JPH07118388B2 - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07118388B2 JPH07118388B2 JP61273340A JP27334086A JPH07118388B2 JP H07118388 B2 JPH07118388 B2 JP H07118388B2 JP 61273340 A JP61273340 A JP 61273340A JP 27334086 A JP27334086 A JP 27334086A JP H07118388 B2 JPH07118388 B2 JP H07118388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- dielectric
- dielectric layer
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 15
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- BJXXCWDIBHXWOH-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[Ta+5] BJXXCWDIBHXWOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910016655 EuF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004296 TbF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N strontium titanium Chemical compound [Ti].[Sr] RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜EL素子およびその製造方法に関するものであ
り、さらに詳しくは発光特性が長期にわたって安定な薄
膜EL素子およびその製造方法に関する。
いる薄膜EL素子およびその製造方法に関するものであ
り、さらに詳しくは発光特性が長期にわたって安定な薄
膜EL素子およびその製造方法に関する。
従来の技術 従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
てＸ−Ｙマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層（以下EL発光体層と略
称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵素と称
する）、発光した絵素の組み合わせによって文字記号、
図形等を表示させるものである。
てＸ−Ｙマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層（以下EL発光体層と略
称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵素と称
する）、発光した絵素の組み合わせによって文字記号、
図形等を表示させるものである。
ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、EL発光体層、第２誘電体層
を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層の
透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。一
般に透明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫
を被着するなどにより形成される。これに直交し、対向
する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などによ
り形成される。
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、EL発光体層、第２誘電体層
を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層の
透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。一
般に透明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫
を被着するなどにより形成される。これに直交し、対向
する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などによ
り形成される。
第１誘電体層や第２誘電体層に用いる材料としては、誘
電率が大きく、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多くの割合をEL発光体
層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者は
主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要であ
る。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた薄
膜EL素子を構成するための誘電体層としては誘電率が大
きな酸化物誘電体薄膜（特開昭56−45595号公報参照）
の方が法が誘電率が小さな酸化珪素や窒化珪素（特公昭
53−42398号公報）より適しており、酸化物誘電体薄膜
を用いた薄膜EL素子が広く研究されている。
電率が大きく、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多くの割合をEL発光体
層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者は
主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要であ
る。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた薄
