CN102648402A - 光学系统、特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/0209—Low-coherence interferometers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/15—Cat eye, i.e. reflection always parallel to incoming beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
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- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明关于一种光学系统，尤其是在微光刻投射曝光设备中的系统，其包含第一光学组件（110，210，910）、第二光学组件（120，220，920）、以及用于确定第一光学组件和第二光学组件在六个自由度上的相对位置的测量布置，其中测量布置用于确定第一光学组件及第二光学组件在六个不同长度测量区段（131-136;231-236）的相对位置，其中所述长度测量区段（131-136;231-236）直接延伸于第一光学组件（110，210，910）及第二光学组件之间（120，220，920）。
Description
技术领域
本发明关于光学系统以及用于确定光学系统的组件的相对位置的方法，尤其是微光刻投射曝光设备中的光学系统。
背景技术
微光刻用于制造微结构组件，例如集成电路或液晶显示器（LCD）。在具有照明系统及投射物镜的所谓的投射曝光设备中实施微光刻工艺。在这种情况下，由照明系统照射的掩模（=掩模母版）的图像由投射物镜投射到基板（例如硅晶片），基板涂有感光层（光刻胶）并布置在投射物镜的像平面，以转移掩模结构到基板上的感光涂层。
在针对EUV范围（亦即波长为例如约13nm或约7nm）设计的投射物镜中，因为缺乏适用的透明折射材料，所以反射镜被用作成像过程的光学元件。在此类针对EUV设计的投射物镜工作中，在扫描过程中掩模及晶片通常相对于彼此移动，出现反射镜的位置相对于彼此且亦相对于掩模或晶片在全部六个自由度上为部分可以动的问题，必须以高度的精确性调整及维持反射镜的位置，以避免或至少减少像差与不利于成像结果的效应。
关于此点，除了承载例如孔径板或致动器的可互换元件的载体结构，已知提供测量结构，其为典型布置在载体结构外且旨在确保热与机械稳定地固定的位置传感器或其他用于确定反射镜位置的测量系统。具有测量框及承载负载框的投射曝光设备可由例如EP 1 278 089 B1得知。
由WO 2006/128713 A2及US 2008/0212083 A1等可知提供测量布置于微光刻投射曝光设备的投射物镜中，测量布置测量成像系统中至少两个组件间的空间关系，其中参考元件机械地直接安装到其中一个组件。
由EP 1 465 015 A1等可知，在针对EUV设计的投射曝光设备中，反射镜相对于彼此的相对位置可直接由干涉的或电容的装置来测量。
此外，由例如US 6 727 980 B2可知，以不同于实际工作波长的较高波长来实施系统调整。
发明内容
本发明的目的在于提供光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的光学系统，其在光学元件相对于彼此的相对位置方面，允许最大可能精确性的确定或调整，并使测量布置的灵敏度配合自由度的灵敏度。
一种光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的光学系统，包含第一光学组件、第二光学组件、以及用于确定第一光学组件及第二光学组件在六个自由度的相对位置的测量布置；其中测量布置用于确定第一光学组件及第二光学组件在六个不同长度测量区段上的相对位置，其中所述长度测量区段直接延伸于第一光学组件及第二光学组件之间。
本发明尤其是基于以下构思，即确定光学组件（尤其是针对EUV设计的投射物镜中的EUV反射镜）相对于彼此在刚性体的全部六个各自由度的相对位置，而省略辅助结构或参考元件，亦即，执行所述的测量操作，从而确定直接在所述组件本身之间的六个自由度。换言之，根据本发明，仅使用直接作用于第一光学组件及第二光学组件之间的长度测量装置。以此方式，一方面可省略之前所说的附加的和因此增加成本的测量结构，而另一方面可以较便宜地制造之前所说的载体结构，因其可用较便宜的材料制成。例如，可使用如
