KR100695579B1 - 검사 장치 및 위치 편차량 취득 방법 - Google Patents

검사 장치 및 위치 편차량 취득 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 패드 상의 복수의 침흔 중 최신 침흔의 위치를 취득하여, 패드에 대한 프로브의 접촉 위치의 편차량을 취득하는 것이다. 본 발명에 따르면, 프로버에서는, 기존의 침흔이 형성된 패드에 프로브가 접촉한 후에, 기판을 촬상하여 패드를 포함하는 영역을 나타내는 접촉 후 화상이 취득된다. 화상 기억부(44)에는, 프로브의 패드에의 접촉 전의 패드를 포함하는 영역을 나타내는 접촉 전 화상이 미리 기억되어 있고, 최신 침흔 위치 취득부(42)에서는 접촉 전 화상과 접촉 후 화상을 비교하는 것에 의해, 패드 상의 복수의 침흔에 각각 대응하는 접촉 후 화상 중의 복수의 침흔 영역 중, 프로브의 패드에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치가 취득된다. 이에 의해, 프로버에서는, 패드 상의 복수의 침흔 중 최신 침흔의 위치가 취득되고, 위치 편차량 취득부(43)에서 패드에 대한 프로브의 접촉 위치의 편차량이 취득된다.

Description

검사 장치 및 위치 편차량 취득 방법{PROBING APPARATUS AND POSITIONAL DEVIATION ACQUIRING METHOD}
도 1은 프로버의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 처리부의 구성을 도시하는 도면이다.
도 3a는 프로버에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 3b는 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 처리의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 4는 패드 영역을 도시하는 도면이다.
도 5a는 2값 화상을 도시하는 도면이다.
도 5b는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도면이다.
도 6a는 2값 화상을 도시하는 도면이다.
도 6b는 증가 영역 후보 화상을 도시하는 도면이다.
도 7a는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도면이다.
도 7b는 증가 영역 후보 화상을 도시하는 도면이다.
도 8은 전체 침흔 포함 영역내에 대칭 직사각형이 설정되는 모양을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 최신 침흔 후보 영역을 도시하는 도면이다.
도 10은 보완용 참조 영역을 도시하는 도면이다.
도 11은 보완 완료 화상을 도시하는 도면이다.
도 12는 침흔 존재 영역 화상을 나타내는 도면이다.
도 13은 최신 침흔 영역을 도시하는 도면이다.
도 14는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도면이다.
도 15는 최신의 침흔 영역을 도시하는 도면이다.
도 16은 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도면이다.
도 17은 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도면이다.
도 18a는 2값의 접촉전 패드 화상을 도시하는 도면이다.
도 18b는 다계조 접촉후 패드 화상을 도시하는 도면이다.
도 18c는 증가 영역 후보 화상을 도시하는 도면이다.
도 19는 프로버에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 흐름의 일부를 도시하는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 프로버 3: 촬상부
9: 기판 42: 최신 침흔 위치 취득부
43: 위치 편차량 취득부 44: 화상 기억부
52: 프로브 72, 72a~72c: 침흔 존재 영역
75: 증가 영역 78: 최신 침흔 영역
81: 전체 침흔 포함 영역 82: 원래 직사각형
83: 대칭 직사각형 422: 증가 영역 취득부
423: 증가 영역 보완부 441: 접촉전 화상 데이터
791: 침흔 영역 S12~S14: 스텝
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평6-318622호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개2004-79733호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평7-29946호 공보
본 발명은, 기판 상에 형성된 피검사체의 전기적인 검사를 실행하는 검사 장치, 및, 검사 장치에 있어서 기판 상에 형성된 전극에 접촉하는 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 기술에 관한 것이다.
종래부터, 반도체의 기판 상에 형성된 배선 패턴에 포함되는 패드에 프로브를 접촉시켜, 배선 패턴의 전기적인 특성을 검사하는 것(프로버에 의한 프로빙)이 실행되고 있다. 프로빙시에는, 패드상에 있어서의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 것(PTPA(Probe-To-Pad Alignment)나 APTPA(Automatic Probe-To-Pad Alignment라고 도 불림)이 실행된다.
예컨대, 특허 문헌 1에서는, 이른바 더미 기판 상의 패드에 프로브를 접촉시킨 후에 패드를 포함하는 영역의 화상을 취득하여 패드 상에 있어서의 프로브의 접촉흔(痕)(즉, 침흔)을 검출하고, 침흔의 검출 결과에 근거하여 검사 대상의 기판의 패드에 대한 프로브의 접촉 위치를 보정하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허 문헌 2에서는, 프로빙시의 프로브의 선단과 같은 높이에서 수렴점을 형성하는 스포트 광을 기판의 패드 상에 조사하면서 패드를 포함하는 영역의 화상을 취득하고, 패드 상에 있어서의 스포트 광의 조사 위치를 검출하는 것에 의해, 패드에 대한 프로브의 접촉 위치를 조정하는 기술이 제안되어 있다.
한편, 프로빙 후의 기판에서, 패드를 포함하는 영역의 다계조(多階調) 화상을 취득하는 것에 의해, 프로브 상에서의 침흔의 검사(PMI(Probe Mark Inspection)라고도 불림)도 실행되고 있고, 이에 의해, 프로빙이 적절하게 실행되었는지 아닌지가 관리된다.
또한, 특허 문헌 3에서는, 프로빙 후의 기판에서, 패드를 포함하는 영역의 화상을 취득하여 패드 상에 있어서의 침흔의 길이를 측정하는 것에 의해, 다음 검사 대상의 패드에 대한 프로브의 접촉시에 있어서의 오버 드라이브량을 조정하는 기술이 개시되어 있다.
그런데, 패드에 대한 프로브의 접촉 위치 보정을 실행하기 위해서 특허 문헌 1 및 2의 수법을 채용한 경우, 더미 기판의 패드 상의 침흔을 검출하거나, 패드 상에 있어서의 스포트 광의 조사 위치를 검출하지 않으면 안되고, 프로빙에 관한 처 리에 시간을 필요로 하게 되어버린다.
또한, 동일 패드에 대하여 복수회 프로빙이 실행되는 경우도 있어, 이러한 경우는 패드 상에 복수의 침흔이 존재하게 되고, 단지 패드를 포함하는 화상을 취득하는 것만으로는 프로브의 접촉 위치의 편차량을 취득할 수 없다. 특히, (의도적인지의 여부를 막론하고) 최신 침흔이 다른 침흔과 겹쳐져 있는 경우에는, 편차량을 취득하는 것은 극히 곤란해진다.
본 발명은 상기 과제에 비추어 행해진 것으로, 패드 상에 복수의 침흔이 존재하는 경우라도 패드에 대한 프로브의 접촉 위치의 편차량을 적절하게 취득하는 것을 목적으로 하고 있다.
청구항 1에 기재된 발명은, 기판 상에 형성된 피검사체의 전기적인 검사를 실행하는 검사 장치에 있어서, 기판 상에 형성된 전극에 접촉하는 프로브와, 적어도 하나의 침흔이 형성된 상기 전극에 상기 프로브가 접촉한 후에, 상기 기판을 촬상하여 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 1 화상을 취득하는 촬상부와, 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 전의 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 2 화상을 기억하는 화상 기억부와, 상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 전극 상의 복수의 침흔에 각각 대응하는 상기 제 1 화상의 복수의 침흔 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 최신 침흔 위치 취득부와, 상기 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여, 상기 전극에 대한 상기 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 위치 편차량 취득부를 구비한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 위치 편차량 취득부에서 구해진 상기 접촉 위치의 편차량이, 상기 프로브 또는 다른 검사 장치에 있어서의 프로브에 의한 상기 기판의 상기 전극에의 다음 콘택트시에 있어서의 보정량으로 이용된다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 최신 침흔 위치 취득부가, 상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 복수의 침흔 영역이 차지하는 침흔 존재 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의해 증가한 증가 영역을 취득하는 증가 영역 취득부와, 상기 증가 영역의 면적이 소정값을 하회하는 경우에, 상기 침흔 존재 영역으로부터 상기 증가 영역을 제외한 영역에서 보완 영역을 상기 증가 영역에 결합하여 상기 최신의 침흔 영역을 취득하는 증가 영역 보완부를 구비한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 증가 영역 보완부가, 상기 제 1 화상의 상기 복수의 침흔 영역의 외접직사각형인 전체 침흔 포함 영역내에서, 상기 전체 침흔 포함 영역의 중심점을 중심으로 하여, 상기 적어도 하나의 침흔에 대응하는 상기 제 2 화상의 적어도 하나의 침흔 영역의 외접 직사각형에 대하여 점대칭이 되는 대칭 직사각형을 설정하고, 상기 대칭 직사 각형내에 상기 보완 영역이 배치된다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 3 또는 4에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 보완 영역의 크기가, 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값과 상기 증가 영역의 면적의 차에 근거하여 결정된다.
청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 3 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 제 2 화상이 2값의 화상이고, 상기 증가 영역 취득부에서, 상기 제 1 화상이 상기 제 2 화상에 의해 마스크된 후에 2값화가 실행되는 것에 의해, 상기 증가 영역이 취득된다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 검사 장치에 있어서, 상기 제 2 화상이 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 직전에 상기 촬상부에 의해 취득된 화상이다.
청구항 8에 기재된 발명은, 기판 상에 형성된 피검사체의 전기적인 검사를 실행하는 검사 장치에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 전극에 접촉하는 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 위치 편차량 취득 방법에 있어서, 적어도 하나의 침흔이 형성된 전극에의 프로브의 접촉 후에, 기판을 촬상하여 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 l 화상을 취득하는 공정과, 상기 제 1 화상과 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 전의 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 전극 상의 복수의 침흔에 각각 대응하는 상기 제 1 화상의 복수의 침흔 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 공정과, 상기 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여, 상기 전극에 대 한 상기 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 공정을 구비하고 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로버(1)의 구성을 도시하는 도이다. 프로버(1)은, 반도체의 기판(9) 상에 형성된 배선 패턴에 포함되는 패드(예컨대, 알루미늄의 증착에 의해 형성된 패드)에 프로브를 접촉시켜 배선 패턴의 전기적인 검사(프로빙)를 하고, 검사 종료 후에 있어서 침흔 검사인 PMI를 하면서, 후속 공정을 거친 후의 동일 기판(9)에 대한 다음의 전기적인 검사에서의 패드에 대한 프로브의 접촉 위치의 보정량(보정에 필요한 값의 집합)을 취득하는 것이다.
프로버(1)은, 다른 프로버(같은 프로버(1)이어도 좋음. 이하 동일)에 의해 패드 상에 침흔이 형성된 기판(9)를 유지하는 스테이지(2), 기판(9)를 촬상하여 기판(9)의 다계조 화상을 취득하는 촬상부(3), 촬상부(3)에 대하여 스테이지(2)를 상대적으로 이동하는 스테이지 구동부(21), 촬상부(3)으로부터 화상 데이터가 입력되는 전기적 회로인 처리부(4), 기판(9) 상의 복수의 패드에 각각 접촉하는 복수의 프로브(52)(도 1에서는 하나의 프로브에만 부호를 부여하고 있고, 실제로는 프로브(52)는 다른 구성에 비하여 충분히 작음)가 2차원으로 배열된 프로브 카드(51), 및, 각종 연산 처리를 실행하는 CPU나 각종 정보를 기억하는 메모리 등에 의해 구성된 컴퓨터(6)을 구비하고, 컴퓨터(6)에 의해 프로버(1)의 다른 각 구성이 제어된다.
촬상부(3)은, 조명광을 출사하는 조명부(3l)(예컨대, 할로겐 램프), 기판(9)에 조명광을 이끎과 함께 기판(9)로부터의 빛이 입사하는 광학계(32), 및, 광학계 (32)에 의해 결상된 기판(9)의 상(像)을 전기 신호로 변환하는 촬상 디바이스(33)(예컨대, CCD 소자가 배열된 것)을 가지고, 촬상 디바이스(33)으로부터 기판(9)의 화상 데이터가 출력된다. 스테이지 구동부(21)은 스테이지(2)를 도 1의 X 방향으로 이동하는 X 방향 이동 기구(22), Y 방향으로 이동하는 Y 방향 이동 기구(23), 및, 스테이지(2)를 도 1의 XY 평면에 수직인 회동축을 중심으로 회동하는 회동 기구(24)를 가진다.
도 2는 처리부(4)의 구성을 도시하는 도이다. 처리부(4)는, 촬상부(3)으로부터 입력되는 화상으로부터 패드를 나타내는 패드 영역을 취득하는 패드 영역 취득부(41), 프로브(52)의 패드에의 접촉 후에 취득되는 화상의 최신 침흔을 나타내는 침흔 영역의 위치를 취득하는 최신 침흔 위치 취득부(42), 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량(어긋남의 거리 및 방향을 나타내는 벡터)을 구하는 위치 편차량 취득부(43) 및, 프로브(52)가 접촉하기 전의 각 패드(여기서는, 다른 프로버에 의한 침흔은 형성되어 있는 것으로 함)를 포함하는 영역을 나타내는 다계조의 접촉 전 화상 데이터(44l)을 기억하는 화상 기억부(44)를 가진다.
도 3a는 프로버(1)에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 흐름을 도시하는 도이다. 이하의 설명에서는, 프로브(52)에 의해 형성되는 패드 상의 최신 침흔에 대하여, 해당 패드 상에 이미 형성되어 있는 침흔을 기존의 침흔이라고 부른다. 또한, 패드 상에는 복수의 기존의 침흔이 형성되어 있는 경우도 있다.
프로버(1)에서는, 우선, 다른 프로버에 있어서의 프로빙에 의해 각 패드(일 부 패드이어도 좋음) 상에 기존의 침흔이 형성된 검사 대상의 기판(9)이, 기판(9)의 중심을 회전 운동 기구(24)의 회전 운동축 상에 배치하면서 소정 방향(회전각)으로 스테이지(2) 상에 탑재된다. 컴퓨터(6)은, 배선 패턴의 설계 데이터, 및, 프로브 카드(51)에 있어서의 복수의 프로브(52)의 위치에 근거하여 스테이지 구동부(21)를 제어하고, 기판(9)가 소정의 위치로 이동한다. 이에 의해, 복수의 프로브(52) 각각이 기판(9) 상의 소정의 패드에 대향하는 상태가 된다. 그리고, 도시 생략한 진퇴(進退) 기구에 의해 일정한 오버 드라이브량으로 복수의 프로브(52)가 각각 대향하는 복수의 패드에 접촉하여, 기판(9) 상의 배선 패턴의 전기적인 검사가 실행된다(스텝 S11). 이 때, 패드에 닿은 프로브(52)의 선단에 의해 패드의 표면이 약간 깎이는 것에 의해 프로브(52)와 패드 사이의 도통(導通)이 확보된다. 전기적인 검사가 종료하면, 프로브(52)가 패드로부터 떨어지고, 패드 상에는 프로브(52)에 의한 접촉흔(즉, 최신의 침흔)이 남는다.
계속해서, 스테이지 구동부(21)에 의해 촬상부(3)의 기판(9) 상에 있어서의 촬상 위치가, 검사가 실행된 직후의 패드 근방으로 상대적으로 이동하고, 기판(9) 상의 패드를 포함하는 영역을 나타내는 다계조 화상(이하, 「접촉 후 화상」이라고 함)이 취득된다(스텝 S12). 본 실시예에서는, 접촉 후 화상에서 패드의 영역에 포함되는 화소의 값은, 패드의 영역 외의 화소의 값보다도 높아져 있다(즉, 패드의 영역은 외측의 영역보다도 밝음).
프로버(1)에서는, 예컨대, 프로브 카드(51)에서 프로브(52)가 소정의 직사각형 영역내에 2차원 배열되어 있고, 프로브(52)의 배열에 있어서 대략 중앙에 위치 하는 프로브(52) 및 직사각형 영역의 네 구석에 위치하는 복수의 프로브(52)의 각각이 접촉한 패드가, 최신 침흔 위치의 취득 대상인 패드(이하, 「대상 패드」라고 함)로 되고, 이들 패드가 순차적으로 촬상되어 복수의 접촉 후 화상이 취득된다. 물론, 프로브(52)가 접촉한 모든 패드가 대상 패드로 되어도 좋다. 대상 패드는, 후술하는 바와 같이 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량을 구할 때의 기준이 된다.
각 접촉 후 화상은 기판(9) 상의 다이(칩이 되는 영역)를 식별하는 ID 번호, 및, 다이 안에 있어서의 패드를 식별하는 ID 번호(이하, 단지「ID 번호」라고 총칭함)가 관련지어져 처리부(4)에 출력된다. 또한, 접촉 후 화상은 컴퓨터(6)에도 출력되어, 컴퓨터(6)의 기억부에서 참조 가능하게 기억되어 프로브(52)의 패드에의 접촉에 관한 PMI에 이용된다.
접촉 후 화상이 취득되면, 최신 침흔 위치 취득부(42)에서는, 패드 상의 복수의 침흔(즉, 기존의 침흔 및 최신의 침흔)에 각각 대응하는 접촉 후 화상의 복수의 침흔 영역 중 프로브(52)의 패드에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치(및, 패드 영역의 중심의 위치)가 취득된다(스텝 S13). 또한, 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
계속해서, 위치 편차량 취득부(43)에서는, 복수의 대상 패드에서 각각 취득된 복수의 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 보정량이 구해진다.
여기서, 복수의 최신 침흔 영역의 위치로부터 기판(9) 상의 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 보정량을 구하는 수법의 일례에 대하여 설명한다. 본 실 시예에서는, X 방향 및 Y 방향에 따르는 2개의 축으로 규정되는 이차원 좌표에 있어서, 기판(9)를 검사시의 위치로부터 X 방향 및 Y 방향의 각각으로 어느 정도의 거리만큼 어긋나게 했다고 가정하고, 이 경우에 있어서의 각 대상 패드의 중앙의 위치와, 실제의 최신 침흔의 위치 사이의 거리의 자승합(이하, 「오차」라고 함)을 구한다. 그리고, 이 오차가 최소가 되는 X 방향 및 Y 방향의 거리의 조합이 접촉 위치의 보정 거리(보정량에 포함되는 값의 일부)로서 구해진다. 구체적으로는, 검사시의 기판(9)의 배치 상태에서의 각 대상 패드 i에 있어서의 패드 영역의 중심 위치의 좌표를(ui, vi)로 하고, 검사시의 기판(9)의 배치 상태에서의 각 대상 패드 i에서 구해진 최신의 침흔 영역의 위치의 좌표를(xi, yi)로 하고, 기판(9)의 위치를 어긋나게 할 때의 X 방향 및 Y 방향의 이동 거리를 각각 x, y라고 하면, 오차 Lt는 수학식 1로 구해진다. 또, 수학식 1에서 대상 패드의 개수는 N개로 되고, 거리 x, y는 변수로 된다.
[수학식 1]
Lt=Σ((xi-(x+ui))2+(yi-(y+vi))2)
그리고, x 및 y의 각각에 대하여 수학식 l을 편미분하여 오차 Lt가 극소가 되는 x, y의 값을 각각 보정 거리 dx, dy로서 구하는 것에 의해, 오차 Lt를 최소로 하는 보정 거리 dx, dy의 조합이 수학식 2에 도시하는 바와 같이 구해진다.
[수학식 2]
dx=(∑(xi-ui))/N
dy=(∑(yi-vi))/N
X 방향 및 Y 방향의 각각에 관해서 주목한 경우에, 수학식 2에서는, 검사시의 기판(9)의 배치 상태에서의 복수의 대상 패드에 있어서의 최신의 침흔 영역의 위치와 패드 영역의 중심의 위치 사이의 거리(즉, 접촉 위치의 편차량(벡터))의 평균치로서 기판(9)의 위치의 보정 거리 dx, dy가 구해진다. 바꾸어 말하면, 각 대상 패드에 있어서 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여 패드의 중심에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량이 구해지고, 이들 편차량의 평균이 X 방향 및 Y 방향에 관한 기판(9)의 보정 거리로 된다(스텝 S14).
또한, 프로브(52)를 각 패드의 중앙에 더욱 근접하여 접촉시키기 위해서, 기판(9)의 회전 운동각의 보정각이 보정량의 일부로서 또한 구해져도 좋다. 예컨대, 기판(9)의 위치가 상기 검사시의 위치로부터 보정 거리 dx, dy만큼 보정된 후에, 검사시의 방향(회전각)으로부터 회전 운동 기구(24)에 의해 기판(9)가 각도θ만큼 회전 운동하여 배치되어 있었다고 가정하고, 이 경우에 있어서의 각 대상 패드의 중앙의 위치와, 실제의 최신 침흔의 위치 사이의 거리의 자승합인 오차를 나타내는 식을 구하고, 각도θ가 미소한 것을 고려하면서, 이 식의 양변을 θ로써 미분하는 것에 의해, 오차가 극소가 되는 θ의 값이 각도 dθ로서 수학식 3과 같이 구해진다.
[수학식 3]
dθ=[Σ((yi-dy)(xi-ui-dx)+(xi-dx)(yi-vi-dy))]
/[Σ((yi-dy)2+(xi-dx)2)]
이렇게 하여 구해진 위치의 보정 거리 dx, dy 및 회전 운동각의 보정각 dθ은, 컴퓨터(6)에 출력되어 보정량으로서 기억부에서 기억된다. 또한, 기판(9)는 스테이지(2)로부터 취출되어, 프로버(1)과 동일한 스테이지 구동부를 가지는 프로버에 있어서 다른 전기적인 검사가 실행된다. 그 때, X 방향 이동 기구 및 Y 방향 이동 기구에 의해, 기판(9)이 전회의 검사시의 위치로부터 보정 거리 dx, dy만큼 어긋나게 해서 배치되는 것에 의해, 각 패드에 있어서 대응하는 프로브의 접촉 위치가 패드의 중앙 근방이 된다. 또한, 기판(9)의 방향이 회전 운동 기구에 의해 보정각 dθ만큼 변경되는 것에 의해, 각 프로브의 패드 상에 있어서의 접촉 위치가 더욱 보정된다. 그리고, 실제로 프로브가 패드에 접촉하여 다음의 전기적인 검사가 적절하게 실행된다. 물론, 다음의 전기적인 검사는 프로버(1)로 실행되어도 좋고, 이 경우, 프로브(52)의 패드 상에 있어서의 접촉 위치가 보정된다. 즉, 위치 편차량 취득부(43)에서 구해진 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량은, 각 프로브(52) 또는 다른 프로버에 있어서의 프로브에 의한 기판(9) 상의 대응하는 전극에의 다음의 콘택트시에 있어서의 보정량으로 이용된다. 또한, 복수의 프로브를 X 방향 및 Y 방향으로 이동하는 기구를 마련하고, 고정한 기판(9)에 대하여 복수의 프로브의 위치를 이동하는 경우에는, 복수의 프로브의 소정의 초기 위치로부 터의 보정 거리는, X 방향 및 Y 방향에 각각(-dx), (-dy)로 된다.
다음에, 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 처리에 대하여 설명한다. 도 3b는 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 처리의 흐름을 도시하는 도이고, 도 3a의 스텝 S13에서 실행되는 처리를 나타내고 있다. 이하의 설명에서는, 주로 하나의 접촉 후 화상(복수의 패드가 하나의 접촉 후 화상에 포함되는 경우도 있음)에 주목하여 설명을 하지만, 다른 접촉 후 화상에 대해서도 동일한 처리가 순차적으로 실행된다.
촬상부(3)에서 접촉 후 화상이 취득되면(도 3a:스텝 S12), 패드 영역 취득부(41)에서는, 소정의 임계값과 접촉 후 화상의 각 화소의 값이 비교되어 접촉 후 화상이 2값화 된다. 2값화 처리에서는, 예컨대, 값이 임계값 이상의 화소에는 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 임계값 미만의 화소에는 검은 화소를 나타내는 값 「0」이 부여된다. 2값화 후의 접촉 후 화상에 있어서, 라벨링 처리에 의해 서로 연결하는 값 1의 화소의 집합이 특정되고, 이 화소의 집합에 둘러싸이는 값 0의 내부의 화소도 값 1로 변환된다. 그리고, 변환 후의 접촉 후 화상에 있어서의 값 1의 화소의 각 집합이 패드 영역으로서 취득된다(스텝 S21). 이 때, 패드 영역의 중심의 위치도 취득된다.
도 4는, 접촉 후 화상으로부터 취득된 패드 영역(71)을 도시하는 도이다. 도 4에서는, 평행 사선을 부여하는 것에 의해 검은 화소를 나타내고 있고, 4개의 패드 영역(71)이 도시되어 있다. 또한, 도 4에서는 접촉 후 화상을 패드 임계치로 2값화 했을 때의 패드 영역(71)내의 검은 영역도 나타내고 있으나, 전술한 바와 같 이, 실제로는 이들 검은 영역도 패드 영역(71)로서 취급된다. 이하, 어떤 하나의 대상 패드에 대응하는 패드 영역에만 주목하여 설명을 하겠지만, 복수의 대상 패드가 하나의 접촉 후 화상에 포함되는 경우에는, 다른 대상 패드에 대응하는 패드 영역에 대해서도 동일한 처리가 실행된다.
패드 영역(71)이 취득되면, 최신 침흔 위치 취득부(42)의 침흔 존재 영역 취득부(421)(도 2 참조)에서는 다계조의 접촉 후 화상으로부터 패드 영역(71)의 부분이 접촉후 패드 화상으로서 추출된다. 그리고, 접촉후 패드 화상에 포함되는 각 화소의 값과 소정의 임계값이 비교되고, 값이 임계값 이상의 화소에는 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 임계값 미만의 화소에는 검은 화소를 나타내는 값「0」이 부여된다. 이에 의해, 접촉후 패드 화상이 2값화 되어, 도 5a에 나타내는 2값 화상이 생성된다. 또한, 도 5a(및, 후술하는 도 5b, 도 6a 및 도 6b)에서는 평행 사선을 부여하는 것에 의해 검은 화소를 나타내고 있다.
