干扰。
存储器43包括有关每个光学元件所需的理想位置(设定点位置)的信息。所需位置与实际位置或者与传感器位置的任何偏差(＝位置误差)都会产生对于光学元件中致动装置12的校正信号(＝控制信号)。这些校正信号构成处理设备40的输出，该输出以光学元件10与投影系统PL之间的相对位置误差保持尽可能小的这样一种方式来控制光学元件10的致动装置12。可以通过一个或多个位置控制回路来获得这种控制，由于位置误差，速度误差，加速度误差和/或位置误差的时间积分，所述位置控制回路施加反馈控制和前馈控制输出。应用于这种控制回路中的算法时伺服控制领域的技术人员来说是公知的。光学元件10的致动装置12优选是洛伦兹型，但也可以是电磁，压电，气动或其他电动机类型。
如果光学元件10的位置控制回路具有高的位置带宽(positionbandwidth)，那么这种控制可能是足够强有力的，从而可以将每个单独的光学元件10与投影系统PL的相对误差最小化。如果光学元件10具有正确的所需位置，并且如果所有位置误差都足够小，那么所有光学元件10的组合将会产生掩模图案到晶片W的正确的图像。
但是如果扰动很大和/或如果位置带宽不是足够高，那么对于良好成像来说光学元件10的残余位置误差可能太大了。通过将光学元件10的残差馈送到定位装置PM(掩模台)和/或PW(晶片台)之一，可以提高掩模MA投射到晶片W上的图像质量。这种方法在这里称为来自光学元件的误差馈通(errorfeedthrough)。
为了这样做，必须已知每个光学元件10对晶片W上图像的每个位置误差的影响。这种知识，即作为位置误差的函数的图像误差的所谓灵敏度可以预先通过校准步骤获得。如果光学系统具有5面受六自由度(6DOF)控制的活动反射镜，那么结果是具有30个独立的输入和6个输出的灵敏度矩阵，并存储在处理设备40中。输入是光学元件10的各个位置误差。输出是对晶片台WT位置和/或掩模台MT位置的校正。那么灵敏度矩阵包含5×6×6＝180个增益，这些增益形成位置误差对晶片W上图像误差的灵敏度。30个输入和6个输出可以过滤或者也许不会过滤输入/输出数据。然后将加权并过滤的输出增加到晶片台WT和/或掩模台MT的位置传感器信号。
分别用于晶片台WT和掩模台MT的位置传感器48和47可以是如图3a所示的干涉测量装置IF，包括传感器48，47和反射镜49，45。干涉测量装置IF分别测量晶片W，掩模MA相对于投影系统PL的位置。
光学编码器也可以用作位置传感器。晶片W和掩模MA的定位装置或致动装置优选是洛伦兹型，但也可以是电磁，压电，气动或其他电动机类型。
向晶片台WT或掩模台MT的位置传感器增加光学元件10的加权位置误差将进一步减小掩模图案相对于晶片W的最终图像误差。通常光学元件10的位置误差由光学坐标系相对测量框架20的悬浮频率来支配。通常希望具有30Hz频率的位置误差。
位置控制领域的普通技术人员可以容易地计算出晶片台WT的150Hz伺服系统带宽所能给出的近似1/0.3*(30/150)^2＝0.13[-]的缩减量。因此当应用上述误差馈通(error feedthrough)时，在10纳米晶片数量级处的无补偿位置误差仅仅为1.3纳米。
在另一个结构中，光学元件10的加权位置误差没有被增加到形成控制传感器输入的位置传感器48和/或47，但是却作为控制输出被加入到驱动晶片和掩模(分别为PW和PM)的致动装置中。
进一步的改进是利用光学元件10的位置误差信号的二阶导数作为对于晶片W和/或掩模MA的位置回路的加速度前馈信号。
如图3b所示，掩模台MT相对于晶片台的定位也可以由TIS设备50(TIS为传输图像传感器)监视和校准。这种TIS设备50容易被本领域的技术人员理解。
TIS设备50由掩模台MT上的测试标记(test mark)51和附着于晶片台WT的光接收器52构成。来自投射装置30的光将标记图像(marker image)经光学元件10投射到光接收器52。投射的图像是类似3D抛物面的光强度分布。这种强度分布的最大值可以用于找到掩模台MT相对于晶片台WT的最佳的6个DoF调整。如果将传感器11测得的位置误差与(上述)灵敏度矩阵进行加权，并且如果将该结果添加到校准位置信号48和/或该结果对最优的掩模台MT相对于晶片台WT位置坐标形成参考，并与传感器47和48协调，那么也可以大大提高该掩模台MT经TIS设备50相对于晶片台WT对准的精度。
投射装置10的测量误差，即投射装置10的理想空间定向和实际空间定向之间的偏差当然也可以用于调整投射装置10的位置。如上所述，由处理单元40计算的总误差可以用来通过控制致动装置12而调整投射装置10的位置。可以通过调整晶片台WT和/或掩模台MT的位置来补偿这种调整之后残余的误差(残差)，如上面已经描述的。这种残差可以被测量，但也可以根据原始的测量误差以及送到致动装置12的有关补偿信号的知识来确定。
还可以构造代表测量误差的时间信号，并将该时间信号转变为其频率分量。可以通过调整投射装置10的空间定向来补偿确定的频率范围，通过调整晶片台WT和/或掩模台MT的位置来补偿其他的频率范围。
为了实现最优结果，可以利用已知的过滤技术来过滤代表测量误差的测量信号。这样做来控制掩模台的定位装置PM，晶片台的定位装置PW和/或具有在一定频率范围内的信号的投射装置的定位装置12。
应该知道，这里描述的本发明一般可应用于将来自第一物体的投射光束PB投射到第二物体。所述物体可以是各种物体，如第一物体可以是供光刻技术使用的掩模MA，第二物体可以是供光刻技术使用的晶片W。投射光束PB可以是如用于光刻技术中的带图案的投射光束。
尽管上面已经描述了本发明的多个具体实施方式，但是应该知道本发明可以按照不同于所描述的方式实施。说明书不意味着限制本发明。

Claims (11)

1.投影系统，包括至少一个投射装置(10)，该投影装置设置为接收来自第一物体(MA)的投射光束(PB)，并向第二物体(W)投射该投射光束，
投影系统(PL)进一步包括至少一个传感器(11)，该传感器用于测量至少一个投射装置(10)的空间定向，
其特征在于，
投影系统(PL)包括至少一个处理单元(40)，该处理单元设置为与至少一个传感器(11)连接，其中
至少一个处理单元(40)进一步设置为与定位装置(PW，PM)连接，定位装置设置为根据测得的至少一个投射装置(10)的空间定向来调整第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置。
2.根据权利要求1的投影系统，其特征在于，处理单元(40)进一步设置为与另一个定位装置(12)连接，该定位装置设置为根据测得的至少一个投射装置(10)的空间定向来调整至少一个投射装置(10)的空间定向。
3.根据权利要求2的投影系统，其特征在于，投影系统设置为根据调整至少一个投射装置(10)的空间定向之后的残差来调整第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置。
4.根据权利要求2或3的投影系统，其特征在于，处理单元(40)设置为根据在第一频率范围内测得的至少一个投射装置(10)的空间定向来调整第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置，并且设置为根据在第二频率范围内测得的至少一个投射装置(10)的空间定向来调整至少一个投射装置(10)的空间定向。
5.根据前面任一权利要求的投影系统，其特征在于，至少一个投射装置(10)包括至少一个反射镜和一些透镜。
6.根据前面任一权利要求的投影系统，其特征在于，将至少一个投射装置(10)安装在安装设备(12)上，该安装设备设置为在至少一个到六个自由度上激励至少一个投射装置。
7.根据前面任一权利要求的投影系统，其特征在于，投射光束(PB)是远紫外辐射束。
8.根据前面任一权利要求的投影系统，其特征在于，至少一个处理单元(40)进一步设置为与至少一个其他传感器(47，48)通信，从而确定第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置。
9.根据前面任一权利要求的投影系统，其特征在于，至少一个处理单元(40)包括I/O设备(41)，微处理器(42)和存储设备(43)。
10.一种利用投影系统(PL)的方法，包括至少一个投射装置(10)，该投射装置设置为接收来自第一物体(MA)的投射光束(PB)并将该投射光束投射到第二物体(W)上，
投影系统(PL)进一步包括至少一个传感器(11)，该传感器用于测量至少一个投射装置(10)的空间定向，该方法包括
-用至少一个传感器(11)测量至少一个投射装置(10)的空间定向，
-确定至少一个投射装置(10)的空间定向的定向误差，
-根据至少一个投射装置(10)的空间定向的定向误差来计算投射到第二物体(W)上的图像的投影误差，
-为了使所述投影误差最小，调整第一(MA)和第二物体(W)中至少一个的位置。
11.根据权利要求10的方法，包括
-应用传输图像传感器(50)，同时利用投射到第二物体(W)上图像的计算出的投影误差，从而提高第一物体(M)相对第二物体(W)在一至六个自由度方面的经校准的对准精度。
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