KR100630294B1 - 발광 장치 및 발광장치를 형성하는 방법 - Google Patents

발광 장치 및 발광장치를 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

하부 발광형 발광장치에서, 발광 소자의 반대쪽에 있는 기판의 면은 복수의 돌기를 가진 요철면이다. 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이고, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이다. 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 3°이상 20°이하이다. 따라서, 장치는 대체적으로 더 높은 취출 (extraction) 효율 및 특정한 방향으로 더 높은 휘도를 가진다.
발광장치, 요철면, 산술 평균 경사

Description

발광 장치 및 발광장치를 형성하는 방법{LIGHT-EMITTING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING THE SAME}
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 유기 EL 장치를 도시한 단면도.
도 2 는 제 1 유기 EL 장치의 광 출사면의 산술 평균 경사 Δa 와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 3a 내지 3c 는 도 1 에서 도시한 제 1 유기 EL 장치를 형성하는 공정을 도시하는 단면도.
도 4 는 제 1 유기 EL 장치 의 변형예를 도시하는 단면도.
도 5 는 발광 소자가 무기 EL 소자로 대체된 제 1 유기 EL 장치의 변형예를 도시하는 단면도.
도 6 은 프리즘 시트를 가지고 있는 제 1 유기 EL 장치를 도시하는 단면도.
도 7 은 제 1 유기 EL 장치를 백라이트로서 가지고 있는 액정 표시장치 유닛을 도시하는 단면도.
도 8 은 제 2 유기 EL 장치의 광 출사면의 제곱근 평균 경사 Δq 와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 9 은 제 3 유기 EL 장치의 광 출사면의 Ra/S 비와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 10 은 제 4 유기 EL 장치의 광 출사면의 Ra/Sm 비와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 11 은 제 5 유기 EL 장치의 광 출사면의 Rz/S 비와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 12 은 제 6 유기 EL 장치의 광 출사면의 Ra/Sm 비와 광 출사면을 통해 밖으로 출사하는 광량 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 13 은 종래 발광 장치의 단점을 설명하는 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부분의 설명
1 : 기판 2 : 유기 EL 소자
10 : 광 출사면 11 : 입사면
본 발명은 발광 소자가 형성된 기판을 갖는 하부 발광형 발광 장치와 관한 것이다. 발광 소자는 유기 EL 소자 또는 무기 EL 소자이다. 그러한 소자는 전극의 쌍 사이에 협지되어 있는 발광층을 갖는다. 하부 발광형 발광장치는 발광층에 의해 생성된 광을 기판을 통해 출사한다. 또한 본 발명은 상기 장치를 형성하는 방법에 관한 것이다.
유기 EL 장치 및 무기 EL 장치와 같은 발광 장치를 이용하는 광 시스템 및 디스플레이가 제안되어 왔다. 그러한 발광 장치들은 발광층에 의해 생성된 광 을 기판을 통하여 출사하는 하부 발광형과 기판의 반대측을 통해 광을 출사하는 상부 발광형으로 대강 나눌 수 있다.
하부 발광형 발광 장치는 발광층에 의해 생성된 광의 상대적으로 작은 부분을 취출하는 것으로 지적되어 왔다.
도 13 에서 도시하는 하부 발광형 유기 EL 장치에서, 투명 기판 (100) 에 진입하는 광은 투명 기판 (100)의 광 출사면 (100a) 을 통해 전체가 출사되지 않는다. 예를 들어, 일부분의 광은 투명 기판 (100) 및 밖의 대기 (전형적으로, 공기) 에 의해 정의되는 임계각보다 큰 각에서 광 출사면 (100a) 에 도달한다. 그러한 광은 유기 EL 소자 (200) 를 향해 반사되는 부분과 광선 h1 으로서 에지를 통해 장치 밖으로 취출되는 부분 및 광선 h2 로서 장치에서 감쇄하는 부분을 포함한다. 이러한 부분의 광은 이용될 수 없다.
종래에, 상기 단점에 대응하는 기술이 개시되었다 (예를 들어, 일본 공개 특허 제 9-129375 호). 특히, 광 출사면 (광 취출면) 에서 투명 기판의 면은 확산면 (돌기를 가지는 요철면) 으로 형성되어 광 취출면에서의 전체 반사에 기인한 광의 억제가 감소된다. 취출 효율이 개선된다.
그러나, 어떤 경우에, 광 취출면 상에 돌기를 형성하는 것은 요철면이 제공되지 않는 경우와 비교하여 취출 효율을 실질적으로 개선하지 않는다.
광 취출면으로부터의 특정한 방향의 발광양을 증가시키지 않고, 발광 장치로부터 취출되는 광이 대체적으로 이용될 수 없다.
따라서, 광 취출면 상에 돌기를 가지고 있지 않은 발광 장치보다 대체적으로 더 높은 취출 효율 및 특정한 방향에서 더 높은 휘도를 가지고, 장치로부터 취출된 광이 대체적으로 이용될 수 있도록 하는 하부 발광형 발광 장치를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 또한, 본 발명은 그러한 장치를 형성하는 방법에도 관한 것이다.
상기-언급된 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 발광 장치를 제공한다. 장치는 기판 및 상기 기판 상에 제공된 발광 소자를 포함한다. 상기 소자는 전극 쌍 사이에 협지되는 발광층을 포함한다. 발광층에 의해 생성된 광은 기판을 통해 장치의 밖으로 출사된다. 기판은 상기 소자가 형성된 제 1 면 및 상기 제 1 면의 반대측에 위치한 제 2 면을 가진다. 제 2 면은 복수의 돌기를 가지는 요철면이다. 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이고, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이다. 적어도, 다음 요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 의 하나가 만족된다.
(ⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 (arithmetic mean slope) Δa 는 3°이상 20°이하 범위이다..
(ⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 (root mean square slope) Δq 는 4°이상 25°이하이다.
(ⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 (arithmetic mean roughness) Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이다.
(ⅳ) 돌기의 평균 간격 (mean spacing of asperities) Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이다.
(ⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이다.
(ⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 10-포인트 불규칙성 높이 (ten-point height of irregularities) Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 발광 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 방법은 제 1 면 및 제 2 면을 가지는 기판을 준비하는 단계를 포함한다. 제 2 면은 제 1 면으로부터 반대측에 위치한다. 방법은, 상기 제 1 면 상에 발광층 및 발광층을 사이에 협지하고 있는 한 쌍의 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 면 상에 복수의 돌기를 가지는 요철면을 형성하는 단계를 포함한다. 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이고, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이다. 요철면은 적어도 상기 요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 중 하나가 만족되도록 형성된다.
본 발명의 다른 양태 및 이점은 예로서 본 발명의 원리를 나타낸, 첨부된 도면과 관련하여 다음 설명으로부터 알 수 있다.
본 발명은, 본 발명의 목적 및 이점과 함께, 첨부된 도면과 함께 현재의 바람직한 실시형태의 다음 설명을 참고하여 최상으로 이해될 수 있다.
다음으로 본 발명의 다양한 실시형태를 도면을 참고로 하여 설명한다. 도면 부호는 도면에서 유사하거나 또는 동일하다. 다음으로 제 1 유기 EL 장치를 설명한다.
도 1 에서 도시된 바와 같이, 제 1 유기 EL 장치는 투명 기판 (1) 및 유기 EL 소자 (2) 를 포함하는 하부 발광형이다. 돌기는 투명기판 (1) 의 한 면 (광 출사면 10) 상에 형성된다. 즉, 광 출사면 (10) 은 요철면이다. 유기 EL 소자 (2) 는 입사면 (11) 상에 형성된다.
<기판1>
기판 (1) 은 유기 EL 소자 (2) 를 지지하는 대체로 플레이트-형상의 투명 멤버이다. 기판 (1) 은 유기 EL 소자 (2) 가 형성되어 있는 입사면 (11) 및 입사면 (11) 로부터 반대쪽에 위치하는 광 출사면 (10) 을 가진다. 기판 (1) 은 입사면 (11) 을 통해 유기 EL 소자 (2) 로부터 수광하고, 광 출사면 (10) 을 통해 수광된 광을 출사한다.
제 1 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 이 다음 요구조건 (ⅰ) 을 만족하는 요철면으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
(ⅰ) 산술 평균 경사 Δa 은 3°이상 20°이하이다.
산술 평균 경사 Δa 는 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 산술 평균 경사 Δa 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 측정된 커브는 평균 라인을 따라 각각이 ΔX 의 길이를 가지는 섹션으로 나누어진다. 그 후, 섹션의 시점과 종점을 연결하는 각각의 섹션의 라인 조각의 경사각의 절대값이 얻어진다. 그 후, 얻어진 절대값의 평균값은 계산된다. 즉, 산술 평균 경사 Δa 는 다음의 식을
Figure 112004020450706-pat00001
이용하여 계산된다.
이 식에서, 경사각은
Figure 112004020450706-pat00002
로 표시된다.
광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅱ) 을 만족하는 요철면으로 형성되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게, 광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅲ) 을 만족하는 요철면으로 형성된다. 가장 바람직하게, 광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅳ) 을 만족하는 요철면으로 형성된다.
(ⅱ) 산술 평균 경사 Δa 은 5°이상 20°이하이다.
(ⅲ) 산술 평균 경사 Δa 은 8°이상 18°이하이다.
(ⅳ) 산술 평균 경사 Δa 은 12°이상 14.5°이하이다.
요철면 (광 출사면 10) 은 다음의 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족하도록 디자인된다.
