KR100530140B1 - 평면표시소자 - Google Patents

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KR100530140B1 KR10-2002-0053119A KR20020053119A KR100530140B1 KR 100530140 B1 KR100530140 B1 KR 100530140B1 KR 20020053119 A KR20020053119 A KR 20020053119A KR 100530140 B1 KR100530140 B1 KR 100530140B1
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Abstract

본 발명은 평면표시소자에 관한 것으로서, 신호선에 평행하게 인접하는 화소전극의 간극에 전계 차폐용 배선을 배치하고, 신호선의 신호선 전위의 극성 반전에 따라 화소전극의 화소전위가 변화하여 화소전극의 간극에 생기는 화소전극간 기생용량의 크기를 최대한 작게 하여, 전단(前段)의 화소전극의 화소전위가 상승하는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.

Description

평면표시소자{FLAT PANEL DISPLAY}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 발명은 2001년 9월 5일 출원된 일본 특허 출원 번호 제 2001-268579 호에 기초하여 우선권의 이익을 주장하며, 상기 우선권의 전체 내용은 명세서에서 참고로 설명된다.
본 발명은 매트릭스형상으로 배치되는 화소전극을 갖는 평면표시소자에 관한 것이다.
복수의 주사선 및 신호선의 교점 근방에 박막 트랜지스터(이하, “TFT”라고 약칭함) 등의 스위칭소자를 형성하고, 이 스위칭소자로 매트릭스형상으로 배열되는 화소전극의 스위칭을 실시하는 어레이기판과, 대향전극을 갖는 대향기판의 간극에 광변조층으로서 예를 들면 액정재료를 봉입한 평면표시소자에서는 제조시의 화소전극과 주사선의 위치 맞춤의 편차에 기인하는 보조용량의 용량값의 편차를 방지하여 화소전극마다의 표시 불균형을 방지할 필요가 있다.
종래, 도 6에서 도 8에 도시한 바와 같이 신호선(1) 및 주사선(2)의 교점 근방의 TFT(3)에 의해 매트릭스형상으로 배열되는 화소전극(4)을 구동하는 어레이기판(5)상에서, 화소전극(4)의 한 단부(4a)가 인접하는 다른 주사선(2)을 위를 가로지르는 구조가 채용되어 있다. 이 구조에 의해 화소전극(4)과 주사선(2)의 위치 맞춤의 편차의 유무(크기)에 관계없이 화소전극(4)과 주사선(2)의 중복 면적을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 의해 보조용량(50)의 용량값을 균일화할 수 있다.
한편, 이와 같은 어레이기판(5)을 이용한 평면표시소자에서, 화상 표시시의 인화현상 등을 방지하기 위해, 통상은 표시 프레임마다 화소전극의 전위 극성을 대향전극에 대해 반전하여 화상을 표시시키고 있다. 이와 같은 화소전극의 전위 극성을 반전하는 패턴의 하나로서, 최근 주사선을 따라서 인접하는 화소전극(상호)의 전위 극성을 반전하고, 또 신호선을 따라서 배치되는 화소전극에 관해 2화소마다 전위 극성을 반전하는 구동 패턴이 채용된 평면표시소자가 제안되어 있다.
그러나, 상술한 신호선을 따라서 2화소마다 전위 극성을 반전하는 평면표시소자에서는 중간조의 래스터 화면을 표시하면 주사선을 따르는 방향으로 가로 스트라이프형상의 표시 불균형을 생기게 하는 것이 판명되었다.
가로 스트라이프형상의 표시 불균형은 평면표시소자의 신호선을 따라서 좁은 간극을 유지하여 인접하는 화소전극 간에 화소전극 간 기생용량(51)이 생기는 것에 의해 각 프레임 주기마다 신호선을 따라서 배치되는 화소전극의 전위 극성을 2화소마다 반전하는 구동방법에 있어서, 중간조 래스터 화면을 표시하는 경우에 신호선을 따라서 인접하는 화소전극간의 화소전극간 기생용량에 기인하여 도 7에 도시한 바와 같이 전단의 화소전위(Vp)를 시프트시켜버리는 것에 의해 발생한다.