계속해서, 도 5a의 화상에서 값 1과 값 0이 교환되어 도 5b에 나타내는 2값 화상이 생성되고, 라벨링 처리에 의해 서로 연결하는 값 1의 화소(도 5b에서 흰 화소)의 집합이 클러스터(721), (722)로 특정되고, 이들 클러스터(721), (722)가, 접촉후 패드 화상에서의 복수의 침흔 영역이 차지하는 침흔 존재 영역으로서 취득된다(스텝 S22). 이 때, 각 클러스터에 대하여 수축 처리를 실시한 후에 팽창 처리를 실시하는 것에 의해, 도 5b에서의 불필요한 노이즈 성분이 제거된다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 침흔 존재 영역을 나타내는 화상을 침흔 존재 영역 화상이라고 부른다.
침흔 존재 영역이 취득되면, 패드 영역 취득부(41)에서는 주목하고 있는 대상 패드의 lD 번호에 근거하여 화상 기억부(44)에서 기억된 복수의 접촉 전 화상 데이터(441)로부터 하나의 접촉 전 화상 데이터(441)가 읽힌다. 접촉 전 화상은, 전술하는 바와 같이 프로브(52)가 접촉하기 전의 패드(단, 다른 프로버에 의한 기존의 침흔은 형성되어 있음)를 포함하는 영역을 나타내는 화상이고, 예컨대 다른 프로버에 의해 기존의 침흔이 형성된 후에, 또 다른 장치로 PMI를 실행하는 것에 의해 취득되어 다른 컴퓨터에 기억된다. 그리고, 소정의 통신망 또는 기억 매체를 거쳐서 컴퓨터(6)에 입력되고, 컴퓨터(6)으로부터 화상 기억부(44)에 기억된다. 패드 영역 취득부(41)에서는, 접촉후 패드 화상의 경우와 같이, 접촉 전 화상으로부터 패드 영역이 취득되고, 접촉 전 화상에서 주목하고 있는 대상 패드에 대응하는 패드 영역의 부분이 접촉전 패드 화상으로서 추출된다. 또한, 화상 기억부(44)에는, 접촉전 패드 화상이 기억되어 있어도 좋고, 이 경우, 상기의 접촉 전 화상으로부터 패드 영역의 부분을 추출하는 처리는 실행되지 않는다.
계속해서, 증가 영역 취득부(422)에서는, 접촉후 패드 화상의 각 화소의 값과 접촉전 패드 화상의 대응하는 화소의 값의 차분이 구해지고, 이 값의 절대값을 각 화소의 값으로 하는 차분 화상이 생성된다. 그리고, 차분 화상이 소정의 임계값으로 2값화 되고, 도 6a에 나타내는 2값 화상이 생성된다. 도 6a에 도시하는 2값 화상에서는, 비교적 큰 클러스터(731)에 더해 침흔 영역의 에지 근방이나 패드 영역의 에지 근방으로써 미소한 클러스터(731a)가 존재하지만, 증가 영역 취득부(422)에서는 각 클러스터에 대하여 수축 처리를 실시한 후에 팽창 처리를 실시하는 것에 의해, 도 6b에 도시하는 바와 같이 클러스터(731)만을 나타내는 2값 화상이 취득되어, 클러스터(731)은 침흔 존재 영역 중 프로브(52)의 대상 패드에의 접촉에 의해 증가한 증가 영역의 후보로 여겨진다(스텝 S23). 또한, 이하의 설명에 있어서, 증가 영역의 후보를 나타내는 화상을 증가 영역 후보 화상이라고 부른다.
여기서, 도 5b에 나타내는 침흔 존재 영역 화상이 취득된 대상 패드에서는, 복수의 침흔이 각각 떨어진 위치에 형성되어 있지만, 대상 패드에 따라서는 복수의 침흔의 일부가 서로 겹쳐져서 형성되는 경우가 있다. 이하의 설명에서, 침흔이 겹쳐져 있는 경우라도「침흔 영역」은 프로브의 접촉에 의해 발생한 각각의 침흔의 영역을 가리키는 것으로 하고, 「침흔 존재 영역」은 중첩을 무시한 후의 모든 침흔이 차지하는 영역을 가리키는 것으로 한다.
도 7a는, 별도의 대상 패드를 나타내는 접촉후 패드 화상으로부터 이끌어지는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도이고, 도 7b는, 이 대상 패드에서의 증가 영역 후보 화상을 도시하는 도이다. 도 7a에서의 부호(72)를 부여하는 영역(실선으로써 둘러싸이는 영역)은 침흔 존재 영역을 나타내고, 도 7b에서의 부호(73)를 부여하는 영역은 증가 영역의 후보를 나타내고 있다. 도 7a에서의 침흔 존재 영역(72)은 값 1이 흰 화소의 집합으로 되고, 다른 영역은 값 0의 검은 화소로 되고, 도 7b에서의 증가 영역의 후보(73)도 값 1의 흰 화소의 집합으로 되고, 다른 영역은 값 0의 검은 화소로 된다.
실제로는, 도 7a에 나타내는 침흔 존재 영역 화상에서는, 각각이 타원 형태의 영역인 3개의 침흔 영역(791)이 늘어서 있고, 중앙의 침흔 영역(791)이 양측에 위치하는 2개의 침흔 영역(791)의 각각에 부분적으로 겹쳐져 있다. 따라서, 도 7a에서의 침흔 존재 영역(72)는, 3개의 침흔 영역(791)의 일련의 가장자리에 의해 둘러싸이는 영역으로 되고, 도 7b에서의 증가 영역의 후보(73)은 타원 형태의 일부가 결여된 형상이 된다. 이하, 도 7a의 침흔 존재 영역 화상 및 도 7b의 증가 영역 후보 화상이 취득된 대상 패드에 주목하여 설명한다.
증가 영역 취득부(422)에서는, 도 7a에 도시하는 침흔 존재 영역 화상에서, 복수의 침흔 영역(791)의 외접 직사각형인 전체 침흔 포함 영역이 부호(81)를 부여하는 파선으로 나타내도록 설정된다. 또한, 침흔 존재 영역 화상을 취득하는 경우와 동일하게 하여, 기존의 침흔에 대응하는 접촉전 패드 화상의 기존의 침흔 영역이 차지하는 영역이 취득된다. 그리고, 이 영역의 외접 직사각형(즉, 접촉전 패드 화상 중의 모든 기존의 침흔 영역의 외접 직사각형이고, 이하, 「원래 직사각형」이라고 함)이 구해지고, 도 7a의 침흔 존재 영역 화상에 부호(82)를 부여하는 2점 쇄선으로 나타내도록 하여 설정된다. 또한, 전체 침흔 포함 영역(81)내에서는, 전체 침흔 포함 영역(81)의 중심점을 중심으로 하여 원래 직사각형(82)에 대하여 점대칭이 되는 대칭 직사각형이 부호(83)을 부여하는 얇은 실선으로 나타내도록 하여 설정된다(스텝 S24). 그리고, 패드 영역(71)에서 대칭 직사각형(83)내의 화소에 값「1」이 부여되고, 다른 영역의 화소에 값「0」이 부여되는 것에 의해, 대칭 직사각형(83)을 나타내는 2값 화상이 생성된다.
도 8은, 전체 침흔 포함 영역(81)내에 대칭 직사각형(83)이 설정되는 모양을 설명하기 위한 도이다. 전체 침흔 포함 영역(81)내에서, 원래 직사각형(82)의 경 계(에지)와 전체 침흔 포함 영역(81)의 경계(에지) 사이의 거리가, 도 8에 도시하는 바와 같이 원래 직사각형(82)의 상측에 있어서 a이고, 우측으로 b이고, 하측으로 c이고, 좌측으로 d인 경우에는, 원래 직사각형(82)과 같은 크기의 대칭 직사각형(83)은, 그 경계와 전체 침흔 포함 영역(8l)의 경계 사이의 거리가 대칭 직사각형(83)의 상측에 있어서 c가 되고, 우측으로 d가 되고, 하측으로 a가 되고, 좌측으로 b가 되도록 설정된다. 여기서, 통상, 거리 a, c의 한쪽은 0이 되고, 거리 b, d의 한쪽도 0이 되지만, 만일, 기존의 침흔 영역이 증가 영역의 후보에 둘러싸이는 경우 등에는, 거리 a, c의 쌍방이 0이 아닌, 또는, 거리 b, d의 쌍방이 0이 아닌 경우가 상정되기 때문에, 도 8에서는, 원래 직사각형(82) 및 대칭 직사각형(83)이 전체 침흔 포함 영역(81)의 경계로부터 떨어진 위치에 배치되어 있다.
대칭 직사각형(83)을 나타내는 2값 화상이 생성되면, 이 화상의 각 화소의 값과 도 7a의 침흔 존재 영역 화상이 대응하는 화소의 값의 논리곱(論理積)이 구해지고, 이 값이 대응하는 화소에 부여되는 것에 의해, 최신 침흔 영역의 후보인 영역(이하, 「최신 침흔 후보 영역」이라고 함)을 나타내는 2값 화상이 생성된다. 도 7a의 예의 경우, 최신 침흔 후보 영역은, 도 9에 나타내는 전체 침흔 포함 영역(81)에 있어서 크로스 해칭(cross hatching)을 부여하는 영역(부호(74)를 부여하는 영역)이고, 이 영역에만 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 다른 영역에는 검은 화소를 나타내는 값「0」이 부여된 화상이 생성된다. 이와 같이, 최신 침흔 영역의 후보로서 생각되는 최대의 영역이 기존의 침흔 영역의 전체와 같은 형상인 것을 전제로 하여, 최신 침흔 위치 취득부(42)에서는, 침흔 존재 영역(72) 중 대칭 직사각형(83)에 포함되는 부분만이 최신 침흔 후보 영역(74)로 취급된다.
증가 영역 취득부(422)에서는, 또한, 최신 침흔 후보 영역(74)를 나타내는 2값 화상의 각 화소의 값과 도 7b의 증가 영역 후보 화상이 대응하는 화소의 값의 논리곱이 구해지고, 이 값이 대응하는 화소에 부여되는 것에 의해, 실제 증가영역을 나타내는 2값 화상이 생성된다(스텝 S25). 여기서는, 실제 증가영역은, 도 9에 나타내는 전체 침흔 포함 영역(81)에서 부호(75)를 부여하는 두꺼운 실선과 두꺼운 파선으로 둘러싸인 영역이고, 이 영역에만 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 다른 영역에는 검은 화소를 나타내는 값「0」이 부여된 화상이 생성된다.
이와 같이, 대칭 직사각형(83)내에 포함되는 증가 영역의 후보(73)만을 실제 증가영역(75)(즉, 프로브(52)의 접촉에 의해 증가한 침흔 영역)로 하는 것에 의해, 접촉 전 화상이 취득된 후에 주목 대상 패드 상에 이물이 부착하는 등 하여, 도 7b에 나타내는 증가 영역의 후보(73)을 나타내는 2값 화상에 있어서 유사한 증가 영역의 후보가 취득된 경우라도, 대칭 직사각형(83) 밖에 존재하는 유사한 증가 영역의 후보는 제외되는 것에 의해, 실제 증가영역을 정밀도 높게 취득하는 것이 실현된다. 또한, 처리를 간소화하는 경우에는 증가 영역의 후보가 그대로 실제 증가영역으로 취급되어도 좋다.
실제 증가영역(75)가 취득되면, 증가 영역 보완부(423)에서는 최신 침흔 후보 영역(74) 중 (참된) 증가 영역(75)와 연속하지 않는 영역(이하, 「불연속 영역」이라고 함)이 존재하는지의 여부가 판정된다(스텝 S26). 도 7a 및 도 7b에 나타내는 예에서는, 불연속 영역은 존재하지 않는다고 판정된다. 또한, 불연속 영역이 존재하는 경우에 대해서는 후술한다.
계속해서, 증가 영역 보완부(423)에서는, 도 9에서의 최신 침흔 후보 영역(74)로부터 증가 영역(75)가 제외된 영역(76)(이하, 「보완용 참조 영역」이라고 부름)이, 도 10에 실선으로 나타내듯이 취득되고, 이 보완용 참조 영역(76)을 나타내는 2값 화상이 생성된다. 그리고, 보완용 참조 영역(76)을 나타내는 2값 화상에서 보완용 참조 영역(76)의 외접 직사각형(84)가 구해지고, 이 외접 직사각형(84)의 경계 상에 있어서 증가 영역(75)의 중심에 가까운 점(도 10의 외접 직사각형(84)에서는 정점이며, 이하, 「기준점」이라고 함) P1을 고정하고, 보완용 참조 영역(76)을 행 방향 및 열 방향으로 소정의 배율로 축소하는 처리가 실시되고, 축소 후의 보완용 참조 영역(도 10에 부호(77)를 부여하는 파선으로 둘러싸는 영역)을 나타내는 2값 화상이 취득된다.
여기서, 보완용 참조 영역(76)의 축소 배율을 결정할 때는, 우선, 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값 Sm과 증가 영역(75)의 면적 Sa의 차 Sb(Sb=Sm-Sa)가 구해진다. 값 Sm은, 다른 기판 상의 복수의 패드(단, 침흔은 형성되어 있지 않음)의 각각 대하여 프로브(52)를 접촉시켜 침흔을 형성하고, 이들 침흔 영역의 면적의 평균치를 구하는 등 하여 미리 준비된다. 계속해서, 보완용 참조 영역(76)의 외접 직사각형(84)의 사이즈가 구해진다. 예컨대, 외접 직사각형(84)의 사이즈가 행 방향으로 α, 열 방향으로 β로 구해지면, 이 외접 직사각형(84)의 축소 후 사이즈가 행 방향으로 (sqrt(Sb*α/β)), 열 방향으로 (sqrt(Sb*β/α))로 구해지고 (단, sqrt(A)는 A의 평방근을 나타냄), 이에 의해, 보완용 참조 영역(76)의 행 방향 및 열 방향의 축소 배율이 결정된다.
또한, 차 Sb가 0 이하가 되는 경우(즉, 증가 영역(75)의 면적 Sa가 미리 설정된 값 Sm 이상인 경우)에는, 최신의 침흔 영역이 다른 침흔 영역과 겹치지 않는 상태라고 할 수 있기 때문에, 보완용 참조 영역의 설정 및 다음의 보완 처리는 생략되고, 스텝 S25에서 구해지는 실제 증가영역이 그대로 최신 침흔 영역으로 여겨진다(후술의 도 16의 설명을 참조).
다음에, 증가 영역(75)를 나타내는 2값 화상의 각 화소의 값과 축소 후의 보완용 참조 영역(77)을 나타내는 2값 화상의 대응하는 화소의 값의 논리합이 구해지는 것에 의해, 도 11에 도시하는 바와 같이 최신 침흔 영역(78)을 나타내는 보완 완료 화상이 취득된다(스텝 S27). 이와 같이, 증가 영역의 면적이 통상의 하나의 침흔 영역의 면적인 소정값을 하회하는 경우에, 축소 후의 보완용 참조 영역(77) 중 증가 영역(75)에 겹치지 않는 부분(도 10에서의 평행 사선을 부여하는 영역이며, 이하, 「보완 영역」이라고 함)이 증가 영역(75)에 결합되는 것에 의해, 최신 침흔 영역(78)이 취득된다. 이 때, 보완 영역은 침흔 존재 영역(72)로부터 증가 영역(75)를 제외한 영역에서 대칭 직사각형(83)내에 배치되는 것이 된다.
최신 침흔 위치 취득부(42)에서는, 보완 완료 화상에서 최신 침흔 영역(78)의 중심이 구해지는 것에 의해, 최신 침흔 영역의 위치가 취득된다(스텝 S28). 또한, 보완 완료 화상에 있어서의 최신 침흔 영역(78)의 형상은, 참된 최신 침흔 영역의 형상과는 크게 다르지만, 프로버(1)에서는 최신 침흔 영역의「위치」를 구하는 것이 목적이 되기 때문에, 이러한 침흔 형상의 차이는 문제가 되지 않는다. 이 상과 같이 하여, 복수의 대상 패드의 각각에 있어서, 접촉후 패드 화상 중의 복수의 침흔 영역 중 프로브(52)의 패드에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치가 취득되고, 위치 편차량 취득부(43)에서 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량이 구해진다(도 3a:스텝 S14). 또한, 최신 침흔 영역의 위치는 해당 영역을 대표하는 중심 이외의 점의 위치로 되어도 좋다.
도 12는, 다른 대상 패드의 접촉후 패드 화상으로부터 이끌어지는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도이고, 도 12에서 실선으로 둘러싸는 영역이 침흔 존재 영역(72)으로 여겨지고, 침흔 존재 영역(72) 중 두꺼운 실선 및 두꺼운 파선으로 둘러싸는 부분이 증가 영역의 후보(73)로 여겨진다.
도 12에 나타내는 침흔 존재 영역(72) 및 증가 영역의 후보(73)가 취득된 경우에는(스텝 S22, S23), 전체 침흔 포함 영역(81)은 도 12에 파선으로 도시하는 바와 같이, 침흔 존재 영역(72)의 외접 직사각형으로서 설정되고, 대칭 직사각형(83)(및, 원래 직사각형)은 도 12에 실선으로 도시하는 바와 같이 전체 침흔 포함 영역(81)과 동일한 직사각형으로 된다(스텝 S24). 계속해서, 대칭 직사각형(83)에 포함되는 침흔 존재 영역(72)(즉, 침흔 존재 영역(72)의 전체)가 최신 침흔 후보 영역으로 여겨지고, 최신 침흔 후보 영역 중 증가 영역의 후보(73)와 겹치는 부분(즉, 증가 영역의 후보(73)의 전체)이 (실제) 증가 영역으로 여겨진다(스텝 S25).
도 12의 예의 경우에 있어서도 불연속 영역은 존재하지 않는다고 판정되고(스텝 S26), 최신 침흔 후보 영역으로부터 증가 영역을 제외한 보완용 참조 영역(도 12에서 평행 사선을 부여하는 영역이며, 여기서는, 2개의 보완용 참조 영역)이 취 득된다. 계속해서, 각 보완용 참조 영역이 상기의 예와 동일하게 하여 축소되고(단지, 축소 배율을 결정할 때에 있어서의 미리 설정된 값 Sm과 증가 영역의 면적 Sa의 차 Sb는, 각 보완용 참조 영역의 면적에 따라 비례 배분됨), 축소 후의 보완용 참조 영역을 증가 영역에 겹치는 것에 의해, 도 13에 도시하는 바와 같이 증가 영역에 축소 후의 보완용 참조 영역의 일부(즉, 보완 영역이며, 도 13에서 평행 사선을 부여하는 영역)가 결합된 최신 침흔 영역(78)이 취득된다(스텝 S27). 그리고, 최신 침흔 영역(78)의 중심이 그 위치로서 취득되고(스텝 S28), 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량이 구해진다(도 3a:스텝 S14).
도 14는, 또 다른 대상 패드의 접촉후 패드 화상으로부터 이끌어지는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도이고, 도 14에서 실선으로 둘러싸는 2개의 영역이 침흔 존재 영역(72)(단, 하나의 침흔 존재 영역에 부호(72a)를 부여하고 있음)로 여겨지고, 침흔 존재 영역(72) 중 두꺼운 실선 및 파선으로써 둘러싸는 부분이 증가 영역의 후보(73)로 여겨진다.
이 경우, 전체 침흔 포함 영역(81)은 도 14에서 파선으로 도시하는 바와 같이, 2개의 침흔 존재 영역(72)의 외접 직사각형으로서 설정되고, 대칭 직사각형(83)(및, 원래 직사각형)은 도 14에서 실선으로 도시하는 바와 같이 전체 침흔 포함 영역(81)과 동일한 직사각형으로 된다(스텝 S24). 계속해서, 대칭 직사각형(83)에 포함되는 침흔 존재 영역(72)(즉, 침흔 존재 영역(72)의 전체)가 최신 침흔 후보 영역으로 여겨지고, 최신 침흔 후보 영역 중 증가 영역의 후보(73)와 겹치는 부분(즉, 증가 영역의 후보(73)의 전체)이 (실제) 증가 영역으로 된다(스텝 S25).
증가 영역이 취득되면, 증가 영역 보완부(423)에서는 최신 침흔 후보 영역 중 도 14에서의 침흔 존재 영역(72a)에 상당하는 부분이, 증가 영역과 연속하지 않는 불연속 영역이라고 판정된다(스텝 S26). 여기서, 프로브(52)의 패드에의 한 번의 접촉으로는, 통상, 연속하는 하나의 침흔 영역만이 형성된다고 생각되기 때문에, 불연속 영역은 최신 침흔 후보 영역으로부터 제외된다(스텝 S29). 계속해서, 불연속 영역이 제외된 최신 침흔 후보 영역으로부터 증가 영역을 또한 제외하여 보완용 참조 영역(도 14에서 평행 사선을 부여하는 영역)이 취득되고, 보완용 참조 영역의 축소 및 증가 영역에의 결합에 의해 도 15에 도시하는 바와 같이 최신 침흔 영역(78)아 취득된다(스텝 S27). 그리고, 최신 침흔 영역(78)의 중심이 그 위치로서 취득된다(스텝 S28).
도 16은, 또 다른 대상 패드의 접촉후 패드 화상으로부터 이끌어지는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도이고, 도 16에서 실선으로 둘러싸는 2개의 영역이 침흔 존재 영역(72)(단, 하나의 침흔 존재 영역에 부호(72b)를 부여하고 있음)로 여겨지고, 침흔 존재 영역(72) 중 두꺼운 선으로 둘러싸는 부분이 증가 영역의 후보(73)로 된다.
도 16에 도시하는 침흔 존재 영역(72)의 경우, 전체 침흔 포함 영역(81)은 도 16에 파선으로 도시하는 바와 같이, 2개의 침흔 존재 영역(72)의 외접 직사각형으로서 설정되고, 접촉전 패드 화상의 기존의 침흔 영역의 외접 직사각형인 원래 직사각형(82)가 도 16에 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이 설정된다. 계속해서, 전체 침흔 포함 영역(81)의 중심점을 중심으로 하여 원래 직사각형(82)에 대하여 점대칭이 되는 대칭 직사각형(83)이 도 16에 실선으로 도시하는 바와 같이 설정된다(스텝 S24). 대칭 직사각형(83)에 포함되는 침흔 존재 영역(72)는 최신 침흔 후보 영역으로 되고, 최신 침흔 후보 영역 중 증가 영역의 후보(73)와 겹치는 부분(즉, 증가 영역의 후보(73)의 전체)이 (실제) 증가 영역으로 된진다(스텝 S25).
증가 영역이 취득되면, 최신 침흔 후보 영역 중 도 16에서의 침흔 존재 영역(72b)에 속하는 부분(도 16에서 평행 사선을 부여하는 영역)이, 증가 영역과 연속하지 않는 불연속 영역이라고 판정되고(스텝 S26), 이 부분이 최신 침흔 후보 영역으로부터 제외된다(스텝 S29). 이에 의해, 최신 침흔 후보 영역과 증가 영역이 일치하고, 최신 침흔 후보 영역으로부터 증가 영역을 또한 제외한 보완용 참조 영역이 존재하지 않고, 또한, 증가 영역의 면적이 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값 이상이 되기 때문에, 증가 영역이 그대로 최신 침흔 영역으로서 취득되고(스텝 S27), 최신 침흔 영역의 위치가 취득된다(스텝 S28). 또한, 도 5b의 침흔 존재 영역 화상 및 도 6b의 증가 영역 후보 화상이 취득되는 대상 패드에 있어서도, 상기의 경우와 같이, 증가 영역의 면적이 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값 이상이 됨과 동시에 보완용 참조 영역이 존재하지 않기 때문에, 증가 영역이 그대로 최신의 침흔 영역으로서 취득되는 것이 된다.
도 17은, 또 다른 대상 패드의 접촉후 패드 화상으로부터 이끌어지는 침흔 존재 영역 화상을 도시하는 도이고, 도 17에서 실선으로 둘러싸는 2개의 영역이 침흔 존재 영역(72)(단, 하나의 침흔 존재 영역에 부호(72c)를 부여하고 있음)로 여겨지고, 침흔 존재 영역(72) 중 두꺼운 실선 및 파선으로 둘러싸는 부분이 증가 영 역의 후보(73)으로 된다.
이 경우에는, 도 17에 실선으로 도시하는 바와 같이 대칭 직사각형(83)이 설정되고(스텝 S24), 대칭 직사각형(83)에 포함되는 침흔 존재 영역(72)(도 17에서의 평행 사선을 부여하는 영역)가 최신 침흔 후보 영역으로 여겨지고, 최신 침흔 후보 영역 중 증가 영역의 후보(73)과 겹치는 부분(즉, 증가 영역의 후보(73)의 전체)이 (실제) 증가 영역으로 여겨진다(스텝 S25). 계속해서, 최신 침흔 후보 영역 중 도 17에서의 침흔 존재 영역(72c)에 속하는 부분이, 증가 영역과 연속하지 않는 불연속 영역이라고 판정되고(스텝 S26), 이 부분이 최신 침흔 후보 영역으로부터 제외된다(스텝 S29). 그리고, 불연속 영역이 제외된 최신 침흔 후보 영역으로부터 증가 영역을 또한 제외하여 보완용 참조 영역이 취득되고, 도 15와 동일한 형상의 최신 침흔 영역이 취득된 후에(스텝 S27), 최신 침흔 영역의 위치가 취득된다(스텝 S28).
이상과 같이, 프로버(1)에서는 프로브(52)가 패드에 접촉한 후에, 기판(9)를 촬상하여 패드를 포함하는 영역을 나타내는 접촉 후 화상이 취득된다. 그리고, 접촉 후 화상으로부터 이끌어짐과 동시에 패드 영역을 나타내는 접촉후 패드 화상과, 프로브(52)의 패드에의 접촉 전의 패드 영역을 나타내는 접촉전 패드 화상이 비교되고, 프로브(52)의 패드에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치가 취득된다. 이에 의해, 접촉 후 화상을 이용하여 PMI를 실행하면서, 패드 상의 복수의 침흔 중 최신 침흔의 위치가 취득되어, 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량을 효율적으로 취득할 수 있다.
또한, 최신 침흔 영역이 다른 침흔 영역과 겹쳐져 있는 경우에, 침흔 존재 영역에서 증가 영역에 연속하는 다른 영역에 보완 영역을 배치하여 증가 영역에 연결하는 것에 의해, 최신 침흔 영역의 위치를 용이하게 취득할 수 있다. 또한, 보완 영역의 크기가, 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값과 증가 영역의 면적의 차에 근거하여 결정되기 때문에, 보완 영역의 크기가 필요 이상으로 커지는 것, 또는, 작아지는 것을 억제하여, 최신 침흔 영역의 위치를 정밀도 높게 취득할 수 있다.
다음에, 프로버(1)에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 다른 예에 대하여 설명을 한다. 다른 예에 관한 처리에서는, 프로버(1)에 있어서(다른 프로버여도 좋음) 전회의 프로빙이 실행되는 것에 의해 기존의 침흔이 형성되어 다계조의 접촉 전 화상이 취득되어 있고, 처리부(4)에서는 접촉 전 화상으로부터 패드 영역의 부분을 추출하여 접촉전 패드 화상을 취득하고, 또한 소정의 임계값으로 2값화 하여 취득된 2값의 접촉전 패드 화상의 데이터가 화상 기억부(44)에서 기억된다. 또한, 2값의 접촉전 패드 화상의 데이터는, 필요에 응해서 압축 처리(예컨대, 런 렝스 압축(run-length compression))가 실시되어도 좋고, 또한, 다계조 접촉 전 화상은 파기되어도 좋다.
도 18a는, 2값의 접촉전 패드 화상을 도시하는 도이다. 접촉전 패드 화상을 2값화할 때는, 값이 임계값 이상의 화소에는 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 임계값 미만의 화소에는 검은 화소를 나타내는 값「 0」이 부여되어 있고, 도 18a(및, 후술하는 도 18c)에서는 평행 사선을 부여하는 것에 의해 검은 화소를 나 타내고 있다.
본 처리예에서는, 기존의 침흔이 형성된 후(전회의 프로빙이 실행된후)에 기판(9)가, 스테이지(2) 상에 탑재되고, 프로브(52)가 패드에 접촉하여 전기적인 검사가 실행된 후, 접촉 후 화상이 취득된다(도 3a:스텝 S11, S12). 그리고, 상술의 처리와 같이 하여, 접촉 후 화상으로부터 패드 영역의 부분이 추출되어 접촉후 패드 화상이 취득된다(도 3b:스텝 S21).
도 18b는, 다계조 접촉후 패드 화상을 도시하는 도이다. 접촉후 패드 화상은, 예컨대 값 0~255로 각 화소가 표시되는 256계조 화상으로 되고, 도 18b에서 부호(792)를 부여하는 2개의 영역의 각각은, 실제로는, 다른 영역보다도 낮은 값이 부여된 화소가 많이 존재하는 것으로 된다.
계속해서, 접촉후 패드 화상으로부터 침흔 존재 영역이 취득되고(스텝 S22), 증가 영역 취득부(422)에서는 다계조 접촉후 패드 화상과 대응하는 2값의 접촉전 패드 화상이 비교되는 것에 의해, 증가 영역의 후보가 취득된다(스텝 S23). 증가 영역의 후보를 취득할 때는, 2값의 접촉전 패드 화상의 각 화소의 값이 0(검은 화소를 나타내는 값)인 경우에는 접촉후 패드 화상의 대응하는 화소의 값을 막론하고, 그 화소에 값「255」가 부여되고, 값이 1(흰 화소를 나타내는 값)인 경우에는 접촉후 패드 화상의 대응하는 화소의 값이 그 화소에 부여되어, 다계조 합성 화상이 생성된다. 합성 화상의 각 화소의 값은 소정의 임계값(침흔 존재 영역 취득부(42l)에서 이용되는 임계값과 동일하여도 좋음)과 비교되어, 값이 임계값 이상의 화소에는 흰 화소를 나타내는 값「1」이 부여되고, 임계값 미만의 화소에는 검은 화소를 나타내는 값「0」이 부여되어 2값의 합성 화상이 생성된다. 그리고, 2값의 합성 화상의 각 화소의 값 1과 값 0이 교환된 후, 라벨링 처리에 의해 서로 연결하는 값 1의 화소의 집합이 특정되어 클러스터가 취득되고, 각 클러스터에 대하여 수축 처리를 실시한 후에 팽창 처리를 하는 것에 의해, 영역(792)의 에지 근방에서 발생하는 미소한 클러스터나 불필요한 노이즈 성분이 제거된다.
이와 같이, 증가 영역 취득부(422)에서는, 접촉후 패드 화상이 접촉전 패드 화상에 의해 실질적으로 마스크된 후에 2값화가 실행되는 것에 의해, 도 18c에 도시하는 바와 같이 증가 영역의 후보인 클러스터(731)만이 취득된다. 증가 영역의 후보가 취득되면, 상기 처리예와 같이 하여 (참된)증가 영역이 취득되고, 필요에 따라서 증가 영역에 보완 영역이 결합되어 최신의 침흔 영역이 취득된다(스텝 S24~S27). 그리고, 최신 침흔 영역의 위치가 취득된 후(스텝 S28), 기판(9) 상의 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량이 구해진다(도 3a:스텝 S14).
이상과 같이, 프로버(1)에 있어서의 본 처리예에서는, 화상 기억부(44)에서 기억되는 접촉전 패드 화상이 2값의 화상으로 된다. 여기서, 예컨대 직경이 300mm의 반도체 기판에 있어서 약 75000개의 패드가 형성되어 있는 것으로 하면, 이러한 기판의 모든 패드에 대하여 PMI를 실행하여 취득되는 다수의 다계조 접촉 전 화상(또는, 접촉전 패드 화상)을 화상 기억부(44)에 그대로 기억시키는 경우에는, 화상 기억부(44)에는 수 기가바이트의 기억 용량이 필요로 됨과 동시에, 화상 데이터의 관리도 용이하게 실행할 수 없다. 특히, 프로버(1)과는 다른 장치로 접촉 전 화상이 취득되는 경우에는, 해당 장치로부터 프로버(1)에 접촉 전 화상의 데이터를 전 송할 필요가 있지만, 수 기가바이트에 미치는 데이터의 전송은, 통상, 용이하지 않아, 이 작업에 장시간이 필요하여 프로버(1)의 가동에 지장을 초래하는 경우가 있다.
이에 대하여, 본 처리예에서는, 다계조 화상에 비해서 매우 사이즈가 작은 2값의 화상으로서 접촉전 패드 화상을 준비해 놓는 것에 의해, 화상 기억부(44)의 기억 용량을 삭감할 수 있음과 동시에, 프로버(1)와는 다른 장치로 접촉 전 화상이 취득되는 경우라도 접촉 전 화상의 데이터 전송을 단시간에 또한 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 접촉전 패드 화상을 접촉후 패드 화상에 의해 마스크하는 처리는, 상기와는 다른 수법이 채용되어도 좋다. 또한, 화상 기억부(44)에는 패드 영역의 부분을 추출하기 전의 접촉 전 화상의 전체를 2값화한 것이 기억되어 있어도 좋다.
다음에, 프로버(1)에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 또 다른 예에 대하여 설명을 한다. 도 19는, 프로버(1)에 있어서의 프로빙에 관한 처리의 흐름의 일부를 도시하는 도이고, 도 3a의 스텝 S11 전에 실행되는 처리를 도시하고 있다. 또한, 본 처리예에서는 화상 기억부(44)에 접촉 전 화상은 준비되지 않는다.
프로버(1)에서는, 검사 대상의 기판(9)이 스테이지(2) 상에 탑재된 후, 촬상부(3)에 의해 대상 패드를 포함하는 영역을 나타내는 접촉 전 화상이 취득되고(스텝 S31), 그 후, 기판(9)가 스테이지(2)에 유지된 채로 프로브(52)의 하방으로 이동하여 전기적인 검사가 실행된다(도 3a:스텝 S11). 즉, 프로브(52)가 기판(9) 상의 패드에 접촉하기 직전에, 촬상부(3)에 의해 접촉 전 화상이 취득된다. 계속해서, 촬상부(3)에 의해 접촉 후 화상이 취득되고(스텝 S12), 상기의 처리예와 같이 하여, 최신의 침흔 영역의 위치가 취득되어 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량이 구해진다(스텝 S13, S14).
여기서, 일반적으로는 반도체의 양산(量産) 공장 등에서는, 복수의 프로버가 설치되어 대량의 기판이 처리되지만, 이 경우에, 예컨대 기판의 로트(lot) 마다 다른 장치로 PMI를 실행하여 다계조 접촉 전 화상을 취득했다고 해도, 해당 로트에 속하는 기판(9)가 프로버(1)에 반송되는 동작에 맞추어, 이 프로버(1)에 다계조인 채로 접촉 전 화상의 데이터를 전송하는 데는 번잡한 작업이 필요하게 되거나, 관리용 네트워크를 구축할 필요가 있다. 또한, 기존의 침흔이 형성되는 프로빙시에 화상을 취득하는 PMI가 실행되고 있지 않은 경우도 있다. 이에 대하여, 도 19에 나타내는 처리예에서는, 프로브(52)의 패드에의 접촉 직전에 촬상부(3)에 의해 접촉 전 화상이 취득되는 것에 의해, 데이터의 전송에 관한 번잡한 작업 등을 하는 일 없이, 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량을 용이하게 취득할 수 있고, 프로버(1)의 설치 장소에 마련되어 있는 여러 가지 시스템 환경에 대응할 수 있다.
또한, 접촉 전 화상의 데이터는 최신 침흔 영역의 위치가 취득되기 까지의 사이, 일시적으로 기억되기만 하면 되고, 그 후, 접촉 전 화상은 삭제되어도 좋다. 또한, 접촉 전 화상의 취득 후, 반드시 단시간 안에 프로브(52)의 패드에의 접촉이 실행될 필요는 없고, 접촉 전 화상의 취득 후, 프로브(52)의 패드에의 접촉까지의 사이에, 기판(9)가 스테이지(2) 상으로부터 출력되는 일이 없으면, 해당 접촉 전 화상은 프로브(52)의 패드에의 접촉 직전에 취득된 것이라고 말할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하여 왔지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 변형이 가능하다.
상기 실시예에서는, 1 내지 3개의 기존의 침흔이 형성되어 있는 경우에 대하여 서술했으나, 패드 상에는 4개 이상의 기존의 침흔이 형성되어 있어도 좋고, 프로버(1)에서는, 적어도 하나의 기존의 침흔이 형성된 패드에의 프로브(52)의 접촉에 의한 최신 침흔의 위치가 취득 가능하게 된다.
상기 실시예에서는, 접촉전 패드 화상과 접촉후 패드 화상을 비교하는 것에 의해, 최신 침흔 영역의 위치가 취득되지만, 처리부(4)에서는 패드 영역에 대응하는 부분을 추출하는 일 없이, 접촉 전 화상과 접촉 후 화상을 그대로 비교하는 것에 의해, 침흔 존재 영역 중 프로브(52)의 패드에의 접촉에 의해 증가한 증가 영역이 취득되고, 최신 침흔 영역의 위치가 취득되어도 좋다.
증가 영역 보완부(423)에서, 보완 영역은 침흔 존재 영역으로부터 증가 영역을 제외한 영역에서 증가 영역에 결합되는 것이면, 보완용 참조 영역을 취득하여 이 영역을 축소하는 상기 수법 이외의 다른 수법이 채용되어도 좋다.
또한, 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량은, 반드시 복수의 대상 패드에 대하여 각각 취득된 복수의 최신의 침흔 영역의 위치에 근거하여 구해질 필요는 없고, 하나의 대상 패드에 대하여 취득된 최신의 침흔 영역의 위치에 근거하여 보다 간단하게 구해져도 좋다.
처리부(4)에서 패드에 대한 프로브(52)의 접촉 위치의 편차량의 취득을 고속으로 실행할 필요가 없는 경우에는, 컴퓨터(6)에 의해 도 2에 나타내는 처리부(4)( 단, 화상 기억부(44)를 제외함)의 전부 또는 일부와 동일한 기능이 소프트웨어적으로 실현되어도 좋고, 또한, 화상 기억부(44)의 기능이 컴퓨터(6)의 고정 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현되어도 좋다.
프로버(1)에서, 패드 상의 복수의 침흔 중 최신 침흔의 위치를 취득하는 것에 의해, 패드에 대한 프로브의 접촉 위치의 편차량을 취득하는 기능은, 기판 상에 형성된 배선 패턴 등의 피검사체가 포함하는 전극에 프로브를 접촉시켜 전기적인 검사를 실행하는 다른 검사 장치에 마련되어도 좋다. 기판(9)는 반드시 반도체 기판일 필요는 없고, 전극을 포함하는 피검사체가 형성된 프린트 배선 기판, 유리 기판 등이어도 좋다.
청구항 1 내지 8의 발명에서는, 전극 상의 복수의 침흔 중 최신 침흔의 위치를 취득하는 것에 의해, 전극에 대한 프로브의 접촉 위치의 편차량을 적절하게 취득할 수 있다.
또한, 청구항 3의 발명에서는, 최신 침흔 영역이 다른 침흔 영역과 겹쳐져 있는 경우에 최신 침흔 영역의 위치를 용이하게 취득할 수 있고, 청구항 5의 발명에서는, 최신 침흔 영역의 위치를 정밀도 놓게 취득할 수 있다.
또한, 청구항 6의 발명에서는, 화상 기억부의 기억 용량을 삭감할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 형성된 피검사체의 전기적인 검사를 실행하는 검사 장치에 있어서,
    기판 상에 형성된 전극에 접촉하는 프로브와,
    적어도 하나의 침흔(針痕)이 형성된 상기 전극에 상기 프로브가 접촉한 후에, 상기 기판을 촬상하여 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 1 화상을 취득하는 촬상부와,
    상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 전의 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 2 화상을 기억하는 화상 기억부와,
    상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 전극 상의 복수의 침흔에 각각 대응하는 상기 제 1 화상의 복수의 침흔 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 최신 침흔 위치 취득부와,
    상기 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여, 상기 전극에 대한 상기 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 위치 편차량 취득부를
    구비하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 위치 편차량 취득부에서 구해진 상기 접촉 위치의 편차량이, 상기 프로브 또는 다른 검사 장치에 있어서의 프로브에 의한 상기 기판의 상기 전극에의 다음 콘택트시에 있어서의 보정량으로 이용되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 최신 침흔 위치 취득부가,
    상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 복수의 침흔 영역이 차지하는 침흔 존재 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의해 증가한 증가 영역을 취득하는 증가 영역 취득부와,
    상기 증가 영역의 면적이 소정값을 하회하는 경우에, 상기 침흔 존재 영역으로부터 상기 증가 영역을 제외한 영역에서 보완 영역을 상기 증가 영역에 결합하여 상기 최신의 침흔 영역을 취득하는 증가 영역 보완부를
    구비하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 증가 영역 보완부가, 상기 제 1 화상의 상기 복수의 침흔 영역의 외접 직사각형인 전체 침흔 포함 영역내에서, 상기 전체 침흔 포함 영역의 중심점을 중심으로 하고, 상기 적어도 하나의 침흔에 대응하는 상기 제 2 화상 중 적어도 하나 의 침흔 영역의 외접 직사각형에 대하여 점대칭이 되는 대칭 직사각형을 설정하고, 상기 대칭 직사각형내에 상기 보완 영역이 배치되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 보완 영역의 크기가, 하나의 침흔 영역의 면적으로서 미리 설정된 값과 상기 증가 영역의 면적의 차에 근거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 화상이 2값의 화상이고, 상기 증가 영역 취득부에서, 상기 제 1 화상이 상기 제 2 화상에 의해 마스크된 후에 2값화가 실행되는 것에 의해, 상기 증가 영역이 취득되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 화상이 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 직전에 상기 촬상부에 의해 취득된 화상인 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  8. 기판 상에 형성된 피검사체의 전기적인 검사를 실행하는 검사 장치에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 전극에 접촉하는 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 위치 편차량 취득 방법에 있어서,
    적어도 하나의 침흔이 형성된 전극에의 프로브의 접촉 후에, 기판을 촬상하여 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 1 화상을 취득하는 공정과,
    상기 제 1 화상과 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉 전의 상기 전극을 포함하는 영역을 나타내는 제 2 화상을 비교하는 것에 의해, 상기 전극 상의 복수의 침흔에 각각 대응하는 상기 제 1 화상의 복수의 침흔 영역 중 상기 프로브의 상기 전극에의 접촉에 의한 최신 침흔 영역의 위치를 취득하는 공정과,
    상기 최신 침흔 영역의 위치에 근거하여, 상기 전극에 대한 상기 프로브의 접촉 위치의 편차량을 구하는 공정을
    구비하는 것을 특징으로 하는 위치 편차량 취득 방법.
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