이것은, 만약 Sm 또는 S 가 다음의 하한값 이상으로 설정된다면, 기하학적 광학의 시뮬레이션이 수행되어, 유기 EL 장치의 광학 특성의 디자인을 상당히 용이하게 할 수 있기 때문이다.
만약 Sm 또는 S 가 다음의 상한값보다 크다면, 입사면 (11) 은 광학적으로 평평하다고 생각된다. 이 경우, 입사면 (11) 은 어떠한 돌기가 형성되어 있지 않은 경우와 대체적으로 동일한 조건이다.
(a) 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 은 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이고, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이다.
(b) 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이고, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이다.
인접한 돌기의 평균 간격 Sm 은 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 돌기의 평균 간격 Sm 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 기준 길이 L 에 대응하는 섹션이 평균 라인의 방향을 따라가는 조도 커브 (roughness curve) 로부터 선택된다. 그 후, 평균 라인이 연장되는 방향에 관하여, 각각의 피크와 인접한 밸리 (valley) 의 거리 Smi 가 얻어진다. 그 후, 거리 Smi 의 평균값이 계산되고 밀리미터로 표시된다. 즉, 돌기의 평균 간격 Sm 은 다음 식
Figure 112004020450706-pat00003
을 이용하여 계산된다.
인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 피크의 평균 간격 S 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 기준 길이 L 에 대응하는 섹션이 평균 라인의 방향에 따라 조도 커브로부터 선택된다. 그 후, 평균 라인이 연장되는 방향에 관하여, 피크의 각각의 인접한 쌍 사이의 거리 Si 가 얻어진다. 그 후, 거리 Si 의 평균값이 계산되고 밀리미터로 표시된다. 즉, 피크의 평균 간격 S 는 다음 식
Figure 112004020450706-pat00004
을 이용하여 계산된다.
유기 EL 소자 (2) 가 기판 (1) 상에 형성되고 기판에 의해 지지될 수 있고 기판 (1) 이 투명하는 한, 기판 (1) 은 어떠한 재료로도 형성될 수 있다. 전형적으로, 기판 (1) 은 유리, 석영 또는 플라스틱으로 제조된다. 다른 방법으로, 기판 (1) 은 동일한 형 (type) 또는 상이한 형의 두 가지 이상의 기판을 결합하여 형성될 수도 있다.
본 명세서에서, "투명한" 이라는 용어는 장치에서 출사하는 광의 투과율이 50% 이상이고, 바람직하게는 80% 이상이며, 가장 바람직하게는 90% 이상인 상태를 의미한다. 전형적으로, 투명도는 약 400㎚ 내지 800㎚ 사이의 파장인 광 (가시광) 이 장치에서 출사하도록 결정된다. 투명도가 너무 낮은 경우, 발광층으로부터의 발광이 감쇄되고, 광 발광장치로서 요구되는 휘도가 좀처럼 얻어질 수 없다.
본 발명의 발명자는 상기 값들의 범위가 다음 예 및 비교예를 통해 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 의 산술 평균 경사 Δa 가 0°보다 크고 25°까지의 범위에서 변화하도록 형성되었다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 동일하다. 다음으로, 예 및 비교예의 유기 EL 장치를 만드는 공정을 설명한다.
각각 입사면 및 광 출사면을 가지는 플레이트 형상의 투명 기판이 준비된다. 마스크를 이용하여, 각각의 기판의 입사면 상에 포토레지스트가 형성된다. 포토레지스트는 광 출사면 상에 형성될 돌출부에 대응하는 패턴을 정의하도록 적용된다. 이 상태에서, 광 출사면은 에칭된다. 따라서, 돌기를 갖는 광 출사면 (10) 은 완성된다. 광 출사면 (10) 이 형성된 후, 광 출사면 (10) 의 산술 평균 경사 Δa 가 조도 미터를 이용하여 측정된다.
산술 평균 경사 Δa 를 측정한 후에, 입사면 (11) 상에 투명 전극, 또는 두께 50㎚ 를 갖는 제 1 전극 (20) 이 RF 스퍼터링을 통해 ITO 로 형성된다. 제 1 전극 (20) 을 형성한 후에, 유기 발광층 (21) 이 진공 증착 장치 또는 카본 도가니를 이용하여 형성된다. 이 때, 증착 스피드는 0.1 n㎧ 이고, 진공도는 5.0 ×10-5Pa 이다. 형성된 유기 발광층 (21) 은 홀 주입 전송층, 유기 발광 물질을 포함하는 층, 및 전자 주입 전송층을 포함한다. 홀 주입 전송층은 TPTE 로 형성되고, 두께는 80 ㎚ 이다. 유기 발광 물질 포함 층은 DPVBi (93.0 웨이트 %) 및 BCzVBi (7.0 웨이트 %) 의 공동증착에 의해 형성되고, 두께는 30 ㎚ 이다. 전자 주입 전송층은 2, 5-비스(6'-(2',2''-비피리딜))-1 (5-bis(6'-(2',2''-bipyridyl))-1), 1-디메틸-3, 4-디페닐실롤레 (4-diphenylsilole) 로 형성되고, 두께는 20 ㎚ 이다. 그 후, 두께 150㎚ 인 알루미늄 층 (제 2 전극 22) 이 텅스 텐 보트를 이용하여 형성된다. 이 때, 증착 스피드는 1 n㎧ 이고, 진공도는 5.0×10-5Pa 이다. 유기 EL 장치는 따라서 완성된다. 각각의 유기 EL 장치는 종래의 보호막 (패시베이션 막) 으로 밀봉된다.
[평가 1]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 출사되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 광 출사면 (10) 의 산술 평균 경사 Δa 와 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 2 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 방법과 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 가지고 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비 (휘도비) 로서 표현된다. 기준 유기 EL 장치의 휘도는 산술 평균 경사 Δa 가 0°인 위치 상에 플로팅 (plot) 된다. 발명자는 도 2 의 실험 결과를 다음과 같이 평가하였다.
산술 평균 경사 Δa 가 3°이상 20°이하인 요철면으로 광 출사면 (10) 이 형성될 때, 광출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.1 배이다. 이에 대한 이유는 다음과 같이 여겨진다. 즉, 광 출사면 (10) 이 평평할 경우, 임계각보다 큰 각에서 광 출사면 (10) 에 도달하는 광은 전적으로 투명 기판 (1) 으로 반사된다. 그러나, 광 출사면 (10) 이 요철면으로 형성된 경우, 광 출사면 (10) 은 다양한 각의 탄젠트를 가진다. 따라서, 종래에 광 취출측으로 취출되지 못했을 광의 부분 또는 모두를 취출하는 것이 가능하 다.
따라서, 발명자는 광 출사면 (10) 이 산술 평균 경사 Δa 가 3°보다 작은 요철면으로 형성될 때, 광 출사면 (10) 을 통하여 밖으로 출사하는 광량이 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다. 즉, 광 취출에 적합한 요철면이 제공되지 않은 경우, 취출 광량이 평평한 광 출사면의 취출광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다.
산술 평균 경사 Δa 가 5°이상 20°이하인 요철면으로 광 출사면 (10) 이 형성될 때, 광출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 본 요구조건은 취출광에 적합하다는 것을 알아냈다.
산술 평균 경사 Δa 가 8°이상 18°이하인 요철면으로 광 출사면 (10) 이 형성될 때, 광출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출 효율이 상당히 증가되었다.
산술 평균 경사 Δa 가 12°이상 14.5°이하인 요철면으로 광 출사면 (10) 이 형성될 때, 광출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출 효율이 특히 증가되었다.
[평가 2]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은 산술 평균 경사 Δa 가 3°이상 20°이하의 범위일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출 각에 의존성이 없다.
이에 대한 이유는 광 출사면 (10) 상의 돌기의 디프레션 및 돌출부 각각이 다양한 방향에의 확산광에 대해 최적화된 형상인 것으로 여겨진다. 즉, 광 출사면 (10) 의 형상이 최적화되었기 때문에, 광 출사면 (10) 으로부터의 각각의 파장의 광의 휘도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 3]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은 모든 장치에서, 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 휘도는 모든 취출방향에서 동등하게 높지 않기 때문에, 장치는 특정한 방향에서의 휘도가 높을 필요가 있는 사용시, 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템에 대해, 적합하다.
다음으로 유기 EL 소자 (2) 를 설명한다.
<유기 EL 소자 (2)>
도 1 에서 도시한 바와 같이, 유기 EL 소자 (2) 는 한 쌍의 전극 (20 및 22) 및 전극 (20 및 22) 사이에 협지된 유기 발광층 (21) 을 갖는다. 발광층 (21) 은 유기 발광 물질을 포함한다. 유기 EL 소자 (2) 는 소정의 컬러의 광 (소정 파장의 광 또는 소정 색도의 광) 을 발광한다. 종래 유기 EL 소자는 유기 EL 소자 (2) 로 사용될 수 있다.
[제 1 전극 20]
하부 발광형인 제 1 유기 EL 장치의 제 1 전극 (20) 은 유기 발광층 (21) 에 관하여 광 취출측 상에 형성되기 때문에, 제 1 전극 (20) 은 투명할 필요가 있다. 제 1 전극 (20) 은 애노드 또는 캐소드이다. 제 1 전극 (20; 투명 전극) 에 대한 재료는 캐리어 (홀 또는 전자) 가 효과적으로 유기 발광층 (21) 에 주입되도록 허용하는 재료가 바람직하다.
