KR100713188B1 - 액티브매트릭스 액정표시장치 - Google Patents

액티브매트릭스 액정표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100713188B1
KR100713188B1 KR1019990046563A KR19990046563A KR100713188B1 KR 100713188 B1 KR100713188 B1 KR 100713188B1 KR 1019990046563 A KR1019990046563 A KR 1019990046563A KR 19990046563 A KR19990046563 A KR 19990046563A KR 100713188 B1 KR100713188 B1 KR 100713188B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
delete delete
crystal display
tft
thin film
Prior art date
Application number
KR1019990046563A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000029318A (ko
Inventor
안도마사히코
야마모토츠네노리
와카기마사토시
Original Assignee
가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Publication of KR20000029318A publication Critical patent/KR20000029318A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100713188B1 publication Critical patent/KR100713188B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

본 발명은 저소비전력으로 표시휘도의 균일성이 높고, 고콘트라스트의 광시야각의 액티브매트릭스 액정표시장치를 얻는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 공통배선이 없는(코먼레스) IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치에 있어서, 신호배선(103) 및 TFT의 위쪽에 절연층을 거쳐 대향전극(107)을 배치하고, 이 대향전극 및 주사배선(101)에 의하여 신호배선 또는 TFT를 덮어 차광함으로써 BM의 삭제 또는 소형화와 기판의 평탄화를 실현하고, 개구율과 셀갭의 균일성을 향상한다.

Description

액티브매트릭스 액정표시장치{ACTIVE MATRIX LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 화소부의 평면구조를 나타내는 평면도,
도 2는 도 1에 있어서의 화소부의 A-A'선에 따른 단면구조를 나타내는 측면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 화소부의 단면구조를 나타내는 측면도,
도 4는 종래의 액정표시장치에 있어서의 화소부의 평면구조를 나타내는 평면도,
도 5는 도 4에 있어서의 화소부의 B-B'선에 따른 단면구조를 나타내는 측면도,
도 6은 본 발명의 일 실시예의 평면구조를 나타내는 도,
도 7은 도 6의 평면구조의 단면구조를 나타내는 도,
도 8은 본 발명의 일 실시예의 평면구조를 나타내는 도이다.
본 발명은, 액티브매트릭스 액정표시장치에 관한 발명이다. 특히 IPS(In-Plane Switching)방식(= 횡전계방식)의 액티브매트릭스 액정표시장치에 관한 발명이다.
최근, 박막트랜지스터(TFT)로 대표되는 능동소자를 사용한 액티브매트릭스 액정표시장치는, CRT와 동등한 고화질이고 CRT 보다도 저소비 전력 및 소형이기 때문에, 퍼스널컴퓨터나 워크스테이션 등의 모니터로서 사용되고 있다.
이와 같이 모니터용도에 적합한 액정표시장치의 일 형태로서, IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치가 있다. 이 액정표시장치의 구성은, 동일기판상에 주사배선, 신호배선, 공통배선을 배치하여, 2개의 전극(화소전극과 대향전극)을 빗살형상으로 형성하여 이 전극사이에 전압을 인가함으로써 액정을 구동하고 있다. 이 때, 액정에 인가하는 전계의 방향은 기판면에 거의 평행인 방향이다. 이 IPS 방식의 액정표시장치는, 종래의 액정표시장치와 비교하여 광시야각을 갖는다. 따라서, IPS 방식 액정표시장치는, 직시형 모니터용도에 적합하다.
도 4는 이와 같은 종래의 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치에 있어서의 하나의 화소부의 평면구조를 나타내고 있다. 도 5는, 도 4도의 B-B'단면구조를 나타내고 있다.
도 4에 있어서 101은, Cr로 형성한 주사배선, 102는, 아몰퍼스실리콘으로 형성한 반도체층, 103은, Cr로 형성한 신호배선, 106은, Cr로 형성한 화소전극, 107 및 107'은, Cr로 형성한 대향전극, 401은 Cr로 형성한 공통배선, 402은, 블랙 매트릭스이다.
이와 같은 구성의 액정표시장치에서는 대향전극(107)과 신호배선(103)의 사이에 간극이 있다. 이 간극부에는 화소표시용의 유효한 전계를 인가할 수 없다. 또 이 간극부에서는, 항시 변화되는 신호배선전압에 의하여 광누설이 발생하기 때문에, 차광할 필요가 있다.
또 신호배선(103)과 공통배선(401)의 간극부도, 항시 인가되어 있는 직류전압에 의하여 광누설이 발생하기 때문에, 차광할 필요가 있다. 또 주사배선(101)과 대향전극(107, 107')의 단부 사이의 간극부도 같은 이유로 차광할 필요가 있다. 또한 광누설전류에 의한 박막트랜지스터(TFT)의 오동작을 방지하기 위하여, TFT 상부도 차광할 필요가 있다. 이와 같이 액정표시장치는, 블랙매트릭스(402)로 화소부를 차광하도록 할 필요가 있기 때문에, 개구율이 낮다. 또한 공통배선(401)이 있는 것도 개구율이 낮아지는 하나의 원인이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, TFT(216)가 배치된 부분에서는, TFT 기판(214) 및 대향기판(215)의 간극이 급격하게 좁아져 있다.