즉, 다음에 주사되는 주사선에 접속되는 화소전극의 전위 극성이 동일 극성이면 전단의 주사선에 접속되는 화소전극에 기록된 화소전위는 액정층(52)에 인가되는 전압이 커지는 방향으로 레벨 시프트를 생기게 한다. 이에 대해, 다음에 주사되는 주사선에 접속되는 화소전극의 전위 극성이 역극성이면 전단의 주사선에 접속되는 화소전극에 기록된 화소 전위는 액정층에 인가되는 전압이 작아지는 방향으로 레벨 시프트를 생기게 한다.
이 결과, 주사선의 1라인마다 화소전극으로부터 액정재료로 인가되는 전압에 차가 생기고, 평면표시소자에 가로 스트라이프형상의 표시 불균형이 발생하여 표시 품위가 저하한다.
본 발명의 목적은 상기 과제를 해결하는 것으로, 주사선을 따라서 인접하는 화소전극의 표시 극성이 역극성이고, 또 신호선을 따라서 배치되는 화소전극에 관해 2화소마다 전위 극성이 반전하도록 화소전극을 반전 구동하는 화면표시소자의 중간조의 래스터 화면의 표시시에, 가로 스트라이프형상의 표시 불균형을 생기게 하지 않고, 양호한 표시 품위를 얻을 수 있는 평면표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 절연기판상에 교차하여 배치되는 신호선 및 주사선의 교점 근방에 배치되는 복수의 스위칭소자와, 상기 신호선 및 상기 주사선을 따라서 매트릭스형상으로 배치되어 상기 스위칭소자를 통해 상기 신호선에 접속되는 화소전극과, 상기 주사선과 일체적으로 형성되어 절연층을 통해 상기 화소전극과 보조용량을 형성하는 보조용량선을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 소정의 간극을 두고 대향 배치되는 대향전극과, 상기 제 1 기판 및 상기 대향전극의 간극에 봉입(封入)되는 광변조층을 구비하며, 상기 신호선을 따라서 상기 화소전극의 2화소마다 상기 화소전극의 전위 극성이 다른 평면표시소자에 있어서, 전단(前段)의 상기 주사선에 접속되는 전단 행의 상기 화소전극과 다음 단의 상기 주사선에 접속되는 다음 행의 상기 화소전극 사이에 전계 차폐 배선을 설치한 평면표시소자를 제공한다.
본 발명의 추가적인 목적 및 이점들이 하기의 상세한 설명에서 기술되어 부분적으로 명확해지고, 또는 본 발명의 실행에 의해 학습될 수 있다. 본 발명의 목적 및 이점들은 지금부터 구체적으로 설명되는 실시예와 결합예에 의해 획득되고 실현될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도 1에서 도 5를 참조하여 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이 액티브 매트릭스형 액정표시소자(10)는 제 1 기판인 어레이기판(11) 및 제 2 기판인 대향기판(12)을 도시하지 않은 스페이서에 의해 일정한 간극을 유지하도록 대향 배치되고, 양 기판사이의 간극에 광변조층인 액정층(14)이 봉입되어 있다.
어레이기판(11)은 유리기판(16)상에 1024×3개의 신호선(17)과 768개의 주사선(18)이 거의 직교하도록 배치되어 있다. 주사선(18)은 슬릿(20)을 통해 도 1에 점선으로 나타내는 보조 용량선(18a)과, 실선으로 나타내는 전계 차폐용 배선(18b)으로 나뉘어져 유리기판(16)상에 직접 배치되어 있다.
주사선(18)을 덮도록, 유리기판(16)상에 산화실리콘(SiO2)으로 이루어진 게이트절연막(21)이 배치되고, 게이트절연막(21)상에 신호선(17)이 배치되어 있다. 신호선(17)과 주사선(18)의 교차부 근방에는 스위칭소자인 TFT(22)가 배치되어 있다.
TFT(22)는 주사선(18)과 일체의 게이트전극(24)상에 게이트절연막(21)을 통해 아몰퍼스 실리콘(이하, a-Si라고 약칭함)을 패턴 형성한 반도체층(26), 반도체층(26)의 채널 영역을 보호하는 채널 보호층(27), n+형 아몰퍼스 실리콘(n+a-Si)으로 이루어진 오믹 컨텍트층(28)을 통해 설치되는 소스 전극(30)과 드레인 전극(31)을 포함한다.