애노드로서는, 일 함수가 4.5 eV 내지 5.5 eV 인 재료가 바람직하다. 특히 인듐 틴 옥사이드 (ITO), 인듐 아연 옥사이드 (IZO), 인듐 옥사이드 (In2O3), 틴 옥사이드 (SnO2) 및 아연 옥사이드 (ZnO) 의 임의의 하나를 주 구성요소로 갖는 재료가 바람직하다.
이러한 옥사이드는 화학량 (ctoichiometry) 으로부터 다소 편향될 수도 있다. ITO 에 있어서의 In2O3 에 대한 SnO2 의 혼합비의 바람직한 범위는 예를 들어 1 내지 20 wt% 이고, 바람직하게는 5 내지 12 wt% 이다. IZO 에 있어서의 In2O3 에 대한 ZnO 의 혼합비의 바람직한 범위는 예를 들어 12 내지 32 wt% 이다. 또한, 평균 혼합비가 전체 투명 제 1 전극 (20) 에서 이러한 범위에 있는 경우, 집중 그레디언트 (concentration gradient) 는 두께 방향에 있을 수 있다.
상기에 열거한 구성요소를 제외하고, Sn, Ti, 및 Pb 의 옥사이드는 옥사이드에 관하여 1 wt% 애노드의 재료에 포함될 수 있다.
캐소드는 유기층에 전자를 주입하는 전극이다. 전자 주입의 효율을 증가시키기 위하여, 금속, 합금, 전자전도성 화합물, 및 4.5eV 보다 적고, 일반적으로 4.0eV 이하이고, 전형적으로는 3.7eV 이하인 일 함수를 가지는 이러한 물질의 혼합물이 전극에 대한 재료로서 이용된다.
애노드로서 열거된 재료는 캐소드에 대해서도 사용될 수 있다. 또한, 다음의 재료도 이용될 수 있다.
예를 들어, 마그네슘-은 합금으로 형성된 초박막 상에 투명 전도성 옥사이드를 적층하여 형성된 전극이 사용될 수 있다. 캐소드에서, 구리 피탈로샤나인 (phthalocyanine) 을 포함하는 버퍼층은 바람직하게 캐소드와 유기 발광층 (21) 사이에 제공되어 도전성 옥사이드를 스퍼터링할 때 발광층 (21) 및 다른 구성요소가 플라즈마에 의해 손상받는 것을 방지한다.
[유기 발광층 21]
유기 발광층 (21) 은 제 1 전극 (20) 및 제 2 전극 (22) 의 적어도 하나로부터 캐리어 (전자 또는 홀) 의 재결합을 허용하고, 여기자 (exciton) 를 생성하고, 그라운드 상태로 다시 돌아갈 때 여기자가 발광하도록 야기한다. 유기 발광층 (21) 은 주로 유기 물질로 형성된다.
요구되는 기능 이상을 유기 발광층 (21) 에 제공하는 유기 물질은 사용될 수 있다. 또한, 각각이 상이한 기능을 발광층 (21) 에 제공하는 다양한 물질이 사용될 수 있다. 이러한 물질에 대해, Alq3 또는 DCM 과 같은 종래 유기 EL 소자의 유기 발광층에 사용되던 물질이 사용될 수도 있다.
또한, 유기 발광층 (21) 은 적층 구조를 가질 수 있고, 각각의 층은 요구된 기능 중의 하나를 가질 수 있다. 이 경우, 발광을 생성하는 형광 물질 또는 인광 물질 (유기 발광 물질) 을 포함하는 층은 층을 포함하는 유기 발광 물질이라고 참조된다.
예를 들어, 캐소드로부터 전자 주입 기능을 갖는 전자 주입층 또는 전자 주입 전송층은 캐소드와 층을 포함하는 유기 발광 물질 사이에 제공될 수 있다. 전자 전송 기능을 가지는 전자 전송층은 층을 포함하는 유기 발광 물질과 캐소드 사이 또는 층을 포함하는 유기 발광 물질과 전자 주입층 사이에 제공될 수도 있다. 애노드로부터 홀을 주입하는 기능을 갖는 홀 주입층 또는 홀 주입 전송층은 제공될 수 있다. 다른 방법으로, 홀 전송 기능을 갖는 홀 전송층도 제공될 수 있다.
종래의 유기 EL 소자와 동일한 층 구성 및 물질은 채택될 수 있다.
발광된 광의 컬러는 종래 유기 EL 소자에서의 광의 컬러를 조절하는 방법과 동일한 방법으로 조절될 수 있다. 예를 들어, 다음의 조절 방법을 사용할 수 있다.
여기 상태에서 그라운드 상태로 되돌아올 때, 유기 발광층 (21) 에 발광을 생성하는 기능을 제공하는 물질 (유기 발광 물질) 형을 선택한다.
유기 발광층 (21) 에 부과되는 유기 물질 또는 유기 발광 물질의 혼합비를 조절한다.
혼합된 유기 발광 물질량을 조절한다.
유기 발광층 (21) 의 두께를 조절한다.
장치에서 출사하는 광의 파장을 제한하기 위해 종래의 컬러 필터층을 유기 EL 장치에 제공한다.
수광된 광의 파장을 변화시키는 컬러 변화 물질을 부가한다.
둘 이상의 유기 발광 물질 형 (type) 이 혼합되어, 둘 이상의 컬러가 생성되 고, 따라서 부가적인 컬러를 표현한다.
생성된 광의 컬러를 조절하기 위하여 발광을 증진시키거나 방해하는 물질을 부가한다.
유기 발광층 (21) 에 인가된 전류량에 의해, 생성된 광의 컬러를 조절한다.
[제 2 전극 (22)]
만약 제 1 전극 (20) 이 애노드라면, 제 2 전극 (22) 는 캐소드이다. 만약 제 1 전극 (200 이 캐소드라면, 제 2 전극 (22) 는 애노드이다. 따라서, 종래 유기 EL 소자에 사용되고 애노드 또는 캐소드에 대한 요구조건을 만족하는 재료는 사용될 수 있다. 따라서, 제 1 전극 (20) 에 대한 물질은 제 2 전극 (22) 에 대해서도 사용될 수 있다.
그러나, 제 2 전극 (22) 는 광 취출측을 향해 광 취출측의 반대측으로 발광하는 광을 반사함으로써 장치의 취출 효율을 증가시키는 것이 바람직하고, 유기 EL 소자 (2) 가 발광하지 않을 때 광 취출측을 통해 수광된 광을 반사하는 것이 바람직하기 때문에, 제 2 전극 (22) 는 반사 기능을 가지는 것이 바람직하다. 제 2 전극 (22) 에 반사 기능을 부가할 때, 종래 유기 EL 소자에 이용되던 금속 또는 합금은 사용될 수 있다. 특히, 제 2 전극 (22) 에 사용되는 재료는 애노드 또는 캐소드로서 요구되는 특성에 부가하여 다음의 특성을 갖도록 요구된다. 즉, 유기 발광층 (21) 으로부터의 광 및 장치의 밖으로부터 인가된 광의 전체 파장 범위 안에서, 재료는 적어도 파장 범위의 광을 반사하여 광 출사면 (10) 으로부터 장치의 밖으로 취출되도록 할 필요가 있다.
또한, 층 및 상기에 열거된 재료를 제외한 종래 유기 EL 소자의 재료는 결합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극 (22) 에 광 반사 기능을 부가함이 없이, 광 반사 멤버는 광 취출측의 반대쪽에 있는 유기 발광층 (21) 의 측상에 제공될 수 있다. 또한, 반투명 반사 멤버 (하프-미러) 가 유기 EL 소자 (2) 에 제공될 수도 있다.
다음으로 제 1 유기 EL 장치를 형성하는 방법을 설명한다.
<형성 방법>
제 1 유기 EL 장치는 기판을 형성하는 종래 방법 및 유기 EL 소자를 형성하는 종래 방법을 통해 형성된다. 기판 형성 방법에서, 기판 (1) 의 입사면 (11) 상에 상기 언급한 조건들을 만족하는 돌기들은 형성된다. 유기 EL 소자 제조 방법에서, 입사면 (11) 상에 유기 EL 소자 (2) 를 형성하는 층은 연속적으로 형성된다. 예를 들어, 제 1 유기 EL 장치는 다음의 방법으로 형성된다.
먼저, 도 3a 에 도시된 플레이트 형상의 투명 기판 (1') 이 준비된다. 투명 기판 (1') 의 한 측 (광 출사면 10') 으로, 디프레션 및 돌출부의 배치에 대응하는 패턴이 형성되는 마스크가 적용된다. 그 후, 마스크를 이용하여, 기판 상에 포토레지스트가 형성되어 패턴을 형성한다. 이 상태에서, 투명 기판 (1') 은 에칭되어 요철면 (10) 가 도 3b 에 도시한 것과 같이 형성된다.
그 후, 도 3c 에 도시된 바와 같이, 투명 기판 (1) 의 입사면 (11) 상에, 제 1 전극 (20) 이 형성된다. 제 1 전극 (20) 상에는 유기 발광층 (21) 및 제 2 전극 (22) 이 또한 연속적으로 형성된다.
유기 EL 장치는 상기-설명한 방법으로 형성된다.
광 출사면 (10) 을 에칭하는 대신에, 기판을 제조하는 다른 방법이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 샌드블라스팅의 표면 처리도 사용될 수 있다. 다른 방법으로, 돌기를 갖는 내부면을 갖는 몰드도 사용될 수 있다. 이 경우, 용융 투명 수지 또는 유리는 몰드에 부어져, 광 출사면 (10) 을 갖는 기판 (1) 을 형성한다.
유기 EL 소자 (2) 가 투명 기판 (1) 상에 형성된 후 광 출사면 (요철면) (10) 이 형성될 수 있다. 이 경우, 요철면이 상기 상술한 공정을 통해 형성될 수 있다 할지라도, 요철면은 샌드블라스팅의 표면 처리를 통해 형성되는 것이 바람직하다. 이것은 요철면을 형성하기 위해 광 출사면 (10) 에 샌드블라스팅을 하는 동안, 샌드블라스팅의 표면 처리는 유기 EL 소자 (2) 가 보호되는 것을 요구하지 않기 때문이다.
또한 투명 기판 (1) 상에 유기 EL 소자 (2) 를 형성한 후, 광 출사면 (10) 상에 요철면을 형성할 때, 투명 기판 (1) 은 요철면을 형성함과 동시에 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어, 샌드블라스팅을 통한 표면 처리가 적용될 때, 전체 광 출사면 (10) 을 샌드블라스팅하는 것은 요철면을 형성할 뿐만 아니라, 투명 기판 (1) 을 더 얇게 형성할 수 있다.
투명 기판 (1) 상에 유기 EL 소자 (2) 를 형성한 후에 요철면을 형성하는 방법은 다음의 이유로 훌륭하다. 즉, 투명 기판 (1) 은 특정한 두께, 강도, 및 면 매끄러움을 가지고 있기 때문에, 유기 EL 소자 (2) 의 각층은 균등하게 형성된 다. 또한, 유기 EL 소자 (2) 가 형성된 후에, 형성된 유기 EL 장치에서 두꺼울 필요가 없는 투명 기판 (1) 의 두께는 감소된다. 또한, 취출 효율은 개선된다.
만약, 투명 기판 (1) 이 얇게 형성된다면, 유기 발광층 (21) 에 의해 생성되는 광은 투명 기판 (1) 에서 감쇄하는 것이 방지되며, 형성된 유기 EL 장치의 크기 (두께) 및 무게는 감소된다.
<이점>
상기-상술한 구성을 갖는 이러한 실시형태에 따른 유기 EL 장치는 다음의 이점을 갖는다.
고 취출 효율
광 출사면 (10) 은 상기 상술한 것과 같이 최적화되었기 때문에, 취출 효율은 평평한 광출사면을 갖는 종래 유기 EL 장치의 취출효율과 비교하여 더 높다.
즉, 광 출사면 (10) 은 단순히 돌기를 광 출사면 상에 형성함으로써 얻어질 수는 없는 성능을 갖는다.
특정한 방향에서의 휘도의 개선
예를 들어, 유기 EL 장치가 발광할 때, 광 출사면 (10) 에 대한 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 크다. 또한, 특정한 방향은 Δa 를 변경함으로써 바뀔 수 있다는 것을 발견하였다.
그러한 휘도의 변경은 디프레션의 광 수집 특성과 디프레션 및 돌출부에 의한 반사 및 굴절에 기인한 것으로 여겨진다.
따라서, 발광은 효율적으로 이용되기 때문에, 제 1 유기 EL 장치는 다른 방 향에서와 비교하여 특정한 방향에서 갖도록 요구되는 장치 (예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템) 에 적합하다.
반사 특성의 개선
유기 EL 장치는 상기에서 상술한 바와 같이 디자인되었기 때문에, 유기 EL 장치에 진입하는 광에 기인하는 글레어 (glare) 는 방지된다.
색도 특성의 개선
장치가 발광할 때, 색도는 광 출사면 (10) 으로부터 모든 발광 방향으로 균등하다.
이것은 광 출사면 (10) 에 미세한 돌기들이 형성되어, 각각의 파장의 광이 다양한 방향으로 확산되고, 광 출사면 (10) 으로부터의 발광 방향에서, 각 파장 광의 각에 대한 휘도 의존성은 상당히 줄어들기 때문이다.
제 1 유기 EL 장치는 다음과 같이 변형될 수 있다. 또한, 다음 둘 이상의 변형예는 결합될 수도 있다.
변형예 1 에서, 돌기는 투명 기판 (1) 상보다는 투명 기판 (1) 의 광 취출측의 전극 (20) 상에 위치한 멤버 상에 형성된다. 즉, 도 4 에서 도시하는 바와 같이, 기판 (1) 의 광 출사면 (10) 상에 돌기를 형성하는 대신에, 상기 요구조건을 만족하는 요철면 (30) 을 가지는 멤버 (3) 이 투명 기판 (1) 의 광 취출측에 형성될 수도 있다. 이 경우, 동일한 이점이 상기 열거한 이점과 같이 얻어진다.
예를 들어, 하나의 측상에 상기 열거된 요구조건을 만족하는 요철면을 가지는 투명 수지막이 이용될 수 있다. 이 경우, 막의 요철면으로부터 반대측은 투 명 기판 (1) 의 광 출사면 (10) 에 부착된다. 본 명세서에서, 광 출사면 (10) 에 관하여 광 취출측에 부착된 상기 열거된 요구조건을 만족하는 요철면이 있는 멤버 (3) 을 가지는 장치는 상기 요구조건을 만족하는 요철면이 형성된 광 출사면 (10) 을 가지는 장치와 균등물이라고 여겨진다.
투명 기판 (1) 의 취출측에 제공할 경우, 상기 열거된 요구조건을 만족하는 요철면을 가지는 투명 멤버 (3), 멤버 (3) 의 굴절 인덱스는 약 기판 (1) 의 것과 동일하도록 설정되고, 멤버 (3) 과 기판 (1) 사이의 접촉면의 굴절 인덱스는 멤버 (3) 과 기판 (1) 의 중간이다. 멤버 (3) 및 기판 (1) 은 가깝게 접촉하도록 하는 것이 바람직하다.
부착 멤버 (3) 은 다른 기능을 가진다. 예를 들어, 부착 멤버 (3) 은 수광된 광의 파장를 변경하는 멤버를 가지거나 또는 형광 물질 또는 인광 물질을 포함한다. 또한, 부착 멤버 (3) 은 컬러 필터일 수도 있다.
투명 멤버 (3) 상에 돌기를 형성하는 것은 돌기를 형성하는 것이 어렵거나 불가능한 기판이 발광 장치에 사용되도록 허용한다.
변형예 2 에서, 무기 EL 소자가 사용된다. 즉, 상기 실시형태에서, 유기 EL 소자 (2) 는 무기 EL 소자로 대체될 수도 있다. 도 5 에서 도시하는 바와 같이, 무기 EL 소자 (4) 는 투명 제 1 전극 (40) 과 제 2 전극 (42) 사이에 협지되어 있고, 예를 들어 금속으로 제조되고 반사층으로서 기능하는 3 층 구조의 무기 발광층 (41) 을 포함한다. 무기 발광층 (41) 은 주 구성요소가 아연 황화물과 같은 무기 물질인 층 (412) 을 포함하는 무기 발광 물질을 포함한다. 무기 발 광 물질 포함층 (412) 은 예를 들어 실리콘 옥사이드로 형성된 절연층 (411 및 413) 의 쌍 사이에 있다. 약 200V 의 교류 전압이 전극 (40 및 42) 사이에 인가될 경우, 물질 포함층 (412) 층과 절연층 (411 및 413) 사이의 접촉면에서 나오는 전자는 가속된다. 이것은 무기 발광층 (41) 안의 도펀트 (dopant) 원자를 여기시키고, 따라서 광 (EL) 을 생성시킨다. 그 후, 광은 투명 전극 (40) 을 통해 소자로부터 출사된다.
변형예 3 에서, 프리즘 시트가 사용된다. 즉, 도 6 에서 도시한 바와 같이, 광 발광층 (21) 의 광취출측에 대응하는 측상에 프리즘 시트 (5) 가 제공될 수도 있다. 프리즘 시트 (5) 의 개수는 둘 이상이 될 수 있다.
상기에서 상술한 바와 같이, 본 실시형태의 유기 EL 장치는 요철면의 산술 평균 경사 Δa 에 따라서 특정한 방향에서의 휘도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 광 취출측 상에 광 출사면 (10) 의 법선 방향으로의 특정한 방향에서 발광의 진행 방향을 변경하는 하나 이상의 프리즘 시트 (5) 이 제공되는 경우, 광 취출면 (10) 의 법선 방향 또는 장치의 정면 방향으로의 휘도는 증가된다. 장치는 정면 방향을 제외한 방향의 휘도를 증가시키도록 디자인될 수도 있다.
프리즘 시트 (5) 에 대하여, 임의의 종래 시트가 유기 EL 장치의 발광 특성에 따라 선택될 수도 있다. 선택된 프리즘 시트 (5) 는 임의의 종래 방법 또는 종래 멤버를 이용하여 유기 EL 장치에 부착될 수 있다.
변형예 4 에서, 제 1 유기 EL 장치는 액정 표시장치 유닛의 백라이트로서 이용된다. 즉, 제 1 유기 EL 장치는 광 시스템에 사용될 수 있다.