이것은,
1) 퍼시베이션막(205)을 두껍게 하여 TFT 기판(214)을 평탄화하는 것은 액정구동전압의 증가를 수반하기 때문에, 채용할 수 없다,
2) 대향기판(215)에 TFT 부에 대향시켜 설치한 블랙매트릭스(402)는 광누설전류에 의한 TFT의 오동작을 방지하기 위하여 생략할 수 없기 때문이다.
이 액정표시장치에서는, TFT 부에 위치하는 스페이서비즈(이하, 단지 '비즈'라함)(211)가 셀갭을 규정한다. 그런데, TFT 부의 면적은 화소 전체의 1/100 정도이기 때문에, TFT 부에 비즈(211)가 배치되는 비율은 1/100 이하가 된다. 이 때문에 스페이서비즈(211)가 TFT 부에 배치되지 않아 기판이 지지되지 않는 영역에서는, 셀갭이 불균일하게 되고, 셀갭이 불균일성에 기인하여 표시휘도가 불균일하게 된다.
그리고 비즈(211)의 분산량을 증가하여 셀갭을 균일화하고자 하면, TFT 부에 위치하는 비즈 수가 증가함과 동시에, 개구부에 위치하는 비즈 수도 증가한다. 따라서, 셀갭이 균일화하는 반면, 개구부에 위치하는 비즈주변에서 광누설이 생겨 콘트라스트가 저하한다.
또한 201은 유리기판, 202는 게이트절연층, 204는 콘택트층, 206은 배향막, 207은 유리기판, 208은 컬러필터층, 209는 보호막이고, 평탄화막으로서의 기능도 가진다. 210은 배향막, 212는 액정층, 213, 217는 편광판이다.
이 IPS 방식의 액정표시장치를 종래의 TN 방식의 액정표시장치와 비교한 경우, 다음과 같은 2개의 과제가 있다.
그 하나는 소비전력이 높은 것이다. 이것은 IPS 방식의 액정표시장치는, 개구율이 낮고, 종래의 TN 방식의 액정표시장치와 동등한 휘도를 얻기 위해서는, 백라이트의 소비전력이 높아지기 때문이다.
IPS 방식의 액정표시장치의 개구율이 낮은 원인은,
1) 빗살형상 전극이 빛을 투과하지 않는다,
2) 대향기판상에 배치된 블랙매트릭스(이하, BM이라 함)가 개구부의 일부를 차광하기 때문이다.
BM이 차광하는 영역은, 주사배선 및 신호배선의 가장자리 끝부 및 TFT 부이다.
주사배선 및 신호배선의 가장자리 끝부를 차광하는 이유는, 그 부분에 광누설이 발생하기 때문이다. TFT를 차광하는 이유는, 광누설전류에 의한 TFT의 오동작을 방지하기 위해서이다.
BM의 면적은 차광해야 할 광누설 발생영역 및 TFT가 형성되어 있는 기판(이하, 'TFT 기판'이라 함)과 BM이 형성되어 있는 기판(이하, '대향기판'이라 함)의 맞댐여유도를 예상하여 BM의 면적은 광누설 발생영역 및 TFT 영역보다 조금 크게 설정되어 있다.
이것이 개구율을 낮게 하는 요인이 된다. 소비전력을 저감하기 위해서는, 개구율을 증가할 필요가 있다.
또 하나의 과제는, IPS 방식의 액정표시장치는, 표시휘도의 균일성이 낮다는 과제가 있다. 이것은 IPS 방식의 액정표시장치에서는 휘도특성의 임계치 전압이 한 쌍의 기판에 끼워진 액정층의 두께(셀갭)에 반비례하기 때문에, 셀갭에 불균일성이 있으면, 그것이 휘도의 불균일성이 되어 표시에 나타나버리기 때문이다.
TN 방식의 액정표시장치에서는, 임계치 전압은 셀갭에 의존하지 않기때문에, 표시휘도의 균일성이 비교적 높다. 표시휘도의 균일성을 향상하기 위해서는, 기판면내에서의 셀갭의 균일성을 TN 방식의 액정표시장치보다도 엄격하게 할 필요가 있다. 그러나, 현재의 방법으로 셀갭을 균일화하고자 하면, 콘트라스트가 저하한다는 별도의 과제가 발생한다. 이하, 이 두번째 과제의 원인에 관하여 설명한다.
셀갭이 불균일하고, 또한 셀갭을 균일화하고자 하면, 콘트라스트의 저하가 일어나는 원인은, 2매의 기판표면에 요철이 있고, 또한 셀갭형성에 비즈를 사용하기 때문이다.
요철을 가지는 2매의 기판으로 비즈를 끼워유지하여 셀갭을 형성하는 경우, 셀갭을 규정하는 것은 기판간격이 가장 좁은 영역에 끼워진 비즈이다. 액티브매트릭스 액정표시장치에서는, 기판간격이 가장 좁은 영역은 TFT 부이다. 그 이유는 TFT 부에서는 한쪽의 기판에서 가장 볼록한 TFT 부와, 다른쪽의 기판에서 가장 볼록한 컬러필터와 TFT 차광용 블랙매트릭스의 겹침부가 마주 보는 구성으로 되어 있고, 기판간격이 가장 좁아져 있기 때문이다.