膜EL素子を構成するための誘電体層としては誘電率が大
きな酸化物誘電体薄膜（特開昭56−45595号公報参照）
の方が法が誘電率が小さな酸化珪素や窒化珪素（特公昭
53−42398号公報）より適しており、酸化物誘電体薄膜
を用いた薄膜EL素子が広く研究されている。
発明が解決しようとする問題点 マトリクス状電極を有する薄膜EL素子を、一斉反転方式
により線順次駆動（特公昭55−27354号公報）し、１走
査期間で２回の発光を行わせる場合、透明電極と背面電
極に挟まれた各絵素においては、正極性のパルスが印加
されてから逆方向のパルスが印加されるまでの時間と、
逆極性のパルスが印加されてから正極性のパルスが印加
されるまでの時間が異なる。このような正・逆パルスの
位相が異なる駆動法により従来技術による薄膜EL素子を
長時間駆動した場合表示情報に応じて発光させた絵素で
は、発光させなかった絵素と比較して、発光開始電圧が
数ボルト変動するという問題点があった。
により線順次駆動（特公昭55−27354号公報）し、１走
査期間で２回の発光を行わせる場合、透明電極と背面電
極に挟まれた各絵素においては、正極性のパルスが印加
されてから逆方向のパルスが印加されるまでの時間と、
逆極性のパルスが印加されてから正極性のパルスが印加
されるまでの時間が異なる。このような正・逆パルスの
位相が異なる駆動法により従来技術による薄膜EL素子を
長時間駆動した場合表示情報に応じて発光させた絵素で
は、発光させなかった絵素と比較して、発光開始電圧が
数ボルト変動するという問題点があった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、位相が異なる交
流パルスや正・逆方向の振幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜EL素子
およびその製造方法を提供することにある。
流パルスや正・逆方向の振幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜EL素子
およびその製造方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明においては、透光性基板上に、透明電極、第１誘
電体層、EL発光体層、第２誘電体層、および背面電極を
順次積層してなる薄膜EL素子において、前記第１誘電体
層の前記EL発光体層側の部分は、厚さ10nm以上、200nm
以下の硫化カルシウム薄膜で構成し、前記第１誘電体層
の前記透明電極側の部分は比誘電率が15以上の酸化物誘
電体薄膜で構成し、前記第２誘電体層の前記EL発光体層
側の部分は、厚さ10nm以上、200nm以下の硫化カルシウ
ム薄膜で構成し、その上に厚さ20nm以上、100nm以下の
前記EL発光体層を構成する蛍光体薄膜と同じ主成分から
なる薄膜を積層して構成し、前記第２誘電体層の背面電
極側の部分は酸化物誘電体薄膜で構成する。
電体層、EL発光体層、第２誘電体層、および背面電極を
順次積層してなる薄膜EL素子において、前記第１誘電体
層の前記EL発光体層側の部分は、厚さ10nm以上、200nm
以下の硫化カルシウム薄膜で構成し、前記第１誘電体層
の前記透明電極側の部分は比誘電率が15以上の酸化物誘
電体薄膜で構成し、前記第２誘電体層の前記EL発光体層
側の部分は、厚さ10nm以上、200nm以下の硫化カルシウ
ム薄膜で構成し、その上に厚さ20nm以上、100nm以下の
前記EL発光体層を構成する蛍光体薄膜と同じ主成分から
なる薄膜を積層して構成し、前記第２誘電体層の背面電
極側の部分は酸化物誘電体薄膜で構成する。
また製造工程においては、前記EL発光体層を500℃以
上、600℃以下の温度で加熱処理する。
上、600℃以下の温度で加熱処理する。
作用 発光開始電圧の変動は、EL発光体層と誘電体層との界面
に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、EL発
光体層と誘電体層との反応により生じるものと考えられ
る。EL発光体層と誘電体層との間に10nm以上200nm以下
の硫化カルシウム薄膜を介在させることにより、トラッ
プ準位の形成が抑制され、長期間に渡り安定した動作が
可能になったものと考えられる。
に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、EL発
光体層と誘電体層との反応により生じるものと考えられ
る。EL発光体層と誘電体層との間に10nm以上200nm以下
の硫化カルシウム薄膜を介在させることにより、トラッ
プ準位の形成が抑制され、長期間に渡り安定した動作が
可能になったものと考えられる。
実施例 第１図は本発明にかかる薄膜EL素子の製造方法の一実施
例により作製した薄膜EL素子の断面構造を示す。図にお
いて、１はガラス基板であり、コーニング7059ガラスを
用いた。ガラス基板１上に、スパッタリング法により厚
さ200nmの錫添加酸化インジウム薄膜を形成し、ホトリ
ソグラフィ技術によりストライプ状に加工し透明電極２
とした。その上にチタンジルコン酸ストロンチウム［Sr
（TixZr1−ｘ）O3］を基板温度400℃でスパッタリング
することにより厚さ600nmの酸化物誘電体薄膜３を形成
した。さらにその上に、硫化カルシウムペレットを蒸発
源として基板温度300℃で電子ビーム蒸着することによ
り厚さ50nmの硫化カルシウム薄膜４を形成した。酸化物
誘電体薄膜３と硫化カルシウム薄膜４により、第１誘電
体層５が形成される。硫化カルシウム薄膜４の上には、
共蒸着法により、基板温度200℃で、厚さ400nmのマンガ
ン添加硫化亜鉛薄膜からなるEL発光体層６を形成した。
さらにその上に、硫化カルシウムペレットを蒸発源とし
て基板温度300℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ5
0nmの硫化カルシウム薄膜７を形成した。さらにその上
に基板温度300℃で、厚さ50nmの硫化亜鉛薄膜８を形成
し、その後真空中・550℃で１時間熱処理の後、その上
にタンタル酸バリウム［BaTa2O6］焼結体を、基板温度1
00℃でスパッタリングすることにより厚さ200nmの酸化
物誘電体薄膜９を形成した。酸化物誘電体薄膜９、硫化
カルシウム薄膜７および硫化亜鉛薄膜８により、第２誘
電体層10が形成される。最後にその上に厚さ150nmのAl
を真空蒸着し、ホトリソグラフィ技術により、透明電極
２とは直交する方向にストライプ状の背面電極11を形成
し、薄膜EL素子を完成した。
例により作製した薄膜EL素子の断面構造を示す。図にお
いて、１はガラス基板であり、コーニング7059ガラスを
用いた。ガラス基板１上に、スパッタリング法により厚
さ200nmの錫添加酸化インジウム薄膜を形成し、ホトリ
ソグラフィ技術によりストライプ状に加工し透明電極２
とした。その上にチタンジルコン酸ストロンチウム［Sr
（TixZr1−ｘ）O3］を基板温度400℃でスパッタリング
することにより厚さ600nmの酸化物誘電体薄膜３を形成
した。さらにその上に、硫化カルシウムペレットを蒸発
源として基板温度300℃で電子ビーム蒸着することによ
り厚さ50nmの硫化カルシウム薄膜４を形成した。酸化物
誘電体薄膜３と硫化カルシウム薄膜４により、第１誘電
体層５が形成される。硫化カルシウム薄膜４の上には、
共蒸着法により、基板温度200℃で、厚さ400nmのマンガ
ン添加硫化亜鉛薄膜からなるEL発光体層６を形成した。
さらにその上に、硫化カルシウムペレットを蒸発源とし
て基板温度300℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ5
0nmの硫化カルシウム薄膜７を形成した。さらにその上
に基板温度300℃で、厚さ50nmの硫化亜鉛薄膜８を形成
し、その後真空中・550℃で１時間熱処理の後、その上
にタンタル酸バリウム［BaTa2O6］焼結体を、基板温度1
00℃でスパッタリングすることにより厚さ200nmの酸化
物誘電体薄膜９を形成した。酸化物誘電体薄膜９、硫化
カルシウム薄膜７および硫化亜鉛薄膜８により、第２誘
電体層10が形成される。最後にその上に厚さ150nmのAl
を真空蒸着し、ホトリソグラフィ技術により、透明電極
２とは直交する方向にストライプ状の背面電極11を形成
し、薄膜EL素子を完成した。
本発明の一実施例にかかる薄膜EL素子と、本発明の一実
施例にかかる薄膜EL素子から硫化カルシウム薄膜４、７
および硫化亜鉛薄膜８を除いた従来の薄膜EL素子とに、
第２図に示すような位相の異なる交流パルス電圧を印加
し、発光開始電圧の経時変化を測定したところ、第３図
に示すように、従来の薄膜EL素子では100時間で約６％
発光開始電圧が低下したのに対し（第２図ｂ）、本発明
の薄膜EL素子では１％以下であった（第２図ａ）。
施例にかかる薄膜EL素子から硫化カルシウム薄膜４、７
および硫化亜鉛薄膜８を除いた従来の薄膜EL素子とに、
第２図に示すような位相の異なる交流パルス電圧を印加
し、発光開始電圧の経時変化を測定したところ、第３図
に示すように、従来の薄膜EL素子では100時間で約６％
発光開始電圧が低下したのに対し（第２図ｂ）、本発明
の薄膜EL素子では１％以下であった（第２図ａ）。
このような効果は硫化亜鉛薄膜８を除いてもほとんど変
わらないが、薄い硫化カルシウム薄膜は剥離しやすく、
とくにEL発光体層６の上に形成する硫化カルシウム薄膜
７は付着力が弱く、膜の端部より剥離を生じることがあ
る。もし端部より剥離を生じた場合には、この上に形成
される第２誘電体層の剥離はもちろん、背面電極の断線
にもつながる。しかし硫化カルシウム薄膜７の上を比較
的付着力の強い硫化亜鉛薄膜８で覆うことで改善され
る。硫化亜鉛薄膜８はEL発光体層６を形成するマンガン
添加硫化亜鉛薄膜と主成分は同一であり、したがってワ
ンポンプダウンで簡単にこの層を形成することができ
る。
わらないが、薄い硫化カルシウム薄膜は剥離しやすく、
とくにEL発光体層６の上に形成する硫化カルシウム薄膜
７は付着力が弱く、膜の端部より剥離を生じることがあ
る。もし端部より剥離を生じた場合には、この上に形成
される第２誘電体層の剥離はもちろん、背面電極の断線
にもつながる。しかし硫化カルシウム薄膜７の上を比較
的付着力の強い硫化亜鉛薄膜８で覆うことで改善され
る。硫化亜鉛薄膜８はEL発光体層６を形成するマンガン
添加硫化亜鉛薄膜と主成分は同一であり、したがってワ
ンポンプダウンで簡単にこの層を形成することができ
る。
本実施例では硫化カルシウム薄膜の形成に電子ビーム蒸
着法を用いたが、他の方法例えばスパッタリング法では
膜が剥離を起こし易く、さらにEL発光体層の熱処理温度
が500℃以上では薄膜EL素子の発光開始電圧の経時変化
を抑制する効果が消滅してしまい使用できなかった。
着法を用いたが、他の方法例えばスパッタリング法では
膜が剥離を起こし易く、さらにEL発光体層の熱処理温度
が500℃以上では薄膜EL素子の発光開始電圧の経時変化
を抑制する効果が消滅してしまい使用できなかった。
硫化カルシウム薄膜４、７の厚さは、10nmより薄い場合
は、発光開始電圧の経時変化を抑制する効果が少なく、
200nmより厚くした場合は、硫化カルシウム薄膜の誘電
率は小さいため、厚くするほど薄膜EL素子を駆動するの
に必要な電圧が高くなり、駆動用のICが高価なものとな
って好ましくない。
は、発光開始電圧の経時変化を抑制する効果が少なく、
200nmより厚くした場合は、硫化カルシウム薄膜の誘電
率は小さいため、厚くするほど薄膜EL素子を駆動するの
に必要な電圧が高くなり、駆動用のICが高価なものとな
って好ましくない。
硫化亜鉛薄膜８の膜厚としては、10nmより薄い場合は、
硫化カルシウム薄膜７の剥離を防止する効果が少なく、
200nmより厚くした場合は、硫化亜鉛薄膜の誘電率は小
さいため、厚くするほど薄膜EL素子を駆動するのに必要
な電圧が高くなり、駆動用のICが高価なものとなって好
ましくない。
硫化カルシウム薄膜７の剥離を防止する効果が少なく、
200nmより厚くした場合は、硫化亜鉛薄膜の誘電率は小
さいため、厚くするほど薄膜EL素子を駆動するのに必要
な電圧が高くなり、駆動用のICが高価なものとなって好
ましくない。
EL発光体層６としては活性物質を含む硫化亜鉛（ZnS）
を用いることができる。活性物質としてはMn,Cu,Ag,Au,
TbF3,SmF3,ErF3,TmF3,DyF3,PrF3,EuF3などが適当であ
る。EL発光体層６は硫化亜鉛以外のものでもよく、たと
えば活性物質を含むSrSやCaSなどの電場発光を示すもの
であればよい。
を用いることができる。活性物質としてはMn,Cu,Ag,Au,
TbF3,SmF3,ErF3,TmF3,DyF3,PrF3,EuF3などが適当であ
る。EL発光体層６は硫化亜鉛以外のものでもよく、たと
えば活性物質を含むSrSやCaSなどの電場発光を示すもの
であればよい。
第１誘電体層に用いる酸化物誘電体薄膜の厚さは、第２
誘電体層より厚くした方が、絶縁破壊に対する安定性が
高い。厚い第１誘電体層を用いるには、酸化物誘電体薄
膜の比誘電率が大きいほど好ましく、実験結果からは15
以上が好ましかった。比誘電率が15より小さい場合、10
0〜180Vの電圧で安定に駆動できる薄膜EL素子を形成す
るのは困難であった。このような酸化物誘電体薄膜とし
ては、ペロブスカイト形の結晶構造を含む薄膜が、絶縁
破壊電圧の面からも適していた。その中でもSrTiO3,Srx
Mg1-xTiO3,SrTixZr1-xO3,SrxMg1-xTiyZr1-yO3等のチタ
ン酸ストロンチウム系の薄膜を第１誘電体層の酸化物誘
電体薄膜に用いることにより、極めて安定な薄膜EL素子
を構成することができた。
誘電体層より厚くした方が、絶縁破壊に対する安定性が
高い。厚い第１誘電体層を用いるには、酸化物誘電体薄
膜の比誘電率が大きいほど好ましく、実験結果からは15
以上が好ましかった。比誘電率が15より小さい場合、10
0〜180Vの電圧で安定に駆動できる薄膜EL素子を形成す
るのは困難であった。このような酸化物誘電体薄膜とし
ては、ペロブスカイト形の結晶構造を含む薄膜が、絶縁
破壊電圧の面からも適していた。その中でもSrTiO3,Srx
Mg1-xTiO3,SrTixZr1-xO3,SrxMg1-xTiyZr1-yO3等のチタ
ン酸ストロンチウム系の薄膜を第１誘電体層の酸化物誘
電体薄膜に用いることにより、極めて安定な薄膜EL素子
を構成することができた。
第２誘電体層の酸化物誘電体薄膜の一つとしては、比誘
電率が約22のタンタル酸バリウム系薄膜が適しており、
タンタンル酸バリウム系薄膜を用いることにより、伝播
性絶縁破壊を抑制することができ、信頼性の高い薄膜EL
素子を形成する事ができた。
電率が約22のタンタル酸バリウム系薄膜が適しており、
タンタンル酸バリウム系薄膜を用いることにより、伝播
性絶縁破壊を抑制することができ、信頼性の高い薄膜EL
素子を形成する事ができた。
発明の効果 以上のように本発明によれば、低電圧駆動が可能であ
り、長時間の駆動によっても発光開始電圧の変動が極め
て小さい薄膜EL素子を再現性良く形成することができ、
コンピュータ端末などの薄形、高品位ディスプレィなど
に広く利用でき、実用的価値が大きい。
り、長時間の駆動によっても発光開始電圧の変動が極め
て小さい薄膜EL素子を再現性良く形成することができ、
コンピュータ端末などの薄形、高品位ディスプレィなど
に広く利用でき、実用的価値が大きい。
第１図は本発明にかかる薄膜EL素子の製造方法の一実施
例により作製した薄膜EL素子の構成を示す断面図、第２
図は薄膜EL素子の駆動電圧波形を示す図、第３図は発光
開始電圧の経時変化を示すグラフである。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……酸化物誘電
体薄膜、４……硫化カルシウム薄膜、５……第１誘電体
層、６……EL発光体層、７……硫化カルシウム薄膜、８
……硫化亜鉛薄膜、９……酸化物誘電体薄膜、10……第
２誘電体層、11……背面電極。
例により作製した薄膜EL素子の構成を示す断面図、第２
図は薄膜EL素子の駆動電圧波形を示す図、第３図は発光
開始電圧の経時変化を示すグラフである。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……酸化物誘電
体薄膜、４……硫化カルシウム薄膜、５……第１誘電体
層、６……EL発光体層、７……硫化カルシウム薄膜、８
……硫化亜鉛薄膜、９……酸化物誘電体薄膜、10……第
２誘電体層、11……背面電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 洋介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松岡 富造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阿部 惇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】透光性基板上に、透明電極、第１誘電体
層、EL発光体層、第２誘電体層、および背面電極を順次
積層してなる薄膜EL素子において、前記第１誘電体層の
前記EL発光体層側の部分は、厚さ10nm以上、200nm以下
の硫化カルシウム薄膜で構成し、前記第１誘電体層の前
記透明電極側の部分は比誘電率が15以上の酸化物誘電体
薄膜で構成し、前記第２誘電体層の前記EL発光体層側の
部分は、厚さ10nm以上、200nm以下の硫化カルシウム薄
膜で構成し、その上に厚さ20nm以上、100nm以下の前記E
L発光体層を構成する蛍光体薄膜と同じ主成分からなる
薄膜を積層して構成し、前記第２誘電体層の背面電極側
の部分は酸化物誘電体薄膜で構成したことを特徴とする
薄膜EL素子。 - 【請求項２】第１誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで
構成され、その酸化物誘電体薄膜がペロブスカイト形構
造の結晶部分を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜EL素子。 - 【請求項３】第１誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで
構成され、その酸化物誘電体薄膜としてチタン酸ストロ
ンチウム系薄膜を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜EL素子。 - 【請求項４】第２誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで
構成され、その酸化物誘電体薄膜としてタンタル酸バリ
ウム系薄膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項または第３項のいずれかに記載の薄膜EL素
子。 - 【請求項５】EL発光体層がマンガン添加硫化亜鉛薄膜を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、
第３項または第４項のいずれかに記載の薄膜EL素子。 - 【請求項６】電子ビーム蒸着法にて硫化カルシウム薄膜
を形成し、その上にEL発光体層を積層して形成する工程
と、その上に電子ビーム蒸着法にて硫化カルシウム薄膜
と前記EL発光体層を構成する蛍光体薄膜と同じ主成分か
らなる薄膜を積層して形成する工程と、前記EL発光体層
を500℃以上、600℃以下の温度で加熱処理する工程とを
含むことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273340A JPH07118388B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273340A JPH07118388B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128594A JPS63128594A (ja) | 1988-06-01 |
| JPH07118388B2 true JPH07118388B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17526526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61273340A Expired - Fee Related JPH07118388B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118388B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10392654B4 (de) | 2002-11-14 | 2014-12-24 | Kabushiki Kaisha Kawai Gakki Seisakusho | Saitenschlagvorrichtung eines Klaviers |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273340A patent/JPH07118388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63128594A (ja) | 1988-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63314594A (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイユニットの駆動方法および駆動回路 | |
| EP0258888B1 (en) | Thin film electroluminescence display device | |
| JPH07118388B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH07118389B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2728567B2 (ja) | Ｅｌパネルのエージング方法 | |
| JPS63252392A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6386388A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6366897A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS63254699A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS63116392A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63126192A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63239796A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63116394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01227395A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPH0516158B2 (ja) | ||
| JPS63119195A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62237693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63119196A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH088147B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62147693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01232695A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62285395A (ja) | 直流駆動薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62285398A (ja) | 直流駆動薄膜ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |