KR100750225B1 - 화학 증폭 레지스트 조성물 및 그것을 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents
화학 증폭 레지스트 조성물 및 그것을 이용한 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 제1항에 있어서, 상기 화합물은, 산의 존재 하에서의 반응에 의해 고리 구조를 포함하는 최종 생성물을 생성할 수 있는 위치에, 상기 아세탈 부위와 산에 의해 이탈되는 부위를 갖는 것인 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스 수지는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트 단량체의 단독 중합체 혹은 2종 이상의 이들 단량체의 공중합체, 시클로올레핀 단량체의 중합체, 또는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트 단량체와 시클로올레핀 단량체의 혼성 중합체인 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 제3항에 있어서, 상기 베이스 수지는 2-메틸아다만틸메타크릴레이트와 γ-부티로락톤메타크릴레이트의 공중합체인 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 하나의 반복 단위 내에 아세탈 부위와 산에 의해 이탈되는 부위를 더불어 갖는 공중합체이며 또한 산의 존재 하에서 반응하는 베이스 수지와, 노광에 의해 산을 발생하는 광산발생제를 포함하는 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 반복 단위는, 산의 존재 하에서의 반응에 의해 고리 구조를 포함하는 최종 생성물을 생성할 수 있는 위치에, 상기 아세탈 부위와 산에 의해 이탈되는 부위를 갖는 것인 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 공중합체는, 상기 아세탈 부위와 산에 의해 이탈되는 부위를 더불어 갖는 반복 단위 이외의 반복 단위로서, 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트 단량체 유래의 반복 단위를 갖는 공중합체, 시클로올레핀 단량체 유래의 반복 단위를 갖는 공중합체, 또는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트 단량체와 시클로올레핀 단량체의 양방에서 유래한 반복 단위를 갖는 중합체인 화학 증폭 레지스트 조성물.
- 패턴을 형성하여야 할 기초층을 갖춘 기판 상에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트층을 형성하고, 예비소성(pre-baking)한 후, 레지스트층을 방사선으로 선택적으로 노광하고, 후소성하고, 이어서 현상하여 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 기초층의 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법으로서, 상기 레지스트 조성물로서 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 기재한 화학 증폭 레지스트 조성물을 사용하는 것이 특징인 패턴 형성 방법.
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