CN1550904A - 光刻装置及器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
在EUV投射系统中，测量和控制反射器彼此之间的位置，而不是反射器相对于参考框架的位置。可以通过干涉仪或安装在反射器的刚性延伸部分的电容传感器进行相对位置的测量。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻投影装置，它包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；和
用于将构成图案的光束投射到基底的靶部分上的投射系统；
其中，所述辐射系统和/或所述照明系统包括至少第一和第二光学元件和用于将所述第一和第二光学元件保持在预定位置的定位系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
可程控反射器阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可程控反射器阵列的另一实施例利用微小反射器的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射器能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射器是矩阵可寻址的，由此寻址反射器以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射器上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射器的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个程控反射器阵列。反射器阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可程控反射器阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
可程控LCD阵列。例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造：半导线加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投射系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
为了使更小的特征成像，开发了采用极远紫外(EUV)辐射，例如具有5～20nm范围的波长的光刻投影装置。因为制作在EUV波长工作的折射光学元件很困难，这种装置通常使用反射光学系统作为照明和投射系统。在投射系统中使用反射光学元件的问题是投射图像的位置和形状对投射系统中的反射器的位置和方位非常敏感。特别是反射器的方位误差，使在基底处的图像位置误差增加到角度误差与光束路径在反射器与基底之间的长度的乘积的量级水平。由于光束路径的长度可以为米量级，即使是nrads量级的角度误差也可以使位置误差或变形增加到nm量级。因此，必需以非常高的精度保持投射系统中反射器的位置和方位。
将反射器刚性地安装到框架上并不能得到所需的精度，因为框架必需满足的刚性、机械稳定性和化学稳定性要求是做不到的。因此，提出了有源地安装反射器，这样，可以连续地监测和校正它们相对于参考框架的位置。这种方法是可行的，但是仍旧对参考框架有非常苛刻的刚性和稳定性要求。
本发明的一个目的是提供一种投射系统，其中，光学元件可以以非常高的精度保持在其正确的位置。
根据本发明开始段中描述的光刻装置可以实现该目的和其它目的，其特征在于：
所述定位系统包括至少一个位置传感器，用于直接测量至少所述第一光学元件相对于所述第二光学元件的相对位置，由此，所述定位系统将所述第一和第二光学元件保持在预定的相对位置。
通过直接测量投射系统中光学元件的相对位置，并且使用致动的或者所谓有源的安装系统以将光学元件保持在预定的相对位置和/或方位，不再需要巨大的、刚性的并且高稳定的参考框架。仍旧需要提供小参考框架以形成总体上保持投射系统的位置和方位的参照，但是，如果构图装置和基底台的位置直接相对于投射系统测量和控制，参考框架可以省略。
在本发明的一个优选实施例中，定位系统包括至少一个用于测量所述第一和第二光学元件的相对位置和/或方位的干涉位移测量装置。干涉位移测量装置可以快速提供投射系统的光学元件间隔中两个物体的相对运动的有效精确测量，并且，可以根据需要设置干涉仪光束，不与投射光束干涉。为了方便起见，可以在光学元件上设置刚性延伸部分以支撑用于干涉仪光束的光束定向元件。
在另一个优选实施例中，第一和第二光学元件中的至少一个具有达到接近于第一和第二光学元件中的另一个或其延伸部分的刚性延伸部分，并且所述定位系统包括安装在所述刚性延伸部分和/或所述光学元件上的电容传感器，用于测量所述第一和第二光学元件的相对位置。电容传感器相当简单、紧凑和可靠，并且特别适于测量投射系统中光学元件预期的小位移。
当然，在本发明的特定实施例中可以适当地使用干涉位移测量装置、线性或多维编码器和/或电容或其它类型的传感器。
虽然，本发明可以用于很多类型的投射系统中，当用于使用反射器，例如，多层反射器，定位需求特别严格其允许误差为nm量级或更小的投射系统时特别有利。
投射系统可以使用各种不同的控制系统，例如具有适于投射系统的预期干扰的带宽的位置反馈回路的控制系统。
根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投射光束；
利用构图部件来使投射光束的横截面具有图案；
利用投射系统将带图案的辐射光束投射到基底的靶部上；
其中，所述辐射系统和所述投射系统中的至少一个包括至少一个第一和第二光学元件和用于将所述第一和第二光学元件保持在预定位置的定位系统，
其特征在于包括以下步骤：
直接测量所述第一和第二光学元件的相对位置；
根据所述第一和第二光学元件相对位置的直接测量控制所述第一和第二光学元件的位置。
尽管在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和EUV(极远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
下面参照附图，仅通过实例的方式对本发明的实施例进行描述，其中：
图1表示根据本发明一个实施例的光刻投影装置；
图2为在投射系统中在反射器的取向上的变化对在基底水平面图像位置的影响的图解说明；
图3表示图1所示装置的投射系统更详细的布局图；
图4表示用于图3所示投射系统中的光学元件的定位系统的基本构形；
图5表示图4所示定位系统的变化形式；
图6表示具有近似垂直的光束以测量垂直和水平位移的两个干涉仪的设置；
图7表示测量反射器六个自由度的三对干涉仪的设置；
图8表示本发明第二实施例的投射系统；和
图9为图8所示的投射系统中刚性延伸部分的末端上的电容传感器的设置。
在附图中，相应的附图标记表示相同的部件。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地表示了本发明一具体实施例的光刻投影装置。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在这种具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；
第一载物台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持装置，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接；
第二载物台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持装置，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；
投射系统(“镜头”)PL(例如镜组)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。如这里指出的，该装置属于反射型(即具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图部件，如上述涉及的程控镜阵列型。
辐射源LA(例如产生激光等离子体源或放电等离子体源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex的调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面上具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。被掩模MA选择性地反射后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现载物台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是给定的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
投射系统PL包括镜组，例如由六个具有多层涂层形成分布式Bragg反射器的镜制成，以提供投射光束波长的最佳反射率，投射光束波长可以为13.5或11.4nm。适当的系统更详细的情况可以在欧洲专利申请EP1209503A中找到，同时，适当的多层反射器的更详细的情况可以在欧洲专利申请EP1065532A和EP1065568A中找到，这些文献在这里作为参考引入。采用反射器的投射系统的问题在于图像位置和变形对镜定位误差，特别是角度误差非常敏感。图2示出其原因。如图中所示，镜在用实线示出的理想位置与用虚线示出的旋转位置之间旋转α，导致反射光束2α的角度误差和在基底水平面R*tan(2α)的定位误差，其中，R为镜与基底之间的总路径长度。因此，需要将投射系统的反射器保持在它们的正确位置和方位，以达到非常高的精度，例如在几分钟的时间周期内为nm和nrad。
与其将反射器静止地安装到刚性框架上，倒不如用可以将反射器以足够高的精度定位的致动器，例如，压电致动器、洛伦兹(Lorenz)致动器、电磁、气动或其它马达将反射器有源地安装。因此需要知道反射器的位置以控制有源安装。提供该功能的测量器件的系统示于图3中。
图3示出掩模台MT、投射系统PL和基底台WT。由辐射系统(未示于该图中)提供的投射光束PB被引导至保持在掩模台MT上的掩模上，掩模根据要印制的理想图案选择性地反射投射光束。这样，构成图案的投射光束PB通过形成投射系统PL的反射器M1～M6投射到保持在基底台WT上的基底上。分别用干涉测量装置IF1和IF2测量掩模台MT和基底台WT相对于各自参考框架MF1和MF2的位置。这些系统可以是已知的形式，并且测量掩模台MT和基底台WT的位置达到纳米精度。
根据本发明，用另外的干涉测量装置IF3～IF9测量反射器M1～M6的位置。其中，IF3测量反射器M1相对于第一参考框架MF1的位置，IF4测量反射器M2相对于反射器M1的位置，IF5测量M3相对于M2的位置等等，直至IF8测量反射器M6相对于M5的位置。最后，干涉测量装置IF9测量反射器M6相对于参考框架MF2的位置。