TFT 부의 면적은 화소면적의 약1/100 이다. TFT 기판에 비즈를 분산한 경우, 볼록부는 그 밖의 평탄한 부분과 비교하여 비즈가 탑재되기 어려운 것을 아울러 생각하면, TFT 부에 비즈가 끼워지지될 확률은 1/100 이하이다. 예를 들어 100개의 비즈를 분산한 경우, 99개의 비즈는 TFT 부 이외의 화소부에 위치하게 되어 기판지지에 기여하지 않는다. 비즈에 의하여 기판이 지지되지 않는 영역에서는 셀갭이 불균일하게 되기 쉽고, 이것이 IPS 방식의 액정표시장치에서는 표시휘도의 불균일성을 야기한다.
표시휘도의 균일성을 향상하기 위해서는, 셀갭을 균일화할 필요가 있다. 비즈의 분산량을 증가하여 셀갭을 균일화하고자 하면, TFT 부에 위치하는 비즈의 수가 증가함과 동시에, 개구부에 위치하는 비즈의 수도 증가한다.
일반적으로 비즈주변에서는, 액정의 배향불량에 기인하여 광누설이 발생한다. 이 때문에, 셀갭이 균일화하는 반면, 개구부에 위치하는 비즈 주변의 광누설에 의하여 콘트라스트가 저하한다. 따라서, 비즈의 분산량을 증가함으로써 셀갭을 균일화하면 콘트라스트의 저하가 일어난다. 균일화에 필요한 비즈의 분산량을 줄이기 위해서는, 한 쌍의 기판의 표면요철을 줄여 평탄화하는 것이 필요하다.
이상, 정리하면 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치에는,
1) 소비전력이 높다,
2) 표시휘도의 균일성이 낮다
라는 과제가 있다.
이들의 과제를 극복하기 위해서는,
1) 개구율을 향상시켜 백라이트의 소비전력을 경감한다,
2) 콘트라스트의 저하가 생기지 않도록 셀갭을 균일화할 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 콘트라스트가 높은 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적은, 종래의 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치보다도 차광막을 줄일 수 있는 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치를 제공하는 데 있다.
이들 과제를 해결하는 제 1 구조로서, IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치에 있어서, 화소전극과의 사이에서 표시를 위하여 액정을 구동시키는 대향전극의 일부를 신호전극의 위에 절연막을 거쳐 형성한다. 그리고 이 기판면에 수직한 방향에서 본 신호전극이 형성된 영역이, 대향전극이 형성된 영역과 주사배선이 형성된 영역에 포함되어 불거져 나오지 않도록 한다. 또 능동소자상에 절연막을 거쳐, 대향전극의 일부를 형성하여도 좋다.
이 구성의 제 1 특징은, 종래의 IPS 방식의 액티브매트릭스 액정표시장치가 구비하고 있는 공통배선을 생략하고, 공통배선을 주사배선으로 겸용한 일본국 특개평8-62578호 공보에 기재된 바와 같은 공통배선이 없는 구성인 것이다. 공통배선이 없는 구성을 기초로 한 구성을 채용함으로써 종래의 액정표시장치에 있어서 대향기판에 설치하고 있는 BM을 삭제할 수 있다. 이 때문에 액정표시장치의 개구율이 향상하고 또한 대향기판의 평탄성이 향상한다.
종래는 능동소자, 주사배선 및 신호배선의 가장자리 끝부의 광누설 영역을 차광하기 위하여 필요하였던 BM을 삭제할 수 있는 이유는 다음과 같다.
1) 능동소자의 위쪽에 배치된 대향전극이 차광층의 역할을 한다,
2) 대향전극 및 주사배선으로 신호배선이 완전히 덮여지기 때문에, 신호배선가장자리 끝부의 광누설이 해소된다,
3) 공통배선이 없는 구성이기 때문에, 주사배선 가장자리 끝부는 광누설이 없어 차광이 불필요하다.
이 중, 2)에 있어서, 대향전극 및 주사배선으로 신호배선을 완전하게 덮기 때문에, 본 발명의 구성에서는 대향전극의 끝부가 대응하는 주사배선상에 겹치도록 형성함으로써 실현하고 있다.
이러한 구성을 채용함으로써 신호배선 가장자리 끝부의 광누설을 완전하게 해소할 수 있는 것은, 본 발명에서 공통배선이 없는 구성을 채용하고 있기 때문이다.
이것은, 공통배선이 없는 구성에서는 일본국 특개평8-62578호 공보에 기재된 바와 같이, 액정표시동작의 대부분의 기간중, 대향전극과 대응하는 주사배선에 인가되는 전압이 같기 때문에, 대향전극의 끝부를 대응하는 주사배선상에 겹쳐도 광누설이 생기지 않기 때문이다.
한편, 종래의 공통배선을 가지는 구성에서는, 액정표시동작의 대부분의 기간 중, 대향전극과 대응하는 주사배선에 직류전압이 인가되기 때문에, 대향전극의 끝부를 대응하는 주사배선 근방에 근접시키면, 신호배선 가장자리 끝부의 광누설 영역을 저감하는 반면, 인가한 직류전압에 의하여 대향전극의 끝부와 대응하는 주사배선 사이의 영역에서 광누설이 생긴다.
따라서, 종래의 구성에서는 본 발명의 대향전극의 끝부를 대응하는 주사배선상에 겹치는 구조를 채용하여도 신호배선 가장자리 끝부의 광누설을 완전하게 해소할 수는 없어, 공통전극을 가지지 않은 코먼레스 구조야 말로 효과를 가지는 발명이다.
또 이 구성에 있어서, 복수의 대향전극은 배향막을 거쳐 액정층에 접하기 때문에, 액정조성물과 대향전극과의 전기화학적인 반응에 기인한 불량발생을 막기 위해서는, 복수의 대향전극을 구성하는 재료로서는 Nb 또는 질화 Nb 라는 전기화학적으로 안정된 재료가 바람직하다.
셀갭의 형성에 비즈를 사용하지 않고, TFT 기판상에 설치한 높이가 일정한 기둥형상 스페이서를 사용하여 스페이서를 한 쌍의 기판으로 끼워 유지함으로써 셀갭을 형성하면, 셀갭의 균일성이 향상한다. 기둥형상 스페이서를 배치하는 위치로서, 화소전극의 주기적인 배치와 아울러, 일정주기로 같은 간격으로 배치하는 것이 바람직하다.
특히, 대향전극을 거쳐 능동소자의 위쪽에 상기 스페이서를 배치하면, 이 부분은 기판간격이 가장 좁게 되어 있기 때문에, 기둥형상 스페이서의 높이를 가장 낮게 할 수 있다.
따라서, 기둥형상 스페이서재료를 삭감할 수 있어, 기둥형상 스페이서형성에 요하는 시간을 단축할 수 있다.
또 기둥형상 스페이서는 대향전극을 거쳐 능동소자의 위쪽에 배치되기 때문에, 능동소자 위쪽의 전위는 대항전극의 전위로 유지되고, 기둥형상 스페이서의 영향을 받는 일이 없기 때문에, 기둥형상 스페이서를 능동소자의 위쪽에 배치함으로써, 능동소자가 오동작하는 일은 없다.
대향전극을 구성하는 재료로서는, 전기화학적으로 안정된 인듐주석 산화물 등의 도전성 산화물을 사용할 수도 있으나, 이들 재료는 투명하기 때문에, TFT를 차광할 필요가 있다. 이 경우에는 대향전극을 거쳐 능동소자의 위쪽에 차광성을 가지는 기둥형상의 스페이서를 배치하면, 셀갭의 균일화와 TFT의 차광을 동시에 달성할 수 있다. TFT의 위쪽에 작은 BM을 형성하여 차광하는 것도 가능하다.
또한, 능동소자로서 TFT를 사용한 경우, 절연층을 거쳐 TFT의 위쪽에 설치된 대향전극은, 게이트전극의 기능을 가지기 때문에(소위 2중게이트 TFT 구조), 이동도가 증가하여 TFT의 스위칭성능이 증가하는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 1 실시형태를 나타낸다.
도 1은 실시형태 1에 있어서의 하나의 화소부의 평면구조를 나타내고 있다. 1O1은 Cr로 형성한 주사배선, 102는 아몰퍼스실리콘으로 형성한 반도체층, 103은 Cr로 형성한 신호배선, 104는 Cr로 형성한 화소전극단자, 105는 Cr로 형성한 유지용량단자, 106은 화소전극, 107 및 107'은 대향전극이다.
도 2는 도 1에 있어서의 화소부를 A-A'선에 따라 절단한 단면구조를 나타내고 있다. 201은 유리기판, 202는 질화실리콘으로 형성한 게이트절연층, 203은 산화실리콘으로 형성한 절연층, 204는 인이 첨가된 n+형 아몰퍼스실리콘으로 형성한 콘택트층, 205는 유기절연막으로 이루어지는 퍼시베이션층, 206은 배향막, 207은 유리기판, 208은 컬러필터층, 209는 보호막, 210은 배향막, 211은 스페이서비즈, 212는 액정층, 213은 편광판, 214는 TFT기판, 215는 대향기판, 216은 박막트랜지스터(TFT)이다.
도 1, 도 2에 나타낸 실시형태 1의 액티브매트릭스 액정표시장치의 작성방법을 이하에 나타낸다.
TFT 기판(214)은, 다음과 같이 하여 작성한다. 먼저, 코닝(1737) 유리기판 (201)상에 두께 약 300 nm의 Cr 막을 스퍼터링법에 의하여 형성한다. 포토에칭에 의하여 이 Cr 막을 패터닝하여 주사배선(1O1)을 형성한다. 그 위에 플라즈마화학 기상성장(CVD)법에 의하여 두께 250 nm의 질화실리콘, 두께 50 nm의 산화실리콘층, 두께 200 nm의 아몰퍼스실리콘층, 두께50 nm의 인이 첨가된 n+형 아몰퍼스실리콘층을 연속형성한다. 각 층의 형성에 사용한 원료가스는 이하와 같다 : SiH4 + NH3 + N2(질화실리콘층), SiH4 + N2O(산화실리콘층), SiH4 + H2(아몰퍼스실리콘층), SiH4 + H2 + PH3(n+형 아몰퍼스실리콘층). 그리고 포토에칭에 의하여 n+형 아몰퍼스실리콘층, 아몰퍼스실리콘층, 산화실리콘층을 동시에 줄무늬형상으로 가공함으로써 반도체층(102)및 절연층(203)을 형성한다.
이 위에 스퍼터링법을 사용하여 형성한 두께 300 nm의 Cr을 포토에칭에 의하여 패터닝하여, 신호배선(103), 화소전극 단자(104) 및 유지용량 단자(105)를 형성한다. 또한 신호배선(103) 및 화소전극 단자(104)로 덮여지지 않은 반도체층(102)상의 n+형 아몰퍼스실리콘층을 에칭함으로써, 신호배선(103), 화소전극 단자(104)와 반도체층(102)의 사이에 콘택트층(204)을 형성한다. 또한 이 위에 스핀코팅법에 의하여 두께 약 1OOO nm의 폴리이미드로 이루어지는 퍼시베이션막(205)을 형성한다. 포토에칭에 의하여 퍼시베이션막(205) 및 게이트절연층(202)에 콘택트홀을 형성한 후, 스퍼터링법에 의하여 두께 300 nm의 금속박막을 형성한 후, 포토에칭에 의하여 상기 금속박막을 패터닝하여, 화소전극(106), 대향전극(107, 107')을 형성한다.
이에 따라, 콘택트홀을 거쳐, 화소전극(106)과 화소전극 단자(104) 및 유지 용량 단자(105)가 접속되고, 대향전극(107)과 주사배선(101)이 접속된다.
그리고 게이트절연층(202)의 주사배선(101)과 유지용량 단자(105)에 끼워유지된 부분이 유지용량이 된다. 그 위에 스핀코팅법에 의하여 두께 약 200 nm의 배향막(206)을 형성한다. 이상에 의하여 TFT 기판(214)이 완성된다.
대향기판(215)은 다음과 같이 하여 작성한다. 먼저, 코닝(1737)으로 이루어지는 유리기판(207)상에, 스핀코팅법에 의하여 두께 500 nm의 컬러필터(208)를 형성한다. 그 위에 스핀코팅법에 의하여 두께 500 nm의 보호막(209) 및 두께 200 nm의 배향막(210)을 형성한다.
TFT 기판(214) 및 대향기판(215)은, 그 배향막(206 및 210)의 표면을 배향처리한 후에, 산화실리콘으로 이루어지는 지름 약 4㎛의 비즈(211)를 끼워유지하도록 대향시켜 형성한 셀갭 사이에 액정조성물을 실링하여 액정층(212)을 형성한다. 마지막으로 TFT 기판(214) 및 대향기판(215)의 표면에 편광판을 붙여 액정패널을 완성한다.
이 실시형태에서는 신호배선(103) 및 TFT(216)의 위쪽에 절연성의 퍼시베이션막(205)을 거쳐 그 신호배선(103) 및 TFT(216)에 겹치도록 대향전극(107)을 배치하고, 대향전극(107)의 단부가 대응하는 주사배선(101)상에 위치하여, 대향전극 (107) 및 주사배선(101)이 점유하는 영역중에 신호배선(103)이 점유하는 영역이 포함된다. 따라서 일본국 특원평9-151886호의 명세서 및 도면에도 기재되어 있는 바와 같이, 신호배선(103)의 가장자리 끝부의 광누설이 해소되기 때문에 신호배선 (103)가장자리 끝부를 차광하는 BM이 불필요하게 된다. TFT(216)는 대향전극 (107)에 의하여 차광된다.
또 이 액정표시장치는, 퍼시베이션막(205) 및 게이트절연층(202)에 연속하여개방한 콘택트홀을 거쳐 대향전극(107)이 주사배선(101)에 접속된 일본국 특개평8-62578호 공보에 기재된 바와 같은 공통배선이 없는 구성으로 되어 있다. 따라서, 이 주사배선(101)의 가장자리 끝부에서는 광누설이 발생하지 않기 때문에, 차광이 불필요하게 된다.
따라서, 이 액정표시장치는, 대향기판에 설치하고 있는 BM은 불필요하다. 이 결과, 종래보다도 개구율이 약 20% 향상하여, 약 60%가 되었다. 또 이 구성에서는 퍼시베이션막(205)의 두께를 두껍게 함으로써 TFT 기판(214)의 평탄성이 향상하여, BM이 없기 때문에, 대향기판(215)의 평탄성도 향상하였다. 그 때문에 소정의 셀갭을 유지하기 위하여 필요한 비즈는, 1 화소당 1개 이하(종래는 3개 정도필요)로 할 수 있고, 콘트라스트가 향상한다. 더구나 이 구성에서는 액정에 전압을 인가하기 위하여 사용하는 화소전극(106) 및 대향전극(107, 107')이 퍼시베이션막(205)상에 형성되어 있기 때문에, 퍼시베이션막(205)의 두께를 두껍게 하여도 액정구동전압은 증가하지 않는다.
이 구성에 있어서, 화소전극(106) 및 대향전극(107, 107')은 배향막(206)을 거쳐 액정층(212)에 닿기 때문에, 전기화학적으로 안정된 재료로 구성하는 것이 바람직하다. Nb 또는 질화 Nb를 사용한 바, 액정패널의 수명시험에 있어서 화소전극 (106) 및 대향전극(107, 107')의 부식은 일어나지 않았다.
또한 이 실시형태에 있어서, TFT 구성은 소위 2중 게이트 TFT 구조이기 때문 에, 종래 TFT 구조와 비교하여 이동도가 약 10% 향상하였다. 또 이 실시형태의 TFT 구성은, 질화실리콘으로 이루어지는 게이트절연층(202)과 반도체층(102)의 사이에 산화실리콘막으로 이루어지는 절연층(203)이 개재된 PCT 출원 JP96-3467호의 명세서 및 도면에 기재된 바와 같은 MNOS 구조이며, 공통배선이 없는 방식의 구동에 필요한 인핸스먼트형 TFT 특성를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태를 나타낸다.
도 3은 실시형태 2에 있어서의 화소부의 단면구조를 나타내고 있다. 본 실시예는 비즈(211) 대신에, TFT 기판(214)상에 형성한 기둥형상 스페이서(301)를 TFT 기판(214) 및 대향기판(215)으로 끼워유지함으로써 셀갭을 형성하는 구성이다. 기둥형상 스페이서(301)는 예를 들어 SOG(Spin On Glass)법에 의하여 형성한 두께 4㎛의 산화실리콘막을 포토에칭에 의하여 패터닝하여 형성한다.
대향전극(107) 및 퍼시베이션막(205)을 거쳐 TFT(216)의 위쪽에 기둥형상 스페이서(301)를 배치한 바, 기둥형상 스페이서(301)를 작게(낮게) 할 수 있고, 이 기둥형상 스페이서(301)의 형성에 요하는 시간을 단축할 수 있었다. 이것은 실제로는, 이 부분은 기판간격이 가장 좁게 되어 있기 때문에, 소정의 셀갭을 얻기 위하여 필요한 기둥형상 스페이서의 높이가 가장 낮아지기 때문이다. 또 기둥형상 스페이서 (301)와 TFT(216)의 사이에 대향전극(107)이 개재하기 때문에, TFT(216)의 위쪽의 전위는 대항전극(107)의 전위로 유지되기 때문에, 기둥형상 스페이서의 전기적인 성질에 의하여 전계가 흐트러져 TFT(216)가 오동작하는 일은 없다.
본 발명의 제 3 실시형태를 나타낸다.
대향전극(107)을 구성하는 재료로서, 전기화학적으로 안정된 인듐주석 산화물 등의 도전성 산화물을 사용할 수도 있다. 이 경우, 대향전극(107)은 투명하기 때문에, TFT(216)에 대한 차광수단이 필요하게 된다. 이 차광수단은, 이 TFT(216)에 대향시킨 작은 BM을 설치함으로써 실현할 수 있다.
또 수지 BM 재료와 같은 차광성을 가지는 재료로 형성한 기둥형상 스페이서(301)를 TFT(216)의 위쪽에 배치하도록 하면, 균일한 셀갭의 형성과 TFT (216)의 차광을 함께 달성할 수 있다.
본 발명의 제 4 실시형태를 나타낸다.
도 6은 실시형태 4에 있어서의 화소부의 단면구조를 나타내고 있다. 이 실시형태에서는 컬러필터층(208)을 TFT 기판측, 특히 퍼시베이션막(205)의 하부에 설치한 것을 특징으로 한다. 이러한 구성으로 하면, 퍼시베이션막(205)이 컬러필터층(208)의 보호막(209)의 역할을 다 하기 때문에, 보호막(209)을 생략할 수 있어 부재절감에 의한 저비용의 효과가 있다.
도 7은 실시형태 4에 있어서의 화소부의 평면구조를 나타내고 있다. 이 도면에는 컬러필터층(208)의 RGB 각 색상영역의 단부를 굵은 선으로 나타내고 있다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 컬러필터층(208)의 RGB 각 색상영역의 한쪽의 단부를 TFT 상에 배치하였다. 대향전극(107), 퍼시베이션막(205) 및 컬러필터층 (208)을 거쳐 TFT(216)의 위쪽에 기둥형상 스페이서(301)를 배치한 바, 기둥형상 스페이서(301)를 더욱 작게(낮게) 할 수 있고, 이 기둥형상 스페이서(301)의 형성에 요하는 시간을 단축할 수 있었다. 이것은 TFT 상에서 컬러필터층(208)의 인접 하는 2색상의 영역이 겹치고, 이 부분에서 대향기판과의 간극이 더욱 좁아졌기 때문에, 소정의 셀갭을 얻기 위하여 필요한 기둥형상 스페이서의 높이가 더욱 낮아지기 때문이다. 한편, 컬러필터층(208)이 대향기판상에 있는 도 3에 나타내는 실시형태에서도 이 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 5 실시형태를 나타낸다.
도 8은 실시형태 5에 있어서의 화소부의 평면구조를 나타내고 있다. 이 구조에서는 1개의 화소전극(106)과 2개의 대향전극(107)으로 화소가 2분할되는 소위 2분할 화소구조로 되어 있다. 이와 같은 화소구조는, 액정표시장치의 정세도(精細度)(단위길이당 화소수)가 약 150 dpi(dot par inch)이상의 고정세의 IPS 방식의 액정표시장치에서 채용된다. 이와 같이 고정세인 IPS 방식의 액정표시장치에서는, 화소사이즈는, 도 1에 나타내는 4분할 화소구조의 대략 절반정도가 된다.