소스 전극(30)(신호선(17)과 일체로 형성되어 있음)에는 층간절연막(32)을 통해 인듐-주석 산화물(이하, “ITO”라고 약칭함)로 이루어져 미리 소정의 형상으로 패터닝되어 있는 화소전극(23)이 접속되어 있다.
도 2에 도시한 화소전극(23)의 한 단인 상단(上端)(23a)은 전단의 화소전극(23)의 주사선(18)의 보조 용량선(18a)을 타고 넘어 슬릿(20) 영역까지 뻗어져 있다. 화소전극(23)은 보조 용량선(18a)과 겹쳐진 부분에서 보조 용량(Cs)을 형성하고 있다.
대향기판(12)의 유리기판(36)상에는 차광막(37)이 설치되어 있다. 차광막(37)은 액정표시수단(10)으로서 완성된 경우에 어레이기판(11)의 TFT(22), 화소전극(23)과 신호선(17)의 간극 및 화소전극(23)과 주사선(18)의 간극을 차광하기 위한 크롬층으로 이루어진다.
차광막(37) 상호간에는 칼라 표시를 실현하기 위해, 적(R), 녹(G), 청(B)의 3원색으로 착색된 수지층인 칼라필터층(38)이 배치되어 있다. 칼라필터층(38)은 차광막(37)사이를 매립하도록 배치되어 있다. 또, 칼라필터층(38)상에는 ITO로 이루어진 대향전극(40)이 적층되어 있다.
상술한 어레이기판(11) 및 대향기판(12)의 각각의 서로에 대향하는 측의 면에는 폴리이미드로 이루어진 배향막(33, 41)이 인쇄법에 의해 도포되고, 그 후 러빙(rubbing)처리된다. 양 기판(11, 12)은 대향 배치될 때 각 배향막(33, 41)의 배향 방향이 약 90°가 되도록 조립된다. 이 때, 기판간의 간격은 도시하지 않은 스페이서에 의해 일정한 간격으로 설정된다. 이에 의해 액정셀이 형성된다. 이하 앞에서 설명한 바와 같이 그 간극에 액정 조성물(액정 재료)이 주입되어 액정층(14)이 형성된다.
이와 같이 하여 액정층(14)이 형성된 액정 셀에는 양 기판(11, 12)의 외표면에 도시하지 않은 편광판이 부착되어 액정표시소자(10)가 완성된다.
액정표시소자(10)는 영상신호에 대응하여 도 3에 도시한 패턴으로 화소 전위의 극성이 반전되어 있는 화소전위가 각각의 화소전극에 인가된다. 즉, 도 3의 세로방향을 신호선(17)에 평행하고 가로 방향을 주사선(18)으로 평행하게 하면, 주사선(18)에 평행하게 인접하는 화소전극(23)의 화소전위가 역극성이, 신호선(17)에 평행한 화소전극(23)의 화소 전위가 2화소마다 역극성이 되도록 각각의 화소가 반전 구동된다.
액정표시소자(10)에 있어서는 신호선(17)에 평행하고, 상하에 인접하는 화소전극(23)사이에 주사선(18)의 전계 차폐용 배선(18b)이 개재되어 전계를 차폐하기 때문에 상하의 화소전극(23)사이의 화소전극간 기생용량(Cpp′)이 저감된다. 이 때문에 종래는 상하에 인접하는 화소전극(23)사이의 간극이 좁은 것에 기인하여 형성되는 화소전극간 기생용량(Cpp′)에 의해 생긴 상단의 화소전위의 변동이 매우 작아진다. 또, 보조용량(Cs)(42)과 화소전극간 기생용량(Cpp′)(43)을 도 4에 나타낸다.
액정표시소자(10)에 있어서, 중간조의 래스터 표시 테스트를 실시한 바, 화소전극(23)은 도 5a부터 도 5e에 나타내는 화소전위를 얻었다. 여기서, 화소전위(Vp), 주사선 전위(Vg), 신호선 전위(Vsig), 대향전극 전위(Vcom), 액정인가전압(VLc)으로 한다.
신호선 전위(Vsig)는 2H(H:수평주사기간)마다 극성이 전환된다. 주사선 전위(Vg)는 TFT(22)를 온하는 주사 펄스(α)와, TFT(22)가 오프인 동안의 기생용량에 기인하여 화소전극(23)의 화소 전위 변동을 보상하는 보상 펄스(β)로 이루어지며, 주사선(18)에 차례로 인가된다.
액정표시소자(10)의 중간조의 래스터 표시 시, n번째의 주사선에 있어서, 도 5a에 도시하는 바와 같이 주사 펄스(α)에 의해 TFT(22)가 온되는 것으로 도 3에 도시한 n번째의 화소전극의 화소 전위(Vp)가 신호선 전위(Vsig)로의 기록을 실시한다(화소전위(Vp)에 의해 신호선 전위(Vsig)가 기록된다). 다음의 1H에는 n+1번째의 주사선, 즉 인접하는 바로 아래의 주사선에 TFT(22)를 통해 접속된 n+1번째의 화소전극(도 3 참조)에 신호선 전위(Vsig)가 기록되지만, 이 때, 도 5b에 도시되는 바와 같이 n+1번째에 접속된 화소전극의 화소전위(Vp)는 음극성에서 양극성으로 변화한다.
화소전위(Vp)의 전위 변화는 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 통해 전단의 화소전극의 화소전위(Vp)를 변동시켜 화소전위(Vp)의 상승을 초래한다. 여기서 종래예에서는 도 7a에 도시되는 바와 같이 n번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc(n))은 입력되는 영상신호보다도 약간 작아진다.
그러나, 액정표시소자(10)에 있어서는 n번째와 n+1번째의 화소전극의 간극에 전계 차폐용 배선(18b)이 설치되어 있기 때문에 화소전극간 기생용량(Cpp′)은 매우 작은 값이다. 이 때문에 화소전극간 기생용량(Cpp′)에 기인하는 화소전극(Vp)의 상승은 매우 작다. 따라서, n번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정인가전압(VLc(n))은 도 5a에 도시한 바와 같이 입력되는 영상신호와 거의 동등해진다.
계속해서, n+2번째의 주사선에 TFT(22)를 통해 접속되어 있는 n+2번째의 화소전극(도 3 참조)에 신호선 전위(Vsig)가 기록되는데, 이 때, 도 5에 도시된 바와 같이 n+2번째에 접속된 화소전극의 화소전위(Vp)의 극성은 양극성 그대로 변화하지 않기 때문에, n+1단째에 접속된 화소전극(n+1)의 화소전위(Vp)는 종래예에서는 도 7b에 도시한 바와 같이 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 통해 조금 화소전위(Vp)의 상승을 초래하고, n+1번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc(n+1))은 입력되는 영상신호보다도 약간 커진다.
그러나, (본 발명의) 액정 표시 소자(10)에서는 n+1번째와 n+2번째의 화소전극의 간극에 전계 차폐용 배선(18b)이 설치되어 있어서, 화소전극간 기생용량(Cpp′)이 매우 작다. 이 때문에 화소전극간 기생용량(Cpp′)에 기인하는 화소전위(Vp)의 상승이 매우 작다. 즉, n+1번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가 전압(VLc(n+1))은 도 5b에 도시한 바와 같이 입력 화상신호와 거의 동등해진다.
계속해서, n+3번째의 주사선에 TFT(22)를 통해 접속된 n+3번째의 화소전극(도 3 참조)에 신호선 전위(Vsig)가 기록되는데, 이 때, 도 5d에 도시되는 바와 같이 n+3번째에 접속된 화소전극의 화소전위(Vp)의 극성은 양극성에서 음극성으로 변화한다.
화소전위(Vp)의 전위 변화는 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 통해 전단의 화소전극의 화소전위(Vp)를 변동시켜 화소전위(Vp)를 상승시키기 때문에 종래예에서는 도 7c에 도시한 바와 같이 n+2번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가 전압(VLc(n))은 입력 영상 신호보다도 작아진다.
그러나, 이 화소전위(Vp)의 전위 변화에 상관없이 n+2번째와 n+3번째의 화소전극의 간극에 전계 차폐용 배선(18b)이 설치되어 있기 때문에 화소전극간 기생용량(Cpp′)이 매우 작다. 이 때문에 화소전극간 기생용량(Cpp′)에 기인하는 화소전위(Vp)의 상승이 매우 작다. 이에 의해 n번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc(n+2))은 도 5c에 도시한 바와 같이 입력 영상신호와 거의 동등해진다.
계속해서, n+4번째의 주사선에 TFT(22)를 통해 접속된 n+4번째의 화소전극(도 3 참조)에 신호선 전위(Vsig)가 기록되는데, 이 때, 도 5e에 도시한 바와 같이 n+4번째에 접속된 화소전극의 화소전위(Vp)의 극성은 음극성 그대로 변화하지 않는다. 따라서, n+3단째에 접속된 화소전극(n+3)의 화소전위(Vp)는 종래예에 있어서는 도 7d에 도시한 바와 같이 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 통해 조금(약간, 일정량) 화소전위(Vp)가 상승된다. 즉, n+3번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc(n+3))은 입력되는 영상신호보다도 약간 커진다.
그러나, 본 발명의 액정소자(10)에 있어서는 n+3번째와 n+4번째의 화소전극의 간극에 전계 차폐용 배선(18b)이 설치되어 있어, 화소전극간 기생용량(Cpp′)이 매우 작은 값이다. 따라서, 화소 전극간 기생용량(Cpp′)에 기인하는 화소전위(Vp)의 상승이 거의 없다. 즉, n+3번째의 주사선에 접속되는 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc(n+3))은 도 5d에 도시한 바와 같이 입력된 영상신호와 거의 동등해진다.
이 후, n+4번째의 주사선 이후에 접속되는 화소전극의 화소 전위에 대해서는 n번째의 화소전극의 화소전위 이후와 동일한 반복이 되어, 액정표시소자(10)의 전면에 걸쳐 화소전극의 화소전위(Vp)와 대향전극 전위(Vcom)에 의해 형성되는 액정 인가전압(VLc)은 입력되는 영상신호와 거의 동등해진다.
이 결과, 중간조를 래스터 표시시킨 경우에 가로 스트라이프형상의 표시 불균형은 발생하지 않고, 양호한 중간조의 래스터 표시가 얻어졌다.
이상 설명한 바와 같이 본원 발명의 액정표시소자(10)에 있어서는 주사선(8n)에 접속되는 전단의 행의 화소전극(23n)과 다음 단의 주사선 18(n+1)에 접속되는 다음 행의 화소전극 23(n+1))사이에 전계 차폐용 배선(18b)을 배선하여 화소전극(23) 사이를 전기적으로 차폐하고 있다. 이에 의해 인접하는 화소전극(23)사이의 간극이 좁아도 신호선(17)의 극성반전시의 전위 변화에 의해 화소전극(23)사이에 발생하는 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 현저히(충분히) 저감할 수 있다. 이 결과, 액정표시소자(10)에 중간조의 래스터 화상을 표시시키는 경우에 있어서, 화소전극간 기생용량(Cpp′)을 원인으로 하는 가로 스트라이프형상의 표시 불균형을 방지할 수 있고, 균일하고 표시 품위가 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다.
또, 주사선(18)에 슬릿(20)을 설치하여, 화소전극(23)을 그 상단(23a)이 슬릿(20)내에 위치하도록 배치하는 것에 의해서도 보조용량(Cs)의 용량값이 분산되는 것을 억제할 수 있다. 이 경우, 화소마다의 표시 불균형이 방지되어 균일한 표시가 얻어진다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 그 취지를 변경하지 않는 범위에서의 변경은 가능하고, 예를 들면 매트릭스형상으로 배열되는 화소전극의 화소수 등은 한정되지 않는다.
또, 전계 차폐용 배선이나 보조 용량선의 형상도 한정되지 않고, 주사선과 화소전극의 상단의 위치 정밀도가 높으면 반드시 주사선에 슬릿을 설치할 필요는 없다.
또, 칼라필터층을 어레이기판 상에 설치해도 좋다.
또, 본 발명은 화소전극과 대향전극 사이에 홀 수송층, 유기발광층 등을 적층하여 배치한 유기 EL소자 등에도 유효하게 이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 신호선과 평행한 화소전극간의 좁은 간극에 전계 차폐용 배선을 설치하는 것에 의해 화소전극간에 생기는 화소전극간 기생용량을 현저히 작게 할 수 있고, 나아가서는 화소전위의 변화에 기인하는 인접하는 화소전극의 광변조층으로의 인가전압의 변동이 매우 작아지고, 중간조의 래스터 표시의 가로 스트라이프형상의 표시 불균형을 방지할 수 있고, 균일하고 표시 품위가 높은 평면표시소자의 실용화가 도모된다.
당 분야에 전문적인 지식을 가진 사람들에 의해 추가적인 이점 및 변형예가 쉽게 발생될 것이다. 그러므로 본 발명의 광범위한 측면은 명세서에서 설명되고 도시된 특정한 상세 내용 및 대표적인 실시예에 한정되지 않는다. 따라서 첨부된 청구항 및 이와 동등한 것에 의해 한정되는 일반적인 발명의 개념의 정신 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형예가 만들어질 수 있다.
명세서의 일부를 구성하고, 명세서에서 설명되는 첨부 도면은 본 발명의 실시예를 도해하며, 하기의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는데 도움을 줄 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태가 적용되는 어레이기판의 일부를 나타내는 개략 평면도,
도 2는 도 1에 도시되어 있는 어레이기판을 도 1의 A-B선과 C-D선의 각각으로 절단한 개략 단면도,
도 3은 도 1과 도 2에 도시한 어레이기판의 화소에 인가되는 영상신호의 극성을 나타내는 개략도,
도 4는 도 1과 도 2에 도시한 어레이기판의 화소의 등가회로를 나타내는 개략도,
도 5a부터 도 5e는 도 1 및 도 2에 도시한 어레이기판의 화소에 중간조를 래스터 표시시킬 때의 인가전압을 나타내는 그래프로서, 도 5a는 n번째의 주사선으로의 음극성의 기록, 도 5b는 n+1번째의 주사선으로의 양극성의 기록, 도 5c는 n+2번째의 주사선으로의 양극성의 기록, 도 5d는 n+3번째의 주사선으로의 음극성의 기록, 도 5e는 n+4번째의 주사선으로의 음극성의 기록시의 인가전압을 나타내는 그래프,
도 6은 종래의 액정표시소자의 화소의 등가회로도,
도 7a부터 도 7e는 도 6에 도시한 주지(周知)의 액정표시소자에 중간조를 래스터 표시시킬 때의 인가전압을 나타내는 그래프로서, 도 7a는 n번째의 주사선으로의 음극성의 기록, 도 7b는 n+1번째의 주사선으로의 양극성의 기록, 도 7c는 n+2번째의 주사선으로의 양극성의 기록, 도 7d는 n+3번째의 주사선으로의 음극성의 기록, 도 7e는 n+4번째의 주사선으로의 음극성의 기록시의 인가전압을 나타내는 그래프 및
도 8은 도 6에 도시한 종래의 액정표시소자의 어레이기판의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 신호선 2 : 주사선
3, 22 : 박막 트랜지스터(TFT) 4, 23 : 화소전극
4a, 23a : 화소전극의 일부 5, 11 : 어레이기판
10 : 액정표시소자 12 : 대향기판
14, 52 : 액정층 16 : 유리기판(어레이기판)
17 : 신호선 18 : 주사선
18a : 보조 용량선 18b : 전계 차폐용 배선
20 : 슬릿 21 : 게이트절연막
24 : 게이트전극 26 : 반도체층
27 : 채널보호막 28 : 오믹 컨택트층
30 : 소스전극 31 : 드레인전극
32 : 층간절연막 33 : 배향막(어레이기판)
36 : 유리기판(대향기판) 37 : 차광막
38 : 칼라필터층 40 : 대향전극
41 : 배향막(대향기판) 42 : 보조용량(Cs)
43 : 화소전극간 기생용량(Cpp′) 50, Cs : 보조용량
51 : 화소전극간 기생용량 Cpp′: 화소전극간 기생용량
Vg : 주사선 전위 Vsig : 신호선 전위
Vcom : 대향전극 전위 VLc : 액정 인가전위
H : 수평 주사기간 α: 주사 펄스
β: 보호 펄스 Vp : 화소 전위

Claims (12)

  1. 절연기판 상에 교차하여 배치되는 신호선 및 주사선의 교점 근방에 배치되는 복수의 스위칭소자;
    상기 신호선 및 상기 주사선을 따라서 매트릭스 형상으로 배치되어 상기 스위칭소자를 통해 상기 신호선에 접속되는 화소전극;
    상기 주사선과 일체적으로 형성되어 절연층을 통해 상기 화소전극과 보조용량을 형성하는 보조용량선을 갖는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 소정의 간극을 두고 대향 배치되는 대향전극; 및
    상기 제 1 기판 및 상기 대향전극의 간극에 봉입되는 광변조층을 구비하며, 상기 신호선을 따라서 상기 화소전극의 2화소마다 상기 화소전극의 전위 극성이 다른 평면표시소자에 있어서,
    상기 주사선은, 슬릿을 통해 일체로 형성되는 상기 보조용량선과, 전단(前段)의 상기 주사선에 접속되는 전단 행의 상기 화소전극과 다음 단의 상기 주사선에 접속되는 다음 행의 상기 화소전극 사이에 설치되는 전계 차폐 배선으로 이루어지고,
    상기 보조용량선과 보조용량을 형성하는 상기 화소전극의 한 단부는 상기 슬릿의 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전계 차폐 배선은 상기 절연기판과 상기 화소전극의 중간층에 배치되는 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광변조층은 액정층인 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  7. 삭제
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 광변조층은 액정층인 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  9. 삭제
  10. 절연기판 상에 교차하여 배치되는 신호선 및 주사선의 교점 근방에 배치되는 복수의 스위칭소자;
    상기 신호선 및 상기 주사선을 따라서 매트릭스 형상으로 배치되어 상기 스위칭소자를 통해 상기 신호선에 접속되는 화소전극;
    상기 주사선과 일체적으로 형성되어 절연층을 통해 상기 화소전극과 보조용량을 형성하는 보조용량선을 갖는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 소정의 간극을 두고 대향 배치되는 대향전극; 및
    상기 제 1 기판 및 상기 대향전극의 간극에 봉입되는 광변조층을 구비하며, 상기 신호선을 따라서 상기 화소전극의 2화소마다 상기 화소전극의 전위 극성이 다른 평면표시소자에 있어서,
    상기 주사선은, 슬릿을 통해 일체로 형성되는 상기 보조용량선과, 신호선의 신호선 전위의 극성 반전에 따른 화소전극의 화소전위가 변화하여 화소 전극의 간극에 생기는 화소전극간 기생용량의 크기를 최대한 작게 하여, 전단의 화소전극의 화소전위가 상승하는 것을 방지하는 전계 차폐 배선으로 이루어지고,
    상기 보조용량선과 보조용량을 형성하는 상기 화소전극의 한 단부는 상기 슬릿의 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 전계 차폐 배선은 신호선에 평행하게 인접하는 화소전극의 간극에 설치되는 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
  12. 절연기판 상에 교차하여 배치되는 신호선 및 주사선의 교점 근방에 배치되는 복수의 스위칭소자;
    상기 신호선 및 상기 주사선을 따라서 매트릭스 형상으로 배치되어 상기 스위칭소자를 통해 상기 신호선에 접속되는 화소전극;
    상기 주사선과 일체적으로 형성되어 절연층을 통해 상기 화소전극과 보조용량을 형성하는 보조 용량선을 갖는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 소정의 간극을 두고 대향 배치되는 대향전극;
    상기 제 1 기판 및 상기 대향전극의 간극에 봉입되는 광변조층; 및
    신호선의 신호선 전위의 극성 반전에 따른 화소전극의 화소전위가 변화하여 화소전극의 간극에 생기는 화소전극간 기생용량의 크기를 최대한 작게 하여, 전단의 화소전극의 화소전위가 상승하는 것을 방지하는 전계 차폐 배선을 포함하고,
    상기 주사선은, 슬릿을 통해 일체로 형성되는 상기 보조용량선과, 상기 전계 차폐 배선으로 이루어지고,
    상기 보조용량선과 보조용량을 형성하는 상기 화소전극의 한 단부는 상기 슬릿의 영역 내에 위치하고,
    상기 신호선을 따라서 상기 화소전극의 2화소마다 상기 화소전극의 전위 극성이 다르고, 상기 전계 차폐 배선은 신호선에 평행하게 인접하는 화소전극의 간극에 설치되는 것을 특징으로 하는 평면표시소자.
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