图4示意性地示出用于反射器M1～M3的定位系统，其它反射器的定位系统与之相似。每个反射器由致动系统A1、A2、A3……定位，该致动系统相对于受力框架FF作用并且控制各个反射器在必要的自由度数的位置。通常提供在六个自由度的控制，但是在投射的图像对给定的反射器的一个或多个自由度的误差不敏感的情况下，反射器可以无源地安装在该自由度中。各个控制电路C1、C2、C3……响应由干涉位移测量装置提供的位置信息控制致动系统以将反射器保持在理想位置。反射器M1相对于掩模台参考框架MF1定位，而反射器M2相对于M1定位、M3相对于M2定位等等。这样，反射器都保持在正确的相对位置，并且系统作为一个整体相对于参考框架MF1保持在正确位置。
虽然，图4中示出镜M1由第一控制器C1控制，但并不需要这样。实际上，优选第一控制器响应对参考框架测量仪的干涉控制具有最严格的定位要求的镜或者期望具有从标称位置的最大偏移的镜。镜在控制方案中的顺序无需与光学布局中的镜的顺序相同，可以改为遵从控制优先的顺序。
应当理解，反射器的相对位置可以在机械装配中校准并且在此之后周期性地校准，也可以在装置的使用中改变，例如，以补偿在其它地方的误差或者以调整成像参数，例如，放大倍率。
不同的控制系统可以是外部追踪所确定的选点的适当带宽的简单反馈回路，或者可以更复杂并且结合前馈元件和考虑测量位置外的其它输入，例如速度或加速度。给定的控制系统可以具有从其它干涉仪或者甚至其它控制系统的输入，例如，提供前馈控制以补偿内部干扰，如来自附接在其它镜上的致动器的反应作用力。
可以理解，所示致动器系统在不同反射器和共同的受力框架FF之间作用，可以使用若干受力框架，而且由于受力框架不参与镜的位置的测量，作为参考框架的受力框架可以具有不同的刚性和稳定性要求。
定位系统的变化形式示于图5中。在该变化形式中，控制各个反射器以相对于参考框架MF1保持设定的位置。对于反射器M1没有变化，但是，对于反射器M2，控制系统C2响应于“虚拟”测量系统IF11，测量系统IF11作为测量系统IF3和IF4的测量的总和形成，而控制系统C3响应于虚拟测量系统IF10，测量系统IF10作为测量系统IF3、IF4和IF5等的测量的总和形成。这种设置的优点在于镜误差不累加。
在图4中，光学元件M3的位置精度还包括来自元件M1和M2的滤波残余位置误差。如果参考框架MF1移动，传感器IF3将测量该移动(参考框架移动)。控制回路C1将试图追踪MF1的移动。结果是与用控制回路C1的特征滤波的几乎相同的M1的移动。MF1的移动的一部分将不被追踪(特别是具有高频的移动)。C1定位回路将具有残余位置误差。此刻，传感器IF4检测参考(＝M1)的移动。C2将试图追踪M1的移动，因为(用控制回路C1)滤出MF1的原始移动的高频部分，该移动的追踪更加容易。此外，C2定位回路将具有比C1回路的误差小得多的残余位置误差。最后，传感器IF5检测参考(＝M2)的移动。C3追踪该移动并且C3的残余误差非常小。M3相对于MF1的实际物理位置无论如何与要求有所不同。
如果所有元件具有相同的伺服带宽，那么，M1将具有相对于MF1的最精确的物理定位精度，但是控制误差很大。M2将具有相对于MF1较差的物理定位精度，但是控制误差不大。M3将具有相对于MF1很大的物理定位精度，但是控制误差非常小。表现出这种“迭加系统”的整个系统不仅仅是所有位置元件的总和，而是根据所有位置回路的带宽和它们通过传感器参考的滤波。定位控制在坐标内进行，其代表光学元件相对于MF(对于C1)或者相对于其它光学元件(对于C2和C3)的相对位置。
图5的系统可能具有非常小的附加滤波误差。所有定位在坐标中控制，其表示光学元件对于单个参考MF1(对于C1，C2和C3)的相对位置。传感器IF3、IF4和IF5测量M1、M2和M3相对于参考位置MF1各自的相对位置。“虚拟传感器”IF11由IF3+IF4的总和构成，IF10由IF3+IF4+IF5的总和构成。传感器IF11将得到M1相对于MF1的未滤波位置和M2相对于M1的未滤波位置。传感器IF10将得到M1相对于MF1、M2相对于M1和M3相对于M2的未滤波位置。这样，这些坐标中的控制产生更好的实际物理位置精度。
应当注意，象图4和图5中的串联和并联设置一样，还可以使用混合设置，例如树结构。例如，控制回路C1可以基于M1相对于MF1的测量IF3进行控制，而C2和C3都基于各个镜相对于M1的实际或虚拟干涉仪测量进行控制。
图6和图7示出如何使用相对于座标系统的一个轴具有一个小倾斜角度的干涉仪光束来测量六个自由度的位移。如图6所示，两个偏振光束分束器21、24和两个探测器23、26安装在要跟随的镜M1上，“参考”镜上。以相对于通常垂直于镜M2的光学表面的Z轴成大小相等但符号相反的角度+β和-β倾斜两个光束分束器21、24，使得从常规位置光源引导至光束分束器的两个激光束B1、B2中的每个光束的一个偏振态引导至反射器M2。两个光束由位于反射器背面的三面直角棱镜22、25反射，该三面直角棱镜沿平行光路不具有角度低灵敏度地返回光束。在参考反射器上的光束分束器处，将光束送至控制的反射器，并且与其它偏振态重组返回，用探测器23、26检测由此得到的干涉信号。干涉信号IFM1和IFM2由下式给出：
IFM1＝ΔX*sin(β)+ΔZ*cos(β) (1)
IFM2＝-ΔX*sin(β)+ΔZ*cos(β) (2)
其中，ΔX和ΔZ为在X和Z方向控制和跟随反射器的相对位移。因此，ΔX和ΔZ可以由下式导出：
ΔX＝(IFM1-1FM2)/(2*sinβ) (3)
ΔZ＝(IFM1+IFM2)/(2*cosβ) (4)
如图7所示，用三对围绕反射器分布的光束和一对向Y方向而不是X方向倾斜的光束，可以测量X、Y、Z、Rx、Ry和Rz的位移。
实施例2
在本发明的第二实施例中，除下面参照附图8和9所描述的之外与第一实施例相同，采用在镜延伸部分安装的光学尺(编码器)或电容或其它传感器代替干涉位移测量装置。
图8示出包括反射器M1～M6的投射系统PL，该投射系统容纳在投射光学器件盒POB中。每个反射器M1～M6包括安装在框架结构中的反射器本身，由具有低热膨胀系数的材料制成，例如，ZerodurTM。每个框架还包括一个或多个向相邻反射器突出的延伸部分31～48。在两个突起几乎接触的地方设置近距传感器49，50(见图9)。传感器可以是相当简单的测量精度为10-50pm(皮米)并且测量范围为1-5μm的电容传感器。尽管在图9中两延伸部分31、34接触处示出两个传感器，在每个接触点可以有1～6个传感器。具有在六个自由度中每个自由度都可以移动的六个反射器的系统，需要30个测量来表征反射器相对位置，这样，应当最少有30个传感器。但是，可以设置附加的冗余传感器，用于提高精度。同样，三个或更多的延伸部分可以在一个位置接触。延伸部分可以依方便的原则设置，为避免干扰投射光束路径可以使延伸部分尽可能短。延伸部分，甚至其全部都比参考框架要小得多并且简单，对照参考框架可以测量所有反射器的位置。
还可以使用第一实施例中使用的长量程传感器，例如干涉仪，与第二实施例中使用的安装在光学元件的刚性延伸部分上的短量程传感器的组合。
虽然，以上已描述本发明的具体实施例，但应当理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施。例如，本发明还可以应用于折反射光学系统中的反射或折射元件，或者完全的折射光学系统中的折射元件。同样，元件控制的可以是辐射系统的一部分，例如，在源收集器模块或照射器模块中。本说明不作为本发明的限定。
Claims (10)
1.一种光刻投影装置，它包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据理想的图案对投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；和
用于将构成图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；
其中，所述辐射系统和/或所述照明系统包括至少第一和第二光学元件和用于将所述第一和第二光学元件保持在预定位置的定位系统；
其特征在于，所述定位系统包括至少一个位置传感器，用于直接测量至少所述第一光学元件相对于所述第二光学元件的相对位置，由此，所述定位系统将所述第一和第二光学元件保持在预定的相对位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述定位系统包括至少一个用于测量所述第一和第二光学元件的相对位置和/或方位的干涉位移测量装置。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，至少一个光学元件具有支撑用于干涉光束的光束导向元件的刚性延伸部分。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，第一和第二光学元件中的至少一个具有达到接近于所述第一和第二光学元件中的另一个或其延伸部分的刚性延伸部分，并且所述定位系统包括安装在所述刚性延伸部分和/或所述光学元件上的光学或电容标尺或者模拟电容传感器，用于测量所述第一和第二光学元件的相对位置。
5.根据前面任何一项权利要求所述的装置，其还包括一个参考框架，并且其中所述定位系统包括用于测量所述第一光学元件相对于所述参考框架的位置的测量装置。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述定位系统包括分别用于移动所述第一和第二光学元件的第一和第二致动器，和用于控制所述第一和第二致动器的第一和第二控制器，所述第一控制器响应于所述第一光学元件相对于所述参考框架的测量位置，并且所述第二控制器响应于所述第一和第二光学元件的相对测量位置。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述定位系统包括分别用于移动所述第一和第二光学元件的第一和第二致动器，和用于控制所述第一和第二致动器的第一和第二控制器，所述第一控制器响应于所述第一光学元件相对于所述参考框架的测量位置，并且所述第二控制器响应于所述第一光学元件相对于所述参考框架的测量位置和所述第一和第二光学元件的相对测量位置之和。
8.根据权利要求5、6或7中任何一项所述的装置，其还包括一个用于测量用于构图装置的所述支撑结构和所述基底台中的至少一个相对于所述参考框架的位置的位移测量装置。
9.根据前面任何一项权利要求所述的装置，其中，所述第一和第二光学元件为反射器，例如多层反射器。
10.一种器件制造方法，它包括以下步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投射光束；
利用构图装置来使投射光束的横截面具有图案；和
利用投射系统将构成图案的辐射光束投射到基底的靶部分上；
其中，所述辐射系统和所述投射系统中的至少一个包括至少一个第一和第二光学元件和用于将所述第一和第二光学元件保持在预定位置的定位系统，
其特征在于，其包括以下步骤：
直接测量所述第一和第二光学元件的相对位置；
根据所述第一和第二光学元件相对位置的直接测量控制所述第一和第二光学元件的相对位置。
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