KR100672936B1 - 상변환 기억소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 기판에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 상변환 물질패턴;상기 상변환 물질패턴 상에 형성된 상부 전극;상기 상부 전극 상에 형성된 도전성 하드마스크 패턴;상기 하부전극, 상기 상변환 물질패턴, 상기 상부 전극 및 상기 도전성 하드마스크 패턴이 형성된 기판 상에 형성되고, 소정 영역에 리세스된 얼라인먼트 키홀을 가지는 층간 절연막;상기 얼라인먼트 키홀의 내벽을 따라 형성된 얼라인먼크 키;및상기 층간 절연막 상에 형성되되 상기 도전성 하드마스크 패턴과 전기적으로 연결된 금속 배선층을 포함하며,상기 얼라인먼트 키홀은 상기 상부 전극 패턴보다 낮은 깊이까지 리세스된 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자.
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- 얼라인먼트키 영역, 주변 영역 및 셀 영역이 구비된 기판;상기 주변 영역 및 셀 영역에 각각 형성된 주변회로 트랜지스터 및 셀 트랜지스터;상기 주변회로 트랜지스터 및 셀 트랜지스터가 형성된 기판의 전면에 덮여진 제 1 층간 절연막;상기 제 1 층간 절연막 상에 형성되되, 상기 주변회로 트랜지스터의 소오스/드레인 영역에 접속된 금속 플러그, 상기 셀 트랜지스터의 소오스 영역에 접속된 스토리지 플러그 및 상기 셀 트랜지스터의 드레인 영역에 접속된 비트라인;상기 금속 플러그, 상기 스토리지 플러그 및 상기 비트라인이 형성된 기판의 전면에 덮여진 제 2 층간절연막;상기 제 2 층간절연막 내에 형성되되, 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 스토리지 플러그에 접속된 하부 전극;상기 제 2 층간절연막 상에 상변환 물질패턴, 상부 전극 패턴 및 도전성 하드마스크 패턴이 차례로 적층되어 상기 하부 전극에 접속된 정보저장부(data storage element);상기 정보저장부가 형성된 기판의 전면에 형성되되, 상기 얼라인먼트키 영역에 리세스된 얼라인먼트 키홀을 갖는 제 3 층간절연막;상기 제 3 층간절연막 상에 형성된 금속 배선층;상기 얼라인먼크 키홀의 내벽을 따라 형성된 얼라인먼트키 패턴;및상기 제 3 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 금속 플러그에 접속된 금속 콘택 패턴을 포함하며,상기 얼라인먼트 키홀은 상기 상부 전극 패턴보다 낮은 깊이까지 리세스된 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자.
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- 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 차례로 적층된 상변환 물질패턴, 상부 전극 패턴 및 도전성 하드마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 적층된 상변환 물질패턴, 상부 전극 패턴 및 도전성 하드마스크 패턴이 형성된 기판의 전면에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막을 패터닝하여 소정영역에 리세스된 얼라인먼트 키홀 및 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀 내에 콘택 패턴을 형성함과 동시에 상기 얼라인먼트 키홀의 내벽을 따라 형성된 얼라인먼트 패턴을 형성하는 단계;및상기 층간절연막 상에 상기 콘택 패턴 및 상기 도전성 하드마스크 패턴과 전기적으로 연결된 금속 배선층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 얼라인먼트 키홀은 상기 상부 전극 패턴보다 낮은 깊이까지 리세스되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자 제조방법.
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- 얼라인먼트키 영역, 주변 영역 및 셀 영역이 구비된 반도체 기판의 주변 영역에 주변회로 트랜지스터를 형성하고, 셀 영역에 셀 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 주변회로 트랜지스터 및 상기 셀 트랜지스터가 형성된 기판 전면에 제 1 층간절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 층간절연막을 관통하여 상기 주변회로 트랜지스터의 소오스/드레인 영역, 상기 셀 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역에 각각 연결된 하부 배선층을 형성하는 단계;상기 하부 배선층이 형성된 기판의 전면에 제 2 층간절연막을 형성하는 단계;상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 셀 트랜지스터의 소오스 영역에 전기적으로 연결된 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 상변환 물질패턴상변환 물질패턴및 금속 하드마스크 패턴이 차례로 적층된 정보저장부를 형성하는 단계;상기 정보저장부가 형성된 기판의 전면에 제 3 층간절연막을 형성하는 단계;상기 제 3 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막을 패터닝하여 상기 주변회로 영역의 하부 배선층을 노출시키는 콘택 홀 및 상기 얼라인먼트키 영역에 리세스된 얼라인먼트키 홀을 형성하는 단계;상기 얼라인먼트키 홀의 내벽을 따라 형성된 얼라인먼트키, 상기 콘택홀 내에 채워진 금속 콘택 패턴을 형성하는 단계;및상기 제 3 층간절연막 상에 상기 금속 콘택 패턴 및 상기 금속하드마스크 패턴에 각각 접속된 금속 배선층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 얼라인먼트 키홀은 상기 상부 전극 패턴보다 낮은 깊이까지 리세스되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자 제조방법.
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