KR100638779B1 - 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 실리콘을 주성분으로 한 상기 제1 또는 제2 기판의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되어 있고,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면에 표면 활성화 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 삭제
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 실리콘을 주성분으로 한 상기 제1 또는 제2 기판의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되어 있고,상기 제1 및 제2 기판의 접합면 중 적어도 한쪽에 형성된 금속층을 갖고 있고,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면에 표면 활성화 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 삭제
- 제3항에 있어서,상기 금속층은 금을 주성분으로 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,상기 제1 또는 제2 기판 중 어느 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되고, 또한 다른 쪽이 사파이어를 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제6항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 접합면에 표면 활성화 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 기판은 상기 탄성 표면파 소자에 형성된 제1 전극 패드와 전기적으로 접속된 제2 전극 패드를 갖고,상기 탄성 표면파 소자는, 상기 제1 전극 패드가 형성된 면을 상기 제2 전극 패드와 마주 보게 한 상태에서 본딩되어, 전기적 또한 기계적으로 상기 제1 기판에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 기판은 상기 탄성 표면파 소자에 형성된 제1 전극 패드와 전기적으로 접속된 제2 전극 패드를 갖고,상기 탄성 표면파 소자는 상기 제1 전극 패드가 형성된 면과 반대측의 면이 상기 제1 기판에 접합됨으로써 고정되어 있고,상기 제1 전극 패드가 형성된 면을 제2 전극 패드와 마주 보게 한 상태에서 본딩되어, 상기 탄성 표면파 소자가 전기적 또한 기계적으로 상기 제2 기판에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 어느 한쪽에 상기 탄성 표면파 소자를 수용하기 위한 캐비티가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판의 양쪽에 상기 탄성 표면파 소자를 수용하기 위한 캐비티가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄성 표면파 소자는 2개 이상의 필터 소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제12항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에, 상기 필터 소자의 임피던스를 정합하기 위한 정합 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제13항에 있어서,상기 2개 이상의 필터 소자에 공통으로 접속된 입출력 단자를 갖고,상기 정합 회로는 상기 2개 이상의 필터 소자와 상기 입출력 단자를 개개에 접속하는 배선 중 어느 하나 이상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표 면파 디바이스.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘을 주성분으로 하여 제작한 상기 제1 및/또는 제2 기판의 저항률이 100Ω·㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 실리콘을 주성분으로 한 상기 제1 또는 제2 기판의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되는 공정과,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면에 표면 활성화 처리를 실시하는 표면 활성화 공정과,상기 표면 활성화 처리가 실시된 상기 접합면이 마주 보도록 상기 제1 및 제2 기판을 접합하는 기판 접합 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법에 있어서,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 실리콘을 주성분으로 한 상기 제1 또는 제2 기판의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되는 공정과,상기 제1 및 제2 기판의 상기 접합면 중 적어도 한쪽에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정과,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면에 표면 활성화 처리를 실시하는 표면 활성화 공정과,상기 표면 활성화 처리가 실시된 상기 접합면이 마주 보도록 상기 제1 및 제2 기판을 접합하는 기판 접합 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,상기 제1 또는 제2 기판 중 어느 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되고, 또한 다른 쪽이 사파이어를 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되는 공정과,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면이 마주 보도록 상기 제1 및 제2 기판을 접합하는 기판 접합 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
- 제1 기판에 고정된 탄성 표면파 소자가 제2 기판으로 밀봉된 구성을 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,상기 제1 또는 제2 기판 중 어느 한쪽이 실리콘을 주성분으로 하여 제작되고, 또한 다른 쪽이 사파이어를 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 및 제2 기판은 접합면을 갖고,상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 한쪽의 상기 접합면 이외의 영역에 전기 회로가 형성되는 공정과,상기 제1 및 제2 기판의 상기 접합면 중 적어도 한쪽에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정과,상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 상기 접합면이 마주 보도록 상기 제1 및 제2 기판을 접합하는 기판 접합 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 제1 기판은 상기 사파이어를 주성분으로 하여 제작되어 있고,상기 제1 기판과 상기 탄성 표면파 소자에서의 빗형 전극이 형성된 면과 반대측의 면을 접합하는 접합 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
- 제16항, 제17항, 제20항, 제21항, 또는 제22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판은 한번에 복수의 상기 탄성 표면파 디바이스를 제작하는 것이 가능한 다면취 구조를 갖고,상기 접합 공정에서 접합한 상기 제1 및 제2 기판을 개개의 상기 탄성 표면파 디바이스로 절단하는 절단 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
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Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3418373B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2003-06-23 | エヌ・アール・エス・テクノロジー株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2004228911A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Tdk Corp | 分波器 |
US7982364B2 (en) * | 2005-04-01 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same |
DE102005044216A1 (de) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Smartrac Technology Ltd. | Chipmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
US7436270B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-10-14 | Delphi Technologies, Inc. | Structure and method for improving the reliability of surface mounted ceramic duplexers |
JP4535286B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-09-01 | Tdk株式会社 | 弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置 |
JP5270349B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-08-21 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2008038767A1 (fr) * | 2006-09-30 | 2008-04-03 | Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. | dispositif piézoélectrique |
JPWO2011126000A1 (ja) | 2010-04-08 | 2013-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9270251B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-23 | Adaptive Methods, Inc. | Carrier for mounting a piezoelectric device on a circuit board and method for mounting a piezoelectric device on a circuit board |
JP6509147B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-05-08 | 太陽誘電株式会社 | 電子デバイス |
JP6315716B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2018-04-25 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP6245587B1 (ja) | 2016-10-28 | 2017-12-13 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | レーザー部品 |
JP7211082B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスおよび振動モジュール |
WO2020179540A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
CN114391225A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-22 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种多工装置 |
CN111192832B (zh) * | 2020-01-09 | 2021-05-07 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 芯片封装方法和芯片封装结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Hitachi Media Electron:Kk | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
JP2001196488A (ja) | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Nec Corp | 電子部品装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5414137A (en) | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Toshiba Corp | Elastic surface wave unit |
JPH02143836U (ko) | 1989-05-09 | 1990-12-06 | ||
JPH04170811A (ja) | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
US5448014A (en) * | 1993-01-27 | 1995-09-05 | Trw Inc. | Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices |
JPH06268473A (ja) | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Nippon Steel Corp | 高周波集積回路素子 |
JPH0722808A (ja) | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Japan Radio Co Ltd | 複合フィルタ |
JP2998510B2 (ja) | 1993-09-13 | 2000-01-11 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品とその製造方法 |
JPH0818390A (ja) | 1994-07-01 | 1996-01-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3669463B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2005-07-06 | Tdk株式会社 | 樹脂封止表面実装型電子部品 |
JP2001053088A (ja) | 1999-08-16 | 2001-02-23 | Pmt:Kk | リードフレームのレジンバリ除去方法 |
JP2001110946A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Toshiba Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2002141771A (ja) | 2000-08-21 | 2002-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ装置 |
JP2002184960A (ja) | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ |
JP2002261581A (ja) | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Tdk Corp | 高周波モジュール部品 |
JP2002330050A (ja) | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Nrs Technology Kk | 中空樹脂モールド弾性表面波フィルタ |
US7034441B2 (en) * | 2002-11-13 | 2006-04-25 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | Surface mount crystal unit and surface mount crystal oscillator |
-
2003
- 2003-04-08 JP JP2003104593A patent/JP3913700B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-30 CN CN2004100342109A patent/CN1536763B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-30 US US10/812,362 patent/US7274129B2/en active Active
- 2004-04-07 KR KR1020040023624A patent/KR100638779B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Hitachi Media Electron:Kk | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
JP2001196488A (ja) | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Nec Corp | 電子部品装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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