JPH01105987A - 薄膜ｅｌ表示装置 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置Info
- Publication number
- JPH01105987A JPH01105987A JP26325287A JP26325287A JPH01105987A JP H01105987 A JPH01105987 A JP H01105987A JP 26325287 A JP26325287 A JP 26325287A JP 26325287 A JP26325287 A JP 26325287A JP H01105987 A JPH01105987 A JP H01105987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- display device
- voltage
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は中間調表示に適した薄膜ＥＬ表示装置に関する
。
。
（従来の技術〉
薄膜ＥＬ表示装置は視認整に優れ、コンピュータのデー
タ表示装置等に使用されている。薄膜ＥＬ表示装置の発
光表示部分となる薄膜ＥＬ表示装置ηのパネルの基本的
な断面構造を第３図に示す。すなわち、第３図に示すよ
うに薄膜ＥＬ素子はガラス基板３１上に透明電極３２、
第１絶縁層３３、発光層３４、第２絶縁層３５、背面電
橋３６が順次積層された素子構造を有している。第１及
び第２絶縁層３３．３５としてはＹ２０ｓ 、 Ｔａ２
０５ 、 Ｓ ｉ ３Ｎ４．５ｉｆ２．Ａｇ３０ｓ
、ＢａＴｊＯｘ 。
タ表示装置等に使用されている。薄膜ＥＬ表示装置の発
光表示部分となる薄膜ＥＬ表示装置ηのパネルの基本的
な断面構造を第３図に示す。すなわち、第３図に示すよ
うに薄膜ＥＬ素子はガラス基板３１上に透明電極３２、
第１絶縁層３３、発光層３４、第２絶縁層３５、背面電
橋３６が順次積層された素子構造を有している。第１及
び第２絶縁層３３．３５としてはＹ２０ｓ 、 Ｔａ２
０５ 、 Ｓ ｉ ３Ｎ４．５ｉｆ２．Ａｇ３０ｓ
、ＢａＴｊＯｘ 。
Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ等の誘電体薄膜が、真空蒸着やス
パッタ法、プラズマＣＶＤ法等により形成され使用され
ている。また発光層３４としてはＺｎＳ等のｎ−Ｖｌ化
合物を発光母体とする薄膜が使用されている。
パッタ法、プラズマＣＶＤ法等により形成され使用され
ている。また発光層３４としてはＺｎＳ等のｎ−Ｖｌ化
合物を発光母体とする薄膜が使用されている。
電極３２．３６間に交流の高電圧を印加することにより
発光層４内に加速された電子が流れ発光中心を励起する
ことにより発光中心固有の発光色の面発光が得られる。
発光層４内に加速された電子が流れ発光中心を励起する
ことにより発光中心固有の発光色の面発光が得られる。
このような薄膜ＥＬ表示装置はＸＹマトリクス型の構造
で線順次走査により大容量の表示が可能となりパソコン
等のデイスプレィとして使用されている０発光及び非発
光の２値表示が主であるか、近年、より優れた表示がで
きる中間調表示の要求が増大している。交流駆動型の簿
膜ＥＬ表示装置で中間調表示を行なうためには、印加パ
ルス中での変調方法は採用することはできず、画素に印
加される電圧を変えて発光輝度を変える電圧変調法か発
光回数を変えて変調する方法を採用する必要がある。発
光回数による変調法は薄膜ＥＬ素子が大きな静電容量を
有しており高い周波数で駆動できないことや、また逆に
表示のちらつき防止のためにはあまり低い周波数まで落
すことができない問題があり、現実的には３０Ｈｚから
１２０ Ｈｚの間での４階調程度が限界である。これに
対して電圧変調法は、薄膜ＥＬに適した方法であり、窩
耐圧の専用の駆動用ＩＣも開発されている。
で線順次走査により大容量の表示が可能となりパソコン
等のデイスプレィとして使用されている０発光及び非発
光の２値表示が主であるか、近年、より優れた表示がで
きる中間調表示の要求が増大している。交流駆動型の簿
膜ＥＬ表示装置で中間調表示を行なうためには、印加パ
ルス中での変調方法は採用することはできず、画素に印
加される電圧を変えて発光輝度を変える電圧変調法か発
光回数を変えて変調する方法を採用する必要がある。発
光回数による変調法は薄膜ＥＬ素子が大きな静電容量を
有しており高い周波数で駆動できないことや、また逆に
表示のちらつき防止のためにはあまり低い周波数まで落
すことができない問題があり、現実的には３０Ｈｚから
１２０ Ｈｚの間での４階調程度が限界である。これに
対して電圧変調法は、薄膜ＥＬに適した方法であり、窩
耐圧の専用の駆動用ＩＣも開発されている。
（発明が解決しようとする問題点）
薄膜ＥＬ表示装置で中間調を実現するためには、印加電
圧を変えることにより発光輝度を変える電圧変調法が適
しているか、薄膜ＥＬ素子の電圧−輝度特性は第４図に
示すように、発光開始電圧以上で急激な輝度増大を示し
、電圧に対して輝度が比例して増加しない。この様な非
線的な電圧−輝度特性は電圧変調による中間調表示に不
適当である。また、印加電圧の低い低輝度領域では、所
定の輝度に達するまでに多数の交播パルスを印加する必
要があり応答性が悪く、中間調表示の画質を損なう。
圧を変えることにより発光輝度を変える電圧変調法が適
しているか、薄膜ＥＬ素子の電圧−輝度特性は第４図に
示すように、発光開始電圧以上で急激な輝度増大を示し
、電圧に対して輝度が比例して増加しない。この様な非
線的な電圧−輝度特性は電圧変調による中間調表示に不
適当である。また、印加電圧の低い低輝度領域では、所
定の輝度に達するまでに多数の交播パルスを印加する必
要があり応答性が悪く、中間調表示の画質を損なう。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明か提供する手段は
、基板上に１層以上の絶縁層と共に薄膜Ｅ Ｌ発光層か
互いに直交する電極に挟持されてなる膜構造を有するパ
ネルを電圧変調により中間調表示する薄膜ＥＬ表示装置
であって、前記基板の前記膜構造側表面が微細な凹凸を
なしていることを特徴とする。
、基板上に１層以上の絶縁層と共に薄膜Ｅ Ｌ発光層か
互いに直交する電極に挟持されてなる膜構造を有するパ
ネルを電圧変調により中間調表示する薄膜ＥＬ表示装置
であって、前記基板の前記膜構造側表面が微細な凹凸を
なしていることを特徴とする。
（作用）
第１図は本発明による電圧変調中間表示薄膜ＥＬ表示装
置のパネルの一例を模範的に示す断面図である。該パネ
ルはガラス製の凹凸面を有する基板１上に透明電極２．
第１絶縁層３．薄膜発光層４．第２絶縁層５．背面電極
６を積層してなる基本構造を有している。電［２，６に
交流パルス電圧を印加し、徐々に電圧を増大させると、
面内で均一には発光せず、清や窪みの部分で最初に発光
が始ることが観察される。更に電圧を印加すると輝度を
増大させながら発光面積も増加して行く。
置のパネルの一例を模範的に示す断面図である。該パネ
ルはガラス製の凹凸面を有する基板１上に透明電極２．
第１絶縁層３．薄膜発光層４．第２絶縁層５．背面電極
６を積層してなる基本構造を有している。電［２，６に
交流パルス電圧を印加し、徐々に電圧を増大させると、
面内で均一には発光せず、清や窪みの部分で最初に発光
が始ることが観察される。更に電圧を印加すると輝度を
増大させながら発光面積も増加して行く。
この様な発光分布は基板の凹凸形状に対応しているから
肉眼では識別できない、この結果、発光画素の電圧−輝
度特性は発光開始電圧以上で、はぼ印加電圧に比例した
特性が実現される。また、低輝度域での応答性も大巾に
改善される。この様な特性は電圧変調による中間調表示
に非常に適している。
肉眼では識別できない、この結果、発光画素の電圧−輝
度特性は発光開始電圧以上で、はぼ印加電圧に比例した
特性が実現される。また、低輝度域での応答性も大巾に
改善される。この様な特性は電圧変調による中間調表示
に非常に適している。
表面が荒れた基板を使用することにより、上述のような
特性が得られる理由は次の通りと思われる０表面に凹凸
を有する基板上に形成された薄膜は、窪みや傾斜部で実
効的に薄くなるから、発光層や絶縁層の膜厚が一定範囲
に分布する。また、尖った部位では電界集中が発生し、
平坦な部位では平均化された電界となるから、凹凸の状
態に応じて発光色内の電界に分布かできる。これらの原
因により、電圧−輝度特性が微細な部位ごとに実行的に
異なり、全体としては平均化された特性か得られる。
特性が得られる理由は次の通りと思われる０表面に凹凸
を有する基板上に形成された薄膜は、窪みや傾斜部で実
効的に薄くなるから、発光層や絶縁層の膜厚が一定範囲
に分布する。また、尖った部位では電界集中が発生し、
平坦な部位では平均化された電界となるから、凹凸の状
態に応じて発光色内の電界に分布かできる。これらの原
因により、電圧−輝度特性が微細な部位ごとに実行的に
異なり、全体としては平均化された特性か得られる。
（実施例）
次に第１図の構造の実施例を挙げ、本発明を一層詳しく
説明する。
説明する。
透明カラス基板の一方の面をサンドプラス１〜により荒
らした後、希釈したふつ酸により軽くエツチングを行な
い適度な表面荒れを有する基板１を作成した。この上に
ＩＴＯ透明電極２、Ｙ２Ｏ。
らした後、希釈したふつ酸により軽くエツチングを行な
い適度な表面荒れを有する基板１を作成した。この上に
ＩＴＯ透明電極２、Ｙ２Ｏ。
薄膜からなる第１絶縁層３、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層４、Ｙ
、Ｏ１膜の第２絶縁層５を順次に形成し、最後にＡ！Ｊ
薄膜の背面電極６を形成した０以上の工程により第１図
のＭ造の薄膜ＥＬ表示装置か形成された。この薄膜ＥＬ
パネルの電圧−輝度特性を第２図に示す。本図には参考
として、基板表面を荒さない通常め薄膜ＥＬパネルの特
徴を点線で示す６本図から明らかなように、表面を荒ら
すことにより発光開始電圧が低下している。これは前述
したように実効的に膜厚の薄い部分や、電界集中が発生
するために低い印加電圧で局部的に発光を開始するから
である。発光開始電圧以上では、印加電圧を増大させる
に従ってほぼ比例して輝度が増大している。
、Ｏ１膜の第２絶縁層５を順次に形成し、最後にＡ！Ｊ
薄膜の背面電極６を形成した０以上の工程により第１図
のＭ造の薄膜ＥＬ表示装置か形成された。この薄膜ＥＬ
パネルの電圧−輝度特性を第２図に示す。本図には参考
として、基板表面を荒さない通常め薄膜ＥＬパネルの特
徴を点線で示す６本図から明らかなように、表面を荒ら
すことにより発光開始電圧が低下している。これは前述
したように実効的に膜厚の薄い部分や、電界集中が発生
するために低い印加電圧で局部的に発光を開始するから
である。発光開始電圧以上では、印加電圧を増大させる
に従ってほぼ比例して輝度が増大している。
上述のＭｌｉ造のＸＹマトリクスパネルを１６レベルで
電圧変′Ａ駆動した結果、良好な１６段調の表示が得ら
れた。
電圧変′Ａ駆動した結果、良好な１６段調の表示が得ら
れた。
（発明の効果）
以遠に述べたように、本発明の薄膜ｌ３１１表示装置に
より良好な中間調表示が可能になった。
より良好な中間調表示が可能になった。
第１図は本発明による薄膜ＥＬ表示装置のパネルのＷｉ
造を示す模式的な断面図である。第２図は本発明の一実
施例である薄膜ＥＬ表示装置の輝度−電圧特性図である
。第３図は従来の□一般的な構造の薄膜ＥＬ表示装置の
パネルを示す断面図であり、第４図は第３図の薄膜Ｅ１
−表示装置の輝度−電圧特性図である。 １・・・凹凸面を有する基板、２．３２・・・透明電極
、３．３３・・・第１絶縁層、４．３４・・・薄膜発光
層、５゜３５・・・第２絶縁層、６．３６・・・背面電
極、３１・・・カラス基板。
造を示す模式的な断面図である。第２図は本発明の一実
施例である薄膜ＥＬ表示装置の輝度−電圧特性図である
。第３図は従来の□一般的な構造の薄膜ＥＬ表示装置の
パネルを示す断面図であり、第４図は第３図の薄膜Ｅ１
−表示装置の輝度−電圧特性図である。 １・・・凹凸面を有する基板、２．３２・・・透明電極
、３．３３・・・第１絶縁層、４．３４・・・薄膜発光
層、５゜３５・・・第２絶縁層、６．３６・・・背面電
極、３１・・・カラス基板。
Claims (1)
- 基板上に、１層以上の絶縁層と共に薄膜ＥＬ発光層が互
いに直交する電極に挟持されてなる膜構造を有するパネ
ルを電圧変調により中間調表示する薄膜ＥＬ表示装置に
おいて、前記基板の前記膜構造側表面が微細な凹凸をな
していることを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26325287A JPH01105987A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 薄膜ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26325287A JPH01105987A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 薄膜ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105987A true JPH01105987A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17386887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26325287A Pending JPH01105987A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 薄膜ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105987A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773332A (ja) * | 1992-05-29 | 1995-03-17 | Wakutangu Rashikia | 画像認識装置及び方法 |
| US6954031B2 (en) * | 2002-07-24 | 2005-10-11 | Fujitsu Limited | Light-emitting display device with substrate having surface irregularities |
| US7067974B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| EP2261954A1 (en) * | 2008-04-01 | 2010-12-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing soi substrate |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26325287A patent/JPH01105987A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773332A (ja) * | 1992-05-29 | 1995-03-17 | Wakutangu Rashikia | 画像認識装置及び方法 |