제 1 유기 EL 장치는 액정 표시장치 유닛의 백라이트 (백라이트 소스) 에 적합하다. 이것은, 종래 유기 EL 장치에 비교하여, 상기에서 상술한 것과 같이, 제 1 유기 EL 가 더 많은 광량을 발광하고, 더 적은 휘도 비평탄성을 갖고, 더 높은 반사 특성을 갖고, 스페큘러 반사가 없기 때문이다. 따라서, 종래 유기 EL 장치가 액정 표시장치 유닛의 백라이트로서 사용되는 경우와 비교하여, 제 1 유기 EL 장치를 백라이트로서 사용하는 것은 휘도를 증가시키고, 휘도의 비평탄성을 감소시키고, 장치가 발광하지 않을 때, 표시된 콘텐츠가 선명하게 보일 수 있도록 한다.
예를 들어, 도 7 에 도시한 바와 같이, 제 1 유기 EL 장치는 종래 투과성 또는 반투명 액정 표시장치 패널 (6) 을 이용하여 사용될 수도 있다. 패널 (6) 은 비-디스플레이 면 (61) 이 광 출사면 (10) 을 바라보도록 배치된다. 즉, 액정 표시장치 패널 (6) 은 디스플레이 면 (60) 이 액정 표시장치 유닛의 밖에서 보이도록 배치된다.
유닛의 밖이 충분히 밝을 경우, 액정 패널 (6) 의 표시 콘텐츠가 유기 EL 소자 (2) 를 활성화시키지 않고 선명하게 보인다. 유닛의 밖이 충분히 밝지 않을 경우, 유기 EL 소자 (2) 를 활성화시켜 액정 패널 (6) 의 표시 콘텐츠가 보인다.
이러한 방법으로, 제 1 유기 EL 장치를 백라이트로서 가지는 디스플레이는 아주 밝은 장소, 예를 들어 태양광이 있는 곳 및 어두운 장소에서, 예를 들어, 방 안 또는 밤에 콘텐츠를 선명하게 디스플레이할 수 있다. 또한, 충분한 외부 광이 있는 경우, 유기 EL 소자 (2) 는 활성화될 필요가 없다. 따라서, 백라이트 를 이용한 종래 액정 표시장치 유닛과 비교할 때, 본 변형예의 표시장치 유닛은 전기의 소비를 감소시킨다.
변형예 5 에서, 제 1 유기 EL 장치는 표시장치에서 포함된다. 즉, 제 1 유기 EL 장치는 표시장치를 형성하는 종래 유기 EL 소자와 결합될 수 있다. 유기 EL 소자 구동 방법으로서, 수동형 매트릭스 시스템 또는 능동형 매트릭스 시스템이 사용될 수 있다.
수동형 매트릭스 시스템에서, 주사 전극 및 신호 전극을 이용하는 XY 매트릭스 전극 구조가 사용된다. 매트릭스를 형성하는 각각의 도트에서, 디스플레이 소자 (유기 EL 소자 2) 가 연결된다. 유기 EL 소자 (2) 는 라인 순차 처리를 통해 구동되고, 활성화된다(발광한다).
능동형 매트릭스 시스템에서, 스위치 소자 및 홀딩 소자는 각각의 디스플레이 소자 (유기 EL 소자 2), 즉, 각각의 픽셀 또는 서브-픽셀에 제공된다. 디스플레이 소자 (유기 EL 소자 2) 는 주사 전극 및 신호 전극의 매트릭스 교차점에 제공된다. TFT 가 스위치로서 이용되는 것이 바람직하다.
다음으로 제 2 유기 EL 장치를 설명한다.
제 2 유기 EL 장치는 다음 사항을 제외하고 제 1 유기 EL 장치와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 제 2 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동일한 방법으로 변형될 수 있다.
제 2 유기 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 대체로 동일한 구성을 가지며, 제 2 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에 다음의 요구조건 (ⅴ) 내지 (ⅷ) 의 하나를 만족하도록 특징된다.
(ⅴ) 제곱근 평균 경사 Δq 는 4°이상 25°이하이다.
(ⅵ) 제곱근 평균 경사 Δq 는 7.5°이상 25°이하이다.
(ⅶ) 제곱근 평균 경사 Δq 는 10°이상 25°이하이다.
(ⅷ) 제곱근 평균 경사 Δq 는 14°이상 19°이하이다.
제곱근 평균 경사 Δq 는 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 제곱근 평균 경사 Δq 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 측정된 커브는 평균 라인을 따라 각각이 ΔX 의 길이를 갖는 섹션으로 나누어진다. 그 후, 섹션의 시점과 종점을 연결하는 각각의 섹션의 라인 조각의 경사각이 얻어지고 제곱된다. 그 후, 제곱된 값의 평균값이 계산된다. 마지막으로, 평균값의 제곱근을 계산하여 제곱근 평균 경사 Δq 를 얻는다. 즉, 제곱근 평균 경사 Δq 는 다음 식
Figure 112004020450706-pat00005
을 이용하여 계산된다.
제 2 유기 EL 장치는 요구조건 (ⅴ) 내지 (ⅷ) 의 임의의 하나를 만족하는 경우, 광 출사면 (10) 또는 제 2 유기 EL 장치의 요철면은 상기 열거된 이유에 대한 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족하도록 디자인된다.
발명자는 상기 값들의 범위가 다음 예 및 비교예를 통해 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
다음의 예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 의 제곱근 평균 경사 Δq 가 0°보다 크고 30°까지의 범위에서 변화하도록 형성되었다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 동일하다.
[평가 4]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 발광되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 광 출사면 (10) 의 제곱근 평균 경사 Δq 와 각각의 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 8 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 방법과 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 가지며, 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비로서 표현된다. 기준 유기 EL 장치의 휘도는 제곱근 평균 경사 Δq 가 0°인 위치 상에 플로팅 (plot) 된다. 발명자는 다음과 같이 도 8 의 실험 결과를 평가하였다.
광 출사면 (10) 이 제곱근 평균 경사 Δq 가 4°이상 25°이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.1 배이다.
즉, 발명자는, 광 출사면 (10) 이 제곱근 평균 경사 Δq 가 4°보다 작은 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 제곱근 평균 경사 Δq 가 7.5°이상 25°이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 이러한 요구조건은 취출광에 적합하다는 것 을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 제곱근 평균 경사 Δq 가 10°이상 25°이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출효율은 상당히 증가된다.
광 출사면 (10) 이 제곱근 평균 경사 Δq 가 14°이상 19°이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출효율은 특히 증가된다.
[평가 5]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, 제곱근 평균 경사 Δq 가 4°이상 25°이하일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 6]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, 모든 장치에서 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 장치는 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템으로 적합하다.
다음으로 제 3 유기 EL 장치를 설명한다. 제 3 유기 EL 장치는 다음 사항을 제외하고 제 1 유기 EL 장치와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 제 3 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동일한 방법으로 변형될 수 있다.
제 3 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 이 다음의 요구조건 (ⅹⅰ) 을 만족하는 요철면으로 형성되도록 특징되어 있다.
(ⅹⅰ) 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 (roughness) Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이다.
산술 평균 조도 Ra 는 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 산술 평균 조도 Ra 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 기준 길이 L 에 대응하는 섹션이 평균 라인의 방향에 따라 조도 커브로부터 선택된다. 그 후, 평균라인으로부터 선택된 섹션의 편차 f(x) 의 절대값이 얻어진다. 그 후, 절대값의 평균값이 계산되고 밀리미터로 표시된다. 즉, 산술 평균 조도 Ra 다음 식
Figure 112004020450706-pat00006
을 이용하여 계산된다.
광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅹⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅱ) 을 만족하는 요철면으로 형성되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게, 광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅹⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅲ) 을 만족하는 요철면으로 형성된다. 가장 바람직하게, 광 출사면 (10) 은 상기 요구조건 (ⅹⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅳ) 을 만족하는 요철면으로 형성된다.
(ⅹⅱ) 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.019 이상 0.07 이하이다.
(ⅹⅲ) 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.029 이상 0.066 이하이다.
(ⅹⅳ) 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.035 이상 0.056 이하이다.
요철면 (광 출사면 10) 은 다음의 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족하도록 디자인된다.
발명자는 상기 값의 범위가 다음 예 및 비교예를 통해 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
다음의 예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 를 0.005 이상 0.08 이하의 범위 안에 변화시키면서, 유기 EL 장치는 제조된다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 제 1 유기 EL 장치의 예 및 비교예와 동일하다. 예 및 비교예의 유기 EL 장치를 형성할 때, 먼저 돌기를 가지는 광 출사면 (10) 이 에칭을 통해 형성된다. 그 후, 광 출사면의 피크의 평균 간격 S 와 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 조도 미터를 이용하여 측정된다. 그 후, 입사면 (11) 상에 제 1 전극 (20) 이 형성된다.
[평가 11]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 발광되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 광 출사면 (10) 의 Ra/S 비와 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 9 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 방법과 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 가지며, 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비로서 표현 된다. 발명자는 다음과 같이 도 9 의 실험 결과를 평가하였다.
광 출사면 (10) 이 Ra/S 비가 0.01 이상 0.07 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.1 배이다.
따라서, 발명자는, 광 출사면 (10) 이 Ra/S 비가 0.01 보다 작은 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다. 즉, 만약 광취출에 적합한 요철면이 제공되지 않는다면, 취출광량은 평평한 광 출사면의 취출광량과 대체로 동일하다.
광 출사면 (10) 이 Ra/S 비가 0.019 이상 0.07 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 이러한 요구조건은 취출광에 적합하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Ra/S 비가 0.029 이상 0.066 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출효율은 상당히 증가된다.
