CN105093836A - Euv光刻装置及其曝光方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种EUV光刻装置及其曝光方法，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

Description

EUV光刻装置及其曝光方法

技术领域

本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种EUV光刻装置及其曝光方法。

背景技术

投影曝光装置用于将掩模版上的电路图形经过投影光学系统做投影曝光的装置，能够将电路图形以一定放大或缩小的倍率投影于制造集成电路的硅片上。集成电路的发展遵循“Moore定律”，随着IC制造技术的飞速发展，IC集成度逐渐提高，投影曝光装置所用光波长也逐步下降，当前使用的主流光刻技术采用193nm(DeepUV；DUV)波长的激光。在浸没技术，双重曝光和多重曝光等围绕工艺创新技术的驱动下，逐渐逼近到DUV波长所能达到的光刻极限，预计在纳米节点，使用193nm曝光装置的用户拥有成本将大大提高，而采用波长13.5nm的极紫外线(ExtremeUV，EUV)光曝光装置(EUVL)将体现出更大的竞争优势，并将无可争议地成为下一代光刻技术的首选。所述EUV曝光装置的典型配置如图1所示，包括：基础框架10、掩模台20、测量框架30、面型传感器31、EUV光源50、照明系统42、投影系统41以及硅片台60。

由于现有物质对紫外波段(13.5nm)光能有很强的吸收性，所以EUVL照明和投影系统除需很高的真空度外，所有镜片都采用了反射方式，其中包括反射式掩模。因此，照明光束不与掩模基底垂直，一般入射角为6度，由此掩模局部面型，倾斜以及材料性质会对成像质量产生很大影响。另外，根据反射光学系统的性质，为兼顾大的曝光视场和成像质量，系统更倾向于设计成环形视场(参照2001年美国专利US6225027B1EUVLsystem)。倾斜的主光线角加上环形视场导致成像系统的非远心性，所谓非远心性意味着，掩模与最佳物面的垂向偏差会导致成像系统的套刻误差，这一套刻误差将超过用户允许的范围(因193nm光刻设备通常采用双远心设计而不存在这类问题)。为控制这一误差，掩模高度的控制精度需保持在10到20nm左右(与常规的193nm光刻设备硅片高度控制精度相当)，所以为解决EUV光刻系统物方非远心导致的套刻误差问题，需要增加掩模面型传感器31，所述面型传感器31测量掩模面上吸收层在整个掩模面上的相对高度分布。

由于掩模台本身或掩模背面不可避免地存在颗粒污染，导致上载到掩模台后的掩模局部面型会发生变化，所以需要测量掩模面各点位置及其对应的形貌，在系统运行过程中，通过“获取校正量——计算调整量——执行可调元件”进行套刻误差控制。测量的时机选择在掩模版加载到掩模台后，在正式进行硅片曝光前进行。测得的数据传输到由控制模块处理，调节掩模磁浮台调整高度。掩模高度的调节精度主要依赖于倍率的测量精度和激光干涉仪的精度。这需要实时协调多个耦合系统，并要有精确而快速的反馈处理时间。

当今曝光装置为提高产率均需要进行多批次曝光连续工作，对加载后的掩模事先进行全面的局部面型测量不可避免地影响产率，同时如何解决EUV光刻环境下，掩模面型测校，高真空环境下的掩模热效应变形，双重或多重曝光等问题，这些问题都会不同程度地对光刻产率造成影响。

因此，现有技术中均存在以下几点技术问题：

1、EUV光刻多批次连续曝光时，在每批次第一片硅片曝光前，都需要在交换位对掩模进行交换，在测量位对掩模面型进行测量，而后在曝光位进行曝光，特别是在执行双曝光或多重曝光工艺时，每一片掩模的切换和后续操作测量都需串行进行，产率因此受到影响。

2、在EUV高真空环境中，掩模散热更为困难，当一片掩模连续曝光后掩模吸收层因受热形变，影响成像质量，需等待进行降温处理而影响产率。

3、EUV光刻系统对环境特别敏感，需要使用测校掩模对系统进行校准时，掩模更换和面型测量耗费时间，影响产率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种EUV光刻装置及其曝光方法，能够承载多个掩模，在第一掩模曝光的同时能够对其余掩模进行面型测量，并且能够通过切换掩模的方式更换另一块掩模进行曝光，避免了一块掩模长时间工作受热变形的问题又能够提高EUV光刻装置的产率。

为了实现上述目的，本发明提出了一种EUV光刻装置，包括：

EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统；其中，所述EUV光刻装置分为曝光位和测量位，所述投影系统和工件台位于曝光位，所述掩模面型组合测量系统位于测量位；所述掩模台承载多个反射式掩模，所述EUV光源发出的光线经过所述照明系统、掩模台上的反射式掩模和投影系统照射至工件台上，所述掩模面型组合测量系统在测量位对所述反射式掩模进行面型和位置测量。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模面型组合测量系统包括测量框架以及至少一个组合面型传感器，所述组合面型传感器固定于所述测量框架上，并位于测量位。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述组合面型传感器包括第一位置传感器、第二位置传感器以及多个面型传感器，所述面型传感器位于第一位置传感器和第二位置传感器之间。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模面型组合测量系统包括一个组合面型传感器，并位于测量位。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另一块反射式掩模位于测量位，并与所述组合面型传感器相对。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模面型组合测量系统包括2个组合面型传感器，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模台承载3个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另两块分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个组合面型传感器相对。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述掩模台平移使两块反射式掩模由第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。

进一步的，在所述的EUV光刻装置中，所述EUV光刻装置还包括基础框架和交换位，所述EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统均设置于所述基础框架内，所述交换位处能够更换反射式掩模。

进一步的，本发明还提出了一种EUV光刻曝光方法，采用如上文所述的EUV光刻装置，所述方法包括步骤：

在测量位加载一反射式掩模，并在工件台上加载硅片；

使用掩模面型组合测量系统对所述反射式掩模进行面型和位置测量；

将反射式掩模加载至曝光位，并建立起反射式掩模与硅片的位置关系；

对硅片进行曝光处理，同时加载另一反射式掩模至测量位；

使用掩模面型组合测量系统对另一反射式掩模进行面型和位置测量；

进行硅片曝光处理；

待曝光完毕更换硅片时，将另一反射式掩模加载至曝光位，并建立起另一反射式掩模与硅片的位置关系；

对硅片进行曝光处理，循环上述步骤直至将所有硅片曝光完毕。

进一步的，在所述的EUV光刻曝光方法中，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述反射式掩模设有掩模标记，所述掩模承载台设有掩模载台标记，所述掩模面型组合测量系统对所述掩模标记和掩模载台标记进行识别，建立反射式掩模的水平位置关系，所述掩模面型组合测量系统对反射式掩模高度进行测量，得到反射式掩模的形貌关系，由反射式掩模的水平位置关系和形貌关系建立起反射式掩模与硅片曝光场的空间位置关系以及多种参数。

进一步的，在所述的EUV光刻曝光方法中，在进行曝光处理时，对另一反射式掩模进行面型粗测量，所述面型粗测量用于获取另一反射式掩模标记位置信息和初步面型信息，并将所测得的另一反射式掩模的初步面型数据传至一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。

进一步的，在所述的EUV光刻曝光方法中，在曝光完毕更换硅片时，另一反射式掩模加载至曝光位之前，对另一反射式掩模进行面型精测量，并将所测得的另一反射式掩模的面型数据传至所述一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

进一步的，由于在某些工艺条件下，需要对曝光硅片采用双重曝光或多重曝光方式，多载的掩模台也可以方便地在EUV光刻装置中满足这种需求。由于一次可以交换多个反射式掩模，对多批次连续曝光来说可节省反射式掩模交换时间；由于采用单个掩模台承载多个反射式掩模，可共用一套掩模台定位测量系统，因此多载掩模台可省去了重复测量过程，同时也可以节省空间和成本。

附图说明

图1为现有技术中EUV装置的结构示意图；

图2为本发明实施例一中EUV装置的结构示意图；

图3为本发明实施例一中反射式掩模和掩模载台的结构示意图；

图4为本发明实施例一中组合面型传感器的剖面示意图；

图5为本发明实施例二中EUV装置的结构示意图；

图6为本发明实施例三中EUV装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的EUV光刻装置及其曝光方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一

请参考图2，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，包括：EUV光源100、照明系统210、投影系统220、工件台700、掩模台300和掩模面型组合测量系统；其中，所述EUV光刻装置分为曝光位和测量位，所述投影系统220和工件台700位于曝光位，所述掩模面型组合测量系统位于测量位；所述掩模台300承载多个反射式掩模400，所述EUV光源100发出的光线经过所述照明系统210、掩模台上的反射式掩模400和投影系统220照射至工件台700上(如图中箭头所示)，所述掩模面型组合测量系统在测量位对所述反射式掩模进行面型和位置测量。

在本实施例中，所述EUV光刻装置还包括基础框架600和交换位，所述EUV光源100、照明系统210、投影系统220、工件台700、掩模台300和掩模面型组合测量系统均设置于所述基础框架600内，所述交换位处能够更换反射式掩模400。

在本实施例中，所述掩模面型组合测量系统包括测量框架520以及至少一个组合面型传感器(RLS)510，所述组合面型传感器510固定于所述测量框架520上，并位于测量位。请参考图4，所述组合面型传感器510包括第一位置传感器511、第二位置传感器512以及多个面型传感器513，例如为8个面型传感器513，所述面型传感器513位于第一位置传感器511和第二位置传感器512之间。掩模面型组合测量系统处于测量位，兼有掩模位置测量和掩模面型测量功能，整个测量系统按直线布置，第一位置传感器511、第二位置传感器512构成的位置测量系统位于直线两边并覆盖掩模载台标记和掩模标记，面型传感器513位于测量系统中央并覆盖整个被测量的反射式掩模400的掩模面。

在本实施例中，所述掩模面型组合测量系统仅仅包括一个组合面型传感器510，并位于测量位，所述掩模台300承载2个反射式掩模400，所述反射式掩模400由掩模载台410承载与所述掩模台300相连，一块反射式掩模400位于曝光位，另一块反射式掩模400位于测量位，并与所述组合面型传感器510相对.

在本实施例中，还提出了一种EUV光刻曝光方法，采用上文所述的EUV光刻装置，所述方法包括步骤：

S100：在测量位加载一反射式掩400，并在工件台700上加载硅片800；

S200：使用掩模面型组合测量系统对所述反射式掩模400进行面型和位置测量；

S300：将反射式掩模400加载至曝光位，并建立起反射式掩模400与硅片800的位置关系；

S400：对硅片800进行曝光处理，同时加载另一反射式掩模400至测量位；

S500：使用掩模面型组合测量系统对另一反射式掩模400进行面型和位置测量；

S600：进行硅片800曝光处理；

S700：待曝光完毕更换硅片800时，将另一反射式掩模400加载至曝光位，并建立起另一反射式掩模400与硅片800的位置关系；

S800：对硅片800进行曝光处理，循环上述步骤直至将所有硅片800曝光完毕。

具体的，在交换位可通过EUV光刻装置的掩模传输系统进行反射式掩模400交换；可同时加载和卸载两块反射式掩模400；即第一块反射式掩模400首先进入测量位；位于测量位处于第一块反射式掩模400下方的组合面型传感器(RLS)510开始对第一块反射式掩模400进行水平位置和面型高度测量。

如图4和图5所示，所述反射式掩模400设有掩模标记R1、R2、R3和R4；所述掩模载台410设有掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4；所述掩模面型组合测量系统对所述掩模标记R1、R2、R3和R4和掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4进行识别，建立反射式掩模的水平位置关系，具体的，掩模台300沿水平方向往返扫描，组合面型传感器510可对两者的标记进行识别，并建立水平位置关系。所述面型传感器513可以对反射式掩模400的表面对应位置的掩模高度进行测量，即得到反射式掩模400的形貌关系，扫描的次数由面型测量精度决定，同时所述第一位置传感器511、第二位置传感器512用于确定反射式掩模400和掩模载台410的水平位置。

扫描完毕后将所述反射式掩模400载入曝光位。接着将反射式掩模400进行对准，该步骤通过工件台700上的图像传感器(图未示出)测量掩模载台410上的掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4，由此推算出反射式掩模400空间像的位置参数，建立起反射式掩模400与硅片800曝光场的空间位置关系，倍率调整量等多种参数(即得出反射式掩模400高度变化所导致的套刻误差变化量)。

进行硅片800曝光时，此时处于曝光位的反射式掩模400在建立了与硅片800的位置关系后，开始对硅片800曝光场进行连续曝光，通过调用在测量位测得的反射式掩模400的面型数据结合扫描位置和最优调整策略，对掩模台300的姿态进行前馈调整，从而实时校准曝光场的套刻误差。此时，另一反射式掩模400正处于测量位，组合面型传感器510可对另一反射式掩模400进行对准和全局格点面型粗测量，所述面型粗测量用于获取另一反射式掩模400的标记位置信息和初步面型信息，并将所测得的另一反射式掩模400面型数据传至服务器端，作为另一反射式掩模400前馈扫描曝光时像差校准的依据。

等一个硅片800扫描曝光完毕后，该硅片800进入交换状态，此时处于曝光位的反射式掩模400的处于闲置状态，处于测量位的另一反射式掩模400此时进行局部格点面型精测量，并将所测得的另一反射式掩模的面型数据传至所述一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。因此，对另一反射式掩模400进行面型和位置测量的时间与对硅片800进行曝光以及更换硅片800的时间共用。等到该批次硅片800曝光完毕后，需要继续曝光下一批次硅片800时，则另一反射式掩模400进入曝光位，开始后续曝光。等待第二批次硅片800曝光完毕，掩模台300进入交换位进行另外两个反射式掩模400的交换。

实施例二

请参考图5，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，是在实施例一的基础上设置了2个组合面型传感器510，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧，所述掩模台300承载3个反射式掩模400，所述反射式掩模400由掩模载台410承载与所述掩模台300相连，一块反射式掩模400位于曝光位，另两块反射式掩模400分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个组合面型传感器510相对。

本实施例提出的EUV光刻装置以及EUV光刻曝光方法均与实施一相一致，具体请参考实施例一，在此不再赘述。

不同于实施例一中的是，等到第一批次硅片800曝光完毕后，需要继续曝光下一批次硅片800，则可以由位于第一测量位或位于第二测量位的反射式掩模400进入曝光位，开始后续曝光。等待第二批次硅片800曝光完毕，需要继续曝光则可以将剩下的一个测量位的反射式掩模400进入曝光位，开始后续曝光。因此，本实施例提出的EUV光刻装置可以实现三个反射式掩模400的交换。

实施例三

请参考图6，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，其包括2个组合面型传感器510以及两个测量位，两个测量位分别是第一测量位和第二测量位，分别位于曝光位的两侧。

但是在本实施例中，所述掩模台300仅仅承载2个反射式掩模400，掩模台300能够按照图6中的箭头方向水平移动，从而可以使两块反射式掩模400由第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。

其余装置和曝光方法均与实施例一相同，在此不再赘述，具体请参考实施例一。

综上，在本发明实施例提供的EUV光刻装置及其曝光方法中，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

进一步的，多载台掩模可以通过切换反射式掩模的方式，相对快速地在另一块同样的反射式掩模上继续硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可使EUV光刻装置利用效率提高，从而降低用户对EUV光刻装置的总拥有成本；由于在某些工艺条件下，需要对曝光硅片采用双重曝光或多重曝光方式，多载的掩模台也可以方便地在EUV光刻装置中满足这种需求。由于一次可以交换多个反射式掩模，对多批次连续曝光来说可节省反射式掩模交换时间；由于采用单个掩模台承载多个反射式掩模，可共用一套掩模台定位测量系统，因此多载掩模台可省去了重复测量过程，同时也可以节省空间和成本。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种EUV光刻装置，包括：

EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统；其中，所述EUV光刻装置分为曝光位和测量位，所述投影系统和工件台位于曝光位，所述掩模面型组合测量系统位于测量位；所述掩模台承载多个反射式掩模，所述EUV光源发出的光线经过所述照明系统、掩模台上的反射式掩模和投影系统照射至工件台上，所述掩模面型组合测量系统在测量位对所述反射式掩模进行面型和位置测量。

2.如权利要求1所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括测量框架以及至少一个组合面型传感器，所述组合面型传感器固定于所述测量框架上，并位于测量位。

3.如权利要求2所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述组合面型传感器包括第一位置传感器、第二位置传感器以及多个面型传感器，所述面型传感器位于第一位置传感器和第二位置传感器之间。

4.如权利要求3所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括一个组合面型传感器，并位于测量位。

5.如权利要求4所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另一块反射式掩模位于测量位，并与所述组合面型传感器相对。

6.如权利要求3所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括2个组合面型传感器，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧。

7.如权利要求6所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载3个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另两块分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个组合面型传感器相对。

8.如权利要求6所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述掩模台平移使两块反射式掩模由第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。

9.如权利要求1所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述EUV光刻装置还包括基础框架和交换位，所述EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统均设置于所述基础框架内，所述交换位处能够更换反射式掩模。

10.一种EUV光刻曝光方法，采用如权利要求1至9中任意一种所述的EUV光刻装置，所述方法包括步骤：

在测量位加载一反射式掩模，并在工件台上加载硅片；

使用掩模面型组合测量系统对所述反射式掩模进行面型和位置测量；

将反射式掩模加载至曝光位，并建立起反射式掩模与硅片的位置关系；

对硅片进行曝光处理，同时加载另一反射式掩模至测量位；

使用掩模面型组合测量系统对另一反射式掩模进行面型和位置测量；

进行硅片曝光处理；

待曝光完毕更换硅片时，将另一反射式掩模加载至曝光位，并建立起另一反射式掩模与硅片的位置关系；

对硅片进行曝光处理，循环上述步骤直至将所有硅片曝光完毕。

11.如权利要求10所述的EUV光刻曝光方法，其特征在于，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述反射式掩模设有掩模标记，所述掩模承载台设有掩模载台标记，所述掩模面型组合测量系统对所述掩模标记和掩模载台标记进行识别，建立反射式掩模的水平位置关系，所述掩模面型组合测量系统对反射式掩模高度进行测量，得到反射式掩模的形貌关系，由反射式掩模的水平位置关系和形貌关系建立起反射式掩模与硅片曝光场的空间位置关系以及多种参数。

12.如权利要求11所述的EUV光刻曝光方法，其特征在于，在进行曝光处理时，对另一反射式掩模进行面型粗测量，所述面型粗测量用于获取另一反射式掩模标记位置信息和初步面型信息，并将所测得的另一反射式掩模的初步面型数据传至一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。

13.如权利要求12所述的EUV光刻曝光方法，其特征在于，在曝光完毕更换硅片时，另一反射式掩模加载至曝光位之前，对另一反射式掩模进行面型精测量，并将所测得的另一反射式掩模的面型数据传至所述一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。