| US6954031B2 (en) * | 2002-07-24 | 2005-10-11 | Fujitsu Limited | Light-emitting display device with substrate having surface irregularities |
| US7192334B2 (en) | 2002-07-24 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltf. | Light-emitting display device and method for making the same |
| US7067974B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| US7122958B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-10-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| EP2261954A1 (en) * | 2008-04-01 | 2010-12-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing soi substrate |
| EP2261954A4 (en) * | 2008-04-01 | 2011-06-22 | Shinetsu Chemical Co | METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SUBSTRATE ON INSULATION |
| US8420503B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-04-16 | Shin—Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing SOI substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01105987A (ja) | 薄膜ｅｌ表示装置 | |
| JPH01186588A (ja) | 表示装置およびその作製方法 | |
| JPS6323640B2 (ja) | ||
| JPWO2005039247A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
| JP2621057B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH027072B2 (ja) | ||
| JPH0115876B2 (ja) | ||
| KR0128523Y1 (ko) | 전계 발광소자 | |
| KR100269916B1 (ko) | 형광 표시관 | |
| JPH0377297A (ja) | Ｅｌ表示装置の階調表示方法 | |
| JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH0773971A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH088147B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01243394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5991697A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0451490A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子の駆動方法 | |
| JPH01315993A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法 | |
| JPS6089098A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 | |
| JPH07118388B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH05275173A (ja) | 面光源 | |
| JPS63205093A (ja) | 薄膜型電界発光素子 | |
| JPS62147693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6443996A (en) | Membranous luminous element | |
| JPS62156696A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子の駆動方法 |