KR100689811B1 - 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

반도체 웨이퍼 가공용 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR100689811B1
KR100689811B1 KR1020010022999A KR20010022999A KR100689811B1 KR 100689811 B1 KR100689811 B1 KR 100689811B1 KR 1020010022999 A KR1020010022999 A KR 1020010022999A KR 20010022999 A KR20010022999 A KR 20010022999A KR 100689811 B1 KR100689811 B1 KR 100689811B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
tape
semiconductor wafer
reinforcing plate
adhesive
Prior art date
Application number
KR1020010022999A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020083599A (ko
Inventor
안승철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010022999A priority Critical patent/KR100689811B1/ko
Publication of KR20020083599A publication Critical patent/KR20020083599A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100689811B1 publication Critical patent/KR100689811B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 반도체 웨이퍼의 이면 연마 공정중 웨이퍼의 패턴면을 보호하도록 패턴면 위에 부착되는 것으로, 웨이퍼의 패턴면에 부착되도록 도포된 접착물과 이 접착물에 의하여 웨이퍼의 패턴면에 부착되되 웨이퍼의 열변형을 방지하도록 하는 보강판을 구비한 것으로, 이러한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 웨이퍼의 이면 연마시 웨이퍼의 회로 패턴면에 부착되는 웨이퍼 보호용 테이프에 소정의 탄성력과 투명도를 가지며 소정의 강도를 가진 보강판을 부착하여 웨이퍼의 랩페이지를 방지할 수 있도록 하는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 테이프{A tape for processing semiconductor wafer}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
100...웨이퍼
110...접착물
120...보강판
130...필름
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 부착된 테이프가 웨이퍼의 랩페이지 발생을 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼는 패키지로 가공되게 되는데, 이 반도체 웨이퍼를 패키지로 가공하는 공정에는 패키지 전 웨이퍼의 이면을 연마하는 공정이 포함되어 있다. 이러한 이면 연마를 포함하는 일련의 단위 공정을 백 랩(Back Lap) 또는 백그라인드 공정이라고 한다.
이 백 랩 공정은 웨이퍼 제조공정과 어셈블리 공정 사이에 진행되며, 구체적으로 이면 연마 전공정, 테이프 부착 공정, 이면 연마 공정, 테이프 제거 공정 및 이면 연마 후공정의 순서로 진행된다.
이러한 백 랩 공정 중 테이프 부착 공정은 후속되는 이면 연마 공정 중에 발생되는 실리콘 가루 등의 이물질로부터 웨이퍼의 패턴 형성면을 보호하기 위하여 패턴 형성면 상부에 테이프를 도포하는 공정이다.
이 테이프 제거공정은 이면 연마 공정 후 웨이퍼 표면의 불필요하게 남아있는 테이프를 제거하기 위한 것으로 이러한 테이프 부착과 제거공정은 이면 연마 공정 중 웨이퍼의 패턴을 보호하기 위한 필수적인 공정이다.
한편, 이 이면연마 공정은 다이아몬드 휠에 의하여 웨이퍼의 이면을 연삭하게 된다. 그런데, 웨이퍼의 이면 연마 중에 다이아몬드 휠의 강한 회전에 의하여 웨이퍼의 이면에는 마찰열이 필연적으로 발생하게 되고, 이러한 마찰열로 웨이퍼는 종종 어느 정도 휘어지게 되는 현상이 발생하게 된다. 이러한 현상을 랩페이지(Wrapage)라고 한다.
이러한 랩페이지 불량은 웨이퍼의 구경이 커지거나 얇아질 수 록 더욱 심하게 발생되며, 또한 웨이퍼의 카세트 로딩/언로딩시에 웨이퍼의 부적절한 적재 또는 오류를 유발시키는 원인이 되기도 한다.
그런데, 종래의 웨이퍼 보호용 테이프의 경우는 UV접착제가 도포된 얇은 필 름 형태로 되어있다. 따라서 이러한 웨이퍼 랩페이지 현상을 방지하지 못하고, 단지 웨이퍼의 패턴면을 이물질로부터 보호하는 기능밖에 수행하지 못하였다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 이면 연마 공정중 사용되는 웨이퍼 보호용 테이프를 개선하여 웨이퍼의 랩페이지가 발생하는 것을 최소화시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 반도체 웨이퍼의 이면 연마 공정중 상기 웨이퍼의 패턴면을 보호하도록 상기 패턴면 위에 부착되는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼의 패턴면에 부착되도록 도포된 접착물; 상기 접착물에 의하여 상기 웨이퍼의 패턴면에 부착되되 상기 웨이퍼의 열변형을 방지하도록 하는 보강판을 구비한다.