따라서, 1화소의 면적에 대한 배선 및 BM의 차광면적의 비율은 4분할 화소구조보다도 더욱 커진다. 따라서, 공통배선 및 BM을 생략하여, 대향전극(107)을 신호배선(103) 및 반도체층(102)에 중첩한 화소구조를 채용함으로써, 특별히 큰 개구율향상 효과를 얻을 수 있었다. 또 이와 같이 작은 화소로서는 비즈에 기인한 광누설에 의한 콘트라스트저하의 비율이 커지기 때문에, 실시형태 2의 기둥형상 스페이서를 채용한 결과, 대폭으로 콘트라스트가 향상하였다.
본 발명에 의하면, 대향기판에 설치하는 BM 을 삭제 또는 소형화할 수 있으므로, 개구율이 향상하여 기판이 평탄화된다. 그리고 개구율의 향상에 의하여 소비전력이 저감하고, 기판의 평탄화에 의하여 셀갭의 균일성이 향상함과 함께, 소정의 셀갭의 형성에 필요한 비즈의 수가 감소하기 때문에 콘트라스트가 향상한다.
또 광누설의 원인이 되는 비즈를 사용하지 않고, TFT 기판상에 설치한 기둥형상의 스페이서를 사용하여 셀갭을 형성함으로써, 셀갭의 균일성과 콘트라스트를 함께 향상시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 개구율 및 셀갭의 균일성이 향상하고, 저소비전력으로 표시휘도의 균일성이 높고, 고콘트라스트의 액티브매트릭스 액정표시장치를 얻을 수 있다.

Claims (18)

  1. 적어도 한쪽이 투명한 한 쌍의 기판과,
    상기 한 쌍의 기판에 끼워 유지된 액정층을 구비하고,
    상기 한 쌍의 기판의 한쪽에는 복수의 주사배선과, 상기 복수의 주사배선에 매트릭스형상으로 형성된 복수의 신호배선과, 상기 복수의 신호배선과 상기 복수의 주사배선과의 각각의 교점에 대응하여 형성된 복수의 박막 트랜지스터와, 상기 복수의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 화소전극과, 상기 복수의 주사배선에 접속되고, 상기 복수의 화소전극과의 사이에, 상기 한 쌍의 기판에 대하여 지배적으로 평행한 전계가 생기도록 형성된 복수의 대향 전극을 가지는 액티브 매트릭스 액정표시장치에 있어서,
    상기 복수의 신호배선 및 복수의 박막 트랜지스터의 위쪽에 절연층을 거쳐 중첩하도록 상기 복수의 대향 전극을 배치하고,
    상기 절연층 아래쪽, 또한 박막 트랜지스터 위쪽에 컬러 필터층을 배치한 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 컬러 필터층의 RGB 각 색 영역 중 인접하는 2색의 영역은, 상기 박막 트랜지스터상에서 겹쳐서 배치된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 대향 전극, 상기 절연층 및 컬러 필터층을 거쳐 상기 박막 트랜지스터의 위쪽에 기둥형상 스페이서를 배치한 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시장치.
  4. 적어도 한쪽이 투명한 한 쌍의 기판과,
    상기 한 쌍의 기판에 끼워 유지된 액정층을 구비하고,
    상기 한 쌍의 기판의 한쪽에는, 복수의 주사배선과, 상기 복수의 주사배선에 매트릭스형상으로 형성된 복수의 신호배선과, 상기 복수의 신호배선과 상기 복수의 주사배선의 각각의 교점에 대응하여 형성된 복수의 박막 트랜지스터와, 상기 복수의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 화소전극과, 상기 복수의 주사배선에 접속되고, 상기 복수의 화소전극과의 사이에 상기 한 쌍의 기판에 대하여 지배적으로 평행한 전계가 생기도록 형성된 복수의 대향 전극을 가지는 액티브 매트릭스 액정표시장치에 있어서,
    상기 복수의 신호배선 및 복수의 박막 트랜지스터의 위쪽에 절연층을 거쳐 중첩하도록 상기 복수의 대향 전극을 배치하고,
    하나의 화소영역이 2분할되도록, 상기 하나의 화소영역 내에 1개의 화소전극과 2개의 대향 전극이 배치된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
KR1019990046563A 1998-10-27 1999-10-26 액티브매트릭스 액정표시장치 KR100713188B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-305013 1998-10-27
JP30501398A JP3661443B2 (ja) 1998-10-27 1998-10-27 アクティブマトリクス液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000029318A KR20000029318A (ko) 2000-05-25
KR100713188B1 true KR100713188B1 (ko) 2007-05-02

Family

ID=17940047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990046563A KR100713188B1 (ko) 1998-10-27 1999-10-26 액티브매트릭스 액정표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6356330B1 (ko)
JP (1) JP3661443B2 (ko)
KR (1) KR100713188B1 (ko)
TW (1) TW576940B (ko)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020008799A1 (en) * 2000-07-10 2002-01-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display unit
JPH11202349A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6680487B1 (en) * 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
JP4298131B2 (ja) * 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6630977B1 (en) * 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
JP2001005007A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Ltd 液晶表示装置
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
KR100493869B1 (ko) * 1999-12-16 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
US7071041B2 (en) * 2000-01-20 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6639265B2 (en) 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
KR100709704B1 (ko) * 2000-05-12 2007-04-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4845254B2 (ja) * 2000-10-10 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP4884586B2 (ja) * 2000-12-18 2012-02-29 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2002296292A (ja) 2001-01-24 2002-10-09 Fujitsu Ltd 加速度センサ
KR100437596B1 (ko) * 2001-04-18 2004-06-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 컬러 필터 기판 제조방법
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
EP1310822B1 (en) * 2001-11-13 2011-08-03 HannStar Display Corp. Electrode array of in-plane switching mode liquid crystal display
JP4040869B2 (ja) * 2001-12-20 2008-01-30 株式会社リコー 画像表示装置
JP4071652B2 (ja) * 2002-03-04 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ発光表示装置
KR100494711B1 (ko) * 2002-05-16 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치
TWI243271B (en) * 2002-05-17 2005-11-11 Advanced Display Kk Liquid crystal display device
JP4104489B2 (ja) * 2002-05-17 2008-06-18 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100906635B1 (ko) * 2002-10-23 2009-07-10 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US20040109119A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-10 Hannstar Display Corporation In-plane switching liquid crystal display with high aperture ratio
JP4194362B2 (ja) * 2002-12-19 2008-12-10 奇美電子股▲ふん▼有限公司 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ
JP4316909B2 (ja) 2003-03-20 2009-08-19 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR100947175B1 (ko) * 2003-03-20 2010-03-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈
KR20040084488A (ko) * 2003-03-28 2004-10-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100675631B1 (ko) * 2003-06-27 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US20050035351A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Hung-Jen Chu Device and method for protecting gate terminal and lead
KR101016740B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101157870B1 (ko) * 2004-03-26 2012-06-22 후지필름 가부시키가이샤 감광성 조성물, 감광성 전사재료, 표시장치용 차광층,컬러필터, 액정표시소자 및 표시장치용 차광층이 형성된기판 및 그 제조방법
JP4325498B2 (ja) * 2004-07-07 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP2006145602A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示パネル及び液晶表示装置
JP2006323150A (ja) 2005-05-19 2006-11-30 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US7737442B2 (en) * 2005-06-28 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103257491B (zh) * 2006-09-29 2017-04-19 株式会社半导体能源研究所 半导体设备
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
KR100849599B1 (ko) * 2007-02-05 2008-07-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치
JP5151212B2 (ja) * 2007-03-30 2013-02-27 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶パネル
KR101016886B1 (ko) * 2007-04-06 2011-02-22 주식회사 엘지화학 액정표시소자용 스페이서 제조방법 및 이에 의해 제조된액정표시소자용 스페이서
KR101320499B1 (ko) * 2007-10-17 2013-10-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
WO2011155269A1 (ja) * 2010-06-10 2011-12-15 シャープ株式会社 表示パネル
KR101809657B1 (ko) * 2011-09-22 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20130128206A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20150015996A (ko) 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102283806B1 (ko) 2013-12-17 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI556045B (zh) * 2014-04-22 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
JP6775325B2 (ja) * 2016-05-13 2020-10-28 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
KR102553976B1 (ko) * 2016-08-01 2023-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09258265A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH09318972A (ja) * 1996-03-05 1997-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
KR19990026637A (ko) * 1997-09-25 1999-04-15 구자홍 횡전계방식 액정표시장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566989B2 (ja) 1994-08-24 2004-09-15 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその駆動方法
TW396289B (en) * 1996-10-29 2000-07-01 Nippon Electric Co Liquid crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09318972A (ja) * 1996-03-05 1997-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JPH09258265A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Sharp Corp 液晶表示装置
KR19990026637A (ko) * 1997-09-25 1999-04-15 구자홍 횡전계방식 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000029318A (ko) 2000-05-25
US6356330B1 (en) 2002-03-12
JP3661443B2 (ja) 2005-06-15
TW576940B (en) 2004-02-21
JP2000131714A (ja) 2000-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100713188B1 (ko) 액티브매트릭스 액정표시장치
KR100463043B1 (ko) 액티브매트릭스형 액정표시장치
US6262784B1 (en) Active matrix display devices having improved opening and contrast ratios and methods of forming same and a storage electrode line
US8711311B2 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display panel
KR101071711B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치
EP0595363A1 (en) Transmission type active matrix liquid crystal device
US6787829B2 (en) LCD panel
US6822704B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP3394433B2 (ja) アクティブマトリクス液晶表示装置
US20110032446A1 (en) Liquid crystal display device and method of driving the same
US6781645B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JPH11142886A (ja) 液晶表示装置
US6833897B2 (en) IPS-LCD device with a color filter formed on an array substrate
US7956944B2 (en) Liquid crystal display device having light blocking line disposed on same layer as gate line
JP3777201B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
KR100530140B1 (ko) 평면표시소자
CN100363797C (zh) 液晶显示器
JPH1184386A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
US11003031B2 (en) Display apparatus
JPH10228032A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR101888446B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2002006329A (ja) 液晶表示パネル
JPH11311808A (ja) 液晶表示素子のアレイ基板、アレイ基板を備えた液晶表示素子、およびアレイ基板の製造方法
KR20080045879A (ko) 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee