KR100767224B1 - 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법 및 장치 - Google Patents

포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 스트립(photoresist 脫去)공정의 종말점을 검출하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 포토레지스트가 스트립될 웨이퍼가 스트립챔버내에 배치되며, 실질적으로 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 스트립된 후에, NO2를 생성하는 O와 NO의 반응속도가 증가하고 방출된 빛의 세기가 증가하며, 빛검출장치가 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 신호로 알리는 빛의 세기의 증가를 검출한다.

Description

포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법 및 장치{Method and apparatus for detecting the endpoint of a photoresist stripping process}
본 발명은 일반적으로 포토레지스트(photoresist) 스트립 공정에 관한 것으로, 특별하게는 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
집적회로의 제조는 일반적으로 웨이퍼라 칭하는 실리콘의 얇은 판으로 시작한다. 이 웨이퍼상에 수 백개의 개별적인 칩(chip)을 제조할 수 있으며, 각각의 칩은 웨이퍼당 총 수백 만개 장치용 구성부재를 10 내지 20,000개 내포할 수 있다. 이 장치는 여러 종류의 레지스터와, 다이오드, 축전기 및, 트랜지스터를 포함한다. 장치의 제조는 임의의 위치에 (이산화규소, 알루미늄 등과 같은) 바람직한 재료를 증착하는 단계를 포함한다.
포토리소그라피(photolithography)라 불려지는 기술은 웨이퍼상의 바람직한 위치에 재료를 용이하게 유입하고 다른 위치에 바람직하지 못한 재료를 용이하게 제거하는 데에 사용된다. 일례로서, 알루미늄층이 웨이퍼 상에 우선 증착된다. 그 후에, 웨이퍼는 포토레지스트라 칭해지는 감광성 폴리머로 코팅된다. 마스크(mask)는 포토레지스트의 선택영역을 자외선에 노출시키는 데에 사용된다. 자외선은 노출된 포토레지스트의 중합반응을 유발한다. 자외선은 노출된 포토레지스트를 교차결합시켜서 포토레지스트가 현상액에서 불용성이 되게 한다. 이러한 포토레지스트는 양성포토레지스트라 불린다. 음성포토레지스트는 반대의 작용을 한다. 다시 말하자면, 자외선에 노출된 포토레지스트는 현상액에서 가용성이 된다. 자외선에 노출된 후에, 포토레지스트의 가용성 부분은 포토레지스트의 패턴을 남기고 제거된다.
포토리소그라피를 한 직후에, 패턴화된 포토레지스트를 갖는 웨이퍼는 패턴이 없는 알루미늄을 제거하도록 알루미늄에칭된다. 이는 다른 위치의 장치들간에 전기적 연결을 생성하는, 패턴을 알루미늄에 전달하는 효과를 갖는다.
알루미늄 에칭공정이 종결된 후에, 포토레지스트는 포토레지스트 스트립라 불리는 공정중에 웨이퍼에서 제거된다. 웨이퍼상에 잔존하는 포토레지스트는 집적회로에 결함을 야기할 수 있으므로 웨이퍼표면으로부터의 포토레지스트 스트립는 본질적으로 완료되어야 한다. 포토레지스트 스트립 공정에서 중요한 사항은 공정을 마무리하는 종말점이라 하는 시간을 결정하는 것이다. 이 시간은 포토레지스트가 웨이퍼에서 완전히 제거될 수 있도록 선택되어져야만 한다. 바람직하게, 시간은 포토레지스트가 완전하게 제거되는 시간을 초과하지는 않을 것이며, 이는 시간이 초과하면 집적회로의 제조효율이 격감하기 때문이다.
도 1은 포토레지스트를 스트립하는 종래방법의 플로우차트(2)이다. 종래방법은 단계(4)에서 개시된다. 포토레지스트 스트립 공정은 웨이퍼를 지지하는 스트립챔버내로 산소원자(이하 O)의 흐름을 유입시키는 단계를 포함한다. O는 포토레지스트와 반응하여, 웨이퍼에서 포토레지스트를 제거한다. 이 반응의 생성물은 챔버를 떠나는 가스흐름에서 챔버로부터 제거된다. 종래방법(2)은 단계(6)에서 미리 결정된 시간 동안 포토레지스트 스트립 공정을 지속하며, 미리 결정된 시간이 경과한 후에 단계(8)에서 포토레지스트 스트립 공정을 종결한다. 미리 결정된 시간은 본질적으로 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 스트립되기에 충분한 시간이 경과하도록 선택된다.
도 1에 도시된 종래방법이 갖는 문제점은 만약 모든 포토레지스트가 웨이퍼에서 스트립된다면 검출하는 수단을 제공하지 못한다는 것이다. 심지어 포토레지스트가 웨이퍼로부터 완전하게 스트립되지 않는다 하더라도, 종래방법은 미리 결정된 시간이 경과된 후에는 스트립 공정을 정지한다. 이 경우에, 웨이퍼상에 포토레지스트의 잔여분은 나중에도 발견되지 못할 것이며, 이에 웨이퍼는 포토레지스트 스트립 공정을 다시 거쳐야 하거나 버려지게 될 것이다. 이는 집적회로의 제조상에 추가적인 비용과 시간을 초래한다. 도 1에 도시된 종래방법이 갖는 다른 문제점은 포토레지스트 스트립 공정의 시간이 미리 결정된다는 점이다. 이에 따라서, 시간은 최적으로 경제적일 수는 없다. 시간이 매우 짧은 경우에는, 일부 혹은 모든 웨이퍼가 포토레지스트를 완전하게 스트립하지 못하여, 웨이퍼에 추가적인 공정단계를 필요로 한다. 다르게는, 시간이 너무 길게 되는 경우에는, 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 스트립된 후에도 공정이 지속된다는 것이다. 이로 인해 생산량 및 제조효율이 감소한다.
그러므로, 본질적으로 모든 포토레지스트가 포토레지스트 스트립 공정중에 웨이퍼로부터 스트립될 때를 검출하는 방법 및 장치를 제공하는 것이 바람직하다. 이러한 방법 및 장치는 웨이퍼 제조생산량과 효율을 바람직하게 증가시킬 것이다.
기술된 실시예는 포토레지스트 스트립 공정을 위한 종말점을 검출하는 방법 및 장치를 제공한다. 바람직하기로, O와 NO가 스트립챔버내로 유입된다. O와 NO가 반응할 때, NO2를 생성하고 빛을 방출하는 한편, 포토레지스트가 웨이퍼상에 남아있을 경우에는, 유입되는 O가 대개 포토레지스트와 반응하여 단지, 소량의 빛이 O + NO의 반응으로부터 방출된다. 본질적으로, 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 스트립된 후에, 포토레지스트와 반응할 많은 양의 O는 NO와 대신 반응한다. 그러므로, O와 NO의 반응속도는 증가하고 반응에서 생성된 빛의 양은 증가한다. 본 방법 및 장치는 O와 NO의 반응으로부터 방출된 빛을 검출하고, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하기 위해 빛의 방출수치의 증가를 사용한다.
바람직한 실시예에 따르면, 장치는 스트립챔버와, 이 스트립챔버내에 배치된 웨이퍼 및, 이 스트립챔버내로 방출된 빛의 세기를 측정하는 광선검출장치를 구비한다. 광선검출장치는 NO2를 생성하는 O와 NO의 반응에서 방출된 빛의 세기를 검출한다.
기술된 실시예는 유사한 참조번호가 유사한 부재를 나타내는 첨부도면과 관련하여 다음의 상세한 설명으로부터 더 잘 이해될 것이다.
도 1은 포토레지스트를 스트립하는 종래방법의 플로우차트이고,
도 2는 포토레지스트를 스트립하는 방법의 플로우차트,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 스트립 공정을 도시한 플로우차트,
도 4는 제 1실시예의 개략도,
도 5는 제 2실시예의 개략도,
도 6은 제 3실시예의 개략도,
도 7은 O와 NO의 반응에서 검출된 빛의 세기를 도시한 그래프이다.
도 2는 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법(200)의 주요 단계를 도해한 플로우차트이다. 초기 단계(202)에서, 포토레지스트 스트립 공정이 개시된다. 이 포토레지스트 스트립 공정은 도 3과 이에 따른 첨부설명으로 더 상세화된다.
단계(204)에서, 방출된 빛의 증가가 검출된다. 바람직하게는, 빛은 NO2를 생성하는 O와 NO의 반응으로부터 방출된다. 방출된 빛의 증가를 검출하기 위한 장치의 적당한 선택과 방출된 빛의 증가를 검출하기 위한 장치의 적당한 배치는 웨이퍼공정의 분야에 있는 숙련자들의 역량내에 있다. 방출된 빛의 증가는 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 신호로 알린다.
포토레지스트 스트립 공정은 단계(206)에서 미리 결정된 시간 동안 지속된다. 바람직한 실시예에서, 미리 결정된 시간은 20초이다. 방출된 빛의 증가가 실제적으로 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 스트립되었는가를 신호로 알려주는 반면에, 포토레지스트 스트립 공정을 위한 초과시간은 웨이퍼에서 포토레지스트를 충분히 스트립시킨다.
마지막으로 단계(208)에서, 포토레지스트 스트립 공정이 종결된다. 포토레지스트는 웨이퍼로부터 스트립되고 웨이퍼는 다른 공정을 준비한다.
도 3은 바람직한 실시예의 포토레지스트 스트립 공정(300)을 도해한 플로우차트이다. 포토레지스트 스트립 공정(300)은 단계(302)로 개시된다. 공정(300)이 개시될 때, O와 NO는 단계(304)에서 스트립챔버내로 유입된다. 다른 실시예에서, NO는 챔버내로 유입되지 않으나, 스트립챔버 출구로부터, 스트립챔버에서 나온 가스의 흐름으로 아래로 유입된다. 바람직한 실시예에서는, O와 NO가 플라즈마챔버(plasma chamber)내로 O2와 N2를 유입하여, O와 NO의 흐름을 형성하고 스트립챔버로 들어가도록 플라즈마챔버내의 O2와 N2를 해리함으로써 생성되며며, 이러한 방식에서는 실질적으로 플라즈마가 스트립챔버에 들어가지는 않는다.
단계(306)에서, 포토레지스트는 웨이퍼로부터 스트립된다. 이는 포토레지스트와 O의 반응으로써 발생하여, 웨이퍼로부터 포토레지스트를 제거한다. 포토레지스트의 스트립가 일어나는 동안에, 스트립챔버내로 유입된 대부분의 O가 포토레지스트와의 반응으로 소진된다. 단지 소량의 O가 NO2를 생성하고 빛을 방출하도록 NO와 화합될 수 있다. 그리하여서, 단지 소량의 빛만이 방출된다.
단계(308)에서, 포토레지스트의 스트립가 종결된다. 이 지점에서, 실제로 모든 포토레지스트는 웨이퍼에서 제거된다. 포토레지스트가 제거되어서, O는 포토레지스트와는 더 이상 반응하지 않는다. 단계(310)에서 도시된 바와 같이, O는 NO2를 생성하고 빛을 방출하기 위해 NO와 화합될 수 있다. O의 증가된 효용성은 NO2과 빛을 생성하도록 O와 NO의 반응을 증가한다. 그러므로, 방출된 빛의 세기가 증가한다. 이러한 방출된 빛의 증가는, 단계(312)에서 볼 수 있는 가시신호이다. 이 신호는 관찰되어 단계(314)에서 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 신호로 알리는 데에 사용된다.
도 4는 장치(10)의 제 1실시예의 개략도이다. 플라즈마챔버(12)는 입구(14)와 출구(16)를 포함하여 이루어진다. 바람직한 실시예에서, O2와 N2의 흐름이 플라즈마챔버 입구(14)를 통과하여 플라즈마챔버(12)로 들어간다. 플라즈마챔버(12)내에서, O2와 N2는 해리되어 NO와 O가 생성된다. NO와 O의 흐름은 플라즈마챔버 출구(16)를 통과하여 플라즈마챔버(12)를 빠져나간다. 스트립챔버(18)는 입구(20)와 출구(22)를 포함하여 이루어진다. 플라즈마챔버 출구(16)는 스트립챔버 입구(20)와 유체연통된다. 그러므로, NO와 O의 흐름이 플라즈마챔버(12)를 떠나서 스트립챔버(18)에 들어간다. 실제적으로 하전되지 않은(uncharged) 가스를 제외하고 어떤 플라즈마도 플라즈마챔버(12)로부터 스트립챔버(18)로 들어가지 않는다.
적어도 부분적으로 포토레지스트층(26)으로 코팅된 웨이퍼(24)는 스트립챔버(18)내에 배치된다. NO와 O의 흐름이 스트립챔버(18)를 통과할 때, O는 포토레지스트층(26)과 반응하여 웨이퍼(24)로부터 포토레지스트층(26)을 제거한다. 스트립챔버(18) 안에서, O는 NO2을 생성하고 빛을 방출하도록 NO와 반응하나, 포토레지스트층(26)이 웨이퍼(24)에 남아 있는 동안은, 많은 양의 O가 포토레지스트층(26)과 반응하여 소진된다. 소량의 O가 NO와 반응하고 남겨져서, 빛이 적게 방출된다. 포토레지스트층(26)이 실제로 웨이퍼(24)로부터 완전하게 제거될 때, O는 포토레지스트층(26)과 반응으로 더 이상 소진되지 않으며, O는 NO와 반응한다. 포토레지스트층(26)이 제거된 후에 다량의 O가 NO와 반응하여서, 더 많은 빛이 NO2를 생성하는 O와 NO의 반응으로부터 방출된다. 이에 따라, 방출된 빛의 양은 포토레지스트층(26)이 본질적으로 완전하게 제거된 후에 증가한다.
검출장치(28)는 NO2를 생성하고 빛을 방출하는 O와 NO의 반응에 의해 방출된 빛의 수치를 검출한다. 바람직한 실시예에서, 검출장치(28)는 윈도우(30)를 통해 빛을 검출한다. 한편, 방출된 빛을 검출할 수 있도록 검출장치(28)를 배열하는 다양한 방법이 있다. 바람직한 실시예에서, NO2를 생성하는 O와 NO의 반응으로부터의 빛의 방출은 세기수치를 검출하였을 때에 470 내지 770nm의 파장범위에 걸쳐서 합산된다.
도 5는 장치(10)의 제 2실시예의 개략도이다. 이 실시예에서, O2의 흐름은 플라즈마챔버 입구(14)를 통과하여 플라즈마챔버(12)로 들어간다. 플라즈마챔버(12) 안에서, O2가 해리되어서 O가 생성된다. O의 흐름은 플라즈마챔버 출구(16)를 통과하여 플라즈마챔버(12)를 빠져나간다. O의 흐름은 플라즈마챔버(12)를 빠져나가서 스트립챔버(18)로 들어간다. 실질적으로, 하전되지 않은 가스를 제외하고 어떤 플라즈마도 플라즈마챔버(12)로부터 스트립챔버(18)로 들어가지 않는다. 스트립챔버(18)로 NO의 흐름을 공급하기 위해 스트립챔버(18)에 별개의 입구(40)가 구비된다.
도 5에 도시된 실시예에서, 윈도우(30)와 검출장치(28)는 NO 입구에 근접하게 위치되어, O와 NO의 반응으로 방출된 빛의 검출를 돕는다. 검출장치(28)는 도 4에 도시된 실시예와 같이 NO2를 생성하도록 O와 NO의 반응으로 방출된 빛의 세기를 검출한다.
도 6은 장치(10)의 제 3실시예의 개략도이다. 이 실시예에서, NO2와 빛을 생성하는 NO와 O의 반응은 스트립챔버(18)내에서는 발생하지 않는다. 이 실시예에서, O2의 흐름이 플라즈마챔버(12)로 들어가 해리되어서 O의 흐름이 스트립챔버(18)로 들어가는 반면에, 실제로 어떤 플라즈마도 스트립챔버(18)로 들어가지 않는다. 실제로 어떤 NO도 스트립챔버(18)내에 존재하지 않아서, NO2를 생성하는 O와 NO의 반응으로부터 스트립챔버(18)내에서 방출된 빛의 수치는 실제로 제로상태이다. O의 흐름이 스트립챔버 출구(22)를 통과하여 스트립챔버(18)를 빠져나가서, 하류 채널(60)로 들어간다. NO의 흐름은 하류 채널(60)내에 입구(62)를 통해 하류 채널(60)로 유입된다. 하류 채널(60)에서는, NO의 흐름과 O의 흐름이 NO2와 빛을 생성하도록 반응한다. 하류 채널(60)의 빛은 검출장치(28)로 검출된다. 바람직하게는, 방출된 빛을 검출하기 위한 검출장치를 배열하는 다양한 방법이 있음에도 불구하고, 검출장치가 하류 채널(60)의 윈도우(30)를 통해서 빛을 검출한다. 윈도우(30)와 검출장치(28)는 바람직하게는 O와 NO의 반응으로 방출된 빛의 검출를 돕도록 하류 채널(60)내 입구(60)에 인접하게 위치된다.
도 7은 포토레지스트 스트립 공정의 바람직한 실시예 중에, O와 NO의 반응에서 검출된 빛의 세기를 도시한 그래프도(70)이다. 그래프(70)상의 세기의 수치는 470 내지 770nm의 범위에 걸쳐 빛의 세기의 합계를 나타낸다. 제 1시간(72)에서, 포토레지스트 스트립 공정은 개시되지 않으며 검출된 빛은 낮은 수치에 있다. 시간(74)에서, 포토레지스트 스트립 공정이 개시하여, O와 NO의 흐름이 스트립챔버로 들어간다. O와 NO의 일부는 NO2를 생성하고 빛을 방출하도록 반응한다. 그래프(70)에 도시된 바와 같이, 검출된 빛의 세기는 O와 NO가 시간(74)에서 챔버로 들어간 후부터 빛의 세기가 시간(76)에서 가장 높은 수치에 도달할 때까지 증가한다. 시간(76)에서 그 이후 시간(78)까지, 많은 양의 O가 포토레지스트와 반응하고, NO와는 반응하지 않는다. 시간(78)에서, 실질적으로 어떤 포토레지스트도 웨이퍼상에 남아 있지 않아서, O는 NO와 반응하지 않는다. 그러므로, 시간(78)에서 그 이후 시간(80)까지, 검출된 빛의 세기는 두배이상의 세기로 매우 증가한다. 이 증가는 시간(80)에서 포토레지스트 스트립의 종말점을 신호로 알려준다. 포토레지스트 스트립 공정과, NO와 O의 흐름은 실제로 모든 포토레지스트가 웨이퍼로부터 확실하게 스트립되도록 시간(82)까지 지속된다. 시간(82)에서, 스트립챔버내로 O와 NO의 흐름이 멈추고, 검출된 빛의 세기는 낮은 수치로 되돌아 온다.
단지 수개의 실시예만이 본 명세서에서 상세히 기술되었지만, 설명된 방법과 장치가 본 발명의 정신 혹은 범주에서 벗어나지 않고 많은 다른 특별한 형태로 실현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 본 실례와 실시예는 도해된 바와 같이 제한되지 않은 상태로 간주되며, 본 방법과 장치는 본 명세서의 상세한 설명에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위의 범위내에서 변경될 수 있다.

Claims (28)

  1. 챔버내에 배치된 웨이퍼로부터 포토레지스트를 스트립하는 단계;
    상기 챔버내로 O의 흐름과 NO의 흐름을 유입시키는 단계;
    방출된 빛의 세기를 검출하는 단계; 및
    상기 방출된 빛의 세기의 변화를 사용하여 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 단계를 포함하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방출된 빛은 NO2를 형성하기 위한 NO와 O의 반응에서 방출되는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 O는 포토레지스트와 반응하여 상기 웨이퍼로부터 포토레지스트를 스트립하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방출된 빛의 세기의 변화를 검출하는 단계는, NO와 O의 반응으로부터 방출된 빛의 세기의 증가를 검출하는 단계를 더 포함하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 NO와 O의 반응으로부터 방출된 빛의 세기의 증가가 상기 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 알려주는 신호인 것인, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 검출된 방출된 빛은 대략 470nm 내지 770nm의 파장범위에 있는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 챔버의 벽은 윈도우를 포함하고, 방출된 빛의 세기는 상기 윈도우를 통해 빛검출장치에 의해 검출되는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  10. 챔버 내부에 배치된 웨이퍼로부터 포토레지스트를 스트립하는 단계;
    상기 챔버내로 O의 흐름을 유입시키는 단계;
    상기 챔버로부터의 출구를 제공하는 단계;
    상기 챔버 출구와 유체연통되는 하류 채널을 제공하는 단계;
    상기 하류 채널로 NO의 흐름을 유입시키는 단계;
    NO와 O의 반응으로부터 방출된 빛의 세기의 증가를 검출하는 단계; 및
    상기 NO와 O의 반응으로부터 방출된 상기 빛의 세기의 증가를 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 알려주는 신호로 사용하는 단계를 포함하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하류 채널의 벽은 윈도우를 포함하고, 방출된 빛의 세기가 상기 윈도우를 통해 빛검출장치에 의해 검출되는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 방법.
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  19. 웨이퍼로부터 포토레지스트를 스트립하는 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 장치로서,
    O를 상기 포토레지스트와 반응시킴으로써 상기 스트립 공정이 수행되며, 입구와 출구를 갖는 스트립 챔버;
    입구와 출구를 갖는 플라즈마 챔버로서, 상기 플라즈마 챔버 출구는 상기 스트립 챔버 입구와 유체 연통하고, 상기 플라즈마 챔버는 O2를 O로 해리하는데 효과적이며, 상기 O는 상기 플라즈마 챔버 출구를 통해 상기 플라즈마 챔버를 벗어나 상기 스트립 챔버 입구를 통해 상기 스트립 챔버로 진입하는, 상기 플라즈마 챔버;
    상기 포토레지스트와 반응하지 않은 O를 수용하기 위해 상기 스트립 챔버 출구와 유체 연통하는 하류 채널;
    상기 포토레지스트 모두가 상기 웨이퍼로부터 실질적으로 제거될 때, NO2를 형성하기 위한 O와 NO의 반응 속도가 NO2를 형성하기 위한 O와 NO의 반응으로부터 방출된 빛의 세기에서의 수반하는 증가에 따라 증가하도록 상기 하류 채널로 NO를 유입시키는 NO 공급부; 및
    O 와 NO의 반응으로부터 방출된 빛의 세기를 검출하여 종말점을 표시하는 검출 장치를 포함하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 장치.
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  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 스트립챔버의 벽에 윈도우를 더 포함하고,
    상기 검출장치는 스트립챔버의 외부에 있고 상기 윈도우를 통해 상기 빛의 세기를 검출하는, 포토레지스트 스트립 공정의 종말점을 검출하는 장치.
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