KR100645193B1 - 정전기 방전 보호 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 소정 영역에 형성된 다수의 필드 산화막;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상에 형성된 웰 픽업 영역;상기 필드 산화막과 상기 게이트 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 소오스;상기 게이트와 상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 드레인 표류 영역;상기 드레인 표류 영역 내에 형성된 상기 드레인 표류 영역보다 고농도의 드레인 활성 영역; 및상기 드레인 표류 영역과 상기 드레인 활성 영역의 경계면상의 상기 반도체 기판상에 형성된 산화막을 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 소정 영역에 형성된 다수의 필드 산화막;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상에 형성된 웰 픽업 영역;상기 필드 산화막과 상기 게이트 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 소오스 표류 영역;상기 소오스 표류 영역내에 상기 소오스 표류 영역보다 고농도로 형성된 소오스 활성 영역;상기 게이트와 상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 드레인 표류 영역;상기 드레인 표류 영역 내에 형성된 상기 드레인 표류 영역보다 고농도의 드레인 활성 영역; 및상기 드레인 표류 영역과 상기 드레인 활성 영역의 경계면상의 상기 반도체 기판상에 형성된 산화막을 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화막은 상기 게이트와 접촉되지 않도록 형성된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 웰 픽업 영역, 상기 소오스 및 상기 게이트에 접지 전압을 인가하고, 상기 드레인 활성 영역에 포지티브 전압을 인가하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 웰 픽업 영역, 상기 소오스 활성 영역 및 상기 게이트에 접지 전압을 인가하고, 상기 드레인 활성 영역에 포지티브 전압을 인가하는 정전기 방전 보호 소자.
- 반도체 기판상의 소정 영역에 다수의 필드 산화막을 형성하는 단계;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 게이트를 형성하는 단계;상기 필드 산화막 사이의 소정 영역에 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 웰 픽업 영역을 형성하는 단계;상기 게이트와 상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 저농도 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 드레인 표류 영역을 형성하는 단계;상기 고농도 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 상기 필드 산화막과 상기 게 이트 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 소오스를 형성하고, 상기 드레인 표류 영역내에 드레인 활성 영역을 형성하는 단계; 및상기 드레인 표류 영역 및 상기 드레인 활성 영역의 경계면상의 상기 반도체 기판상에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 정전기 방전 보호 소자의 제조 방법.
- 반도체 기판상의 소정 영역에 다수의 필드 산화막을 형성하는 단계;상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 게이트를 형성하는 단계;상기 필드 산화막 사이의 소정 영역에 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 웰 픽업 영역을 형성하는 단계;저농도 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 상기 필드 산화막과 상기 게이트 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 소오스 표류 영역을 형성하고, 상기 게이트와 상기 필드 산화막 사이의 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 드레인 표류 영역을 형성하는 단계;고농도 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 상기 소오스 표류 영역내에 소오스 활성 영역을 형성하고, 상기 드레인 표류 영역내에 드레인 활성 영역을 형성하는 단계; 및상기 드레인 표류 영역 및 상기 드레인 활성 영역의 경계면상의 상기 반도체 기판상에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 정전기 방전 보호 소자의 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 필드 산화막을 트렌치형 소자 분리막을 포함하는 정전기 방전 보호 소자의 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 산화막은 상기 필드 산화막과 동일 공정으로 형성하는 정전기 방전 보호 소자의 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 산화막은 상기 게이트와 접촉되지 않도록 형성하는 정전기 방전 보호 소자의 제조 방법.
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