그리고 바람직하게 본 발명에 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에서 상기 보강판은 소정 두께의 플라스틱으로 마련된다.
또한, 다르게 상기 보강판은 소정 두께를 가지는 아크릴 판으로 마련된다.
또한, 다르게 상기 보강판은 소정 두께를 가지는 유리판으로 마련된다.
그리고 바람직하게 상기 보강판과 상기 접착물 사이에는 부착용 필름이 마련된 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 하나의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 적용한 반도체 제조 공정은 웨이퍼 이면 연마를 위한 일련의 제조공정으로 테이프 도포, 이면 연마 그리고 테이프 제거 등의 공정에서 이루어진다.
이와 같은 실시상태에서 본 발명에 다른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 도 1에 도시된 바와 같이 패턴이 형성된 웨이퍼(100)의 패턴 형성면에 부착되는 것으로, 소정 두께로 된 보강판(120)을 구비하고, 이 보강판(120)의 접착면에 UV(Ultraviolet)에 반응하는 UV 접착물(110)이 도포되어 구성된다.
여기서 본 발명의 테이프를 구성하는 보강판(120)은 이면 연마 공정시 마찰열에 의한 웨이퍼(100)의 랩페이지가 발생하지 않도록 소정 강도와 탄성력을 가지고, 동시에 UV 투과가 가능하도록 투명하게 구현될 수 있는 플라스틱판, 아크릴판 또는 유리기판이 선택적으로 적용되어 사용될 수 있다.
그리고 접착물(110)은 웨이퍼(100)의 패턴 형성면과 보강판(120) 사이에 마련되어 웨이퍼(100)와 보강판(120)의 상호 접착이 가능하도록 한다.
이 접착물(110)은 UV조사로 그 접착력이 낮아지는 아크립(acrylic/UV type) 접착물을 적용할 수 있는데, 이 아크립 접착물로는 아크릴 폴리머, UV 오리거머(UV origomer), 포토 이니쉐이터(Photo initiator) 등이 적용되어 사용될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 보호 테이프의 다른 실시예로 도 2에 도시된 바와 같이 기존의 보호 테이프에 구성된 필름을 보강판 하부에 설치하여 구현할 수 있는데, 이러한 실시상태는 기존의 보호 테이프의 필름(130) 위에 보강판(120)을 별도로 설치함으로써 가능하다.
이러한 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 보호 테이프는 이면 연마 공정에 사용되게 된다. 일반적으로 반도체 웨이퍼(100)는 단일 실리콘 주괴(鑄傀)를 약 500 내지 1000㎛ 두께로 슬라이싱 하거나 소잉하여 제조되고, 이 제조된 웨이퍼(100)의 표면에 회로패턴을 형성한 후 웨이퍼(100)의 이면을 연마하여 웨이퍼(100)의 두께를 약 200 - 500㎛ 정도로 얇게 만드는 것이다.
이와 같이 이면 연마 공정은 연마시 발생한 파티클에 의한 웨이퍼(100)의 회로 패턴을 보호할 수 있도록 먼저 웨이퍼(100)의 회로패턴 형성면에 보호 테이프를 부착한다.
이때의 보호 테이프 부착은 본 발명에서와 같이 접착물(110)이 도포된 보강판(120)을 웨이퍼(100)의 회로패턴 형성면 상부에 안착하여 부착시키고, 이후 웨이퍼의 이면을 연마기를 통하여 연마하여 웨이퍼(100)를 소정 두께로 가능한 한 얇게 연마하게 된다.