광 출사면 (10) 이 Ra/S 비가 0.035 이상 0.056 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출효율은 특히 증가된다.
[평가 12]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에 서 측정된다. 측정은, Ra/S 비가 0.01 이상 0.07 이하일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 13]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, 모든 장치에서 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 장치는 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템으로 적합하다.
제 3 유기 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동등한 이점을 대체로 가진다.
다음으로 제 4 유기 EL 장치를 설명한다. 제 4 유기 EL 장치는 다음 사항을 제외하고 제 1 유기 EL 장치와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 제 4 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동일한 방법으로 변형될 수 있다.
제 4 유기 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동등한 구성을 대체적으로 가지고 있으며, 광 출사면 (10) 이 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅴ) 내지 (ⅹⅷ) 중의 임의의 하나를 만족하는 것으로 특징된다.
(ⅹⅴ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이다.
(ⅹⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.008 이상 0.035 이하이다.
(ⅹⅶ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.012 이상 0.035 이하이다.
(ⅹⅷ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.015 이상 0.022 이하이다.
제 4 유기 EL 장치가 조건 (ⅹⅴ) 내지 (ⅹⅷ) 중의 임의의 하나를 만족하는 경우, 제 4 유기 EL 장치는 상기 열거된 이유에 대한 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족하도록 디자인된다.
발명자는 상기 값의 범위가 다음 예 및 비교예를 통해 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
다음의 예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 의 비 Ra/Sm 를 0.001 이상 0.04 이하의 범위에서 변화시키면서, 유기 EL 장치는 제조된다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 동일하다.
[평가 14]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 발광되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 광 출사면 (10) 의 Ra/Sm 비와 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 10 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 방법과 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 가지며, 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비로서 표현된다. 발명자는 다음과 같이 도 10 의 실험 결과를 평가하였다.
광 출사면 (10) 이 Ra/Sm 비가 0.004 이상 0.035 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광 량의 1.1 배이다.
즉, 발명자는, 광 출사면 (10) 이 Ra/Sm 비가 0.0004 보다 작은 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Ra/Sm 비가 0.008 이상 0.035 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 이러한 요구조건은 취출광에 적합하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Ra/Sm 비가 0.012 이상 0.035 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출효율은 상당히 증가된다.
광 출사면 (10) 이 Ra/Sm 비가 0.015 이상 0.022 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출효율은 특히 증가된다.
[평가 15]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, Ra/Sm 비가 0.004 이상 0.035 이하일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 16]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에 서 측정된다. 측정은, 모든 장치에서 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 장치는 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템으로 적합하다.
다음으로 제 5 유기 EL 장치를 설명한다. 제 5 유기 EL 장치는 다음 사항을 제외하고 제 1 유기 EL 장치와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 제 5 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동일한 방법으로 변형될 수 있다.
제 5 유기 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동등한 구성을 대체적으로 가지고 있으며, 광 출사면 (10) 이 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅸ) 내지 (ⅹⅹⅱ) 중의 임의의 하나를 만족하는 것으로 특징된다.
(ⅹⅸ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이다.
(ⅹⅹ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.08 이상 0.30 이하이다.
(ⅹⅹⅰ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.11 이상 0.25 이하이다.
(ⅹⅹⅱ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.15 이상 0.22 이하이다.
10-포인트 불규칙성 높이 Rz 는 JIS B0601-1994 에 규정되어 있다. 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 는 다음 방법으로 계산된다. 먼저, 기준 길이 L 에 대응하는 섹션이 평균 라인이 연장하는 방향에 따라 조도 커브로부터 선택된다. 그 후, 평균 라인으로부터의 5 개의 가장 높은 피크 Yp1-Yp5 의 평균 및 평균 라인으로부터의 5개의 가장 깊은 밸리 Yv1-Yv5 의 평균 깊이가 계산된다. 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 는 평균의 합을 계산하고, 그 합을 마이크로미터로 표시함으로써 얻어진다. 즉, 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 는 다음 식
Figure 112004020450706-pat00007
을 이용하여 계산된다.
제 5 유기 EL 장치가 조건 (ⅹⅸ) 내지 (ⅹⅹⅱ) 의 임의의 것을 만족할 때, 제 5 유기 EL 장치는 상기 열거한 이유에 대한 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족한다.
본 발명자는 상기 값들의 범위가 다음 예 및 비교예를 통한 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
다음의 예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 의 비 Rz/S 를 0.02 이상 0.35 이하의 범위 안에 변화시키면서, 유기 EL 장치는 제조된다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 제 1 유기 EL 장치의 예 및 비교예와 동일하다.
[평가 17]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 발광되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 출사면 (10) 의 비 Rz/S 와 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 11 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 바와 같이 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 갖고 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비로서 표현된다. 발명자는 다음과 같이 도 11 의 실험 결과를 평가한다.
광 출사면 (10) 이 Rz/S 비가 0.05 이상 0.30 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.1 배이다.
즉, 발명자는, 광 출사면 (10) 이 Rz/S 비가 0.05 보다 작은 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Rz/S 비가 0.08 이상 0.030 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 이러한 요구조건은 취출광에 적합하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Rz/S 비가 0.11 이상 0.25 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출효율은 상당히 증가된다.
광 출사면 (10) 이 Rz/S 비가 0.15 이상 0.22 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출효율은 특히 증가된다.
[평가 18]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에 서 측정된다. 측정은, Rz/S 비가 0.05 이상 0.30 이하일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 19]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, 모든 장치에서 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 장치는 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템으로 적합하다.
다음으로 제 6 유기 EL 장치를 설명한다. 제 6 유기 EL 장치는 다음 사항을 제외하고 제 1 유기 EL 장치와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 제 6 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동일한 방법으로 변형될 수 있다.
제 6 유기 EL 장치는 제 1 유기 EL 장치와 동등한 구성을 대체적으로 가지고 있으며, 광 출사면 (10) 이 상기 요구조건 (ⅰ) 대신에, 다음의 요구조건 (ⅹⅹⅲ) 내지 (ⅹⅹⅵ) 중의 임의의 하나를 만족하는 것을 특징으로 한다.
(ⅹⅹⅲ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하이다.
(ⅹⅹⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.04 이상 0.14 이하이다.
(ⅹⅹⅴ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.05 이상 0.12 이하이다.
(ⅹⅹⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.06 이상 0.10 이하이다.
제 6 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 이 조건 (ⅹⅹⅲ) 내지 (ⅹⅹⅵ) 의 임의의 하나를 만족할 때, 광 출사면 (10) 은 상기 열거한 이유에 대한 요구조건 (a) 또는 (b) 를 만족한다.
본 발명자는 상기 값들의 범위가 다음 예 및 비교예를 통한 유기 EL 장치에 바람직하다는 것을 알아냈다.
다음의 예 및 비교예에서, 유기 EL 장치는 광 출사면 (10) 의 비 Rz/Sm 를 0.005 이상 0.15 이하의 범위 안에 변화시키면서, 유기 EL 장치는 제조된다. 재료, 막 두께 및 공식을 포함하는 다른 조건들은 제 1 유기 EL 장치의 예 및 비교예와 동일하다.
[평가 20]
동일한 전류가 각각의 형성된 유기 EL 장치에 인가되고, 광 출사면 (10) 각각으로부터 발광되는 전체 광량은 휘도 미터로 측정된다. 출사면 (10) 의 비 Rz/Sm 와 유기 EL 장치의 휘도 사이의 관계는 도 12 의 그래프에서 도시된다. 휘도는 상술한 바와 같이 동일할 방법으로 형성된 유기 EL 소자 (2) 를 갖고 광 출사면 (10) 상에 돌기를 가지고 있지 않는 유기 EL 장치의 휘도에 대한 비로서 표현된다. 발명자는 다음과 같이 도 12 의 실험 결과를 평가한다.
광 출사면 (10) 이 Rz/Sm 비가 0.025 이상 0.014 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광 량의 1.1 배이다.
즉, 발명자는, 광 출사면 (10) 이 Rz/Sm 비가 0.025 보다 작은 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량과 대체적으로 동일하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Rz/Sm 비가 0.04 이상 0.014 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.2 배이다. 즉, 이러한 요구조건은 취출광에 적합하다는 것을 알아냈다.
광 출사면 (10) 이 Rz/Sm 비가 0.05 이상 0.012 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.3 배이다. 즉, 취출효율은 상당히 증가된다.
광 출사면 (10) 이 Rz/Sm 비가 0.06 이상 0.10 이하인 요철면으로 형성되는 경우, 광 출사면 (10) 을 통해 밖으로 취출되는 광량은 기준 유기 EL 장치의 광량의 1.4 배이다. 즉, 취출효율은 특히 증가된다.
[평가 21]
색도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에서 측정된다. 측정은, Rz/Sm 비가 0.025 이상 0.14 이하일 때, 색도는 취출 방향에 따라 좀처럼 변하지 않는다는 것을 나타낸다. 즉, 색도는 취출각에 의존성을 가지지 않는다.
[평가 22]
휘도는 형성된 유기 EL 장치의 광 출사면 (10) 으로부터 다양한 발광 방향에 서 측정된다. 측정은, 모든 장치에서 특정한 방향에서의 휘도는 다른 방향에서의 휘도보다 더 높다는 것을 나타낸다. 장치는 예를 들어, 디스플레이 및 광 시스템으로 적합하다.
본 예 및 실시형태는 예시적이고, 비한정적인 것으로 여겨지며, 본 발명은 여기에 주어진 세부사항으로 한정되지 않아야 하며, 첨부된 청구항의 범위 및 균등물 내에서 변형될 수도 있다.
본 발명은 평평한 광출사면을 갖는 종래 유기 EL 장치보다 높은 취출효율을 가지며, 유기 EL 장치가 발광할 때 광 출사면에 대한 특정한 방향에서의 휘도가 다른 방향에서의 휘도보다 더 크다.
또한 유기 EL 장치에 진입하는 광으로 인한 글레어 (glare) 가 방지되며, 장치가 발광할 때 광 출사면 (10) 으로부터 모든 발광 방향으로의 색도가 균등하다.

Claims (20)

  1. 기판 (1) 및 상기 기판 상에 형성된 자발광 소자 (2) 를 구비하는 자발광 장치에 있어서,
    상기 자발광 소자 (2) 는 한 쌍의 전극 (20, 22) 사이에 협지되어 있는 발광층 (21) 을 포함하고, 상기 발광층 (21) 에 의해 생성된 광은 상기 기판 (1) 으로부터 상기 자발광 장치의 외부로 출사되고,
    상기 기판 (1) 은 상기 자발광 소자 (2) 가 형성된 제 1 면 (11) 및 상기 제 1 면 (11) 의 반대측에 위치한 제 2 면 (10) 을 가지며, 상기 제 2 면 (10) 은 복수의 돌기를 가지는 요철면 (10) 으로, 상기 요철면 (10) 은 복수의 오목부와 볼록부가 불균일하게 형성된 불균일 요철면 (10) 이고, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며 상기 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 적어도 다음
    (ⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 3°이상 20°이하이고;
    (ⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 4°이상 25°이하이고;
    (ⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이며;
    (ⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이며;
    (ⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이고
    (ⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하인
    요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 중의 하나가 만족되는 자발광장치.
  2. 기판 (1) 및 상기 기판 (1) 상에 형성된 자발광 소자 (2) 를 구비하는 자발광 장치에 있어서,
    상기 자발광 소자 (2) 는 한 쌍의 전극 (20, 22) 사이에 협지되어 있는 발광층 (21) 을 포함하고, 상기 발광층 (21) 에 의해 생성된 광은 상기 기판 (1) 으로부터 상기 자발광 장치의 외부로 출사되며,
    상기 기판 (1) 의 상기 발광층 (21) 과는 반대측에 투명 부재 (3) 가 형성되고, 상기 투명 부재 (3) 는, 상기 기판 (1) 에 대향하는 제 1 면과, 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면 (30) 을 갖고, 상기 제 2 면 (30) 은 복수의 돌기를 갖는 요철면 (30) 으로, 상기 요철면 (30) 은 복수의 오목부와 볼록부가 불균일하게 형성된 불균일 요철면 (30) 이고, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며 상기 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 적어도 다음
    (ⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 3°이상 20°이하이고;
    (ⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 4°이상 25°이하이고;
    (ⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이고;
    (ⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이고;
    (ⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이고;
    (ⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하인
    요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 중의 하나가 만족되는 자발광장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅰ) 을 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅱ) 를 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅲ) 을 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅳ) 을 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅴ) 을 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    요구조건 (ⅵ) 을 만족하는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광층 (21) 을 기준으로 하여 당해층 (21) 에서 생성된 광이 취출되는 측에 프리즘 시트 (5) 가 배치되는 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 자발광 소자는 유기 EL 소자인 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 투명 부재 (3) 는, 상기 기판 (1) 에 밀착 배치된 투명수지로 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 자발광장치.
  12. 자발광장치의 제조 방법에 있어서,
    제 1 면 (11), 및 제 1 면 (11) 과는 반대측의 제 2 면 (10) 을 갖는 기판 (1) 을 준비하는 단계;
    상기 제 1 면 (11) 상에 발광층 (21) 및 상기 발광층 (21) 을 협지하는 한 쌍의 전극 (20, 22) 을 가지는 자발광 소자 (2) 를 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 면 (10) 에 복수의 불균일한 요철을 가지는 불균일 요철면 (10) 을 형성하는 단계로서, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 상기 요철면은 적어도 다음
    (ⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 3°이상 20°이하이고;
    (ⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 4°이상 25°이하이고;
    (ⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이고;
    (ⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이고;
    (ⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이고;
    (ⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하이고;
    요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 중 하나가 만족되도록 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자발광 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 요철면 (10) 은 상기 제 1 면 (11) 상에 상기 자발광 소자 (2) 가 형성된 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 자발광장치의 제조방법.
  14. 자발광장치의 제조방법에 있어서,
    기판 (1) 을 준비하는 단계;
    상기 기판 (1) 상에 발광층 (21) 및 상기 발광층 (21) 이 협지되어 있는 한 쌍의 전극 (20, 22) 을 가지는 자발광 소자 (2) 를 형성하는 단계;
    상기 기판 (1) 의 상기 발광층 (21) 과는 반대측에 막 형상의 투명 부재 (3) 를 형성하는 단계; 및
    상기 투명 부재 (30) 의 양면 중 일방의 면 (30) 에 복수의 불균일한 돌기를 가지는 요철면 (30) 을 형성하는 단계로, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층 (21) 에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며, 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 상기 요철면은 적어도 다음
    (ⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 3°이상 20°이하이고;
    (ⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 4°이상 25°이하이고;
    (ⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.01 이상 0.07 이하이고;
    (ⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.004 이상 0.035 이하이고;
    (ⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.05 이상 0.30 이하이고;
    (ⅵ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/Sm 는 0.025 이상 0.14 이하인
    요구조건 (ⅰ)-(ⅵ) 중의 하나가 만족되도록 형성되는 단계를 포함하고,
    상기 투명 부재 (3) 의 양면 중 상기 요철면 (30) 과는 반대측의 면이 상기 기판 (1) 에 대치되는 것을 특징으로 하는 자발광 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 요철면 (30) 은, 상기 투명 부재 (3) 가 상기 기판 (1) 상에 형성되기 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 자발광 장치의 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 투명 부재 (3) 는 상기 기판 (1) 에 접착되는 것을 특징으로 하는 자발광 장치의 제조 방법.
  17. 제 2 항에 있어서,
    상기 투명부재 (3) 의 굴절률은 상기 기판 (1) 의 굴절률과 동등한 것을 특징으로하는 자발광 장치.
  18. 제 2 항에 있어서,
    상기 투명부재 (3) 는 입사된 광의 파장을 변경하는 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 자발광 장치.
  19. 기판 (1) 및 상기 기판 상에 형성된 자발광 소자 (2) 를 구비하는 자발광 장치에 있어서,
    상기 자발광 소자 (2) 는 한 쌍의 전극 (20, 22) 사이에 협지되어 있는 발광층 (21) 을 포함하고, 상기 발광층 (21) 에 의해 생성된 광은 상기 기판 (1) 으로부터 상기 자발광 장치의 외부로 출사되고,
    상기 기판 (1) 은 상기 자발광 소자 (2) 가 형성된 제 1 면 (11) 및 상기 제 1 면 (11) 의 반대측에 위치한 제 2 면 (10) 을 가지며, 상기 제 2 면 (10) 은 복수의 돌기를 가지는 요철면 (10) 으로, 상기 요철면 (10) 은 복수의 오목부와 볼록부가 불균일하게 형성된 불균일 요철면 (10) 이고, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며 상기 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 적어도 다음
    (ⅹⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 8°이상 18°이하이고;
    (ⅹⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 10°이상 25°이하이고;
    (ⅹⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.029 이상 0.066 이하이며;
    (ⅹⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.012 이상 0.035 이하이며;
    (ⅹⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.11 이상 0.25 이하인
    요구조건 (ⅹⅰ)-(ⅹⅴ) 중의 하나가 만족되는 자발광장치.
  20. 기판 (1) 및 상기 기판 (1) 상에 형성된 자발광 소자 (2) 를 구비하는 자발광 장치에 있어서,
    상기 자발광 소자 (2) 는 한 쌍의 전극 (20, 22) 사이에 협지되어 있는 발광층 (21) 을 포함하고, 상기 발광층 (21) 에 의해 생성된 광은 상기 기판 (1) 으로부터 상기 자발광 장치의 외부로 출사되며,
    상기 기판 (1) 의 상기 발광층 (21) 과는 반대측에 투명 부재 (3) 가 형성되고, 상기 투명 부재 (3) 는, 상기 기판 (1) 에 대향하는 제 1 면과, 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면 (30) 을 갖고, 상기 제 2 면 (30) 은 복수의 돌기를 갖는 요철면 (30) 으로, 상기 요철면 (30) 은 복수의 오목부와 볼록부가 불균일하게 형성된 불균일 요철면 (30) 이고, 인접한 돌기의 평균 간격 Sm 또는 인접한 돌기의 돌출부 피크의 평균 간격 S 는 상기 발광층에 의해 생성되는 광의 가장 긴 파장의 3 배 이상이며 상기 가장 긴 파장의 2 백배 이하이고, 적어도 다음
    (ⅹⅰ) 요철면의 산술 평균 경사 Δa 는 8°이상 18°이하이고;
    (ⅹⅱ) 요철면의 제곱 평균 제곱근 경사 Δq 는 10°이상 25°이하이고;
    (ⅹⅲ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/S 는 0.029 이상 0.066 이하이며;
    (ⅹⅳ) 돌기의 평균 간격 Sm 에 대한 요철면의 산술 평균 조도 Ra 의 비 Ra/Sm 는 0.012 이상 0.035 이하이며;
    (ⅹⅴ) 피크의 평균 간격 S 에 대한 10-포인트 불규칙성 높이 Rz 의 비 Rz/S 는 0.11 이상 0.25 이하인
    요구조건 (ⅹⅰ)-(ⅹⅴ) 중의 하나가 만족되는 자발광장치.
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Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005174701A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Toyota Industries Corp 電界発光デバイス
JP4660143B2 (ja) * 2004-08-27 2011-03-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
US9040170B2 (en) 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
CN100468814C (zh) * 2004-12-15 2009-03-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 有机发光显示器
US9666826B2 (en) 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US7982380B2 (en) * 2006-08-18 2011-07-19 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Front filter for plasma display and plasma display
US8795855B2 (en) 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
KR100919281B1 (ko) * 2007-08-31 2009-09-30 주식회사 엠디코드 유리기판의 표면처리제와, 이 표면처리제가 도포된표면처리필름 및, 이 표면처리필름을 갖는유기발광다이오드
WO2011015265A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Merck Patent Gmbh Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons
WO2011032686A1 (de) 2009-09-16 2011-03-24 Merck Patent Gmbh Formulierungen zur herstellung von elektronischen vorrichtungen
EP2517278B1 (en) 2009-12-22 2019-07-17 Merck Patent GmbH Electroluminescent formulations
WO2011076323A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Formulations comprising phase-separated functional materials
JP5897472B2 (ja) 2009-12-22 2016-03-30 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネセンス機能性界面活性剤
DE102010006280A1 (de) 2010-01-30 2011-08-04 Merck Patent GmbH, 64293 Farbkonvertierung
JP2013522816A (ja) 2010-03-11 2013-06-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光ファイバー
JP6246468B2 (ja) 2010-03-11 2017-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 治療および化粧品におけるファイバー
CN101814587A (zh) * 2010-04-12 2010-08-25 吉林大学 一种提高平板发光器件耦合出光效率的方法
CN105949177B (zh) 2010-05-03 2019-02-01 默克专利有限公司 制剂和电子器件
EP2576723B1 (en) 2010-05-27 2017-09-20 Merck Patent GmbH Compositions comprising quantum dots
JP2013539584A (ja) 2010-07-26 2013-10-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 量子ドットおよびホスト
CN106887522B (zh) 2010-07-26 2018-09-18 默克专利有限公司 包含纳米晶体的器件
DE102010055901A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
EP2675524B1 (en) 2011-02-14 2017-05-10 Merck Patent GmbH Device and method for treatment of cells and cell tissue
CN102683609A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 海洋王照明科技股份有限公司 一种反置透明有机电致发光器件及其制备方法
US9923152B2 (en) 2011-03-24 2018-03-20 Merck Patent Gmbh Organic ionic functional materials
JP6223961B2 (ja) 2011-05-12 2017-11-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機イオン性機能材料、組成物および電子素子
WO2012163464A1 (en) 2011-06-01 2012-12-06 Merck Patent Gmbh Hybrid ambipolar tfts
EP2737553A1 (en) 2011-07-25 2014-06-04 Merck Patent GmbH Copolymers with functionalized side chains
DE102011117422A1 (de) 2011-10-28 2013-05-02 Merck Patent Gmbh Hyperverzweigte Polymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung in elektronischen Vorrichtungen
JP6103335B2 (ja) * 2012-01-18 2017-03-29 日本電気硝子株式会社 ガラス基板及びその製造方法、並びにガラス基板を用いた有機ｅｌデバイス
CN103078065A (zh) * 2013-02-22 2013-05-01 苏州百纳思光学科技有限公司 一种提高oled背光源发光效率的方法
JP6567519B2 (ja) 2013-07-29 2019-08-28 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ エレクトロルミネッセンス素子
US20160163987A1 (en) 2013-07-29 2016-06-09 Merck Patent Gmbh Electro-optical device and the use thereof
CN103972415B (zh) * 2014-05-08 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置
CN106687563B (zh) 2014-09-05 2023-03-14 默克专利有限公司 制剂和电子器件
WO2016107663A1 (de) 2014-12-30 2016-07-07 Merck Patent Gmbh Formulierungen und elektronische vorrichtungen
CN107431139B (zh) 2015-03-30 2020-12-01 默克专利有限公司 包含硅氧烷溶剂的有机功能材料的制剂
CN104851947B (zh) * 2015-04-21 2017-11-14 北京邮电大学 一种带有表面糙化透光结构的led芯片及其制作方法
JP6571389B2 (ja) * 2015-05-20 2019-09-04 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP6873927B2 (ja) 2015-06-12 2021-05-19 メルク パテント ゲーエムベーハー Ｏｌｅｄ調合物のための溶媒としての非芳香族環を含むエステル
US11046884B2 (en) 2015-08-28 2021-06-29 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
KR20180090362A (ko) 2015-12-10 2018-08-10 메르크 파텐트 게엠베하 비-방향족 사이클을 함유하는 케톤을 포함하는 제형
WO2017102048A1 (en) 2015-12-15 2017-06-22 Merck Patent Gmbh Esters containing aromatic groups as solvents for organic electronic formulations
KR20180095028A (ko) 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형
WO2017102052A1 (en) 2015-12-16 2017-06-22 Merck Patent Gmbh Formulations containing a solid solvent
KR20180110125A (ko) 2016-02-17 2018-10-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
KR20190019138A (ko) 2016-06-16 2019-02-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
US11041083B2 (en) 2016-06-17 2021-06-22 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
JP6980757B2 (ja) 2016-08-04 2021-12-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
JP6379151B2 (ja) * 2016-10-20 2018-08-22 Thk株式会社 運動案内装置
JP7046938B2 (ja) 2016-10-31 2022-04-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
US10950792B2 (en) 2016-10-31 2021-03-16 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
EP3552252B1 (en) 2016-12-06 2023-05-17 Merck Patent GmbH Preparation process for an electronic device
JP7091337B2 (ja) 2016-12-13 2022-06-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
US20200098996A1 (en) 2016-12-22 2020-03-26 Merck Patent Gmbh Mixtures comprising at least two organofunctional compounds
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
KR20190131554A (ko) 2017-03-31 2019-11-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 발광 다이오드 (oled) 를 위한 인쇄 방법
JP7200128B2 (ja) 2017-04-10 2023-01-06 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
JP7330898B2 (ja) 2017-05-03 2023-08-22 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
WO2019016184A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Merck Patent Gmbh FORMULATION OF AN ORGANIC FUNCTIONAL MATERIAL
JP7257100B2 (ja) * 2017-09-11 2023-04-13 東洋製罐グループホールディングス株式会社 透明基板、薄膜支持基板
JP7293229B2 (ja) 2017-12-15 2023-06-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
CN111712551A (zh) 2018-02-26 2020-09-25 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
CN112236488A (zh) 2018-06-15 2021-01-15 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
CN112740432A (zh) 2018-09-24 2021-04-30 默克专利有限公司 用于生产粒状材料的方法
KR20210083347A (ko) 2018-11-06 2021-07-06 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스의 유기 소자의 형성 방법
KR20230002860A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료를 포함하는 에멀젼
KR20230028465A (ko) 2020-06-23 2023-02-28 메르크 파텐트 게엠베하 혼합물의 제조 방법
CN116635491A (zh) 2020-12-08 2023-08-22 默克专利有限公司 油墨体系和用于喷墨印刷的方法
WO2022243403A1 (de) 2021-05-21 2022-11-24 Merck Patent Gmbh Verfahren zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material und vorrichtung zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material
WO2023012084A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Merck Patent Gmbh A printing method by combining inks
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
WO2023237458A1 (en) 2022-06-07 2023-12-14 Merck Patent Gmbh Method of printing a functional layer of an electronic device by combining inks

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01105987A (ja) 1987-10-19 1989-04-24 Nec Corp 薄膜ｅｌ表示装置
JPH01186588A (ja) 1988-01-14 1989-07-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 表示装置およびその作製方法
JPH06250182A (ja) 1993-03-01 1994-09-09 Enplas Corp 面光源装置用プリズムシート
US5620348A (en) * 1995-05-12 1997-04-15 Timex Corporation Method of manufacturing electroluminescent lamps having surface designs and lamps produced thereby
JP3606636B2 (ja) 1995-06-07 2005-01-05 大日本印刷株式会社 レンズシート、面光源及び表示装置
JP3582160B2 (ja) 1995-08-10 2004-10-27 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH09129375A (ja) 1995-11-01 1997-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4164885B2 (ja) 1996-09-12 2008-10-15 三菱化学株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
US6777871B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
TW527848B (en) * 2000-10-25 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting element and display device and lighting device utilizing thereof
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP2002352956A (ja) 2001-03-23 2002-12-06 Mitsubishi Chemicals Corp 薄膜型発光体及びその製造方法
JP2003059641A (ja) 2001-08-09 2003-02-28 Stanley Electric Co Ltd エレクトロルミネセント素子
KR100940530B1 (ko) * 2003-01-17 2010-02-10 삼성전자주식회사 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치
JP4357854B2 (ja) * 2003-02-28 2009-11-04 大日本印刷株式会社 光学フィルターおよびこれを用いた有機ｅｌディスプレイ
JP4277562B2 (ja) * 2003-04-11 2009-06-10 株式会社豊田自動織機 Ｅｌディスプレイ
JP2005174701A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Toyota Industries Corp 電界発光デバイス

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