KR100808615B1 - 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법, 측정장치, 측정용 lsi, 자기 기록 재생 장치 및 그 자기기록 재생용 lsi - Google Patents

매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법, 측정장치, 측정용 lsi, 자기 기록 재생 장치 및 그 자기기록 재생용 lsi Download PDF

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Abstract

MR형 재생 헤드를 갖는 자기 기록 재생에서의 다양한 종류의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 양호한 정밀도로 측정한다.
헤드 IC(5), 자기 헤드(3)를 통하여 자기 디스크(매체)(2)에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호를 자기 헤드(3)에 의해 검출하여 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 매체(2)에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각마다 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하며, 제 1 소정 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 제 2 소정 고조파 성분으로부터 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출한다.
Figure R1020070043184
고조파, 자기 헤드, 액츄에이터, 비선형성

Description

매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법, 측정 장치, 측정용 LSI, 자기 기록 재생 장치 및 그 자기 기록 재생용 LSI{MEASURING METHOD OF NONLINEARITY IN MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING OF MEDIUM, MEASURING APPARATUS, LSI FOR MEASUREMENT, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS, AND LSI FOR MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING}
도 1은 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 제 1 실시형태의 블록 구성도.
도 2는 자기 기록 시에 발생하는 NLTS의 설명도.
도 3은 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 제 2 실시형태의 블록 구성도.
도 4는 도 3의 자기 디스크 장치에 사용되는 패턴 발생회로의 일 실시예의 블록 구성도.
도 5는 본 발명에 의한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정하는 자기 기록 재생 장치의 일 실시형태의 블록도.
도 6은 고속 푸리에(Fourier) 변환기 FFT의 출력 예를 나타내는 도면.
도 7은 종래기술에 의한 피측정 신호로서 Dibit 패턴을 사용한 경우에 있어서, 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명에 의한 피측정 신호로서 Tribit 패턴을 사용한 경우에 있어 서, 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명에 의한 피측정 신호로서 2T 패턴을 사용한 경우에 있어서, 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면.
도 10은 본 발명에 의한 피측정 신호로서 HTS(O/W NLTS)를 사용한 경우에 있어서, 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면.
도 11a는 1비트 전의 전(前)기록 데이터에 의한 NLTS를 0%∼30%까지 변화시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면, 도 11b는 도 11a에 있어서 각각 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%로 고정시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면.
도 12a는 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%∼30%까지 변화시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면, 도 12b는 도 12a에 있어서 각각 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%로 고정시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면.
도 13a는 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%∼30%까지 변화시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면, 도 13b는 도 13a에 있어서 각각 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%로 고정시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면.
도 14a는 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%∼30%까지 변화시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면, 도 14b는 도 14a에 있어서 각각 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%로 고정시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 100 : 자기 디스크 장치
2 : 자기 디스크
3 : 자기 헤드
4 : 액츄에이터
5 : 헤드 IC
6, 16 : 제어회로
7 : 인코더
8, 18 : 기록 보정회로
9 : AGC 회로
10 : 신호 검출회로
11 : 디코터
20 : 패턴 발생회로
30 : 선택회로
31 : 시프트 레지스터
본 발명은 비선형성 측정 방법에 관한 것으로서, 특히, 자기 테이프, 자기 카드, 플렉시블(flexible) 디스크, 자기 디스크, 광자기 디스크 및 자기 드럼 등의 기록 매체에 디지털 데이터를 자화 극성의 변화로서 기록하고 재생하는 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정 방법, 자기 기록 재생 장치 및 자기 기록 재생용 LSI(LARGE SCALE INTEGRATION: 대규모 집적 회로)에 관한 것이다.
최근, 자기 기록 재생 장치의 고밀도화 및 고속 데이터 전송화에 따라, 자기 헤드, 기록 매체 및 기록 재생 전송계에서 발생하는 비선형 천이 시프트(NLTS: Non-Linear Transition Shift)를 파악하기 위해 NLTS의 측정이 필수로 되었다. 이 NLTS는, 기록 데이터가 그 직전 또는 직후의 기록 데이터의 영향을 받지 않도록 천이 시프트(TS)를 고려하여, 기록 매체를 자기 기록하고 기록 데이터를 정확하게 재생하기 위해 필요한 데이터이다.
종래기술에 의한 NLTS 측정 방법으로서, 1994년, IEEE Transactions on Magnetics, Vol.30, No.6, p.4236에 X.Che, M.J.Peek 및 J.Fitzpartick의 "A Generalized frequency domain nonlinearity measurement method"라고 제목을 붙인 논문이 알려져 있다. 이 논문에는 자화 반전의 연속이 2비트(Dibit)를 포함하는 비트 열 패턴의 신호를 매체에 자기 기록하여 발생하는 NLTS 측정 방법이 기재되어 있다.
이 NLTS 측정 방법에 대해서 후술한다. 이 NLTS 측정 방법은 하기의 3개의 스텝으로 구성된다.
스텝 1에서는, 1비트의 펄스 폭을 T로 하여 15비트마다(15T에서) 극성이 반전하는 30T의 비트 열 패턴을 반복하는 기준 신호에 의해 데이터를 매체 상에 기록하고, 그 재생 신호의 제 5 고조파 신호(이하, 5차 성분이라고 기재함)를 측정한다. 이 5차 성분을 V5ref로 한다. 매체 상에 기록하는 데이터의 기록 부호를 레벨로 표시하는 NRZ 표기 및 기록 부호를 레벨의 반전으로 표시하는 NRZI 표기에 의해 상기 기준 신호를 이하에 나타낸다.
기준 신호: NRZ 표기: 111111111111111 O0OOOOOOO0OOOO0
NRZI 표기: 10OOOOOOOO0OOOO 1OOOOOOOOOOOOOO
스텝 2에서는, Dibit 패턴을 포함하는 30T의 비트 열 패턴을 반복하는 피측정 신호에 의해 데이터를 매체 상에 기록하고, 그 재생 신호의 5차 성분 V5pat를 측정한다. NRZ 표기 및 NRZI 표기에 의해 상기 피측정 신호를 이하에 나타낸다.
피측정 신호: NRZ 표기: 100000001111111 O1111111O0OOOO0
NRZI 표기: 11OOOOOO1O0OOOO 11OOOOOO1OOOOOO
스텝 3에서는, 스텝 1 및 스텝 2에서 측정한 5차 성분 V5ref 및 V5pat로부터 비율 Vab=V5pat/V5ref를 산출한다. 이어서, Dibit에서 발생하는 NLTS(Dibit)를 하기의 식 (1)로부터 산출한다. 여기서, NLTS는 1T로 규격화한 값, 즉, 1T의 펄스 폭을 1(100%)로 한 값이다.
NLTS(Dibit)=acos〔(2-Vab2)/2〕*3/π …(1)
상기 식 (1)은 하기 식 (2)에 의해 근사시킬 수 있다.
NLTS(Dibit)=Vab*3/π …(2)
또한, 상기 논문에는 자화 반전이 더 연속된 경우의 NLTS 측정 방법도 기재되어 있으나, 상기 논문의 저자 J.Fitzpartick와 함께 A.Taratorin, S.X.Wang, B.Wilson이 나중(1996년 1월)에 IEEE Transactions on Magnetics. Vol.33, No.1, P956-961에 발표한 "Non-Linear Interactions in a Series of Transitions"라고 제목을 붙인 논문에서는, 재생 헤드에 MR(자기저항 효과)형의 것이 사용된 경우, 재생 헤드의 비선형성을 제거하지 않으면 NLTS 측정치에 큰 오차가 생기는 것이 기재되어 있다.
또한, NLTS의 하나로서 전(前)기록 데이터에 의한 천이 시프트(HTS: Hard Transition Shift 또는 O/W(Over Write) NLTS)가 있으며, 그 측정 방법으로서 단일 비트 열 패턴을 반복하는 기준 신호(f)와 그 1/2 주파수의 피측정 신호(f/2)로부터 NLTS를 산출하는 방법이 알려져 있다. 이 방법에 의하면, 기준 신호(f)의 기록과 더불어 피측정 신호(f/2)를 동기하여 기록할 필요가 있어 그 조정이 번거로우며, 기준 신호의 주파수를 변경하면 HTS(=NLTS)가 서로 다를 경우가 있어, 상술한 5차 고조파 성분에 의한 NLTS 측정 방법과 달리 측정 방법을 부득이하게 변경해야만 하는, 즉, 측정 방법의 호환성을 없앤다는 문제가 있다.
또한, 종래에는 Dibit의 비트 열 패턴을 갖는 신호에서 발생하는 비선형 천이 시프트(NLTS)를 측정하는 것만으로도 자기 기록 재생 장치의 성능 판정이 충분 했으나, 최근에는 자기 기록 재생의 고속 및 고밀도화에 따라, Dibit 이외의 Tribit 또는 2T의 비트 열 패턴을 반복하는 신호에서 발생하는 비선형 천이 시프트(NLTS)를 측정하는 것이 요구되고 있다.
또한, 종래에는 기준 신호 또는 피측정 신호가 상위 장치로부터 부여되어, NLTS의 계산을 상위 장치에서 행하였다. 따라서, 상위 장치 측에 이러한 특수 기능이 필요하여, 출하된 후에 재계산하는 것이 곤란했다.
그래서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여, 번거롭지 않으며, 전자유도형 재생 헤드뿐만 아니라 MR(자기저항 효과)형 재생 헤드에 기인하는 비선형성에 대한 측정 오차를 적게 하거나, NLTS 측정 방법에 호환성을 부여하는, 즉, 측정 방법을 변경하지 않고 다양한 종류의 NLTS를 용이하게 측정할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 자기 기록 재생 장치 단독으로 NLTS를 측정할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정 방법은, 매체에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각마다 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하며, 상기 제 1 소정 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 각 스텝을 구비한 것을 특 징으로 한다.
상기 본 발명의 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정 방법에 있어서, 상기 소정 고조파 성분은 제 5 고조파 성분이다.
소정 고조파 성분에는 제 5 고조파 이외에 제 6 고조파, 제 7 고조파 등을 선정할 수도 있다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제 1 형태의 자기 기록 재생용 LSI는, 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호로서 복수 종류의 비트 열 패턴과 공통인 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 복수 종류의 소정 비트 열 패턴을 발생시키는 회로를 내장한 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제 2 형태의 자기 기록 재생용 LSI는, 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호 및 하나의 상기 기준 신호에 대응하는 복수의 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제 3 형태의 자기 기록 재생용 LSI는, 매체 에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호를 이루는 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 소정의 비트 열 패턴을 발생시키는 회로와, 상기 매체에 기록된 상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 3 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 1 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 1, 2, 6, 7, 9, 12, 15, 16, 17, 21 비트째 및 제 22 비트째에 있는 111000110100100 111000110000000의 30비트 열 패턴이다.
상기 제 1 및 제 3 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 2 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 8, 15, 17 비트째 및 제 23 비트째에 있는 101000001000000 101000001000000의 30비트 열 패턴이다.
상기 제 1 및 제 3 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 3 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 4, 6, 8, 12, 14, 16, 18 비트째 및 제 20 비트째에 있는 101010101000101 010101000000000의 30비트 열 패턴이다.
상기 제 1 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 상기 기준 신호 또는 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호로부터 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한다.
상기 제 1 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로에 의해 측정되고, 상기 기준 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 비율 Vab(=V5pat/V5ref)를 산출하는 회로를 내장한다.
상기 제 1 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 상기 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 산출된 상기 비율 Vab(=V5pat/V5ref)에 의거하여, 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 회로를 내장한다.
상기 제 1 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기 록 재생용 LSI는, 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로가 고속 푸리에 변환회로를 구비한다.
상기 제 1, 제 2 및 제 3 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정에 사용되는 자기 기록 재생용 LSI는, 상기 제 5 고조파 성분에 의거하여 라이트 보상회로를 조정하는 회로를 내장한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제 1 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정하는 자기 기록 재생 장치는, 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 기준 신호로서 상기 복수 종류의 비트 열 패턴과 공통인 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 복수 종류의 소정 비트 열 패턴을 발생시키는 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제 2 형태의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정하는 자기 기록 재생 장치는, 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 기준 신호 및 하나의 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 제 1 실시형태의 블록 구성도이다. 자기 디스크 장치(1)는, 높은 보자력의 자성막을 사용하고 원판형상의 매체 상에 트랙이 형성된 자기 디스크(2)를 회전시키면서, 자기 디스크(2)에 대향하여 배치된 자기 헤드(3)에 기록 전류를 공급함으로써 자기 헤드(3)에 자계를 발생시키며, 자기 디스크(2)를 트랙 진행 방향으로 자화함으로써 자기 디스크(2)에 데이터를 기록한다. 이 때, 자기 헤드(3)는 액츄에이터(4)에 의해 자기 디스크(2)의 반경 방향으로 이동하고, 동심원 형상으로 형성된 자기 디스크(2)의 트랙 상에 데이터를 기록하여 간다. 또한, 자기 헤드(3)에는 헤드 IC(5)로부터 기록 전류가 공급되고, 기록 데이터에 따른 자계가 발생된다.
기록 데이터는, 먼저, 외부로부터 제어회로(6)에 공급된다. NLTS 측정에 사용되는 기록 데이터는, 기준 신호로서의 기준 패턴 Ref 및 피측정 신호로서의 피측정 패턴 Dibit(…00110000…), Tribit(…00111000…), 2T(…00101000…) 및 HTS(…1010…)를 갖는다. 여기서, NLTS에 대해서 이하에 간단하게 설명한다.
도 2는 자기 기록 시에 발생하는 NLTS의 설명도이다. 횡축은 자기 디스크의 트랙 상의 위치를 나타낸다. 도 2는 도면의 정면으로부터 보아 왼쪽에서 오른쪽으로 데이터가 기록되는 상태를 나타낸다. 도 2의 상단에는 데이터의 기록 부호를 나타내고, 2단째 이후는 차례로 자기 헤드의 기록 전류(Iw), 자계(Hx), 및 매체의 자속(φ)을 나타낸다. 도 2에 나타낸 바와 같이 기록 전류(Iw)에 대하여 NLTS1, 자계(Hx)에 대하여 NLTS2, 매체의 자속(φ)에 대하여 NLTS3이 각각 생긴다. 따라서, 전체적인 NLTS(=NLTS1+NLTS2+NLTS3)가 증대하여, 기록한 데이터의 재생 시에 판독 에러가 발생할 우려가 있다.
도 1에 대해서 다시 설명한다.
제어회로(6)는 외부로부터 상술한 기록 데이터를 수신하여 인코더(7)에 공급한다. 인코더(7)는 제어회로(6)로부터 공급된 기록 데이터를 자기 디스크(2)에 기록하기 위해, NRZ(Non-Return to Zero)의 데이터로 변환시켜 출력한다. 인코더(7)의 출력 신호는 기록 보정회로(8)에 공급된다. 또한, NRZ는 비제로(Non-Zero) 복귀 기록 방식이라고 불리는 것으로서, 2가 신호 펄스 열에서 단위 부호 간격의 길이와 펄스의 길이가 동일해지는 펄스 파형으로 기록을 행하는 기록 방식이다.
기록 보정회로(8)는 인코더(7)의 출력 기록 신호의 비트 배열을 검출하여 비트 배열에 따른 보정을 행한다. 기록 보정회로(8)에 의해 보정된 기록 신호는 헤드 IC(5)에 공급된다. 헤드 IC(5)는 기록 보정회로(8)로부터 공급된 기록 데이터에 따른 기록 전류를 자기 헤드(3)에 공급한다.
한편, 자기 헤드(3)에 의해 재생된 신호는, 헤드 IC(5)에 공급되어 증폭된 후, AGC(Automatic Gain Control) 회로(9)에 공급된다. AGC 회로(9)는 헤드 IC(5)로부터 공급된 신호의 진폭을 일정하게 제어하여 출력한다.
AGC 회로(9)의 출력 신호는 신호 검출회로(10)에 공급되어, 재생 데이터가 검출된다. 신호 검출회로(10)에 의해 검출된 재생 데이터는 디코더(11)에 공급되어, 디코딩된 후, 제어회로(6)에 공급된다. 제어회로(6)에서는 재생 데이터를 외 부에 출력한다. 또한, AGC 회로(9)의 출력 신호는 서보 복조회로(12)에 공급된다. 서보 복조회로(12)에서는 AGC 회로(9)로부터 공급된 신호로부터 서보 신호를 복조하여, 서보 제어회로(13)에 공급한다. 서보 제어회로(13)는 서보 복조회로(12)로부터 공급되는 서보 신호와 제어회로(6)로부터 공급되는 제어 신호에 따라 자기 헤드(5)의 현재 위치와 기록 또는 재생을 행해야 하는 위치와의 차에 따른 드라이브 제어 신호를 생성하여, 드라이브 회로(14)에 공급한다.
드라이브 회로(14)는 서보 제어회로(13)로부터 공급된 드라이브 제어 신호에 따라 액츄에이터(4)를 구동시키는 드라이브 신호를 생성하고, 액츄에이터(4)에 공급한다. 액츄에이터(4)는 드라이브 회로(14)로부터의 드라이브 신호에 따라 구동되고, 자기 헤드(5)를 소정 위치에 이동시킨다. 이러한 자기 디스크 장치(1)에 의해 자기 디스크(2)에 데이터를 기록할 경우, 자기 디스크(2)를 자화할 필요가 있기 때문에, 기록 매체 상의 전기록 데이터의 자화 반전의 영향에 의해 기록 데이터에 위치 어긋남이 발생하고, 원래의 자화 반전 위치로부터 위치 어긋남이 발생하게 된다.
도 3은 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 제 2 실시형태의 블록 구성도이다. 도 3에 나타낸 자기 디스크 장치(100)는, 도 1에 나타낸 자기 디스크 장치(1)에서 제어회로(16)와 기록 보정회로(라이트 보상회로(WPC: Write Precompensation Circuit))(18)를 하기와 같이 구성하고, 제어회로(16)와 인코더(7) 사이에 패턴 발생회로(20)를 설치하여, LSI(21)로 구성한 것이다.
제어회로(16)는 다음과 같이 동작한다. 즉, 제어회로(16)는 인코더(7)에 공 급하는 기준 신호 또는 피측정 신호를 이루는 비트 열 패턴의 기록 데이터를 선택하는 지령을 외부로부터 받아, 패턴 발생회로(20)에 공급한다.
기준 신호 및 피측정 신호는 소정의 고조파 신호, 예를 들어, 30T의 비트 열 패턴으로 이루어진 5차 고조파 신호가 사용되나, 36T의 비트 열 패턴으로 이루어진 6차 고조파 신호 또는 42T의 비트 열 패턴으로 이루어진 7차 고조파 신호를 사용할 수도 있다.
본 실시형태에서는, 제어회로(16)는 후술하는 5차 고조파법에 의한 NLTS의 산출 결과를 기록 보정회로(18)에 공급한다. 기록 보정회로(18)는 공급된 NLTS의 산출 결과에 따라 보상한 기록 신호를 헤드 IC(5)에 공급한다.
기록 보정회로(18)는, LSI(21)를 필드에 출하하기 전 또는 출하한 후에 보상 양을 수정할 수 있고, Vab=1과 동일하거나 또는 가능한 한 Vab=1에 근접하도록 보상 양을 수정하여, 최적화시킨다.
도 4는 도 3의 자기 디스크 장치에 사용되는 패턴 발생회로의 일 실시예의 블록 구성도이다. 패턴 발생회로(20)는 제어회로(16)로부터 공급되는 지령에 따라, 미리 선택회로(30) 내의 불휘발성 메모리(도시 생략)에 격납한 각각 30비트로 이루어진 기준 신호로서의 기준 패턴 Ref(…11110000…) 및 피측정 신호로서의 피측정 패턴 Dibit(…00110000…), Tribit(…00111000…), 2T(…00101000…) 및 HTS(…1010…) 중에서 하나의 기록 데이터를 선택하고, 그 30비트의 기록 데이터를 시프트 레지스터(31)에 공급한다. 시프트 레지스터(31)는 30비트 병렬 입력 직렬 출력 시프트 레지스터이며, S/L 모드가 0일 때에 30비트의 병렬 기록 데이터를 기 록하고, S/L 모드가 1일 때에 기록된 데이터를 임의의 비트로부터 1비트씩 사이클릭(cyclic)으로 직렬 시프트하여 인코더(7)에 공급한다. 이와 같이, 30비트의 기록 데이터는 인코더(7)에 공급된다.
또한, 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 다른 실시형태로서, LSI(21) 내부의 AGC 회로(9)와 신호 검출회로(10) 사이에 고속 푸리에 변환기(FFT;도시 생략)를 설치하고, AGC 회로(9)로부터 출력되는 재생 신호로부터 5차 고조파 성분을 검출하며, 제어회로(16)를 통하여 외부에 5차 고조파 성분을 출력하도록 구성하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 의한 자기 디스크 장치의 다른 실시형태로서, 제어회로(16)가 외부로부터 기준 신호 또는 피측정 신호의 패턴 신호를 수신하고, 수신한 패턴 신호를 기록 보정회로(18)를 통하여 헤드 IC(5)에 공급하여 기록하며, 재생하도록 구성할 수도 있다.
다음으로, 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정의 기본형에 대해서 이하에 설명한다. 또한, 여기서는 제 1 실시형태에 따른 자기 디스크 장치를 참조하면서 설명한다. 이 NLTS 측정 방법은 하기의 3개의 스텝으로 구성된다.
스텝 1에서는, 1비트의 펄스 폭을 T로 하여 15비트마다(15T에서) 극성이 반전하는 30T의 비트 열 패턴을 반복하는 기준 신호를 외부로부터 제어회로(6)에 보내, 데이터를 자기 디스크(2) 상에 기록하고, 그 재생 신호를 AGC 회로(9)의 출력으로부터 검출하며, 그 제 5 고조파 신호(이하, 5차 성분이라고 기재함)를 스펙트럼 애널라이저(analyzer) 또는 FFT에 의해 측정한다. 이 5차 성분을 V5ref로 한 다. 자기 디스크(2) 상에 기록하는 데이터의 기록 부호를 레벨로 표시하는 NRZ 표기 및 기록 부호를 레벨의 반전으로 표시하는 NRZI 표기에 의해 상기 기준 신호를 이하에 나타낸다.
기준 신호: NRZ 표기: 111111111111111 O0OOOOOOO0OOOO0
NRZI 표기: 10OOOOOOOO0OOOO 1OOOOOOOOOOOOOO
스텝 2에서는, 스텝 1과 동일하게, Dibit 패턴을 포함하는 30T의 비트 열 패턴을 반복하는 피측정 신호에 의해 데이터를 자기 디스크(2) 상에 기록하고, 그 재생 신호의 5차 성분 V5pat를 스펙트럼 애널라이저 또는 FFT에 의해 측정한다. NRZ 표기 및 NRZI 표기에 의해 상기 피측정 신호를 이하에 나타낸다.
피측정 신호: NRZ 표기: 100000001111111 O1111111O0OOOO0
NRZI 표기: 11OOOOOO1O0OOOO 11OOOOOO1OOOOOO
스텝 3에서는, 스텝 1 및 스텝 2에서 측정한 5차 성분 V5ref 및 V5pat로부터 비율 Vab=V5pat/V5ref를 산출한다. 이어서, Dibit에서 발생하는 NLTS(Dibit)를 하기의 식 (1)로부터 산출한다. 여기서, NLTS는 1T로 규격화한 값, 즉, 1T의 펄스 폭을 1(100%)로 한 값이다.
NLTS(Dibit)=acos〔(2-Vab2)/2〕*3/π …(1)
상기 식 (1)은 하기 식 (2)에 의해 근사시킬 수 있다.
NLTS(Dibit)=Vab*3/π …(2)
다음으로, 각종 피측정 패턴을 사용한 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정에 대 해서 이하에 설명한다. 여기서는, 기준 패턴을 공통으로 하고, 복수 종류의 피측정 패턴을 설치하며, 측정도 제 5 고조파로 하고 있다. 또한, 피측정 패턴의 선택에 대해서는 재생 신호에 MR 헤드의 비선형성을 모델화한 재생 신호를 사용하여 내(耐)MR 비선형성 패턴을 선택하고 있다.
도 5는 본 발명에 의한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정하는 자기 기록 재생 장치의 일 실시형태의 블록도이다. 패턴 발생기(51)로부터 기준 신호 또는 피측정 신호가 기록수단(52)을 통하여 매체(53)에 기록된다. 매체(53)에 기록된 데이터는 재생수단(54)을 통하여 제 1 고속 푸리에 변환기 FFT(55)에 입력된다. 한편, 패턴 발생기(51)로부터 기준 신호 또는 피측정 신호가 제 2 고속 푸리에 변환기 FFT(56)에 입력된다.
도 6은 고속 푸리에 변환기 FFT의 출력 예를 나타내는 도면이다. 도 5의 FFT(55) 또는 FFT(56)에 기준 신호 또는 피측정 신호가 입력되었을 때의 주파수 성분을 횡축에, FFT 출력을 종축에 각각 나타낸다.
디바이더(divider)(57)에 의해, FFT(55)의 출력으로부터 매체의 기록 재생 신호의 5차 성분 FFTo를 추출하고, FFT(56)의 출력으로부터 매체의 기록 재생 신호의 5차 성분 FFTi를 추출하여, 이들을 제산한 값 FFTo/FFTi을 계산한다. NLTS 측정수단(58)은, 예를 들어, 펌웨어(firmware)에 의해 형성되며, 디바이더(57)의 계산 결과를 이용하고 상기 식 (1)에 의거하여 피선형성 NLTS를 계산하여, 그 계산 결과를 제어회로(59)에 출력한다.
도 5에 나타낸 비선형성 측정에서는, 패턴 발생기(51)와 기록수단(52) 사이, 기록수단(52)과 매체(53) 사이, 매체(53)와 재생수단(54) 사이 및 재생수단(54)과 FFT(55) 사이의 전송계에서 비선형성이 발생하고, 패턴 발생기(51)와 FFT(56) 사이의 전송계에는 비선형성이 발생하지 않는다. 그러나, FFTo 및 FFTi는 동일한 특정 주파수(5차 성분)이며, 주파수 특성의 오차는 생기지 않는다. 그 결과, 전송계의 f특성의 영향을 받지 않고 비선형성을 측정할 수 있다.
[표 1] 5차 고조파법에 의한 각종 NLTS의 측정 패턴
Figure 112007033304510-pat00001
표 1은 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정에 사용되는 기준 신호 및 피측정 신 호의 각종 기록 패턴의 일람표이다. 표 1에 있어서, 상단에 각 열의 항목을 나타낸다. 각 항목은 왼쪽으로부터 차례로 제 1 열째는 NLTS의 측정 종류, 제 2 열째는 기록 패턴, 제 3 열째는 NLTS, 제 4 열째는 Asymmetry에 의한 절대치 오차를 나타낸다. 표 1에 나타낸 바와 같은 피측정 패턴을 사용함으로써, 측정하는 NLTS의 종류에 관계없이 기준 패턴을 공통화할 수 있다.
표 1에 있어서, 왼쪽으로부터 제 1 열째에는 NLTS의 측정 종류로서, 피측정 패턴 Dibit(…00110000…), Tribit(…00111000…) 및 2T(…00101000…)의 양 극성, HTS(…1010…)의 단일 극성 및 기준 측정 패턴 Ref(…10001000…)이 표기되어 있다.
표 1에 있어서, 왼쪽으로부터 제 2 열째에는 상기 기준 패턴 및 피측정 패턴이 NRZI 표기로 나타나 있다. 이들 패턴에서 선택된 데이터가 기록 데이터로서 외부로부터 제어회로(16)에 30T마다 반복하여 공급된다.
표 1에 있어서, 왼쪽으로부터 제 3 열째에는 NLTS가 표기되어 있다. 위로부터 차례로 피측정 패턴 Dibit, Tribit 및 2T의 양 극성의 NLTS 평균치, 피측정 패턴 HTS의 단일 극성의 NLTS가 표기되어 있다.
표 1에 있어서, 왼쪽으로부터 제 4 열째에는 비대칭(Asymmetry)에 의한 절대치 오차가 나타나 있다. 이 오차는 기록 데이터의 재생 신호로서 자기 헤드(3)에서 검출되는 유도 전압으로부터 하기 식 (3)에 의해 산출된다.
Er=(Vp+ - Vp-)/2*(Vp+ + Vp-) …(3)
여기서, Er은 오차, Vp+는 + 유도 전압의 피크 값의 절대치, Vp-는 - 유도 전압의 피크 값의 절대치이다.
표 2는 표 1에 나타낸 5차 고조파법에 의한 NLTS 산출식의 일람표이다. 표 2에 있어서, 상단에 각 열의 항목을 나타낸다. 각 항목은 왼쪽으로부터 차례로 제 1 열째는 NLTS의 측정 종류, 제 2 열째는 피측정 신호의 제 5 고조파 성분 V5pat, 제 3 열째는 기본 신호의 제 5 고조파 성분 V5ref, 제 4 열째는 제 5 고조파 성분의 비율 Vab, 제 5 열째는 NLTS의 계산식의 엄밀해(嚴密解)와 근사해를 나타낸다.
[표 2] 5차 고조파법에 의한 각종 NLTS의 산출식
Figure 112007033304510-pat00002
표 2에 있어서, 왼쪽으로부터 제 1 열째에는 NLTS의 측정 종류 Dibit, Tribit, 2T의 양 극성 및 HTS의 단일 극성이 표기되어 있다. 표 2에 있어서, nlts는 전(前)비트의 기록 재생 시의 NLTS, ow는 하지에 의한 NLTS를 나타낸다. 또한, 측정 가능한 자화 반전 연속의 NLTS는, Dibit이면 2 비트째의 NLTS이고, Tribit이면 3 비트째의 NLTS이며, 2T이면 Dibit의 반분의 주파수로 발생하는 NLTS이다.
다음으로, 5차 고조파법에 의한 각종 NLTS의 산출식에 대해서 이하에 상세하게 설명한다.
1. Dibit NLTS(양 극성): 30T
·A패턴의 제 5차 성분의 산출
A패턴 자화 반전 위치: [0, 1, 8, 15, 16, 23]
전bit에 의한 NLTS를 bit 주기 T로 정규화한 것을 tn, 전력(前歷)에 의한 NLTS를 정규화한 것을 tow로 한다.
Va(t)=h(t)-h(t-T-Ttow+Ttn)+h(t-8T)-h(t-15T-Ttow)+h(t-16T+Ttn)
-h(t-23T-Ttow)
Va(f)=H(f)〔exp(0)-exp(-jωT(1+tow-tn))+exp(-jωT(8))
-exp(-jωT(15+tow))+exp(-jωT(16-tn))-exp(-jωT(23+tow))〕
제 5차 성분은 5f0=5/T0=5/(30T)=1/(6T)이기 때문에, ωT=2πfT=2π5f0T=3/πo, 여기서, f0은 반복 기준 주파수이다.
따라서, Va(f)의 제 5차 성분 Va(5f0)은 이하의 식으로 된다.
Va(5f0)=H(f)〔1-exp(-jπ/3(1+tow-tn))+exp(-jπ/3*8)
-exp(-jπ/3(15+tow))+exp(-jπ/3(16-tn))
-exp(-jπ/3(23+tow))〕
=H(f)〔1-exp(-jπ/3(1+tow-tn))+exp(-jπ/3*2)+exp(-jπ/3*tow)
-exp(-jπ/3(1-tn))+exp(-jπ/3(2+tow))〕
=H(f)〔1+exp(-jπ/3*tow)-exp(-jπ/3(1-tn))*(1+exp(-jπ/3*tow))
+exp(-jπ/3*2)*(1+exp(-jπ/3*tow))〕
=H(f)〔(1+exp(-jπ/3*tow))*(1+exp(-jπ/3*2)-exp(-jπ/3(1-tn)))〕
=H(f)〔(1+exp(-jπ/3*tow))*(exp(-jπ/3)-exp(-jπ/3(1-tn)))〕 …(1-1)
·상기와 동일하게 B패턴의 제 5차 성분 Vb(5f0)을 구한다.
B패턴 자화 반전 위치: [0, 15]
Vb(5f0)=H(f)〔exp(-jπ/3(0))-exp(-jπ/3(15+tow))〕
=H(f)〔1+exp(-jπ/3*tow)〕 …(1-2)
·NLTS 산출식의 도출
먼저, Vab=Va(5f0)/Vb(5f0)을 산출한다. 여기서, Va(5f0) 및 Vb(5f0)은 스펙트럼 애널라이저로 측정하기 때문에 절대치만이 측정되고 있다. 따라서, Vab는 식 (1-1) 및 식 (1-2)로부터,
Vab=|Va(5f0)/Vb(5f0)|
=|exp(-jπ/3)-exp(-jπ/3(1-tn))|
=|exp(-jπ/3)(1-exp(+jπ/3*tn))|
=|1-exp(+jπ/3*tn)|
여기서, exp(+jπ/3*tn)의 실수부를 Re(x), 허수부를 Im(x)로 하면,
Vab=( (1-Re(x))2 + Im(x)2 )1/2
=( 1+Re(x)2 + Im(x)2 - 2Re(x) )1/2
실수부 Re(x)는,
Re(x) = (2-Vab2)/2
따라서, 위상각 φ는
φ=acos(Re(x))=acos((2-Vab2)/2)
f0의 5차 성분으로 본 경우의 T는 π/3이기 때문에 1T에 대한 NLTS 양은 이하의 식에 의해 산출된다.
NLTS=φ*3/π
=acos((2-Vab2)/2)*3/π …(1-3)
2. Tribit NLTS(양 극성): 30T
·A패턴의 제 5차 성분의 산출
A패턴 자화 반전 위치: [0, 1, 2, 6, 7, 9, 12, 15, 16, 17, 21, 22]
상기 Dibit NLTS의 산출과 동일하게,
Va(5f0)=H(f)〔1-exp(-jπ/3(1-tn1+tow))+exp(-jπ/3(2-tn2))
-exp(-jπ/3(6+tow))+exp(-jπ/3(7-tn1))
-exp(-jπ/3(9+tow))+exp(-jπ/3(12))
-exp(-jπ/3(15+tow))+exp(-jπ/3(16-tn1))
-exp(-jπ/3(17-tn2+tow))+exp(-jπ/3(21))
-exp(-jπ/3(22-tn1+tow))〕
=H(f)〔1-exp(-jπ/3(1-tn1+tow))+exp(-jπ/3(2-tn2))
-exp(-jπ/3*tow)+exp(-jπ/3(1-tn1))+exp(-jπ/3*tow)+1
+exp(-jπ/3*tow)-exp(-jπ/3(1-tn1))
+exp(-jπ/3(2-tn2+tow))-1+exp(-jπ/3(1-tn1+tow))〕
=H(f)〔1+exp(-jπ/3*tow)+exp(-jπ/3(2-tn2))
+exp(-jπ/3(1-tn2+tow))〕
=H(f)〔(1+exp(-jπ/3*tow))(1+exp(-jπ/3(2-tn2)))〕 …(2-1)
NLTS 산출식의 도출 B패턴은 Dibit NLTS의 경우와 동일하기 때문에 Vab는 식 (1-2) 및 식 (2-1)로부터,
Vab=|1+exp(-jπ/3(2-tn2))|
Dibit NLTS의 경우와 동일하게 Re(x)를 구하면,
Re(x)=(Vab2 - 2)/2
여기서, Vab가 제 3 상한(quadrant)인 -2π/3를 기준으로 하고 있는 것에 주의하고, 또한, acos(x)의 연산 결과가 O∼π이기 때문에 NLTS는 이하의 식에 의해 산출된다.
NLTS=(2π/3-acos((Vab2-2)/2))*3/π
=2-acos((vab2-2)/2)*3/π …(2-2)
3. O/W NLTS=HTS: 5차 고조파법: 30T
·A패턴의 제 5차 성분의 산출
A패턴 자화 반전 위치: [0, 2, 4, 6, 8, 12, 14, 16, 18, 20]
상기 Dibit NLTS의 산출과 동일하게,
Va(5f0)=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2+tow))+exp(-jπ/3(4))
-exp(-jπ/3(6+tow))+exp(-jπ/3(8))-exp(-jπ/3(12+tow))
+exp(-jπ/3(14))-exp(-jπ/3(16+tow))+exp(-jπ/3(18))
-exp(-jπ/3(20+tow))〕
=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2+tow))+exp(-jπ/3)-exp(-jπ/tow)
+exp(-jπ/3(2))-exp(-jπ/3*tow)+exp(-jπ/3*2)
+exp(-jπ/3(1+tow))+1-exp(-jπ/3(2+tow))〕
=H(f)〔2-2exp(-jπ/3(2+tow))+2exp(-jπ/3*2)
-2exp(-jπ/3*tow)+exp(-jπ/3(1+tow))-exp(-jπ/3)〕
=H(f)[(1-exp(-jπ/3*tow))exp(-jπ/3)〕 …(3-1)
·NLTS 산출식의 도출
B패턴은 Dibit NLTS의 경우와 동일하기 때문에 Vab는 식 (1-2) 및 식 (3-1)로부터,
Vab=|(1-exp(-jπ/3*tow))exp(-jπ/3)|/
|1+exp(-jπ/3*tow)|
=|1-exp(-jπ/3*tow)|/|1+exp(-jπ/3*tow)|
Dibit NLTS의 경우와 동일하게 Re(x)를 구한다.
Vab2=〔(1-Re(x))2+Im(x)2〕/〔(1+Re(x))2+Im(x)2
=(1-Re(x))/(1+Re(x))
∴Re(x)=(1-Vab2)/(1+Vab2)
따라서, NLTS는 이하의 식에 의해 산출된다.
NLTS=acos((1-Vab2)/(1+Vab2))*3/π …(3-2)
4. 2T NLTS: 30T
·A패턴의 제 5차 성분의 산출
A패턴 자화 반전 위치: [O, 2, 8, 15, 17, 23]
상기 Dibit NLTS의 산출과 동일하게,
Va(5fO)=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2-tn+tow))+exp(-jπ/3*8)
-exp(-jπ/3(15+tow))+exp(-jπ/3(17-tn))
-exp(-jπ/3(23+tow))〕
=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2-tn+tow))+exp(-jπ/3*2)+exp(-jπ/3*tow)
-exp(-jπ/3(2-tn))+exp(-jπ/3(2+tow))〕
=H(f)〔(1+exp(-jπ/3*tow))(exp(-jπ/3)-exp(-jπ/3(2-tn)))〕
=H(f)(1+exp(-j π/3*tow))(exp(-jπ/3)(1-exp(-jπ/3(1-tn))))〕 …(4-1)
·NLTS 산출식의 도출
B패턴은 Dibit NLTS의 경우와 동일하기 때문에 Vab는 식 (1-2) 및 식 (4-1)로부터,
Vab=|exp(-jπ/3)(1-exp(-jπ/3(1-tn)))|
=|(1-exp(-jπ/3( 1-tn)))|
Dibit NLTS의 경우와 동일하게 Re(x)를 구한다.
Vab2=(1-Re(x))2+Im(x)2
∴Re(x)=(2-Vab2)/2
따라서, NLTS는 이하의 식에 의해 산출된다.
NLTS=1-acos((2-Vab2)/2)*3/π …(4-2)
5. O/W 수법에 의한 O/W NLTS(Hard Transition Shift)
·기준 패턴의 기본 주파수 성분 VF2: 주기 4T
A패턴 자화 반전 위치: [0, 2]
VF2(t)=x(0)-x(2T+Ttow)
VF2(t)의 1주기(1/f0)는 4T에 상당하기 때문에 ωT=2πf0
상기 Dibit NLTS의 산출과 동일하게,
Va(5f0)=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2-tn+tow))+exp(-jπ/3*8)
-exp(-jπ/3(15+tow))+exp(-jπ/3(17-tn))
-exp(-jπ/3(23+tow))〕
=H(f)〔1-exp(-jπ/3(2-tn+tow))+exp(-jπ/3*2)
+exp(-jπ/3*tow)-exp(-jπ/3(2-tn))+exp(-jπ/3(2+tow))〕
=H(f)[(1+exp(-jπ/3*tow))(exp(-jπ/3)-exp(-jπ/3(2-tn)))〕
=H(f)[(1+exp(-jπ/3*tow))(exp(-jπ/3)(1-exp(-jπ/3(1-tn))))〕 …(5-1)
·NLTS 산출식의 도출
B패턴은 Dibit NLTS의 경우와 동일하기 때문에 Vab는 식 (1-2) 및 식 (4-1)로부터,
Vab=|exp(-jπ/3)(1-exp(-jπ/3(1-tn))|
=|(1-exp(-jπ/3(1-tn))|
Dibit NLTS의 경우와 동일하게 Re(x)를 구한다.
Vab2=(1-Re(x))2+Im(x)2
∴Re(x)=(2-Vab2)/2
따라서, NLTS(HTS)는 이하의 식에 의해 산출된다.
NLTS=1-acos((2-Vab2)/2)*3/π …(5-2)
도 7은 종래기술에 의한 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면이고, 도 8 내지 도 10은 본 발명에 의한 선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면이다. 피측정 신호로서, 도 7은 Dibit 패턴을, 도 8은 Tribit 패턴을, 도 9는 2T 패턴을, 도 10은 HTS(O/W NLTS) 패턴을 각각 사용한 경우의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도 면이다.
도 11 내지 도 14는 비선형 재생 전송로에서의 각종 NLTS 시뮬레이션 시의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면으로서, 각각 도 7 내지 도 10에 대응하고, 피측정 신호로서, 도 11은 Dibit 패턴을, 도 12는 Tribit 패턴을, 도 13은 2T 패턴을, 도 14는 HTS(O/W NLTS) 패턴을 각각 사용한 경우의 NLTS 계산 결과를 나타내는 도면이다. 도 11a, 도 12a, 도 13a 및 도 14a는 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%∼30%까지 변화시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 11b, 도 12b, 도 13b 및 도 14b는, 도 11a, 도 12a, 도 13a 및 도 14a에 있어서 각각 1비트 전의 전기록 데이터에 의한 NLTS를 0%로 고정시켰을 때의 5차 고조파법에 의한 NLTS 측정 결과를 나타내는 도면이다.
(부기 1) 입력 신호를 받아 그 입력 신호에 따라 출력 신호를 발생하는 대상물의 입출력에서의 비선형성 측정 방법으로서, 기본 패턴의 신호를 상기 대상물에 입력하고, 그 출력 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 복수 종류의 소정 패턴 신호에서 하나의 패턴 신호를 선택하여, 상기 선택한 패턴의 신호를 사이클릭으로 상기 대상물에 입력하고, 그 출력 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하며, 상기 제 1 소정 고조파 성분과 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 대상물에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 각 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 비선형성 측정 방법.
(부기 2) 매체에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각마 다 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하며, 상기 제 1 소정 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 각 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성 측정 방법.
(부기 3) 상기 소정 고조파 성분은 제 5 고조파 성분인 부기 2에 기재된 측정 방법.
(부기 4) 상기 기준 신호는, 자화와 비자화를 각각 한번 동일 기간 행하여 상기 매체에 데이터를 자기 기록하기 위한 비트 열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트한 신호이고, 상기 복수 종류의 소정 비트 열 패턴은, 자화 반전이 3비트 연속하여 발생하는 TRIBIT를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트 열의 제 1 패턴과, 자화 반전이 2비트 간격으로 발생하는 2T를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트 열의 제 2 패턴과, 상기 매체에서의 전기록의 자화 방향의 역방향으로 자화하도록 자화 반전이 발생하는 비트 구성 HTS를 포함하는 비트 열의 제 3 패턴을 포함하는 부기 3에 기재된 측정 방법.
(부기 5) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 1 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 1, 2, 6, 7, 9, 12, 15, 16, 17, 21 비트째 및 제 22 비트째에 있는 111000110100100 111000110000000의 30비트 열 패턴인 부기 4에 기재된 측정 방법.
(부기 6) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 2 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 8, 15, 17 비트째 및 제 23 비트째에 있는 101000001000000 101000001000000의 30비트 열 패턴인 부기 4에 기재된 측정 방법.
(부기 7) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 3 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 4, 6, 8, 12, 14, 16, 18 비트째 및 제 20 비트째에 있는 101010101000101 010101000000000의 30비트 열 패턴인 부기 4에 기재된 측정 방법.
(부기 8) 상기 NLTS가 5%의 오차 범위 내에서 측정되는 부기 2 내지 7 중의 어느 하나에 기재된 측정 방법.
(부기 9) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호로서 상기 복수 종류의 비트 열 패턴과 공통인 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 복수 종류의 소정 비트 열 패턴을 발생시키는 회로를 내장한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 10) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호 로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호 및 하나의 상기 기준 신호에 대응하는 복수의 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 11) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록되기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서, 상기 기준 신호를 이루는 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 소정의 비트 열 패턴을 발생시키는 회로와, 상기 매체에 기록된 상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 12) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 1 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 1, 2, 6, 7, 9, 12, 15, 16, 17, 21 비트째 및 제 22 비트째에 있는 111000110100100 111000110000000의 30비트 열 패턴인 부기 9 또는 11에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 13) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 2 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 8, 15, 17 비트째 및 제 23 비트째에 있는 101000001000000 101000001000000의 30비트 열 패턴인 부기 9 또는 11에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 14) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 3 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 4, 6, 8, 12, 14, 16, 18 비트째 및 제 20 비트째에 있는 101010101000101 010101000000000의 30비트 열 패턴인 부기 9 또는 11에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 15) 상기 기준 신호 또는 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호로부터 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로를 내장한 부기 9에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 16) 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로에 의해 측정되고, 상기 기준 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 비율 Vab(=V5pat/V5ref)를 산출하는 회로를 내장한 부기 15에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 17) 상기 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 산출된 상기 비율 Vab(=V5pat/V5ref)에 의거하여, 상기 자기 기 록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 회로를 내장한 부기 16에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 18) 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로가 고속 푸리에 변환회로를 구비하는 부기 10, 15, 16 또는 17에 기재된 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 19) 부기 9 내지 18 중의 어느 하나에 기재된 자기 기록 재생용 LSI에 있어서, 상기 제 5 고조파 성분에 의거하여 라이트 보상회로를 조정하는 회로를 내장한 자기 기록 재생용 LSI.
(부기 20) 부기 9 내지 19 중의 어느 하나에 기재된 자기 기록 재생용 LSI를 탑재한 자기 기록 재생 장치.
(부기 21) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정(상기 제 1 소정 고조파 성분과 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정)하는 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 기준 신호로서 상기 복수 종류의 비트 열 패턴과 공통인 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 복수 종류의 소정 비트 열 패턴(의 데이터 중에서 하나의 비트 열 패턴의 데이터를 선택하는 수단과, 상기 선택한 비트 열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트하여 상기 기준 신호 또는 상기 피측정 신호)을 발생시키는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
(부기 22) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정(상기 제 1 소정 고조파 성분과 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정)하는 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 기준 신호 및 하나의 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호의 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
(부기 23) 매체에 자기 기록하기 위한 기준 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 1 소정 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록하기 위한 상기 기준 신호에 대응하는 피측정 신호를 발생시켜, 그 재생 신호로부터 제 2 소정 고조파 성분을 측정(상기 제 1 소정 고조파 성분과 상기 제 2 소정 고조파 성분으로부터 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성을 측정)하는 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 기준 신호를 이루는 비트 열 패턴 및 상기 피측정 신호를 이루는 소정 비트 열 패턴(의 데이터 중에서 하나의 비트 열 패턴의 데이터를 선택하고, 상기 선택한 비트 열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트하여 상기 기준 신호 또는 상기 피측정 신호)을 발생시키는 수단과, 상기 매체에 기록된 상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호(에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상 기 데이터의) 재생 신호로부터 소정 고조파 성분을 측정하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
(부기 24) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 1 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 1, 2, 6, 7, 9, 12, 15, 16, 17, 21 비트째 및 제 22 비트째에 있는 111000110100100 111000110000000의 30비트 열 패턴인 부기 21 또는 23에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 25) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 2 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 8, 15, 17 비트째 및 제 23 비트째에 있는 101000001000000 101000001000000의 30비트 열 패턴인 부기 21 또는 23에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 26) 자화 반전하는 비트를 1로 표기하여, 상기 기준 신호는 자화 반전 위치가 제 0 비트째 및 제 15 비트째에 있는 100000000000000 100000000000000의 30비트 열 패턴을 반복하는 신호이며, 상기 제 3 패턴은 자화 반전 위치가 제 0, 2, 4, 6, 8, 12, 14, 16, 18 비트째 및 제 20 비트째에 있는 101010101000101 010101000000000의 30비트 열 패턴인 부기 21 또는 23에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 27) 상기 기준 신호 또는 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호로부터 제 5 고조파 성분을 측정하는 수단을 구비한 부기 21에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 28) 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 회로에 의해 측정되고, 상기 기준 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 피측정 신호에 의해 데이터가 기록된 상기 매체로부터 판독되는 상기 데이터의 재생 신호인 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 비율 Vab(=V5pat/V5ref)를 산출하는 수단을 구비한 부기 27에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 29) 상기 제 1의 제 5 고조파 성분 V5ref와 상기 제 2의 제 5 고조파 성분 V5pat로부터 산출된 상기 비율 Vab(=V5pat/V5ref)에 의거하여, 상기 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 수단을 구비한 부기 27에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 30) 상기 제 5 고조파 성분을 측정하는 수단이 고속 푸리에 변환기를 구비하는 부기 22, 27, 28 또는 29에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 31) 상기 제 5 고조파 성분에 의거하여 라이트 보상회로를 조정하는 수단을 구비한 부기 21 내지 30 중의 어느 하나에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 32) 상기 재생 신호를 검출하는 자기저항형 헤드를 구비한 부기 21 내지 31 중의 어느 하나에 기재된 자기 기록 재생 장치.
(부기 33) 상기 NLTS가 5%의 오차 범위 내에서 측정되는 부기 20 내지 32 중의 어느 하나에 기재된 자기 기록 재생 장치.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, NLTS의 종류에 관계없이 측정법을 고조파법으로 통일시킬 수 있는 동시에 기준 신호를 공통화할 수 있기 때문에, 각종 NLTS가 피측정 패턴과 산출식을 바꾸는 것만으로도 충분한다. 또한, MR 비선형성이 존재하는 계일지라도 그 상태에서 측정 가능하고, 헤드 매체계에서의 NLTS 모델화가 용이해지며, 라이트 보상회로(WPC: Write Precompensation Circuit)의 최적화가 그 측정치를 신뢰할 수 있는 형태에 의해 가능해진다. 그 WPC 최적화에는 NLTS를 산출식에 의해 계산할 것까지도 없으며, 기준 신호와 피측정 신호의 5차 성분의 비율 Vab 값을 사용할 수 있다. 예를 들면, Tribit 패턴 NLTS 및 2T 패턴 NLTS에서는 Vab가 1에 근접하면 각각의 NLTS는 최소로 된다.
또한, 본 발명에 의하면, MR형 재생 헤드의 비선형성을 고려하여도 5% 정도의 측정 오차로 각종 NLTS를 측정할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 자기 기록 재생 장치 단독으로 NLTS를 측정할 수 있다.

Claims (7)

  1. 매체에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하는 스텝과,
    상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각 마다, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하는 스텝과,
    상기 제 1의 제 5 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2의 제 5 고조파 성분으로부터 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 스텝을 구비한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법으로서,
    상기 기준 신호는, 자화와 비자화를 각각 한번 동일 기간 행하여 상기 매체에 데이터를 자기 기록하기 위한 비트열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트한 신호이고,
    상기 복수 종류의 피측정 신호의 비트열 패턴은,
    자화 반전이 3 비트 연속하여 발생하는 트리비트(TRIBIT)를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 1 패턴과,
    자화 반전이 2 비트 간격으로 발생하는 2T를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 2 패턴과,
    상기 매체에서의 전(前) 기록의 자화 방향의 역방향으로 자화하도록 자화 반전이 발생하는 비트 구성(HTS)을 포함하는 비트열의 제 3 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법.
  2. 매체에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각 마다, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 제 1의 제 5 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2의 제 5 고조파 성분으로부터 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는, 비선형성 천이 시프트의 측정 회로를 내장한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정용 LSI로서,
    상기 기준 신호는, 자화와 비자화를 각각 한번 동일 기간 행하여 상기 매체에 데이터를 자기 기록하기 위한 비트열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트한 신호이고,
    상기 복수 종류의 피측정 신호의 비트열 패턴은,
    자화 반전이 3 비트 연속하여 발생하는 트리비트(TRIBIT)를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 1 패턴과,
    자화 반전이 2 비트 간격으로 발생하는 2T를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 2 패턴과,
    상기 매체에서의 전(前) 기록의 자화 방향의 역방향으로 자화하도록 자화 반전이 발생하는 비트 구성(HTS)을 포함하는 비트열의 제 3 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정용 LSI.
  3. 매체에 자기 기록된 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각 마다, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 제 1의 제 5 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2의 제 5 고조파 성분으로부터 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는, 비선형성 천이 시프트의 측정 수단을 구비한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 장치로서,
    상기 기준 신호는, 자화와 비자화를 각각 한번 동일 기간 행하여 상기 매체에 데이터를 자기 기록하기 위한 비트열 패턴의 데이터를 임의의 비트로부터 사이클릭으로 직렬 시프트한 신호이고,
    상기 복수 종류의 피측정 신호의 비트열 패턴은,
    자화 반전이 3 비트 연속하여 발생하는 트리비트(TRIBIT)를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 1 패턴과,
    자화 반전이 2 비트 간격으로 발생하는 2T를 상기 자화와 비자화의 각 기간에 대응하여 각각 1개 포함하는 비트열의 제 2 패턴과,
    상기 매체에서의 전(前) 기록의 자화 방향의 역방향으로 자화하도록 자화 반전이 발생하는 비트 구성(HTS)을 포함하는 비트열의 제 3 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 장치.
  4. 매체에 자기 기록된 단일의 기준 신호의 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하는 스텝과, 상기 매체에 자기 기록된 복수 종류의 피측정 신호의 각각 마다, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하는 스텝과, 상기 제 1의 제 5 고조파 성분과 각각의 피측정 신호에 대응하는 상기 제 2의 제 5 고조파 성분으로부터 자기 기록 재생에서의 비선형 천이 시프트(NLTS)를 산출하는 스텝을 구비한 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법으로서,
    상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호는,「1」로 표기되는 짝수개의 자화 반전 비트를 가지는 비트열 패턴을 반복하여 상기 매체에 자기 기록하는 신호인 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생에서의 비선형성의 측정 방법.
  5. 매체에 자기 기록되기 위한 단일의 기준 신호를 발생하여, 그 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록되기 위한 복수 종류의 피측정 신호 중에서 상기 기준 신호에 대응하는 하나의 피측정 신호를 발생하여, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생용 LSI로서,
    상기 기준 신호로서 상기 복수 종류의 피측정 신호에 대하여 공통인, 짝수개의 자화 반전 비트를 가지는 비트열 패턴 및 상기 복수 종류의 피측정 신호로서 짝수개의 자화 반전 비트를 가지는 비트열 패턴을 발생시키는 회로를 내장한 것을 특징으로 하는 매체의 자기 기록 재생용 LSI.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호는, 짝수개의 자화 반전 비트를 갖는 비트열 패턴을 반복하여 상기 매체에 자기 기록하는 신호인 매체의 자기 기록 재생용 LSI.
  7. 매체에 자기 기록되기 위한 단일의 기준 신호를 발생하여, 그 재생 신호로부터 제 1의 제 5 고조파 성분을 측정하고, 상기 매체에 자기 기록되기 위한 복수 종류의 피측정 신호 중에서 상기 기준 신호에 대응하는 하나의 피측정 신호를 발생하여, 그 재생 신호로부터 제 2의 제 5 고조파 성분을 측정하는 자기 기록 재생 장치로서,
    상기 기준 신호 및 상기 피측정 신호는, 짝수개의 자화 반전 비트를 갖는 비트열 패턴을 반복하여 상기 매체에 자기 기록하는 신호인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
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