KR100700236B1 - 급속 열처리 시스템용 가스 구동식 회전 서셉터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리하고자 하는 대상체로부터의 복사열에 의한 베이스의 불균일한 가열에 기인하여, 급속 열처리 시스템(RTP)에서 처리되는 대상체를 지지하기 위한 회전 베이스의 휨을 방지하기 위한 장치에 관한 것이다.

Description

급속 열처리 시스템용 가스 구동식 회전 서셉터{GAS DRIVEN ROTATING SUSCEPTOR FOR RAPID THERMAL PROCESSING (RTP) SYSTEM}
본 발명은 급속 열처리(Rapid Thermal Processing; RTP) 시스템에서 대상체를 보다 균일하게 가열하기 위한 시스템, 장치, 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 이와 같은 시스템에서 처리되는 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위한 편리하고 저렴한 방법을 개시한다.
RTP 분야에서 접하게 되는 주된 문제점은 RTP 시스템에서 처리되는 반도체 웨이퍼에 대한 가열의 균일성이다. RTP 시스템은 통상적으로 램프와 같은 복사원으로부터의 복사열을 투과시키는 적어도 하나의 벽면을 갖는 챔버를 구비한다. 처리되는 대상체는 상기 챔버 내에 위치되고 복사원으로부터 복사열이 조사됨으로써 가열되어 진다. 처리중인 대상체가 놓여진 대기를 시스템이 조절한다면, 투과 벽면을 갖는 챔버는 엄밀하게는 시스템에 필수적인 것이 아니다. 이 경우 투과창없이 대상체에 근접하게 램프가 배치될 수 있다. 복사열의 쪼임을 보다 균일하게 하기 위해 각 램프를 개별적으로 조절하는 램프의 배터리 이용에 많은 개선이 이루어져 왔다. 그러나 결과물은 업계의 현재 및 미래의 요구수준에 미치지 못하였다. 이와 같은 시스템에서 결과적인 균일성을 증가시키는 한가지 방법은 램프 아래에서 기판을 회전시키는 것이다. 이러한 회전을 효율화하기 위한 많은 종래의 시스템이 개시되어 왔다. 그러나, 통상적으로 이러한 많은 시스템들은 반도체 웨이퍼의 한쪽 면상에서 램프의 오직 한쪽 층만을 이용하였다. 웨이퍼의 다른쪽 면은 웨이퍼를 램프에 대해 기계적으로 회전시키기 위해 챔버 벽을 통해 관통된 다양한 샤프트에 대해 이용될 수 있다. 이러한 종래 기술은 시스템이 고가이고 밀봉하기 어렵다는 점에서 결함이 있다. 종래의 시스템은 또한 상대적으로 이동하는 부재와 마찰되어 발생된 오염원이 챔버를 오염시키게 한다. 샤프트, 웨이퍼를 보유하는 회전 베이스, 및 샤프트가 챔버 블록에 대하여 회전하게 하거나 그렇지 않거나 필요한 피팅은 샤프트와 웨이퍼의 동일한 측면상의 뱅크로부터의 빛을 방해하며, 웨이퍼상에 충돌하는 결과적인 빛은 더 이상 일정하지 않기 때문에, 종래의 시스템은 웨이퍼의 어느 한 측상에 빛의 뱅크(bank)와 함께 이용될 수 없다.
웨이퍼 핸들링 공정동안 RTP 원리에 근거한 반응기는 반응기(reactor) 챔버 구멍의 일단의 전체 단면을 가진다. 상당히 큰 치수를 가지며 웨이퍼보다 두꺼울 수도 있여러 웨이퍼 홀더, 보호 링 및 배분 플레이트는 챔버 안으로 도입되어야 하며, 프로세스가 변경되는 경우 또는 예컨대 이용되는 웨이퍼 크기가 상이한 경우 신속하고 용이하게 변경되어야 하기 때문에 이러한 구성이 이루어지게 되었다. 반응 챔버 치수는 이들 보조 부재를 염두해 두고 구성되어 있다.
미국특허 제 5,580,830호에서는 가스 유동을 조절하고 프로세스 챔버내의 불순물을 제어하기 위해서 가스 유동, 및 도어내의 구멍의 이용이 중요함을 강조한다.
상당히 넓은 스펙트럼 반응의 고온계를 이용하는 웨이퍼 온도의 측정의 중요성은 미국특허 제 5,628,564호에서 알 수 있다. 미국특허 제 5,841,110호에는 개선된 온도 제어 방법 및 장치가 개시되어 있다.
종래의 RTP 시스템에서 가열되는 웨이퍼는 전형적으로 시스템의 반사기 벽과 정확히 평행하게 웨이퍼를 지지하는 복수의 석영 핀(quartz pins) 상에 지지되어 있다. 종래의 시스템은 기계식 서셉터(susceptor)상에 웨이퍼, 전형적으로 실리콘 웨이퍼를 보유했다. 미국 특허출원 제 08/537,409호, 현재 미국특허 제 5,841,110호에서는 웨이퍼로부터 분리된 서셉터의 중요성을 교시하고 있다. Ⅲ-Ⅳ 반도체의 급속 열처리는 실리콘 RTP와 같이 성공적이지 못 했다. 이러한 이유 중 하나는 표면이 예컨대 갈륨 비소의 경우에 비소(AS)의 비교적 높은 증기압을 가지기 때문이다. 표면 영역은 비소가 열화되어 재료질이 손상을 입는다. 미국 특허출원 제 08/631,265호, 현재 미국특허 제 5,837,555호에는 이러한 문제를 극복하는 방법 및 장치가 개시되어 있다. 빛의 펄스에 의해 웨이퍼를 국부적으로 가열시킴으로써 가볍게 도핑된, 비교적 저온 웨이퍼의 복사율을 상승시키는 방법이 미국 특허출원 제 08/632,364호, 현재 미국특허 제 5,727,017호에 개시되어 있다.
공동계류 중인 애슈너(Aschner) 등의 미국 특허출원 제 08/895,655호(1997. 7. 17)에는 RTP 시스템용 팽창성 시일(seal)이 개시되어 있다.
공동계류 중인 러치(Lerch) 등의 미국 특허출원 제 08/953,590호(1997. 10. 17)에는 대상체를 급속 열처리하는 방법, 장치 및 시스템이 개시되어 있다.
공동계류 중인 넨예이(Nenyei) 등의 미국 특허출원 제 08/886,215호(1998. 1. 29)에는 미소량의 반응 가스가 산화물 또는 반도체의 에칭을 제어하는데 이용되는 기판의 RTP 방법이 개시되어 있다.
공동계류 중인 마르쿠스(Marcus) 등의 미국 특허출원 제 09/015,441호(1997. 7. 17)에는 실리콘 증착이 제어되는 기판의 RTP 방법이 개시되어 있다.
어스크너의 미국 특허출원 제 08/960,150호(1997. 10. 29) 및 블러쉬(Blersch)의 미국 특허출원 제 08/977,019호(1997. 11. 24)에는 RTP 시스템에서 웨이퍼를 회전시키는 방법이 개시되어 있다.
상술한 특허출원은 본 발명의 양수인에게 양도되어 있으며 본 명세서에 참조하였다.
본 발명의 목적은 금속 열처리 시스템(RTP 시스템)에서 대상체를 보다 균일하게 가열하기 위한 시스템, 장치, 및 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 RTP 시스템에서 처리되는 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위한 편리하고 경제적인 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, RTP 시스템에서 처리되는 대상체는 회전 서셉터 상에 위치하며, 이러한 회전 서셉터는 가열 대상체로부터의 복사열에 의한 서셉터의 불균일한 가열에 기인하여 휘어지는 것이 방지된다.
본 발명의 효과는 다음과 같다. 본 발명의 장치에 따르면, 내부 부재는 처리되는 대상체로부터의 복사열에 의한 베이스의 불균일한 가열로 인해 베이스가 휘어지는 것을 방지하기 위해 외부 부재로부터 기계적으로 분리되고, 이에 의해 대상체의 급속 열처리 동안 외부 부재의 베어링 표면은 공기 베어링의 표면과 상당히 평행하게 유지된다. 또한, 본 발명의 방법에 따르면, 회전 시스템 상에서 대상체를 지지하는 단계, 복사열에 의해 대상체를 처리하는 단계, 및 급속 열처리 동안 외부 부재의 베어링 표면을 공기 베어링 표면과 평행하게 유지시키는 단계 등을 통해 급속 열처리를 하는 것이 가능하다.
도 1은 종래의 RTP 시스템을 나타낸다.
도 2는 웨이퍼(110)를 보유하는 회전 베이스 또는 서셉터(210)를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 개선된 버전의 확대도이다.
도 8a, 도 8b, 도 8c 및 도 8d는 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 상세도이다.
도 1은 종래의 RTP 프로세싱 시스템을 나타낸다. 반도체 웨이퍼(110) 또는 처리될 다른 대상체는 석영 지지핀(quartz support pins; 160)(하나만 도시됨)에 의해 석영 RTP 챔버(120) 내에서 지지된다. 웨이퍼(110)의 엣지로부터 복사열의 엣지 효과를 줄이기 위해 보호 링(170)이 사용된다. 단부 플레이트(190)가 챔버(120)에 밀봉되고, 도어(180)가 웨이퍼(110)의 도입을 허용하고, 밀폐시, 챔버가 밀봉되도록 하고 프로세스 가스(125)가 챔버 내부로 도입되도록 한다. 2개의 복사원 층(130, 140)이 웨이퍼(110)의 양쪽에 도시되어 있다. 램프(130, 140), 가스 유동 제어기(185), 도어(180), 온도 측정 장치(여기서는 고온계(165)로 표시함)를 제어하는데 컴퓨터(175) 또는 다른 제어 수단이 이용되는 것이 공지되어 있다. 가스 유동은 웨이퍼와 반응하지 않는 불활성 가스일 수 있고, 또는 반도체 웨이퍼상에 층을 형성하기 위해 반도체 웨이퍼의 재료와 반응을 일으키는 산소 또는 질소와 같은 반응성 가스일 수 있으며, 또는 대상체의 표면으로부터 재료의 소모없이 피가열 표면상에 층을 형성하도록 프로세싱되는 대상체의 피가열 표면에서 반응하는 실리콘 혼합물을 포함하는 가스일 수도 있다. 가스가 반응하여 표면상에 층을 형성하는 경우, 이러한 공정을 급속 열-화학 기상 증착(RT-CVD)이라 한다. RTP 시스템 내의 대기를 통해 전류를 소통시킴으로써 표면과 또는 표면에서 반응하는 이온을 생성시키고, 표면에 활성 이온(energetic ion)을 포격(bombard)시켜서 표면에 부가적인 에너지를 가할 수 있다.
도 2는 웨이퍼(110)를 보유하고 있는 회전 베이스 또는 서셉터(210)를 나타낸다. 가스 유동에 의해 구동되는 이와같은 회전 베이스는 애슈너 등에 의해 1997년 11월 24일에 출원된 미국 특허출원 08/977,019에 매우 상세히 기술되어 있다. 베이스(210)는 공기 베어링(220)에 의해 지지된다. 회전 베이스상에 충돌하는 가스 유동(230)은 베이스로 하여금 축선(240)에 대해 회전하도록 한다. 베이스(210)의 중심을 맞추는 수단은 도 2에 도시하지 않았다. 웨이퍼(110)를 고온으로 비교적 오랫동안 가열하는데 미국 특허출원 08/977,019에 설명된 장치가 사용되는 경우, 램프(140)로부터의 복사열에 대해 투과성인 재료 또는 석영으로 만들어지는 베이스에 의해 고온 웨이퍼(110)로부터의 적외선 복사열 부분적으로 흡수되어, 공기 베어링(220) 상에 지지되기 위해 평평한 표면이 요구되는 베이스의 휘어짐(warping)을 초래하여 회전이 중지될 것이다. 본 발명은 이러한 휨을 방지하기 위한 장치 및 방법을 상세히 개시한다. 흡수와 휨을 방지하는 한가지 방법이 도 2에 도시되는데, 층(250)이 베이스(210) 상에 혹은 베이스의 일부에 증착되는 것이 도시된다. 층(250)은 웨이퍼로부터의 적외선 복사를 반사하는 반사층일 수 있으나, 램프(140)로부터의 가시적인 근접 적외선 복사열을 통과시킨다. 이러한 반사층은 도시된 바와 같이 베이스에 걸쳐 균일하거나, 또는 웨이퍼로부터 베이스상에 가해지는 적외선 복사열의 불균일성과 상호작용하기 위해 불균일하게 적용될 수 있다. 또한, 층(250)은 웨이퍼(110)로부터의 불균일 복사열과 상호작용하는 형태로 복사열을 흡수하는 흡수층일 수도 있다. 본 발명의 다른 바람직한 실시예는 웨이퍼로부터의 복사열을 흡수하는 원자 또는 분자들로 베이스(210)의 석영 유리를 도핑(doping)함으로써, 분자 또는 원자의 농도가 바람직하게는 베이스(210)의 내부로부터 외부로 갈수록 증가하도록 하는 반경방향 농도 변화가 제공되도록 하는 것이다. 베이스가 주로 중심 영역에 불균일하게 조사되는 경우, 베이스(210)의 반경방향의 온도 프로파일이 보다 균일하게 될 것이다. 보다 균일한 베이스(210)의 반경방향 온도 분포때문에, 웨이퍼와 베이스의 좌굴(buckling)이 방지된다.
도 3은 베이스(210)를 가열하고 휘게하는 웨이퍼(110)로부터의 적외선 복사열을 방지하는 대안적인 실시예를 도시한 것이다. 웨이퍼(110)와 베이스(210) 사이에 플레이트(310)가 삽입되는데, 상기 플레이트(310)는 웨이퍼(110)로부터의 복사열을 흡수하여 적외선 복사열이 베이스(210)를 가열하는 것을 막는다. 플레이트(310)는 석영으로 만들어지는 것이 바람직한데, 이로써 램프(140)로부터의 가열 복사열이 투과되는 한편, 웨이퍼(110)로부터의 긴 파장의 복사는 흡수될 것이다. 플레이트(310)와 베이스(210)의 온도 분포를 제어하기 위해 플레이트(310)가 반사성 혹은 흡수성 층으로 피복될 수도 있다. 또 다른 해결책은, 웨이퍼로부터의 복사열을 흡수하는 분자 혹은 원자들의 농도에 반경방향으로 변화를 주어서 원자나 분자들로 플레이트(310)의 석영 유리를 도핑하는 것이다. 바람직하게는, 상기 농도가 플레이트(310)의 내부로부터 외부로 갈수록 증가한다. 이러한 도핑은 베이스가 주로 중심 영역에 불균일하게 조사되는 경우 베이스(210)의 반경방향 온도 프로파일이 보다 균일하게 만들 것이다. 플레이트(310)의 보다 균일한 반경방향 온도 분포로 인해, 웨이퍼의 좌굴이 방지된다. 플레이트(310)의 직경은 웨이퍼(110)의 직경과 대략 동일한 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 회전 베이스(410)는 공기 베어링(220)에 의해 지지되는 링이다. 상기 링은 다수의 지점(430)에서 지지되는 플레이트(420)를 지지한다. 플레이트(420)는 지지를 위한 다수개의 돌출부(440)(한개만 도시함)를 가진 것으로 도시되어 있다. 이제, 웨이퍼(110)로부터의 복사열에 의해 플레이트(420)가 가열될 때, 베이스(410)의 링 내부에서 팽창할 것이고, 웨이퍼(110)로부터 비교적 적은 복사열을 받는 베이스(410)는, 휘어짐이 발생하여 공기 베어링(220) 상에서 지지되는데 문제가 초래될 만큼의 큰 응력을 받지 않을 것이다. 복수의 돌출부(440)가 플레이트(410)에 부착되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 이러한 돌출부들은 마찬가지로 베이스(410)에 부착되어 플레이트(420)를 바닥으로부터 지지할 수도 있다. 다시 한번, 베이스(410) 및 플레이트(420)로 하여금 축선(240)에 대해 회전하게 만드는 중심맞춤 기둥(centering post) 또는 멈춤쇠(detent)의 구성은 도시되지 않았다.
도 4는 베이스(410)의 각도 위치(anglular position)를 결정하는 방법을 보여준다. 광선(450)이 베이스(410)를 통해 비춰지고 이는 검출기(460)에 의해 검출된다. 베이스(410)상에는 광선을 변화시키고 따라서 검출기(460)에 의해 검출되는 피쳐(feature)(470)가 배치된다. 바람직한 피쳐는 샌드블라스트형 피쳐(sandblasted feature)이고, 이것은 광선(450)을 분산시키지만 이와 달리 램프(140)로부터의 복사열을 간섭하지 않는다. 가장 바람직한 피쳐는 레이저로부터의 광을 방해하기 위해 샌드블라스트된, 미국 특허출원 08/977,019에 개시된 치형(teeth)이다. 편의상, 베이스(410)의 원주 둘레로 등간격으로 배열된 360개의 치형이 있다. 추가의 기준 신호를 발생시키기 위해 2개의 360 치형 사이에 추가의 치형이 부가적으로 삽입된다. 다른 바람직한 피쳐는 흡수성 피쳐 또는 반사성 피쳐일 수 있다. 피쳐(470)는 광 검출기 대신에 자기 검출기에 의해 검출될 수 있는 자기 피쳐일 수도 있다.
플레이트(420)가 베이스(410)에 대해 회전하는 것을 방지하고자, 플레이트(420)로부터 치형이 베이스(410)의 멈춤쇠 내로 돌출되어 플레이트(420)가 베이스(410)와 맞물릴 수 있고, 또는 돌출부(440)가 베이스(410)의 멈춤쇠와 맞물리거나 임의의 적절한 조합 또는 당업자에게 명백한 다른 수단에 의해 플레이트(420)가 베이스(410)와 맞물릴 수 있다.
링(410)과 플레이트(420)의 불균형을 방지하기 위해 돌출부(440), 핀(160)을 유지하기 위한 핀 유지 수단, 베이스(410) 내의 멈춤쇠, 플레이트(420)의 추가의 치형과 같은 장치의 피쳐들이 적절히 배열되어 전체 장치의 균형을 잡는다.
본 발명의 대안적인 실시예가 도 5에 도시된다. 링 형상의 베이스(510)가 다수개의 로드(530)에 의해 플레이트(520)에 연결된다. 로드(530)는 플레이트(520)가 웨이퍼로부터의 복사열에 의해 가열될 때 베이스(510)상에 적은 응력이 존재하는 것을 보장하도록 충분한 탄성을 갖는다.
본 발명의 대안적인 실시예가 도 6에 도시된다. 베이스(610)는 응력이 내부(620)로부터 외부(630)로 전송되지 않는 것을 보장하도록 플레이트 내에 형성된 일련의 절개부(640)를 갖는다.
도 2, 도 5 및 도 6에 도시된 실시예들의 장점은 회전가능한 기판의 휨이 극히 감소된다는 점인데, 그 이유는 회전 시스템의 내부가 외부와 기계적으로 분리되기 때문이다. 그러나 상기 외부는 공기 베어링의 기능과 관련하여 회전 수단의 필수 구성요소이다. 그 결과로, 회전 시스템의 직경이 크거나 웨이퍼 및 회전 수단의 내부의 온도가 매우 높은 경우라고 해도, 외부의 베어링 표면이 공기 베어링의 표면과 매우 평행하게 유지된다.
도 7은 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 개선된 형태를 확대하여 도시한 것이다. 바람직하게는 사파이어로 제작된 중심 베어링(703)이 상기 장치를 상기 플레이트(701)에 대해 중심을 맞추는데 기여한다. 도 4의 베이스(410)와 플레이트(420)는 공기 베어링상에 떠받쳐지고 외부 튜브(미도시됨)로부터 유입되는 가스에 의해 회전된다. 일련의 선택적인 요소들(707-716)이 도시되어 있는데, 이들은 웨이퍼(110)로부터의 적외선 복사열을 제어한다. 부재(707)는 웨이퍼(110)를 지지하기 위한 핀(160)을 유지하는 중공 실린더이다. 추가적 유지 수단(708)이 세그먼트(710, 711)로 구성되는 링을 유지한다. 유지 수단(708) 및 링 세그먼트(710, 711)는 석영으로 제조되는 것이 바람직하며, 웨이퍼(110) 특히 보호 링(714, 715, 712)으로부터 반사되고 복사되는 복사열에 대해 회전 베이스(410)를 보호한다. 보호 링(714, 715, 712)은 세그먼트로 이루어지는 것으로 도시되었다. 링(710, 711) 및 보호 링(714, 715, 712)은 비용상의 이유로, 그리고 하나의 세그먼트가 파손되었을 때 교체의 용이함을 위해 세그먼트로 이루어진다. 그러나, 이들 링은 단일 피스(piece) 재료로 만들어질 수 있다. 보호 링(714, 715, 712)은 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직한데, 이 실리콘은 상기 보호 링이 안정적이고 반사도 및 흡수 특성이 시간이 지나더라도 변화하지 한도록 하게 위해 피복되는 것이 바람직하다.
유지 수단(708)은 핀(704, 709)를 통해 석영 플레이트(701)와 맞물린다. 링 세그먼트(710, 711)는 유지 수단(708)의 중공 원통형상 핀(708A)상에서 지지된다. 핀(713)은 중공 핀(708A)내로 삽입되어 링 세그먼트(710, 711)를 통해 돌출됨으로써 보호 링 세그먼트(712, 714, 715)를 지지한다. 하나의 세그먼트(712)가 다른 세그먼트들(714, 715)의 평면으로부터 변위되어 있는데, 이는 시스템 내부로 웨이퍼(110)를 도입시키고 그것을 하강시키는 로봇 아암의 후퇴를 허용함으로써 웨이퍼(110)가 보호 링 세그먼트(714, 715)와 동일 평면이 되도록, 하나의 세그먼트가 선택적으로 보호 링의 평면(높은 쪽 혹은 낮은 쪽)밖에 위치될 수 있음을 보여주는 것이다.
석영 핀(709)상에 놓여진 추가적인 석영 플레이트(716)는 웨이퍼 윗쪽의 고온 가스의 난류가 최소화된다는 장점을 갖는다.
도 8a 내지 도 8e, 및 도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 세부도를 나타낸다. 특히, 링(410)내의 노치(822)가 플레이트(420)상의 치형(932)을 수용하여 링(410)이 플레이트(420)를 구동할 수 있게 한다. 또한, 샌드블라스트된 치형(450), 및 컴퓨터에 보정점(calibration point)을 제공하는 추가의 치형(825)이 도시되어 있는데, 상기 보정점으로부터 광 검출기 수단을 지나쳐 회전한 치형의 개수를 카운트한다.
분명한 것은, 상기한 바와 같은 설명에 비추어 본 발명의 많은 수정 및 변형이 가능하다는 것이다. 따라서, 첨부된 특허청구범위의 범주내에서, 본 발명이 상기 설명된 바와 달리 실시될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.

Claims (23)

  1. 공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치로서,
    급속 열처리 시스템 내에서 처리되는 대상체를 지지하기 위한 상기 베이스는, 상기 공기 베어링에 대한 베어링 면을 형성하는 링 또는 외부 부재, 및 플레이트 또는 내부 부재를 포함하며, 상기 외부 부재, 및 상기 플레이트 또는 내부 부재는 상기 회전 시스템의 외부와 내부를 이루고,
    상기 내부 부재는, 상기 처리되는 대상체로부터의 복사열에 의한 상기 베이스의 불균일한 가열로 인해 상기 베이스가 휘어지는 것을 방지하기 위한 제 1 수단을 형성하면서, 상기 회전 시스템의 외부 부재로부터 기계적으로 분리되며,
    상기 제 1 수단은 상기 외부 부재의 베어링 표면을 상기 공기 베어링의 표면과 상당히 평행하게 유지시키는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스는 상기 베이스 상에 유동 유체를 충돌시킴으로써 회전되는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수단은 상기 베이스 내의 슬롯 절개부를 포함하는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수단은 상기 베이스와 분리된 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 복수의 지점에서 상기 베이스에 의해 지지되며, 상기 플레이트가 상기 대상체를 지지하는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는, 상기 베이스가 회전할 때 상기 베이스에 대한 상기 플레이트의 배향이 일정하도록 상기 베이스와 맞물려 있는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수단은 상기 베이스에 연결된 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 상기 베이스와 상기 플레이트 사이에서의 상대 팽창을 가능하게 하는 연결 수단에 의해 복수의 지점에서 상기 베이스에 연결되는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스의 각도 위치가 광학 수단에 의해 결정되는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 베이스는 석영으로 형성되며, 상기 석영은 샌드블라스트에 의해 주입된 광학 마킹을 구비하는,
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스의 각도 위치는 자기 수단에 의해 결정되는
    공기 베어링에 의해 지지되는 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템을 포함하는 장치.
  10. 대상체를 급속 열처리하는 방법으로서,
    공기 베어링에 의해 지지된 회전가능한 베이스를 갖춘 회전 시스템 상에 대상체를 지지시키는 단계와,
    상기 공기 베어링에 대한 베어링 면을 형성하는 링 또는 외부 부재, 및 플레이트 또는 내부 부재를 포함하는 상기 회전가능한 베이스 상에서 상기 대상체를 회전시키는 동안, 급속 열처리 시스템의 복사원으로부터의 복사열에 의해 상기 대상체를 처리하는 단계와, 그리고
    상기 처리되는 대상체로부터의 복사열에 의한 상기 베이스의 불균일 가열에 기인하여 상기 베이스가 휘어지는 것을 방지하기 위해, 내부 부재를 외부 부재와 기계적으로 분리시키는 제 1 수단에 의해 상기 외부 부재의 베어링 표면을 상기 공기 베어링의 표면과 상당히 평행하게 유지시키는 단계를 포함하는,
    대상체의 급속 열처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 베이스는 상기 베이스 상에 유동 유체를 충돌시킴으로써 회전되는,
    대상체의 급속 열처리 방법.
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