的铁镍合金，而不是如
的玻璃陶瓷，尽管它的硬度较低，因为通过根据本发明的确定光学系统相对于彼此的相对位置的操作及后续调整，可再次校正光学组件相对于彼此的较不精确的先验定位。
在本发明省略用于确定光学元件的相对位置的（外部）参考元件的情况下，本发明也利用最终（仅）反射镜相对于彼此的相对位置与光刻工艺有关的事实。此外，具有6个不同测量区段的测量布置的设计使得可以特定目标方式考虑前述6个自由度的尤其关键者的存在，使单独测量区段的取向被实现为确定相对位置的操作是以从特定光学系统中与视为尤其关键的这样的自由度相关的相当高灵敏度或精确度来实施。因此，灵敏度可通过测量布置的适当几何形状来适配自由度的灵敏度。
根据本发明直接在光学组件间实施相对位置确定操作的另一优点在于，根据本发明的测量布置包括将光学组件或反射镜的（相对）位置测量原则上与造成组件或反射镜移动的致动器系统分开，而可避免所述致动器系统不利的反作用力，或至少与光学系统的敏感区域保持距离。
通常使用的干涉仪（亦称测量棒（measurement bar））逐步增加地操作，其中在开启干涉仪后，通过例如移动到参考标记，从而适当地建立偏移。在本情形中，将测量系统在反射镜的停驻位置以其他手段设成先前（例如于初始化操作期间）所建立的值。偏移的误差实质上高于位置改变的测量所期望的分辨率，且可在μm范围内。
根据本发明的实施例，测量区段布置成史都华-高夫平台（Stewart-Goughplatform）的几何形状，亦即六足物（hexapod）几何形状。这里以及之后，其意味着通常实施成有形的单位（corporeal unit）的六足物的“腿”是（非有形的）测量区段的形式，如以下参考图1及图2的详细说明。
然而本发明不限于六足物的几何形状，因此基本上测量区段的其他布置亦可适用，只要容许清楚确定第一组件及第二组件在所有六个自由度的相对位置，换言之，因此，为了从测量结果确认相对位置而得到的方程式数学系统可清楚地被解出。
在实施例中，至少两个测量区段可彼此重叠或交叉。具体而言，所有测量区段亦可布置成两个个别测量区段成对重叠，且亦可通过用于EUV成像的体积区域。此类布置从关于结构空间技术方面（亦即对于结构空间的改善或最佳化利用）而言尤其有利，并且利用以下事实：不像例如具有实际有形结构的六足物的状况，基本上整个可用空间由于测量布置的几何形状而可用于布置测量区段。此外，此类“重叠布置”亦可增加确定在某些自由度上相对位置的操作的灵敏度，针对此目的，关于此点，优选地继而再次将此类被视为特定光学系统中尤其关键的自由度挑选出来。
根据实施例，测量布置具有至少一个干涉仪，尤其是针对每个测量区段的个别干涉仪。然而本发明不限于干涉测量区段，亦可包含利用其他非接触测量原理的实施，例如电容测量区段、电感测量区段，或也可使用可利用适当读取装置读取的测量刻度表（measurement scale），如后所详述。
本发明更关于一种确定光学系统的组件的相对位置的方法，尤其是于微光刻投射装置中的光学系统，光学系统包含第一光学组件及第二光学组件，其中第一光学组件及第二光学组件在六个自由度的相对位置，仅利用只在第一光学组件及第二光学组件之间作用的长度测量区段来确定。
针对本方法的优选的结构及优点，应关注与本发明的光学系统有关的前述说明。
在微光刻的反射投影物镜中，根据本发明方式测量了一些或所有反射镜相对于彼此在六个自由度的相对位置，该反射投影物镜由于省略了附加的测量框而制造成本较低，并且载体结构所需刚度较低。此外，将用于相对于彼此定位反射镜位置的测量装置与相关安装装置（mounting technology）完全解耦（decoupling）是有优势的，使得不会通过测量布置施加多余的力或力矩到载体结构进而间接到反射镜。
本发明更关于一种针对EUV操作设计的微光刻投射曝光设备的投射物镜，其包含多个反射镜、以及用于确定所有所述反射镜相对于彼此的相对位置的测量布置，其中测量布置用于只使用所述反射镜本身作为确定相对位置的参考物体。
因此尤其可省略反射镜“相关于外界”的机械连接（mechanicalconnection），亦即设置在反射镜布置外的结构，而仅测量反射镜相对于彼此的相对位置（不是相对于第三物体（例如根据本发明不需要的参考框）的位置）。
在一实施例中，测量布置用于确定每个反射镜直接相对于这些反射镜中的另一个反射镜的位置，优选地这些反射镜的另一个是光束路径中与各个反射镜分别相邻的反射镜。
在一实施例中，测量布置对于一反射镜的相对于投射物镜的外部环境的位置改变并不敏感，若所述位置改变造成其他反射镜的位置改变，这导致所述反射镜相对于彼此维持相同的相对位置的话。
在一实施例中，所述反射镜由保持结构（holding structure）所保持，其中所有的反射镜只与所述保持结构有操作接触（operative contact）。操作接触至少部分是利用电磁力所提供。
举例而言，单独反射镜可通过劳伦兹致动器（Lorentz actuator）固定在它们的准确（精细调整的）位置。在该情况中，可选地，一个或更多的反射镜亦可附加地与机械保持结构接触。另外，反射镜的重量可通过重力补偿器（gravitational force compensator）承载。
本发明另一方面关于一种安装用于微光刻的投射物镜的方法，其中投射物镜具有在安装期间在工作位置取向的多个反射镜，其中所述取向操作是使用调整波长的调整光来实现的。本方法特征在于调整波长（类似工作波长）为在EUV范围（根据本发明意指表示7nm至30nm，尤其是7nm至15nm的波长范围）内。
关于此点，本方法利用以下事实：利用用于根据本发明的测量布置中的长度测量装置（其直接作用于EUV反射镜之间），个别EUV反射镜的位置可直接相对于另一个个别EUV反射镜来确定，优选地，另一个个别EUV反射镜在光束路径中分别与个别EUV反射镜相邻，亦即，在EUV反射镜个别成对取向(respective paired orientation)的过程中，在安装操作(mountingoperation)期间可调整而无需利用其他或附加波长的光。
关于此点，在此或在后，所用的“调整”一词表示EUV反射镜在微光刻工艺需要的工作位置的取向，而不是例如投射物镜的视场中的晶片的取向（另外，如从US 5144363可知，其可实施于其他或更高的波长）。
因此，调整所需的复杂度及花费以及组装投射物镜直到反射镜达到最终位置所需的时间皆可降低，关于此点可利用以下事实：相较于使用本说明的公开部分所述的用于预先调整操作的测量结构，实现了更高程度的精确性。关于此点，可省略较高波长（例如193nm或248nm）的附加（预先）调整操作，或不同调整步骤的组合，或不同的探测范围。
在根据本发明的方法中，单独EUV反射镜在安装操作期间（亦即可以说是在单一安装/调整步骤中）可移动到工作位置，而关于此点在组装程序期间投射物镜已可调整成仅必须执行最终波前检查操作。优选地，关于此点，为了使光学成像的像差或成像缺陷维持在足够低的程度，反射镜相对于彼此的相对位置及取向已达到所需的精度范围。根据本发明，精度范围可设为例如针对定位操作为±10nm，而针对反射镜取向为±10nrad。
因此，原则上，亦有在安装操作后为顾客提供投射物镜的选项，而无须预先检查系统，其中顾客可利用波前测量装置或结合入投射曝光设备(“已装配”)的装置执行最后调整。
具体而言，利用根据本发明EUV反射镜的调整操作或取向，至光刻工艺所需或限定的工作位置，可使用至少与用于光刻工艺的工作波长实质一致的调整波长的光，其差例如高达±10nm、尤其是±5nm、更尤其是±3nm。
本发明的其他结构陈述于说明书及所附权利要求中。
附图说明
下面通过附图中示出的作为例子的实施例更加详细地说明本发明。其中：
图1显示根据本发明实施例的测量布置的结构的示意图；
图2显示根据本发明另一实施例的测量布置结构的示意图；
图3-5显示本发明可用作为范例的干涉仪的结构的示意图；
图6-8显示本发明另一实施例的将参考元件安装到要被测量相对位置的组件；
图9显示根据本发明另一实施例的测量布置的结构的示意图；
图10显示根据本发明投射物镜的示意图；
图11显示已知的史都华-高夫平台的示意图；以及
图12显示本发明另一实施例的另一示意图。
具体实施方式
以下，首先参考图1，利用根据本发明第一实施例的测量布置的示意图，来说明本发明基本构思。
在图1中，参考符号110及120表示微光刻投射曝光设备的投射物镜的部分EUV反射镜，其中为简明之故，以下这些部分直接等同视为所述EUV反射镜。此外，参考符号131-136表示测量区段或光通道，光在其中通过第一EUV反射镜110（图1上方者）及第二EUV反射镜120（图1下方者）之间。在此方面，每个测量区段131-136或每个光通道的起始是在EUV反射镜110、120其中一个上，而另一端是在EUV反射镜120、110的另一个上。
现将测量区段或光通道131-136设计成容许确定第二EUV反射镜120相对于第一EUV反射镜110在六个自由度的相对位置。在此方面，最后这六个自由度通常包含用于定义唯一的相对位置的三个空间坐标及三个角坐标，但是根据本发明利用沿着测量区段131-136的六个长度测量被确定。在此方面重要的是，测量区段131-136彼此足够独立或彼此足够不同，因而凭借所述长度测量也实际上可以数学上清楚可解的方式得到所有上述的六个自由度。
图1中测量区段或光通道131-136的布置对应于所谓史都华-高夫平台的几何形状（亦称为“史都华平台”或六足物，参见D Stewart的“具有六个自由度的平台（A Platform with Six Degrees of Freedom）”，英国机械工程师学会论文集，1965-66,Vol 180,Pt 1,No 15），然而通常以有形方式实施的六足物的“腿”却是非有形的测量区段。为说明目的，图11首先显示已知的具有两个板10、20的六足物，两个板10、20利用六个“腿”31-36连接在一起，并可相对于彼此移动。在所示状况下（具有腿31-36及相对于彼此的板10、20的一个具体布置），利用两个板10、20之间的连接或腿31-36的长度，可计算一个板（“被移动的”）相对于另一个板（“基座”）在所有六个自由度的位置。
描述两个板/EUV反射镜之间的几何关系的方程式为多项式。
关于此点，各自由度x、y、z、Rx、Ry、Rz可以多项式描述。所得方程式系统的数学性质、可解性的疑问、以及可选的方程式架构，在例如Andrew J Sommerse、Charles W Wamper的“多项式系统的数值解（TheNumerical Solution of Systems of Polynomials）”（2005年新加坡WordScientifc出版社出版）中被讨论，且为本技术领域人员所熟知。
应注意腿或板的位置为可能的，为独特的，就图11所示的熟悉的机械的史都华-高夫平台而言，这表示板10、20不再能利用腿31-36长度的改变而移出该位置，即平台本身是锁定的。针对本发明的构思，六足物的“腿”为非有形测量区段的形式，这样的布置造成方程式系统变成不可解或具有多个解。此外，可指明腿31-36的布置，其中板10、20可不再能够在所有自由度中移动（例如若所有6个腿31-36布置成彼此平行且垂直于板10、20，此状况下板10不再能够在x-y平面内位移或绕z轴旋转）。一般而言，可证明，图11中腿31-36这样的布置不会导致可以解的方程式系统，在将该布置转移到根据本发明的测量区段时，会有两个物体或反射镜相对于彼此的位置不能由测量确定的结果。本申请阐述腿或测量区段的可用、可行、或有意义的布置范例，因其一直都可唯一地解出。
根据本发明的在第一EUV反射镜110及第二EUV反射镜120之间的6个不同测量区段的布置的实质优点在于，在某种程度上，可以将发生在个别自由度（亦即个别空间方向或角度）中的灵敏度水平以一定程度的弹性适配于特定系数或要求（尤其是光学设计的特定系数或要求）。因此，例如，针对那些在特定光学系统中相对位置的确定要比其他自由度或方向更关键或更重要的自由度或方向，测量区段131-136的适当布置可达到更灵敏的测量。
图2显示替换的结构，其中彼此类似的元件或实质涉及相同功能的元件，以参考符号加上“100”来表示。在图2的实施例中，两个个别测量区段以成对关系交叉或相交。
由图2轻易可知，利用重叠或交叉关系可实现可用结构空间的改良利用。
另一方面，因为重叠关系造成的测量区段更明确倾斜定位的结果，测量布置在某些空间方向上或关于EUV反射镜的给定相对位置改变，有比较大的灵敏度，其中空间方向可继而精确地被选择而使得在涉及的特定光学系统中，它们尤其对应于关键的空间方向。因此，测量区段的取向及精确布置优选地实施成，针对要尽可能地精确确定的自由度提供最大的灵敏度。因此，例如，为了在z方向达到相对高程度的灵敏度，测量区段131-136及231-236可分别实质地同时优选地布置于z方向，然而测量区段131-136及231-236可布置于倾斜位置，以在y方向实现相对高程度的灵敏度。
图9显示测量区段931-936的布置，其中三个测量区段即测量区段932、934、及936彼此平行。尤其是，利用在z方向的布置（此布置在z方向尤其“刚性”）实现小的测量误差。
本发明不限于此，例如在图1的结构上及图2或图9的结构上，测量区段可为干涉测量区段形式。然后，在利用图1、2、及9未显示的光学波导的上述实施例中优选地实行光耦合入及光耦合出，其中光学波导优选地分别终止于各测量区段（例如图1的测量区段131-136）的开端与末端，以及分别将光源（典型地尤其是激光）的光传到测量区段并将光耦合入以及耦合出个别的光通道131-136，如以下更详细说明的。此类的耦合入及耦合出可以间隔关系（spaced relationship）实现，即光学波导与测量区段以及尤其是光学系统没有机械接触。在此方式中，波导的连接不会施加力或力矩到光学系统。
尤其是，此布置可涉及端部为三棱镜的干涉测量区段，如图3所示。在此状况下，立方体分束器341及三棱镜342一起形成干涉仪340，可布置在EUV反射镜110中的一个处，而形成回射器的另一个三棱镜360可布置在另一个EUV反射镜120处，其中光通道（即实际测量区段）延伸于其间，在图3中以参考符号331表示。
关于干涉仪的布置，例如，可使总共6个干涉仪340布置在相同EUV反射镜上以及使回射器342布置在另一个EUV反射镜上。在替换的实施例中，亦可布置任何较少数量的干涉仪340于EUV反射镜110中的一个处，而其他干涉仪可布置在另一个EUV反射镜120处，其中与EUV反射镜上的每个干涉仪又有关联的是在另一个EUV反射镜上的回射器。
虽然本发明可利用如图3所示具有三棱镜的干涉仪来实施，以下参考图4说明另一个利用平面镜干涉仪的可能实施例。
此类平面镜干涉仪基本已知的结构尤其具有立方体分束器441及λ/4板445、446，借此将光偏折到第一平面镜460及第二平面镜470，可以已知方式测量第二平面镜470相对于第一平面镜460的相对位置。在此情形中，平面镜460、470可布置于投射物镜的对应的EUV反射镜（亦即如图1中的EUV反射镜110、120）上，而实际干涉仪440（虚线所示区域）被设置在投射物镜的负载支承（load-bearing）结构（框）上。
此外，亦可使干涉仪440与第一平面镜460一起布置在其中一个EUV反射镜（亦即如图1的EUV反射镜110）上，而第二平面镜470布置于另一个EUV反射镜（亦即如图1的另一个EUV反射镜120）上。
参考图5，关于根据本发明测量区段限定的布置需要将入射于干涉仪540的光偏折，可利用图5所示的偏折镜580来实现。
当设计测量区段131-136及231-236为干涉测量区段的形式时，必须注意确保进到各干涉仪的光束已经耦合入分别所需的方向。因为这只能以相当难度或不再能接受的复杂度与费用来实现，所以利用将激光光束分到单独测量区段的不同方向的光束分布光学系统，光耦合入及光耦合出优选地利用光学波导来实现，光学波导分别直接终止于各测量区段的开端及末端，且分别将光源（尤其是激光光源）的光馈入（feed）测量区段，并将光耦合入及耦合出各光通道131-136。然后，使用的干涉仪优选地为具有光纤光束输入及输出的干涉仪，如商业上可由例如雷尼绍（Renishaw）得到的干涉仪。
根据另一实施例，（部分）反射光学元件形式的适当参考元件亦可设置于根据本发明测量相对位置的光学组件或EUV反射镜处，如以下参考图6-8所述。
如图6所示，部分反射第一参考元件611可设置于例如第一EUV反射镜610处，而另一个（部分或完全地）反射第二参考元件621可设置于第二EUV反射镜620处。针对行进长度测量，使用短相干干涉仪(short-coherentinterferometer)640，其中用于测量操作的光的耦合入及耦合出利用光纤元件或光波导635来实现。
如图6示意地显示，部分的入射光被部分反射第一参考元件611反射回到入射方向，而另一部分则朝第二EUV反射镜620处的反射第二参考元件621的方向（部分或完全地）反射，其中后面提到的部分被第一参考元件611至少部分反射并通过回到短相干干涉仪640。
第一参考元件611的部分反射性质可由不同取向的相邻反射镜元件来实施，其中具有第一取向的反射镜元件反射或传送入射光束回到光束本身，而具有第二取向的反射镜元件使光朝第二参考元件621的方向进一步通过。EUV反射镜610及620之间相对取向的精度通过调整或识别两个上述取向（亦即第一取向及第二取向）间的角度以及第二参考元件621与第二EUV反射镜620间的角度来确定。
第一取向及第二取向间的角度检测可例如在具有转台（turntable）的角度测量台（angle measurement station）上实现，其中典型的测量误差可发生在1/10到1/100弧秒（second of arc）的范围（1弧秒=50nrad）内，或在涉及的角度测量技术改善的情况下甚至更低。第二参考元件621及第二EUV反射镜620间的角度检测，可在将参考元件621直接结合到反射镜主体及将记录装置集成到针对反射镜匹配检查的布置或多个布置的过程中实现，所述记录装置可以在位置及角度方面被检验。
在另一实施例中，在相对位置方面要测量的光学组件或EUV反射镜上的参考元件亦可为所谓的利特罗光栅（Littrow gratings）的形式。
参考图7，利特罗光栅形式的第一参考元件711，针对来自干涉仪740的入射光，一方面提供部分回射，另一方面提供朝第二EUV反射镜720上的第二参考元件721方向的反射（零级衍射级），由此利用第一参考元件或利特罗光栅711将光反射并回传到干涉仪740。在此状况下，优选地使用振幅光栅作为光栅，因为相位光栅具有相当大的凹槽深度（groove depth），其比位置测量误差还大。第二参考元件721的光学有效平面与第二EUV反射镜720之间的角度的识别，再次可在将参考元件721直接结合到反射镜主体及将记录装置集成到针对反射镜匹配检查的布置或多个布置的过程中实现，所述记录装置可以在位置及角度方面被检验。
根据图8所示的另一实施例，用于反射的附加平表面可直接提供于要在相对位置方面测量的光学组件或EUV反射镜处，或分别集成到各基板或主体。
针对此目的，图8中在第一EUV反射镜810上提供第一平表面811，以及在第二EUV反射镜820上提供第二平表面821。第二EUV反射镜820也具有用作关于反射镜表面的参考的第三平表面822。
本发明不限于干涉测量区段，亦可包含利用其他非接触测量原理的实施，例如电容测量区段、电感测量区段，或使用可利用适当读取装置读取的测量刻度表。如只在图12中示意地显示，例如可由或
所制的界定了长度的机械标准间隔计（mechanical standard spacergauge）50，可布置在两个参考表面51、52或要测量的反射镜表面之间，并用于长度测量。可移除标准间隔计50而不会有问题，在利用相关致动器执行反射镜安装操作后，具有参考表面51、52的反射镜可移回。此外，若参考表面51、52及间隔计50面对参考表面的端面至少在区域上为导电性质，则在标准间隔计50及参考表面51、52间的间隙53、54亦可电容地测量。若这些导电表面以例如四象限（four quadrant）形式提供，亦可确定间隔计50相对于各参考表面51、52的取向。
如图10所示，针对微光刻提供反射投射物镜1000。投射物镜的6个反射镜1001-1006利用保持器（holder）1011-1016固定到
的外部载体结构1100、1101。所有的或至少部分的这些反射镜可在6个自由度中移动，并针对此目的提供操控器（在此未显示）。实线1020表示用于将掩模（在此未显示）成像到晶片（在此未显示）的投射光束路径。反射镜1001-1006以成对关系利用5个测量区段对1021-1025测量相对于彼此的位置。为简明之故，图仅显示每对反射镜有两个个别区段。非贯穿测量区段1023以及贯穿测量区段1022皆用做为测量区段。
即使已参考特定实施例说明本发明，但是本技术领域人员可通过例如结合和/或交换单独实施例的特征而得知许多变化及替换实施例。因此，本技术领域人员应了解此类变化或替换实施例亦包含于本发明，且本发明的范围仅由所附的权利要求及其均等物限制。
Claims (23)
1.一种光学系统，尤其是在微光刻投射曝光设备中的光学系统，包含：
第一光学组件（110，210，910）；
第二光学组件（120，220，920）；以及
测量布置，用于确定所述第一光学组件及所述第二光学组件在六个自由度的相对位置；
其中所述测量布置用于确定所述第一光学组件及所述第二光学组件在六个不同长度测量区段（131-136；231-236；931-936）上的相对位置，其中所述长度测量区段（131-136；231-236；931-936）直接延伸于所述第一光学组件（110，210，910）及所述第二光学组件（120，220，920）之间。
2.如权利要求1所述的光学系统，其特征在于：所述长度测量区段（131-136；231-236；931-936）被布置成史都华-高夫平台的几何形状。
3.如权利要求1或2所述的光学系统，其特征在于：该测量布置具有至少一个干涉仪，尤其是针对每个所述长度测量区段（131-136；231-236；931-936）的个别干涉仪。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光学系统，其特征在于：提供至少一光学波导，用以将光传到或将光载离所述长度测量区段（131-136；231-236；931-936）中的至少一个。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光学系统，其特征在于：所述长度测量区段中至少两个长度测量区段（231，232；233，234；235，236）彼此交叉。
6.如权利要求1至5中任一项所述的光学系统，其特征在于：所有的长度测量区段布置成两个个别长度测量区段（231，232；233，234；235，236）成对地彼此交叉。
7.如权利要求1至5中任一项所述的光学系统，其特征在于：所述长度测量区段中至少两个尤其是至少三个长度测量区段（932，934，936）彼此平行。
8.如前述权利要求中任一项所述的光学系统，其特征在于：所述第一光学组件（110，210，910）及所述第二光学组件（120，220，920）分别为所述微光刻投射曝光设备的针对EUV操作所设计的投射物镜的多个EUV反射镜。
9.一种确定光学系统的多个组件的相对位置的方法，尤其是微光刻投射设备中的光学系统，所述光学系统包含第一光学组件（110，210，910）及第二光学组件（120，220，920），其中所述第一光学组件（110，210，910）及所述第二光学组件（120，220，920）在六个自由度的相对位置，仅利用只在所述第一光学组件（110，210）及所述第二光学组件（120，220）之间作用的多个长度测量区段（131-136;231-236）来确定。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：仅在所述第一光学组件（110，210）及所述第二光学组件（120，220）之间实行多个长度测量。
11.一种用于微光刻的反射投射物镜，包含：
多个光学组件（1001-1006）；以及
多个测量布置，用于确定所述些光学组件（1001-1006）相对于彼此在六个自由度的相对位置；
其中该测量布置用于确定所述光学组件中的第一光学组件（1001-1005）及所述光学组件中的第二光学组件（1002-1006）在六个不同长度测量区段（1021-1025）上的相对位置，其中所述长度测量区段（1021-1025）直接延伸于所述第一光学组件（1001-1005）及所述第二光学组件（1002-1006）之间。
12.一种针对EUV操作所设计的微光刻投射曝光设备的投射物镜，包含：
多个反射镜；以及
测量布置，用于确定所有的所述反射镜相对于彼此的相对位置；
其中所述测量布置用于只使用所述反射镜本身作为确定所述相对位置的多个参考物体。
13.如权利要求12所述的投射物镜，其特征在于：所述测量布置用于确定每个所述反射镜直接相对于所述反射镜中的另一个的位置，该所述反射镜中的另一个优选地为光束路径中与各个所述反射镜分别相邻的反射镜。
14.如权利要求12或13所述的投射物镜，其特征在于：所述测量布置对于反射镜的相对于所述投射物镜的外部环境的位置改变并不敏感，如果所述位置改变意味着其他的反射镜的位置改变而这导致所述反射镜相对于彼此维持相同的相对位置的话。
15.如权利要求12或14中的一项所述的投射物镜，其特征在于：所述反射镜由一保持结构所保持，其中所有的反射镜只与所述保持结构操作接触。
16.如权利要求15所述的投射物镜，其特征在于：所述操作接触至少部分是利用电磁力所提供，尤其是利用多个劳仑兹致动器。
17.如权利要求15或16所述的投射物镜，其特征在于：至少一个反射镜与所述保持结构为机械操作接触。
18.一种安装用于微光刻的投射物镜的方法，其中所述投射物镜具有多个反射镜，在安装期间所述反射镜在光刻工艺中的工作位置取向，其中所述取向操作使用调整波长的调整光来实现，其中所述调整波长及工作波长在EUV范围。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于：所述调整波长与用于所述光刻工艺中的所述工作波长一致，其差为±10nm、尤其±5nm、更尤其±3nm。
20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于：所述安装步骤由至少一干涉测量所支持。
21.如权利要求18至20中任一项所述的方法，其特征在于：在所述调整操作中，在不同长度测量区段上确定两个个别反射镜的相对位置，其中所述长度测量区段直接延伸于所述反射镜之间。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：在所述调整操作中，在六个不同长度测量区段上确定两个个别反射镜的相对位置，其中所述长度测量区段直接延伸于所述反射镜之间。
23.如权利要求21或权利要求22所述的方法，其特征在于：所述长度测量区段布置成史都华-高夫平台的几何形状。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US24714209P | 2009-09-30 | 2009-09-30 | |
| DE102009043501.8 | 2009-09-30 | ||
| US61/247,142 | 2009-09-30 | ||
| DE200910043501 DE102009043501A1 (de) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102009054860.2 | 2009-12-17 | ||
| DE200910054860 DE102009054860A1 (de) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | Optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| PCT/EP2010/063158 WO2011039036A2 (en) | 2009-09-30 | 2010-09-08 | Optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102648402A true CN102648402A (zh) | 2012-08-22 |
| CN102648402B CN102648402B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=43382553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080053976.5A Expired - Fee Related CN102648402B (zh) | 2009-09-30 | 2010-09-08 | 光学系统、特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8654345B2 (zh) |
| JP (1) | JP5432382B2 (zh) |
| KR (1) | KR101328870B1 (zh) |
| CN (1) | CN102648402B (zh) |
| TW (1) | TWI446120B (zh) |
| WO (1) | WO2011039036A2 (zh) |
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Also Published As
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|---|---|
| KR20120092613A (ko) | 2012-08-21 |
| WO2011039036A3 (en) | 2011-05-26 |
| US20120140241A1 (en) | 2012-06-07 |
| KR101328870B1 (ko) | 2013-11-13 |
| US8654345B2 (en) | 2014-02-18 |
| CN102648402B (zh) | 2015-11-25 |
| TWI446120B (zh) | 2014-07-21 |
| JP5432382B2 (ja) | 2014-03-05 |
| TW201137530A (en) | 2011-11-01 |
| WO2011039036A2 (en) | 2011-04-07 |
| JP2013506277A (ja) | 2013-02-21 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
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