그리고 이러한 연마후 보강판(120)을 웨이퍼(100)로부터 제거하게 되는데, 이때의 제거는 UV를 조사하여 접착물(110)의 접착력이 저하되도록 한 후 보강판(120)을 웨이퍼(100)로부터 이탈시킴으로써 완료되게 된다. 그런 다음 몇몇 중간단계를 거친 후 웨이퍼(100)를 절단하는 소잉공정을 거치게 된다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 이면 연마 공정시 발생한 마찰열에 의하여 웨이퍼가 굽어지는 현상, 즉 랩페이지가 발생하는 것을 방지할 수 있도록 보호 테이프에 보다 강도가 보강된 보강판을 구비시킨다는 것이다. 그러므로 기본적으로 보호 테이프의 일면에 강도가 보강된 보강판을 설치하되, 이러한 보강판의 재질과 크기, 두께 및 접착물의 종류를 변형하거나 한정한 다른 변형된 실시예들은 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
이상과 같은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프는 웨이퍼의 이면 연마시 웨이퍼의 회로 패턴면에 부착되는 웨이퍼 보호용 테이프에 소정의 탄성력과 투명도를 가지며 소정의 강도를 가진 보강판을 부착하여 웨이퍼의 랩페이지를 방지할 수 있도록 하는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 웨이퍼의 이면 연마 공정중 상기 웨이퍼의 패턴면을 보호하도록 상기 패턴면 위에 부착되는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
    상기 웨이퍼의 패턴면에 부착되도록 도포된 접착물;
    상기 접착물에 의하여 상기 웨이퍼의 패턴면에 부착되되 상기 웨이퍼의 열변형을 방지하도록 하는 보강판을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 보강판은 소정 두께의 플라스틱판으로 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 보강판은 소정 두께를 가지는 아크릴판으로 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 보강판은 소정 두께를 가지는 유리판으로 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
  5. 제 1항 내지는 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 보강판과 상기 접착물 사이에는 필름이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
KR1020010022999A 2001-04-27 2001-04-27 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 KR100689811B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010022999A KR100689811B1 (ko) 2001-04-27 2001-04-27 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010022999A KR100689811B1 (ko) 2001-04-27 2001-04-27 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020083599A KR20020083599A (ko) 2002-11-04
KR100689811B1 true KR100689811B1 (ko) 2007-03-08

Family

ID=27702909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010022999A KR100689811B1 (ko) 2001-04-27 2001-04-27 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100689811B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783178B (zh) * 2019-11-01 2022-08-12 广东先导先进材料股份有限公司 一种半导体晶片及其加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04185680A (ja) * 1990-11-21 1992-07-02 Nec Corp キャリアテープ半導体装置
JPH05112761A (ja) * 1991-10-16 1993-05-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着テープ
JPH05198542A (ja) * 1991-09-02 1993-08-06 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハの裏面研削方法および該方法に用いる粘着テープ
JP2002118154A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Cable Ltd Tabテープおよびそれを用いた半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04185680A (ja) * 1990-11-21 1992-07-02 Nec Corp キャリアテープ半導体装置
JPH05198542A (ja) * 1991-09-02 1993-08-06 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハの裏面研削方法および該方法に用いる粘着テープ
JPH05112761A (ja) * 1991-10-16 1993-05-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着テープ
JP2002118154A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Cable Ltd Tabテープおよびそれを用いた半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020083599A (ko) 2002-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7521384B2 (en) Method and apparatus for peeling surface protective film
JP2001044144A (ja) 半導体チップの製造プロセス
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
JP3303294B2 (ja) 半導体保護テープの切断方法
JP4413551B2 (ja) 半導体ウエハ面保護用粘着テープ
JP2003332267A (ja) 半導体ウエハの加工方法
CN100385630C (zh) 半导体晶片的制造方法
JP3216583B2 (ja) 貼り合わせsoi基板の製造方法
JP2000061785A (ja) 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法
TWI236058B (en) Method of performing double side processes upon a wafer
KR100689811B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
EP1316992B1 (en) Method for processing a semiconductor wafer using a laminate substrate as a support for said semiconductor wafer
JP4833706B2 (ja) 耐熱性表面保護テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP3325646B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機
JPS6222439A (ja) ウエ−ハ保護テ−プ
JP4462940B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20020061737A (ko) 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법
JP3523939B2 (ja) ウェハ加工用粘着シートおよびその製造方法
JP2000012492A (ja) 半導体ウェハの研磨方法および半導体ウェハ構造体
JP2003086550A (ja) ウェーハ研磨工程及びこれによるウェーハ後面処理方法
JP2843256B2 (ja) シリコン半導体ウエハの切断方法
JP3094488B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20030073264A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device from semiconductor wafer having thick peripheral portion
JP2005005447A (ja) 半導体基板の製造方法
CN212199092U (zh) 一种紫外光固化剥离压敏胶带

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee